【課題】内部の欠陥数がより少なく且つ／又は減少したＩＩＩ／Ｖ族半導体材料を形成する方法、並びに欠陥数がより少なく且つ／又は減少したそのようなＩＩＩ／Ｖ族半導体材料を含む半導体構造体及び素子が必要である。
【解決手段】三元ＩＩＩ族窒化物材料を形成する方法は、チャンバー内で基板上に三元ＩＩＩ族窒化物材料をエピタキシャル成長させるステップを含む。エピタキシャル成長は、チャンバー中の窒素前駆体の分圧と１つ又は複数のＩＩＩ族前駆体の分圧との比較的に高い比を含む前駆体ガス混合物をチャンバー内に準備するステップを含む。少なくとも一部は比較的に高い比のため、三元ＩＩＩ族窒化物材料の層は、小さいＶピット欠陥をその中に含む高い最終厚さに成長させることができる。そのような三元ＩＩＩ族窒化物材料の層を含む半導体構造体をそのような方法を用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体は、面方位が（１１１）のシリコン基板上にエピタキシャル成長される。ＧａＮの格子定数と、とシリコン（１１１）面の格子定数の差が、約１７％と大きいのでめ、成長されたＧａＮには１０^１０ｃｍ^−２を超える転位が導入される。転位により、ＧａＮを用いたトランジスタのリーク電流が増大する。また、トランジスタの移動度が低下する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の（１５０）面上に、エピタキシャル成長された窒化物半導体層と、を備える半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】トレンチを用いて素子分離され、且つ、隣接素子の動作による影響が抑制された化合物半導体装置及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、キャリア走行層２１とキャリア供給層２２を有し、半導体基板上に配置された窒化物半導体層２０と、上端部がキャリア走行層とキャリア供給層との界面よりも上方に位置する空洞４０を内部に有する、窒化物半導体層の周囲を囲んで配置された素子分離絶縁膜３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】クラックが少なく表面の平坦性が良好な半導体ウエーハ及び半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハは、基板２と、基板２の一方の主面上に配置され且つ化合物半導体で形成されたバッファ領域３と、バッファ領域３の上に配置され且つ化合物半導体で形成された主半導体領域４とを有する半導体ウエーハであって、バッファ領域３は、第１の多層構造バッファ領域５と、基板と第１の多層構造バッファ領域５との間に配置された第２の多層構造バッファ領域８とから成る。 （もっと読む）

【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板として窒化ガリウム膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、前記単結晶シリコン基板１１の最表面を除く表層領域に形成された転位層１２と、前記単結晶シリコン基板１１の前記最表面に形成されたバッファ層１３と、前記バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム層１４とを備えている。転位層１２は、窒化ガリウム層１４が形成された単結晶シリコン基板１４の表層領域に転位が発生し且つ単結晶シリコン基板１１の最表面には転位が発生しない条件下でイオン注入することにより形成される。イオン注入では、ドーズ量が５Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上５Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下のアルゴンイオンを注入する。 （もっと読む）

【課題】単純な単結晶シリコン基板を出発基板として窒化ガリウム膜を形成することができ、反りやクラックが抑制された半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０は、単結晶シリコン基板１１と、単結晶シリコン基板１１の表面に形成された炭素含有シリコン層１２と、炭素含有シリコン層１２の表面に形成されたバッファ層１３と、バッファ層１３の表面に形成された窒化ガリウム膜１４とを備えている。炭素含有シリコン層１２に含まれる炭素の濃度は１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１Ｅ＋２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、例えば単結晶シリコン基板１１をプロパンガス雰囲気下で熱処理することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】埋込み部を形成する際のエッチングにより埋込みゲートが損傷をきたし、ゲート領域劣化が生じ得る。
【解決手段】ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ／またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。アニーリング中に封入層を使用することで、トランジスタのゲート埋込み部内の半導体への損傷がさらに低減される。アニーリングを、例えばデバイスのオーミックコンタクトのアニーリングによって提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に高品質半導体結晶からなる島状のＧａＮ系半導体層を基板の湾曲を抑えて成長させることができ、しかもＧａＮ系半導体層が極めて厚くてもクラックなどの発生を抑えることができ、大面積の半導体素子を容易に実現することができる半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】内部応力及び反りを低減させる。
【解決手段】まず、室温において、基板２の裏面上に、基板２よりも熱膨張率が低くかつヤング率が高い、Ｓｉを主成分とする酸化物又は窒化物からなる第１の膜３を成膜する（ａ）。次に、高温まで加熱した後に（ｂ）、基板２の表面２ａ上に、ＡＩＮからなるバッファ層４及び基板２よりも熱膨張率が高いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる第２の膜５を成膜する（ｃ）。しかる後、半導体積層構造体１の温度が室温まで低下すると、半導体積層構造体１は基板２及びすべての膜３、４、５がほぼ反りのない平坦なものとなる（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】マーキングにかかる時間を短縮でき、かつ下地基板の製造履歴を簡便に追跡できる識別符号を有する自立した窒化物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】識別符号１２が付された下地基板１１上に窒化物半導体層１３を成長させ、その窒化物半導体層１３を下地基板１１から分離して得られる自立した窒化物半導体ウェハにおいて、窒化物半導体層１３は、その成長時に識別符号１１が転写された転写識別符号１６を有する窒化物半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】半導体積層体に含まれるチャネル層下の化合物半導体層を不純物ドーピングでｐ型化することなく、その半導体積層体を含むＨＦＥＴのリーク電流の低減や耐電圧の向上などを可能とする。
【解決手段】半導体積層体は、基板（１１）上において順次堆積された第１、第２および第３の化合物半導体層（１３、１４、１５）を少なくとも含み、その第１化合物半導体層（１３）の少なくとも部分的層（１６）は非晶質に改質されており、第２化合物半導体層（１４）は第１化合物半導体層（１３）に比べて小さなバンドギャップを有して光吸収層として作用し得る。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体素子全体を加熱することなくサポート基板を接合することを可能とし、また接合時間を短縮化し、化合物半導体素子の製造時間全体の短縮化を図ること。
【解決手段】サポート基板１０６を光透過性の部材で形成し、サポート基板１０６を介して、例えばフラッシュランプ２から、サポート基板１０６は透過するがはんだ層１１１、１０５には吸収される波長のパルス光（閃光）を照射する。これにより、化合物半導体層１０２，１０３，１０４とサポート基板１０６の間に設けられた接合剤層１１１，１０５のみを瞬間的に加熱して融解させ、サポート基板１０６が接合される。なお、サポート基板１０６に金属層を設け、この金属層を加熱させてはんだ層を融解させてもよい。また、サポート基板としてシリコン基板を用い、フラッシュランプの代わりに、ＹＡＧレーザやＣＯ_２レーザを用いて、赤外レーザ光を照射してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、剥離作業中に剥離の適否を知ることができる剥離装置および剥離方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の膜が形成された側とは反対の側からレーザ光を照射して、前記基板から前記膜を剥離させる剥離装置であって、前記レーザ光とは異なる波長を有する検査光を出射する検査光源と、前記レーザ光の照射領域に照射された前記検査光の反射光、および、前記レーザ光が照射されることで前記膜の表層が分解される際に生じたプラズマ光の少なくともいずれかを検出する検出部と、前記検出された反射光、および、前記検出されたプラズマ光の少なくともいずれかに基づいて剥離の適否を判定する判定部と、を備えたことを特徴とする剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させた場合の基板の反り、またはＧａＮ結晶の割れを抑制する。
【解決手段】ベース基板と第１結晶層と第２結晶層と機能層とを有し、ベース基板、第１結晶層、第２結晶層および機能層が、ベース基板、第１結晶層、第２結晶層、機能層の順に配置され、第１結晶層と第２結晶層とが格子整合または擬格子整合して接し、機能層の熱膨張係数が、ベース基板の熱膨張係数より大きく、第１結晶層の格子定数が、第２結晶層の格子定数より小さく、第１結晶層および第２結晶層が互いに接する第１界面と、機能層側に位置する第２結晶層の第２界面とを、同一視野に含んで断面ＴＥＭ像を観察した場合、第１界面を含んで観察される第１モアレ画像の面積が、第２界面を含んで観察される第２モアレ画像の面積より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）