【課題】III 族窒化物半導体からなるＨＦＥＴの製造方法において、素子分離領域を容易に形成する方法を提供すること。
【解決手段】ｉ−ＡｌＧａＮ層１２表面側からレーザーを照射して、ＨＦＥＴとして動作させる素子領域を囲うようにして溝１５を形成する（図２（ｃ））。溝１５の深さは、ｉ−ＡｌＧａＮ層１２表面からｉ−ＧａＮ層１１に達する深さとする。この溝１５によってｉ−ＡｌＧａＮ層１２が取り除かれたため、この取り除かれた領域において２次元電子ガス層が消滅する。その結果、ＨＦＥＴとして動作させる素子領域は、溝１５による素子分離領域によって電気的に分離される。 （もっと読む）

非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ基板上の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜の成長形態を改良する方法であって、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜は、非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ基板あるいはテンプレート上に直接成長させられ、成長の際に使用されるキャリアガスの一部は、不活性ガスから構成される。非極性または半極性の窒化物ＬＥＤおよびダイオードレーザは、本発明によって成長させられる平滑（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜上に成長させられてもよい。
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本発明は、少なくとも部分的に緩和されたひずみ材料層を形成する方法に関し、この方法は、シード基板を提供するステップと、シード基板をパターンニングするステップと、パターンニングされたシード基板上にひずみ材料層を成長させるステップと、ひずみ材料層をパターンニングされたシード基板から中間基板に転写するステップと、ひずみ材料層を熱処理によって少なくとも部分的に緩和するステップとを含む。
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【課題】支持基板上に高品質の窒化物半導体層が形成された複合基板、エピタキシャル基板、半導体デバイス及び複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複合基板は、支持基板と、窒化物半導体層と、支持基板と窒化物半導体層との間に設けられた接合層とを備える。窒化物半導体層の転位密度は、１×１０^８個／ｃｍ^２以下である。窒化物半導体層は、接合層側の第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有している。第１面における転位密度と第２面における転位密度との差が１×１０^２個／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

【課題】 安定した表面を有するIII族窒化物基板を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係るIII族窒化物基板は、表面層を有している。当該表面層は、３ａｔ．％の〜２５ａｔ．％の炭素を含み、且つ、５×１０^１０原子／ｃｍ^２〜２００×１０^１０原子／ｃｍ^２のｐ型金属元素を含んでいる。このIII族窒化物基板は、安定した表面を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを生産性高く提供すること。
【解決手段】陽極化成してＳｉ基板の一部を多孔質化したＳｉ層を含む基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが、交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備えた半導体電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】 支持基板上に歪みＩＩＩ族窒化物材料シード層を含む複合基板を作製する新規な方法を提供する。
【解決手段】 複合基板を作製する方法は、ＩＩＩ族窒化物材料において所望の格子歪みを発生させて、複合基板上に形成すべきデバイス構造の格子定数に実質的に適合する格子定数を得るステップを含む。ＩＩＩ族窒化物材料は、Ｇａ極性又はＮ極性で形成され得る。所望の格子歪みは、ＩＩＩ族窒化物材料と成長基板の間にバッファ層を形成するか、ＩＩＩ族窒化物材料中にドーパントを注入するかあるいは不純物を導入して、その格子定数を変化させるか、又は熱膨張係数（ＣＴＥ）を有するＩＩＩ族窒化物材料を異なるＣＴＥを有する成長基板上に形成することによって発生され得る。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を含む半導体素子において品質低下を防止可能であり、かつ製造効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩＩ族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】
下地層の上面にＩＩＩ族窒化物の非結晶層を形成する非結晶層形成工程（Ａ）と、
前記非結晶層の上面に保護層を形成する保護層形成工程（Ｂ）と、
前記非結晶層の一部をエッチングにより除去するエッチング工程（Ｃ）と、
前記保護層が形成された状態で前記非結晶層を熱処理して結晶化することによりＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層に変換する半導体結晶層形成工程（Ｄ）と、を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

半導体装置を製作する方法または構造体は、従順な材料の層の上に横たわっている半導体材料の構造体を形成することを含み、その後半導体材料構造体を緩和させる従順な材料の粘性を変えて、緩和した半導体材料の連続層を形成する際の種子層として、緩和した半導体材料構造体を利用する。ある実施形態では、半導体材料の層は、III-Vタイプ半導体材料（例えばインジウム窒化ガリウム）から成る。新しい中間構造体が、この種の方法の間、形成される。加工された基板は、緩和した格子の構造体を有する半導体材料の連続層を含む。
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【課題】格子定数が広範囲にわたり可変であり、且つ結晶性に優れた基板およびその製造方法を提供する。また上記基板上に形成された半導体素子を提供する。
【解決手段】６回対称軸をを有する結晶からなる第１の層１１と、該結晶上に形成される金属酸窒化物結晶からなる第２の層１２を有し、第２の層１２が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１つの元素と、ＮとＯとＺｎとを主要元素として含み、且つ第２の層１２が面内配向性を有する積層構造体を備えたウルツ鉱型結晶成長用基板。 （もっと読む）

【課題】ウエハの反りを極めて小さくしたウエハを提供する。
【解決手段】中間層２、バッファ層３、チャネル層４および障壁層５は、順に、エピタキシャル成長により、基板１に積層される。バッファ層３は、イオンを注入されて、イオン注入領域６を形成する。このイオン注入領域６の結晶性は、劣化されている。そして、バッファ層３は、基板１から受ける応力を断ち切って、ウエハの反りを緩和する。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さくオン抵抗が低い半導体電子デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、該基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、窒化物系化合物半導体からなり、前記バッファ層直下から前記電子走行層内部までのいずれかの位置に形成され、凹凸形状の境界面を有する下層領域と上層領域とを有し、該下層領域から該上層領域へ延伸する貫通転位が該境界面において屈曲している転位低減層と、を備える。 （もっと読む）

半導体材料の緩和した層を製造する方法は、従順な材料の層の上に横たわっている半導体材料の構造体を形成するステップを含み、その後、半導体材料の内でひずみを減らすために従順な材料の粘性を変える。従順な材料は、半導体材料の第２層の堆積の間、リフローされることができる。半導体材料の第２層が堆積するにつれて、従順な材料の粘性が、構造体の緩和を変えて伝えるように、従順な材料を選ぶことができる。ある実施形態では、半導体材料の層は、III-Vタイプ半導体材料（例えばインジウム窒化ガリウム）から成ることができる。半導体構造およびデバイスを製造する方法もまた開示される。新しい中間構造体は、かかる方法の間に形成される。加工された基板は、可変の粘性を呈する材料の層に堆積される半導体材料から成る複数の構造体を含む。
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【課題】Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、ＴｉおよびＶのいずれか１種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、ＴｉＮ、ＶＮおよび両者の化合物のいずれか１種以上からなる窒化物中間層２を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）およびＩｎＮ（０００１）のうちの少なくともいずれか１種以上からなる窒化物半導体単結晶層３を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 歪み材料層を緩和する方法を提供する。
【解決手段】 歪み材料層と、歪み材料層の第１の面上に形成された低粘度層とを準備するステップと、該第１の面と反対側の該歪み材料層の第２の面の少なくとも一部分上に硬化層を形成し、それによって多層スタックを形成するステップと、該多層スタックを加熱処理し、それによって該歪み材料層を少なくとも部分的に緩和させるステップと、を含む。 （もっと読む）

半導体構造または半導体デバイスを製造する方法は、ある温度で半導体材料の層をもう１つの材料にボンディングすること、および半導体材料の層の温度をその後で変化させることを含む。もう１つの材料を、ある熱膨張係数を示すように選択することができ、半導体材料の層の温度が変化するときに、制御した格子定数および／または選択した格子定数が半導体材料の層に与えられるまたはその中に保持される。ある実施形態では、半導体材料の層は、例えば、窒化インジウムガリウムなどのＩＩＩ−Ｖ型半導体材料を含むことができる。新規な中間構造が、かかる方法の間に形成される。エンジニアド基板は、高温で前に得た半導体材料の層の平均格子定数に近い室温における平均格子定数を有する半導体材料の層を含む。
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【課題】異なる格子の基板上に成長した良質なエピタキシャル層を備えたウェーハおよびウェーハ製造方法の提供。
【解決手段】単結晶の第１の材料の基板はオンアクシスシリコン基板であり、オンアクシスシリコン基板上に第２の材料を成長させるウェーハの製造方法に関し、第２の材料が、第１の材料上にエピタキシャル成長し、第１の材料の格子とは異なる格子を持っている。オンアクシスシリコン基板を研磨ステップ１０４で研磨して、ウェーハ表面粗さを増大させる。ＳｉＧｅ層である傾斜バッファ層及び緩和層をウェーハ上に形成した後、ＣＭＰ最終研磨１０８を実施する。上述のタイプの方法により解決され、基板の最終表面仕上げの前に第２の材料の成長を実施する。 （もっと読む）

【課題】歪みが緩和されたバッファ層を形成し、そのバッファ層上に窒化ガリウム層を形成することにより、低コストで、反りやクラックの抑制された窒化ガリウム層を有する半導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】面方位が（１１１）のＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を準備する工程と、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層上にバッファ層を形成する工程と、形成されたバッファ層上に窒化ガリウム層を形成する工程とを含む半導体基板の製造方法であって、窒化ガリウム層を形成する工程より前に、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層中にイオン注入により歪み緩衝層を形成する工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）