【課題】 樹脂封止型の半導体装置であって、従前の構造に比して、冷却性能の向上が可能な新規な構造を提案すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置10は、半導体素子12とそれが接合された電極板14とが電気絶縁性樹脂から成るモールドＭ内に包含され封止され、モールドの外面に於いて、放熱用のコルゲート・フィン22が、モールドの外面の樹脂がコルゲート・フィンの一方の面の溝内に充填された状態にて接着され、且つ、コルゲート・フィンの一方の面の樹脂が充填された溝の幅ｗ１がコルゲート・フィンの他方の面の樹脂が充填されていない溝の幅ｗ２よりも広いことを特徴とする。これにより、電極板とコルゲート・フィンとの間の電気絶縁性を担保しながら、それらの間の距離ｈが短縮可能となり、冷却性能が向上される。 （もっと読む）

【課題】金属ブロックと半導体素子とのはんだ付け性及び金属ブロックと樹脂との密着性を確保すると共に、製造コストの上昇を抑えた半導体モジュール、及びその製造方法等を提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、金属ブロックと、前記金属ブロックの一方の面に設けられた半導体素子設置領域にはんだ層を介して設置された半導体素子と、前記金属ブロック及び前記半導体素子に樹脂をモールドして形成されるモールド部と、を有し、前記金属ブロックの一方の面は、めっき領域と、粗化領域と、を含み、前記半導体素子設置領域は、前記めっき領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールとヒートシンクをはんだ付けする場合、はんだの溶融時にはんだが外部に流出する恐れがあり、はんだが流出すると本来あるべきはんだ量が足りなくなるため、濡れ面積不足により放熱性能低下が問題となる。
【解決手段】電力用半導体素子１をモールド樹脂２で封入したパワーモジュール１０と、パワーモジュールにはんだにより接合されたヒートシンク１１とを有する電力用半導体装置において、ヒートシンクのパワーモジュール搭載面には、位置決め部１２とはんだ流出止め部１３とからなる突起部１４を設け、突起部とパワーモジュールとヒートシンクで囲まれた空間であってはんだの周囲には、はんだの溶融時に膨張する体積分以上の容積で、その表面がはんだに濡れない材質で構成された溶融はんだの体積膨張吸収部１５を形成した。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線が保護膜に覆われた構造において、保護膜に発生するクラックがゲート配線に到達することを防止することにより、ゲート−エミッタ間のショート不良を防止する。
【解決手段】半導体素子の第１領域と接続される表面電極１７、および通路１２の少なくとも一部に、半導体素子の第２領域と接続される第１金属配線１８を形成する。その後、はんだ２９が実装されない通路１２ｂに形成する第１保護膜２５の高さが、はんだ２９が実装される通路１２ａに形成する第１保護膜２５の高さよりも高くなるように、注入器３２を用いて第１保護膜２５を通路１２に塗布する。続いて、表面電極１７および第１保護膜２５の上に金属層２７、２８を形成してはんだ２９が実装されない通路１２ｂに形成した第１保護膜２５が金属層２７、２８から露出するように、はんだ２９が実装されない通路１２ｂに形成した第１保護膜２５の一部および金属層２７、２８を切削する。 （もっと読む）

【課題】冷却部材と絶縁樹脂層との接合が強固で、冷却部材と絶縁樹脂層との間の熱抵抗が小さく、絶縁樹脂層の面内の膜厚分布が小さい半導体モジュールおよび製造方法を提供する。
【解決手段】表面に突起部１２が設けられた冷却部材１０と、突起部に囲まれた領域に形成された絶縁樹脂層１４と、絶縁樹脂層の表面に形成され、半導体素子１６を備える金属放熱板１８と、を有する半導体モジュールである。また、金属放熱板を前記絶縁樹脂層の表面に加圧加熱プレスする加圧加熱プレス工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である （もっと読む）

【課題】半導体素子が発する熱を拡散させるため、絶縁基板の回路パターンを厚くすると、エッチングに時間を要するうえ、加工精度が良くなかった。少ない工数で製造が可能で安価かつ放熱性に優れた絶縁基板を提供する。
【解決手段】絶縁層上に形成された回路パターン上に、はんだシートを介して金属ブロックを載置し、あるいは、予め金属ブロックをはんだ接合し、この金属ブロックの上面および側面を覆い、金属材料を直接積層した上積み回路パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、構成部材の簡素化とともに高温条件での温度サイクルによる回路基板の反りを低減し、接合部の接合信頼性，放熱性に優れた半導体モジュール用回路基板を提供することにある。
【解決手段】支持部材，接合層，絶縁基板，接合層，回路配線板の順に積層されている回路基板において、前記接合層は金属を含む焼結体であり、かつ前記絶縁基板は非酸化物系のセラミックスであり、該絶縁基板の両面には酸化物層が形成されていることを特徴とする回路基板。 （もっと読む）

【課題】電子部品にクラックや割れが発生することを防止して、電子部品から発生する熱の放散が良好な長期信頼性に優れた回路基板および電子装置を提供することにある。
【解決手段】回路基板10は、貫通孔を有する絶縁基板１と、絶縁基板１の下面に貫通孔を塞ぐように取着されている金属板３と、絶縁基板１の上面に取着されている金属回路板４と、少なくとも一部分が貫通孔内に配置されて金属板３に下端部が接合されている金属体５と、少なくとも金属体５の上端部の側面を囲むように内面が金属体５の側面に接合されている、金属体５よりも小さい熱膨張係数を有する枠体６とを備えており、金属体５と枠体６とが接合されてなる複合体の上面に電子部品20が搭載される搭載部を有している。電子部品20から発生する熱を効率よく外部に放散し、電子部品20にクラックや割れが発生することを防止する。 （もっと読む）

【課題】低コストな手段で放熱性の高い、小型・薄型のフリップチップ実装構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子と配線基板とがバンプを介して接合されたフリップチップ実装構造において、前記配線基板の前記半導体素子と対向する面にランドが設けられ、前記ランド上には金属部材が設けられ、前記金属部材は前記半導体素子の表面の一部と接触している。またその製造方法において、前記配線基板を前記金属部材の融点以上まで加熱し、前記ランド上に設けられた前記金属部材が溶融した状態で前記半導体素子と前記配線基板とを前記バンプを介して接合する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性を維持しつつ、ヒートシンクと絶縁樹脂シートの密着性を向上させることのできるパワーモジュールおよび該パワーモジュール用リードフレームを提供することを目的とする。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる導体板と、少なくとも該導体板の半導体素子を搭載する一方面とは反対側の他方面に形成されたＡｌ膜とを備えるリードフレームと、前記導体板の前記一方面に搭載された半導体素子と、少なくとも前記半導体素子と前記導体板を封止する封止樹脂と、前記Ａｌ膜を介して前記導体板と接着される絶縁樹脂シートとを具備することを特徴とするパワーモジュールである。 （もっと読む）

【課題】小型の冷却フィン一体型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０では、第１積層体１１は矩形状の断面を有するｎ（ｎ＞１）個の導体１２と両面に電極１５、１７が形成されたｎ−１個の半導体チップ１３が、第１の方向に交互に接合されて形成されている。第２積層体１４は、第１積層体１１が第１の方向に直角な第２の方向にｍ（ｍ＞１）段積み重ねられて形成されている。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を備え、片面実装の金属基板を用いたパワーモジュールの放熱効率を改善する。
【解決手段】パワー半導体素子を実装するランド部面積を増大させ、空いたランド部に蓄熱金属塊（金属製ブロック）を設置し、パワー半導体素子と同一面でのはんだ実装とする。
【効果】金属基板の特徴を生かしつつ、更に放熱性能の改善を簡単かつ、安価な方策で実現できる。 （もっと読む）

【課題】発熱体を端子板に電気接続してなる半導体装置において、発熱体にかかる応力を緩和できるようにする。
【解決手段】導電性の端子板３と、該端子板３よりも薄い板状に形成されると共に、端子板３の厚さ方向に面する上面に接合される導電性の搭載板５と、該搭載板５に接合されることで搭載板５を介して端子板３に電気接続される発熱体６とを備え、搭載板５は、端子板３の上面に重ねて接合される積層板部５１と、端子板３の上面の周縁から外側に延びる延出板部５２とを有し、発熱体６は、延出板部５２の厚さ方向に面する両端面のいずれか一方に接合されている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対する信頼性が高い半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、金属ベース１で形成された主面を有する冷却器１０１と、金属ベース１上に接合層２ａ，２ｂを介して固定された被接合層３ａ，３ｂと、被接合層３ａ，３ｂ上に固定された有機樹脂を母材とする絶縁層４ａ，４ｂと、絶縁層４ａ，４ｂ上に設けられた金属層５ａ，５ｂと、金属層５ａ，５ｂ上に設けられた半導体素子７ａ，７ｂ，７ｃとを備える。被接合層３ａ，３ｂ、絶縁層４ａ，４ｂ、金属層５ａ，５ｂを含む積層体は、１又は複数の半導体素子７ａ，７ｂ，７ｃ毎に分割され接合層２ａ，２ｂを介して金属ベース１上に固定される。 （もっと読む）

【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を４０体積％〜７０体積％含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが０．４〜６ｍｍの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み０．０５〜０．５ｍｍのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の冷却効率を十分に高めることが可能な電子部品用冷却装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属パイプ５０と、金属パイプ５０の外面上に配置された金属箔２０と、金属パイプ５０の外面と金属箔２０とを接着する熱硬化した樹脂層１０と、を有する電子部品用冷却装置１００である。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体モジュールの冷却装置は、パワー半導体モジュールと放熱装置等とを接合するロウ材を溶融させる熱によって、パワー半導体モジュールの絶縁基板と金属層とを接合しているロウ材が再溶融して、該絶縁基板と金属層との接合端部が剥離してしまう場合があった。
【解決手段】上部電極６３および下部電極６６と冷却器３の天板３２とを同質部材にて構成するとともに、絶縁基板１２と上部電極６３および下部電極６６とを接合するロウ材２２ｂならびに下部電極６６と天板３２とを接合するろう材２２ｂを同質部材にて構成し、下部電極６６の周縁部に、下部電極６６と天板３２とを接合するろう材２２ｂが、少なくとも下部電極６６と絶縁基板１２との接合界面に接触することを防止するための接触防止材６９が塗布される。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金からなる回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層（セラミックス基板１１）の一方の面に、銅または銅合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなる導電接合層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）