【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】置換される液体の種類に応じて処理槽内の流れを調節することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には置換液の供給、及び液体の排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、この開口部２２２に対して着脱自在に構成された蓋部２３には液体の供給、気体の排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。搬送機構４は、保管部５と処理槽２２との間で、上部ポート２３４から供給された液体の流れを調節するために、被処理基板Ｗとの間に交換可能に取り付けられ、互いに開口面積が異なる孔部が形成された第１の整流板または第２の整流板を搬送し、乾燥雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、成分（Ａ）含窒素芳香族カルボン酸を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。該基板洗浄液は、酸性、アルカリ性のいずれの条件下においても優れた洗浄効果を示す。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや処理むらの発生を抑制しつつ被処理基板の液処理を行う液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には流体の供給、排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、前記開口部２２２を塞ぐ蓋部２３には流体の供給、排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。下部ポート２２６からは液体が供給されて処理槽２２内の気体が置換され、上部ポート２３４からは前記液体と置換され、被処理基板Ｗを処理する処理液及びその乾燥を防止する液体が供給される。さらに高圧流体雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】薬液に関する問題を低減するとともに、洗浄効果を高めるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣの表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）とを備え、酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）では、オゾンガスを用いる。酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマを用いることが好ましい、 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、乾燥処理に要する時間を短縮することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、微細パターンが形成された半導体基板の純水リンス後に、半導体基板の表面を水溶性有機溶媒に置換し、水溶性有機溶媒に濡れた状態でチャンバ内に導入する。そして、チャンバ内の温度を昇温して、水溶性有機溶媒を超臨界状態にする。その後、チャンバ内を純水が液化しない温度に保ちながら圧力を下げ、超臨界状態の水溶性有機溶媒を気体に変化させてチャンバから排出し、半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】溶剤の取り扱い上の危険性を解決し、半導体基板に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）等に対し高い洗浄性を発揮し、ファイナル洗浄後の基板清浄度が飛躍的に向上する半導体基板の洗浄方法の提供。
【解決手段】本発明の半導体基板の洗浄方法は、炭化水素化合物、グリコールエーテル、アニオン界面活性剤、及び水を少なくとも含有する洗浄剤組成物（Ａ）により、半導体基板を洗浄する第１の洗浄工程と、水により、前記半導体基板を洗浄する第２の洗浄工程と、水酸化第４級アンモニウム、ドナー原子である窒素とカルボキシル基とを含むキレート剤、及び水を少なくとも含有する洗浄剤組成物（Ｂ）により、前記半導体基板を洗浄する第３の洗浄工程と、を少なくとも含み、前記第１の洗浄工程、前記第２の洗浄工程、前記第３の洗浄工程の順に、前記半導体基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】排ガス中の非水溶性有機溶剤成分を除去し、ＶＯＣガスの発生を抑制する。
【解決手段】排ガス処理装置１は、容器１１及び容器１１内に水を噴霧する噴霧器１２を有するスクラバーユニット１０と、外部装置から排出された非水溶性有機溶剤を含む第１ガスＧ１を容器１１に供給する第１配管２１と、水溶性有機溶剤を含む第２ガスＧ２を、第１配管２１を介して、又は直接、容器１１に供給する第２配管２２と、を備える。容器１１内において、噴霧器１２から噴霧された水により、前記水溶性有機溶剤及び前記非水溶性有機溶剤が吸着除去された第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の混合ガスＧ３’は、第３配管２３を介して容器１１から排出される。 （もっと読む）

【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）有機酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の高分子凝集剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部をムラなく洗浄することができるブラシを提供する。
【解決手段】基板Ｗが水平に保持され回転させられる。所定の回転軸線を中心として回転する球形のブラシ２１を回転する基板の周縁部に当てた状態で、基板に対してブラシを上昇または下降させながら洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の中心部付近であってもムラの無い表面処理を可能にする。
【解決手段】基板１２の被処理面を水平に支持した状態でテーブル１０の中央部表面に、当該テーブル１０の回転軸をその中心軸とする突起部１３を形成しておく。表面処理時には、突起部１３の基端からテーブル１０の外周端部方向に所定距離だけ離れ、且つ、それぞれ突起部１３の先端から等距離となるテーブル１０上の複数の部位に、基板１２をその被処理面が水平になるように支持した状態でテーブル１０を回転させる。そして、回転中のテーブル１０の突起部１３の先端から鉛直下方にノズル１４から処理液を供給して拡散させた後、各基板１２の被処理面に到達した処理液を、遠心力によってテーブル１０の外部に払拭させる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄液に溶解している気体の濃度を制御することで、被洗浄物へ洗浄効果を高めると同時に、気泡による被洗浄物へのダメージを最小限に抑えることができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】 超音波洗浄装置１は、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、超音波振動を照射された洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、振動子２００を超音波振動させるために、電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００に気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、洗浄液７００において超音波振動から音圧Ｐを測定する音圧測定部５６０と、洗浄液７００を脱気する脱気部５８０と、音圧測定部５６０によって測定された音圧Ｐを基に、脱気部５８０を制御して洗浄液７００に対する気体４１０の脱気量を制御する制御部６００とを有している。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着したパーティクルなどの異物汚染を効率的に除去することができ、半導体装置などの製品歩留りを向上させることができる基板のウェット洗浄方法を提供する。
【解決手段】 例えば洗浄薬液に超音波を与えてウエハを洗浄する場合、洗浄前のウエハ上に付着したパーティクル数の基板内分布と超音波洗浄槽内の音圧分布に基づいて、洗浄効率が最大となるような洗浄液中のウエハ配置方向を求め、求めたウエハ配置方向を洗浄すべきウエハに設定し、その配置方向を洗浄液中で維持しながら洗浄処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ウエハ形状の物品、特にウエハの規定された領域に対する液体処理のための装置を提供する。
【解決手段】 マスク（２）は、毛管作用力によってマスクとウエハ形状の物品の規定された領域との間に液体が保持されるように、ウエハ形状の物品までの規定された短い距離で維持される。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）カルボン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、処理不良の基板が発生するのを未然に防止するとともに、無駄な凝固体の形成・解凍除去を抑制して稼動効率を高める。
【解決手段】基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を実行している。したがって、液膜の膜厚が所定範囲を超えて十分なパーティクル除去率が期待できない場合には、レシピの途中であるが、基板に対する凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を行うことなく、基板処理を終了する。 （もっと読む）