【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分（Ａ）、下記一般式（１）で表わされるポリオキシアルキレン化合物（Ｂ）および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
ＨＯ−（ＥＯ）ｍ−（ＰＯ）ｎ−（ＥＯ）ｍ−Ｈ （１）
［式（１）中、ＥＯはオキシエチレン基、ＰＯはオキシプロピレン基；ｍはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜２５０の数、ｎはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜１００の数である。式（１）中の（ＥＯ）ｍと（ＰＯ）ｎと（ＥＯ）ｍは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。］ （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）カルボン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、処理不良の基板が発生するのを未然に防止するとともに、無駄な凝固体の形成・解凍除去を抑制して稼動効率を高める。
【解決手段】基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を実行している。したがって、液膜の膜厚が所定範囲を超えて十分なパーティクル除去率が期待できない場合には、レシピの途中であるが、基板に対する凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を行うことなく、基板処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、高いスループットを得られ、しかも優れた処理性能でパーティクル等を除去する。
【解決手段】凍結後の液膜ＬＦ（凝固膜ＦＦ）の到達温度を低くすることによってパーティクルの除去効率を高めることができる。しかも、基板表面Ｗｆ全体に凝固膜ＦＦが形成される前後で冷却ガスの流量を変更しているので、処理に要する時間を短縮しながら優れた処理性能でパーティクル等を除去することができる。特に、液膜ＬＦを凍結させる段階での冷却ガスの流量については基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦを吹き飛ばさない程度に抑えることが必要であるが、凝固膜ＦＦが全面形成された後の段階ではこのような制約がなく、冷却ガスの流量を多くすることが可能であり、これにより冷却能力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ裏面側の空間において上昇気流や乱流の発生を防止し、ウェーハの裏面の汚れを防止することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ洗浄装置１０は、回転可能に軸支されると共に中心部に開口１１ａを有するステージ１１と、ステージ１１上においてウェーハ１を支持する複数のガイドピン１４と、ステージ１１の開口１１ａ内に設けられ、ウェーハ１の裏面に処理液又はガスを供給する複数の裏面洗浄ノズル１６と、開口１１ａ内において裏面洗浄ノズル１６を保持するノズル保持部材１７とを備えている。ノズル保持部材１７の上部は、ステージ１１の開口１１ａに装入されており、ノズル保持部材１７の上面１７ａはステージ１１の上面１１ｂと実質的に面一か又は上面よりも上方に位置し、裏面洗浄ノズル１６の先端はノズル保持部材１７を貫通してノズル保持部材１７の上面１７ａに露出している。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、液滴供給手段４１の二流体ノズル４１８から、ＤＩＷの凝固点より低い温度に調整された洗浄液としてのＨＦＥの液滴を基板表面Ｗｆに供給し、パターン近傍のＤＩＷを凝固させると共に物理洗浄する。これにより、パターンを補強してダメージを防止した上で基板表面Ｗｆの洗浄を行い、別途凍結の手段を設ける場合に比べてコストを低減し、処理に要する時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスパターンに形成されたホール内をより高い洗浄能力で洗浄する。
【解決手段】ホールや溝が形成されたパターン面を有するウェハを一枚ずつ洗浄する本発明の半導体洗浄装置では、ウェハスピンベース７に固定されたウェハ２上のパターン面に２流体ノズル１からミスト化した薬液を吐出してから、ＤＩＷノズル５によりウェハ２のパターン面を純水で洗う。その後、該パターン面の全面にＩＰＡノズル６によりイソプロピルアルコールを塗布する。しかる後、ウェハ２を、そのパターン面が重力方向下向きになるように反転させ、ウェハ２を回転した状態において２流体ノズル８より該重力方向下向きのパターン面に向けて、ミスト化したイソプロピルアルコールを吐出する。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板を化学的機械的研磨工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、Ｎ−アシル−Ｌ−システイン及び下記一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物を含有し、かつｐＨが１．５以上、６．５未満である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】枚葉式洗浄装置において、少なくとも、円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って液体及び／又は気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を少なくとも一つ有し、前記被洗浄物の洗浄及び／又は乾燥させる少なくとも片面に前記旋回流形成部が近接するように配設される洗浄テーブルと、前記洗浄テーブルの周辺に配設され、前記洗浄テーブルの旋回流形成部に近接する前記被洗浄物の側面に接触して固定保持する保持体とを具備し、前記旋回流形成部の吐出口から液体及び／又は気体を吐出させ、前記保持体で前記被洗浄物の側面を固定保持し、該吐出させた液体及び／又は気体によって前記被洗浄物の少なくとも片面を洗浄及び／又は乾燥するものである枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が超臨界置換溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、チャンバ内に第１の二酸化炭素に基づく第１の超臨界流体を供給する工程と、前記第１の超臨界流体の供給後に、前記チャンバ内に、第２の二酸化炭素に基づく第２の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記第２の超臨界流体を気化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。第１の二酸化炭素は、チャンバから排出される二酸化炭素を回収し再生したものである。第２の二酸化炭素は、超臨界置換溶媒を含まないか又は第１の二酸化炭素よりも超臨界置換溶媒の含有濃度が低いものである。 （もっと読む）

【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板を化学的機械的研磨工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、下記一般式（１）で示されるベンゾトリアゾール誘導体を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｙは、脂肪族飽和多価カルボン酸残基である。） （もっと読む）

【課題】超音波エネルギが調整可能な超音波洗浄ユニットを有する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置は、被洗浄基板を回動させる保持台と、前記被洗浄基板表面に洗浄液を供給し、前記洗浄液の膜を形成する洗浄液ノズルと、前記洗浄液の膜中に超音波を照射する超音波照射ユニットと、を含み、前記超音波照射ユニットは、超音波発生源と、前記超音波発生源で発生された超音波エネルギを伝達する媒体と、前記洗浄液の膜中に挿入され、前記洗浄液の膜中に、前記媒体を伝達された超音波エネルギを放射する放射部材と、を含み、前記媒体は、前記超音波エネルギの伝搬経路に配置された一または複数の振動伝達ブロックよりなる超音波伝達部を含み、前記一または複数の振動伝達ブロックは、前記超音波エネルギの伝搬経路上に、保持手段により保持されて配置され、前記保持手段は、前記一又は複数の振動伝達ブロックの各々を、個別に着脱自在に保持し、前記超音波発生源と前記放射部材との間の距離が可変である。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂ（Ｘ）_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａ及び酸、または、一般式Ｒ^７_ｇＳｉ（Ｈ）_ｈ（ＣＨ_３）_ｗ（Ｚ）_{４−ｇ−ｈ−ｗ}で表されるケイ素化合物Ｃ及び水の含有量が３５質量％以下の塩基を含み、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し５０００質量ｐｐｍ以下である、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】ブラシマークの発生を防止しつつ、自己洗浄機能を備えたスポンジロールを提供する。
【解決手段】軸体１０と、薄板状に形成された複数のスポンジ体２０と、薄板状に形成されたスペーサ３０と、を備え、スポンジ体２０及びスペーサ３０は軸体１０を通す中心孔を有し、スペーサ３０の中心孔はスペーサ板面に垂直な第１仮想線に対して傾いた第２仮想線を中心軸として傾いて形成されており、スポンジ体２０とスペーサ３０とは軸体１０に交互に装着されていて、スペーサ３０は中心孔によって軸体１１に斜めに装着され、スポンジ体２０はスペーサ３０に支持されて軸体１０に斜めに装着されている。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される液体の力が小さい場合であっても基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しつつ基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、保持部１２により保持された基板Ｗの表面に洗浄液の液膜を形成するための洗浄液供給部２０と、洗浄液供給部２０により基板Ｗの表面に形成された洗浄液の液膜内において、温度の異なる部分を発生させることにより当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる対流発生機構４０と、洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する液体供給部３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、洗浄液としてのＤＩＷの液膜が形成された基板Ｗの表面Ｗｆに対し、媒介液供給機構５５から媒介液としてのトルエンを供給し、ＤＩＷの液膜の上にトルエンの液膜を更に形成する。その後、超音波付与機構５１によりトルエンを介してＤＩＷに超音波を付与しながら、凝固手段３１から基板表面Ｗｆに凍結用の窒素ガスを吐出し、ＤＩＷを凝固させる。これにより、結晶サイズの小さいＤＩＷの凝固体を形成し、その後のリンス工程で短時間に解凍することを可能とし、リンス液中に遊離するＤＩＷの結晶を減少し、パターンへのダメージを防止する。 （もっと読む）