【課題】低コストかつ小型で高機能なパワーモジュールを得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるパワーモジュール１００は、金属ベース３と、前記金属ベース３の上に搭載されたパワー素子９と、前記パワー素子９を制御する部品７を搭載し、貫通穴６を備えた制御基板４と、前記金属ベース３の一面のみ露出させ、前記金属ベース３、前記パワー素子９、及び前記制御基板４を覆って封止する樹脂５とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう材箔によってろう付された放熱装置の製造において、接合に供されない余剰ろう材量を減らすことができるろう材箔を提供する。
【解決手段】応力緩和材２０は少なくとも片面に開口する応力吸収空間２１を有し、この応力緩和材２０の応力吸収空間２１が開口する面に絶縁基板１１またはヒートシンク１３を接合するために絶縁基板１１またはヒートシンク１３と応力緩和材２０との間に介在させる放熱装置用ろう材箔６０、７０であって、応力緩和材２０の応力吸収空間２１の開口部に相対する開口部対応領域６１、７１に、開口部対応領域の少なくとも一部が切除されて貫通部６２、７２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載するヒートシンクの一面のうち導電性部材接触領域と粗化領域との間に非粗化領域が形成されることを抑制する。
【解決手段】一面３０ａを有する第１ヒートシンク３０を用意すると共に、当該第１ヒートシンク３０に搭載される半導体チップ１０、２０を用意する。そして、第１ヒートシンク３０に第１導電性部材７０を介して半導体チップ１０、２０を搭載する。その後、半導体チップ１０、２０をマスクとして、半導体チップ１０、２０および第１ヒートシンク３０の一面３０ａを粗化する第１粗化処理工程を行う。 （もっと読む）

【課題】良好な作業性で比較的少量の樹脂により効率的に半導体チップをレーザ溶接時のスパッタから保護することができる、熱拡散性に優れた半導体装置等の提供。
【解決手段】本発明による半導体装置１，２，３は、凹部２２Ａ，２２Ｂを有するヒートスプレッダ２０，２００と、ヒートスプレッダの凹部内に固着された半導体チップ１０Ａ，１０Ｂと、半導体チップ１０Ａ，１０Ｂに固着された接続導体１２と、接続導体の溶接部１２１を露出させつつ、ヒートスプレッダの凹部２２Ａ，２２Ｂ内で半導体チップ１０Ａ，１０Ｂを被覆する絶縁樹脂部７０と、接続導体の溶接部にレーザ溶接で接合された外部端子８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を樹脂で適切に被覆する技術を提供する。
【解決手段】 冶具６０によって支持される半導体装置１２は、放熱板４０と半導体素子２０とを備える。放熱板４０は、第１の部分４６と第２の部分４８とを備える。冶具６０は、半導体素子部２０を樹脂材料で被覆する際に、半導体装置１２を支持する。この冶具６０は、第１の支持部４６と第２の支持部４８とを備える。第１の支持部４６は、複数個のフィン４４が配置される側から第１の部分４６に接触することによって、半導体装置１２を支持する。第２の支持部６８は、複数個のフィン４４が配置される側から第２の部分４８に接触することによって、半導体装置１２を支持する。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂の剥離を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２０と、一面１０ａを有すると共に一面１０ａに導電性部材搭載領域を有し、導電性部材搭載領域に半導体チップ２０が導電性部材３０を介して搭載される搭載部材１０と、搭載部材１０の少なくとも一部および半導体チップ２０を封止するモールド樹脂４０と、を有し、搭載部材１０の一面１０ａのうちモールド樹脂４０と接する部位が凹凸形状とされている半導体装置において、搭載部材１０のうちモールド樹脂４０と接する部位の表面に水酸化物１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性基材の一方面にセラミックス粉末を溶射して形成された絶縁層を備えた絶縁基板における側面部端面の絶縁性を簡単な構造かつ低コストでもって向上させる。
【解決手段】導電性基材１Ａの第１面１ａ側の角部にテーパ面１Ａｃを形成し、第１面１ａおよびテーパ面１Ａｃにセラミックス粉末を溶射して絶縁層７Ａを形成することにより絶縁基板１１Ａを構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で複数の部品を位置決めできると共に、各部品の接合面に均一な押圧力を付与できる部品接合用治具を提供する。
【解決手段】部品接合用治具１０は、トレイ２０と、トレイ２０の凹部２１内に位置決めされて配置されるベース銅２の上に載置可能であると共に、トレイ２０の凹部２１に嵌合して配置される第１治具３０と、第１治具３０の第１くり抜き孔部３１内に位置決めされてベース銅２の上に順次積層して配置される第１半田３及び基板４の上に載置可能であると共に、第１治具３０の第１くり抜き孔部３１に嵌合して配置される第２治具４０と、第２治具４０の第２くり抜き孔部４１内に位置決めされて基板４の上に順次積層して配置される第２半田５及びチップ６の上に載置可能であると共に、第２治具４０の第２くり抜き孔部４１に嵌合して配置される錘５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電子部品での発熱をプリント基板の裏面に伝えやすく、更にこのプリント基板の裏面での放熱効果を高めることができる電子部品モジュール及び電子部品モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品モジュールは、絶縁基板１１の表面に導電性薄膜１２が形成されてプリント基板１０を構成し、表面に電子部品４０を実装し、導電性薄膜１２によって電子部品４０を電気的に接続するものであって、プリント基板１０を、プリント基板１０単体では自立性を有さない厚さで形成し、絶縁基板１１の裏面に放熱部材２０を実装し、放熱部材２０によってプリント基板１０にたわみを生じさせないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂から放熱面を露出させるために封止樹脂および放熱面の研削や切削を不要とすることができる構造を提供する。
【解決手段】第２ヒートシンク４０に凹部４３を設け、この凹部４３内に第１封止樹脂５０を設ける。このように、凹部４３に第１封止樹脂５０が配置されることにより、凹部４３の底面４４とは反対側に位置する第２放熱面４１が第１封止樹脂５０に埋没されることはない。また、第１封止樹脂５０の最上面５１を第１放熱面１１よりも第１端面１２側に位置させる。これにより、第１放熱面１１が第１封止樹脂５０に被覆・埋没されることはない。したがって、第１封止樹脂５０から各放熱面１１、４１を露出させるために第１封止樹脂５０および各放熱面１１、４１を研削もしくは切削する必要がない。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用基板とヒートシンクとの接合に際し、位置決め性および接合性を向上できるとともに、作業性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】表面から隆起した外縁部を有する複数の凹部が形成されている金属板状の放熱層とセラミックス基板とが接合されてなるパワーモジュール用基板と、前記凹部の深さよりも高さが低くこの凹部に係合する複数の凸部を有する金属板状の天板を備えるヒートシンクとを備え、前記パワーモジュール用基板と前記ヒートシンクとが、前記凹部と前記凸部とが係合して前記外縁部を前記天板の表面に当接させることにより、前記放熱層と前記天板との間に隙間を空けた状態で積層されてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニット。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう付された放熱装置において、余剰ろう材による応力吸収空間の塞がりを防止する。
【解決手段】 絶縁基板（11）の一面側に電子素子搭載用の回路層（12）が接合され、他面側に応力緩和材（20）を介してヒートシンク（13）が接合された放熱装置（1）であって、前記応力緩和材（20）は、絶縁基板（11）側およびヒートシンク（13）側の両面に開口する少なくとも１つの応力吸収空間（21）を有し、前記応力吸収空間（21）の内壁面（22）に、絶縁基板（11）側およびヒートシンク（13）側の両方の開口部に通じて、応力緩和材（20）と絶縁基板（11）との接合部の余剰ろう材をヒートシンク（13）側に誘導する案内部（23）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の熱伝導材の飛散に起因した不具合の発生を抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１１に搭載された半導体素子１２、その半導体素子１２を覆う放熱体１３、及び半導体素子１２の上面と該上面に対向する放熱体１３の接続領域１３ａとを接続する熱伝導材１４を含む。放熱体１３は、その接続領域１３ａに突起１３ｂを有する。放熱体１３が熱伝導材１４を挟んで半導体素子１２側に押圧されると、突起１３ｂで熱伝導材１４の酸化膜１４ａが破られ、そこから熱伝導材１４が濡れ広がり、酸化膜１４ａで覆われた熱伝導材１４の破裂、飛散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】複数の冷却器を用いずに、安価に高い冷却性能を確保出来る電力変換装置を提供することである。
【解決手段】
冷却器１０１と、冷却器１０１の主面１０３に並べられる半導体１０４と、半導体１０４が冷却器１０１と接する面と対向する面に接し、半導体１０４を覆うように設けられる断面がコの字型の放熱体１０５と、冷却器１０１の主面１０３を覆うように設けられる冷却器１０１のカバー部材１０８と、カバー部材１０８と放熱体１０５との間に介在し、放熱体１０５と半導体１０４とを接触させる方向に付勢力Ｆａを付与するバネ部材１０９とを備える電力変換装置１００であって、少なくとも一部が冷却器１０１と放熱体１０５の端部に接し、放熱体１０５の端部に、冷却器１０１の主面１０３と平行な方向に付勢力Ｆｂを付与する接続部材１１０とを更に備えることを特徴とする （もっと読む）

【課題】セラミック基板を用いたＢＧＡ実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。
【解決手段】実施の形態の半導体パッケージ１００は、半導体素子５を直接上に搭載するヒートスプレッダ４と、前記ヒートスプレッダ４の周囲側面と接触して前記半導体素子５の気密性を保持する多層セラミック基板１と、前記ヒートスプレッダ４を下から支え、前記多層セラミック基板１の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板１とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロック１５と、前記多層セラミック基板１および前記金属ブロック１５の下面に接合された複数のはんだボール９とを備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド部にクラックやボイドが発生し難い半導体モジュール、及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１は、第１の面と、第１の面の反対面である第２の面と、第１の面と第２の面とをつなぐ側面と、を備えた金属ブロック３０と、金属ブロックの第１の面に設置された半導体素子１０，１１と、金属ブロックの第２の面を覆う第１の絶縁層と、第１の絶縁層から延在して金属ブロックの側面の少なくとも一部を覆う第２の絶縁層と、を含む絶縁層４０と、半導体素子及び金属ブロックの少なくとも第１の面を封止する封止部５１と、第２の絶縁層と接しないように封止部の外縁部から金属ブロックの第２の面側に立設された側壁部５２と、を含む樹脂モールド部５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板２と、ベース板２の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子３と、ベース板２の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層４ａと、絶縁樹脂層４ａの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層４ｂと、金属層４ｂの他方の主面が露出するようにベース板２、パワー半導体素子３及び絶縁樹脂層４ａを被覆して筐体を形成する樹脂筐体５とを有するパワーモジュール１と、一主面に少なくとも１つの凸状段差部７ｂが形成され、凸状段差部７ｂの少なくとも上面において金属層４ｂの露出面に半田により接合される冷却器７とを備えた半導体装置であって、凸状段差部７ｂの上面の面積が金属層４ｂの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】部品の熱を効率よく放熱すると共に部品が基板上により良好な状態で接合された電子機器および基板アセンブリを提供する。
【解決手段】電子機器は、筐体と、筐体内に設けられ、表面に露出した複数の第１のパッドと、略矩形であって該略矩形の内部に貫通孔部２６を有する複数の第２のパッドとを備えた基板と、基板の表面に対向する基板対向面に露出して接合剤３０ａ、３０ｂを介して第１のパッドに接合された複数の第１の電極と、基板対向面に露出して接合剤を介して第２のパッドに接合された第２の電極とを備えた部品とを有する。 （もっと読む）

【課題】放熱及び電磁シールドの機能を有する半導体装置を、部材数を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１と、基板１１の上方に設けられた半導体素子１２を含み、更に、半導体素子１２を被覆し、且つ、基板１１に設けられた接続パッド１１ｂに接続された、はんだ材料からなる熱伝導材１５を含む。このような熱伝導材１５の上方に放熱体１７が設けられる。半導体素子１２と放熱体１７の間を熱的に接続する熱伝導材１５によって、半導体素子１２からの電磁的ノイズの放射や半導体素子１２への電磁的ノイズの入射を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップから発生した熱を放熱フィンに効率よく伝えるとともに、放熱フィンの排熱性を向上させること。
【解決手段】通風箱体１には、通風路２を形成するとともに、通風路２に連通された開口部３ａ〜３ｅを形成し、開口部３ａ〜３ｅを介して半導体パッケージ４ａ〜４ｅを通風箱体１にそれぞれ装着することで半導体モジュールを構成し、半導体パッケージ４ａ〜４ｅに設けられた放熱フィン１６は、通風路２に沿って配置する。 （もっと読む）