【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール用基板１１と、金属層１４側に接合されてパワーモジュール用基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７とが直接接合されており、回路層１３の厚さＡと金属層１４の厚さＢとの比率Ｂ／Ａが、２．１６７≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被覆ベースプレートを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は基板（１２２）に結合された半導体チップと基板（１２２）に結合されたベースプレートとを含む。ベースプレートは、第２の金属層（１０６）に接合する第１の金属層（１０８）クラッドを含む。第２の金属層（１０６）はピン−フィンまたはフィンの冷却構造（１１２）を設けるように変形される。第２の金属層（１０６）はピンもピン−フィンも有しない副層（１１３）を有する。第１の金属層（１０８）は第１の厚さ（ｄ１０８）を有し、副層（１１３）は第２の厚さ（ｄ１１３）を有する。第１の厚さ（ｄ１０８）と第２の厚さ（ｄ１１３）の比は少なくとも４：１である。 （もっと読む）

【課題】低コストで容易に製造でき、しかも熱を散逸させる能力が高い電子制御装置を提供する。
【解決手段】プリント基板１１５は、ケース１１７とカバー１１９とによって挟まれた状態で、プリント基板１１５を貫くネジにより、筐体に固定されている。プリント基板１１５の搭載面には、モールド部品１１３が搭載され、このモールド部品１１３はプリント基板１１５とカバー１１９との間に配置されている。カバー１１９には突出部１２３が設けられ、この突出部１２３とモールド部品１１３との間には熱伝導材１２５が配置される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、ＳｉＣを材料とする半導体素子２０と、半導体素子２０の外周を被覆する第１モールド樹脂５０と、第１モールド樹脂５０よりも耐熱性が低く、第１モールド樹脂５０の外周を被覆する第２モールド樹脂７０と、第２モールド樹脂７０内に配置される温度センサ６０と、を備える。温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０内であって、第１モールド樹脂５０と接する位置に配置され、半導体素子２０の表面と対向している。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１の裏面は、第１の導電板２−１の一方の面と接合している。第１の導電板２−１の他方の面は、第１の配線基板３の回路パターン３ａと接合している。第１の導電板２−１の他方の面には突起部１１が設けられている。第１の配線基板３の回路パターン３ａには、第１の導電板２−１の突起部１１に対応する位置に凹部３ａ−１が設けられている。半導体チップ１のおもて面は、第２の導電板２−２の一方の面と接合している。第２の導電板２−２の他方の面は、第２の配線基板４の回路パターン４ａと接合している。第２の導電板２−２の他方の面には、突起部１２が設けられている。第２の配線基板４の回路パターン４ａには、第２の導電板２−２の突起部１２に対応する位置に凹部４ａ−４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール１０は、セラミックス多層基板１００と、接合層１１０と、拡散層１２０と、半導体素子１３０を備える。接合層１１０は、セラミックス多層基板１００の第１の面１０５上に配置され、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを電気的に接続する導電接合部１１１と、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを絶縁する絶縁接合部１１２とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子１３０からセラミックス多層基板１００への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板１００と半導体素子１３０との接合強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】山状熱歪みを抑制し、被接合部材の剥離を抑制し、熱拡散性の低下を抑制する。
【解決手段】金属放熱板１は、一方の面に絶縁性放熱板１３（被接合部材）または電子部品１１（被接合部材）が接合され、他方の面にヒートシンク１５（冷却部材）が接触される放熱板であって、絶縁性放熱板１３よりも熱膨張率が大きい金属板２０と、金属板２０に埋め込まれた埋込金属３０と、を備える。金属板２０は、絶縁性放熱板１３または電子部品１１が接合される中央部２１と、中央部２１を囲むように旋回放射状に形成された複数の線状のスリット２６と、を備える。埋込金属３０は、スリット２６に埋め込まれるとともに、スリット２６に沿ったせん断応力に対して金属板２０よりも塑性変形しやすい。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】Sn系はんだを用いて半導体素子を接続した半導体装置において、高温環境下においても動作安定性を確保でき、かつ、高電流負荷に耐えうる構造体を提供する。
【解決手段】金属製導体に固定したセラミックス基板２３に半導体素子を装着して金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置において、半導体素子はセラミックス基板２３に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、半導体素子のNiメタライズ層が形成された面とセラミックス基板２３とを母相の平均結晶粒径が２０μｍ以上のSn系はんだで接合した構成とした。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子との接合に融点の低い半田を用いる必要がなく、かつ高い動作温度域でもその形状を保持することができる、高温で動作するパワー半導体装置用の絶縁基板を提供する。
【解決手段】パワー半導体用絶縁基板１１は、Ａｌめっき鋼板のＡｌめっき表面に、軟化点が５００℃以下のＳｉＯ_２系ガラスフリット又はＰ_２Ｏ_５系ガラスフリットを軟化点以上７００℃未満の温度で焼成して得られる絶縁層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの放熱性能を高めつつ、樹脂系材料をモールドする際のヒートシンクと金型との密着不良を抑えて歩留まりの向上に寄与することのできる樹脂モールド型半導体モジュールを得ること。
【解決手段】本発明の樹脂モールド型半導体モジュールは、リードフレームと、前記リードフレームの表面に実装された半導体素子と、前記リードフレームの裏面に接着される接着部を一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部を有するヒートシンクと、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを、前記ヒートシンクの少なくとも前記凹凸部を露出させた状態で覆って一体的にモールドするモールド樹脂とを備え、前記凹凸部の周囲および前記凹凸部の一部に、金型と密着する平坦部または突起部を設けた （もっと読む）

【課題】ろう付中の被ろう付部材の位置ずれを抑制しうるろう付治具を提供する。
【解決手段】ろう付治具10は、第１金属板１、絶縁板２および第２金属板３を、隣り合うものどうしの間に所定大きさの平面が面接触した面接触部分を有するように積層した状態でろう付する際に用いられる。ろう付治具10は、第１金属板１、絶縁板２および第２金属板３を支持する支持部材11と、支持部材11に支持された第１金属板１上に載せられる押圧板12と、支持部材11の上方に間隔をおいて上下動自在に配置される加圧部材13と、押圧板12と加圧部材13との間に配置されたコイルばね14とを備えている。コイルばね14は、加圧部材13が下降した際に圧縮されるとともに、圧縮された際の反発力を押圧板12に伝える。押圧板12とコイルばね14との間に球体15を配置する。 （もっと読む）

【課題】 放熱特性に優れ、かつ電子回路部品の電気的特性を損なわない放熱モジュールの実現が望まれている。
【解決手段】 電子回路部品が実装される実装基板の実装面とは反対側の背面に第１の接続部材が取り付けられる。第１の接続部材は、電子回路部品に電気的に接続された実装基板の第１の導電膜に、電気的に接続され、かつ熱的に結合する。放熱部材が第１の接続部材に熱的に結合し、電子回路部品から第１の接続部材まで伝達された熱を放熱する。抵抗体が、第１の接続部材をグランド電位に接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で更に効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、一方の主面１２ｐが大気に露出している金属板１２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成された導体パターン１６と、導体パターン１６に実装された半導体素子２０と、導体パターン１６に接合されたリードピン２２と、金属板１２の他方の主面１２ｑ側を覆う樹脂部２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーモジュールパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のパワーモジュールパッケージ１００は、メタル材質からなるベース基板１１０と、ベース基板１１０の内部に冷却物質が流れるように形成された冷却チャンネル２００と、ベース基板１１０の外面に形成された陽極酸化層１２０と、陽極酸化層１２０を有するベース基板１１０の第１の面に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層１３０と、メタル層１３０上に実装された半導体素子１４０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】伝導ノイズ及び伝導ノイズをより低減しつつ、破損を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１６では、正極端子５０及び出力端子５４の少なくとも一方と第１スイッチング素子３４との間には導電性の第１熱緩衝材６４ａが配置されると共に、負極端子５２及び出力端子５４の少なくとも一方と第２スイッチング素子４０との間には導電性の第２熱緩衝材６４ｂが配置される。第１熱緩衝材６４ａの線膨張係数は、第１スイッチング素子３４の線膨張係数よりも大きく且つ正極端子５０又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さく、第２熱緩衝材６４ｂの線膨張係数は、第２スイッチング素子４０の線膨張係数よりも大きく且つ負極端子５２又は出力端子５４の線膨張係数よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】第１の半導体素子および第２の半導体素子について、各半導体素子の両側にヒートシンクを配置するとともに、各半導体素子におけるヒートシンク間を、導電部を介して電気的に接続してなる半導体装置において、導電部による接続を適切に確保できるようにする。
【解決手段】第２のヒートシンク２０から第３のヒートシンク３０側に延び第２のヒートシンク２０と第３のヒートシンク３０とを電気的に接続する導電部９０を備え、第３のヒートシンク３０における導電部９０との接続部位には、導電性接着材８０を溜める凹部１００が設けられており、この凹部１００に導電部９０の先端側が挿入されて導電性接着材８０によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】金属シュウ酸塩から形成されたろう付けを含むデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのろう付けｂ１，ｂ２によって互いに接合された少なくとも支持体Ｓおよび部品を含むデバイスの製造方法であって、ろう付け作業が金属シュウ酸塩から出発して行われることを特徴とする製造方法に関する。好都合には、これはシュウ酸銀またはシュウ酸銀とシュウ酸銅との混合物であり、部品および／または支持体Ｓは、金または銅を含む膜で覆われており、この膜が前記ろう付けｂ１、ｂ２と接触し、部品は場合によりパワー部品である。 （もっと読む）

【課題】コンデンサを備え、かつ、高温動作が可能な半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されるコンデンサと、冷却器と、を備え、前記半導体素子と前記コンデンサとは、前記冷却器を挟んで積層されており、積層方向から視て、前記半導体素子は前記コンデンサと重複する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮパッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置において、はんだの厚さを厚く確保するのに適した新規な構成を提供する。
【解決手段】ヒートシンク接続ランド２１０における周辺部に、ソルダーレジスト２３０がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド２１０におけるソルダーレジスト２３０よりも内側の部位に、はんだ３００が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を介して、モールドパッケージ１００とヒートシンク接続ランド２１０とが接触することで、モールドパッケージ１００と基板２００との間におけるはんだ３００の厚さが規定されている。 （もっと読む）