【課題】半導体基板を洗浄する方法および装置の提供。
【解決手段】基板を洗浄する方法が提供される。方法は、活性化溶液を基板の表面に塗布することから始まる。活性化溶液および基板の表面は、固体の洗浄表面の表面と接触する。活性化溶液は固体の洗浄要素の一部分の中に吸収され、次にダイ基板または固体の洗浄表面は、互いに対して動かされ、基板の表面を洗浄する。塑性変形を受ける固体の洗浄要素によって、基板の表面を洗浄する方法も提供される。対応する洗浄装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にＣｕ配線を有する半導体デバイス用基板におけるＣＭＰ工程後の洗浄工程に用いられ、Ｃｕ配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有してなり、かつｐＨが１０以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。）
（Ｂ）界面活性剤
（Ｃ）キレート剤
（Ｄ）硫黄原子を有するアミノ酸
（Ｅ）水 （もっと読む）

【課題】単位時間当たりに多数のウェハを洗浄できる洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】複数枚の半導体基板を一度に洗浄するバッチ方式の洗浄方法であって、複数枚の半導体基板を所定の間隔で保持した状態で搬送する第１の工程と、複数枚の半導体基板の表面及び裏面ごとに複数本ずつ設けられ、長手方向が表面及び裏面に対して平行に配置されたロールブラシで、複数枚の半導体基板を挟持する第２の工程と、表面及び裏面ごとに設けられた複数本のロールブラシを回転させて、複数枚の半導体基板を洗浄する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１と、現像液ノズル１４２との間に設けられた中間貯槽２０３と、現像液に直流電圧を印加する電極２０４と、電極２０４に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２０５と、中間貯槽２０３へ洗浄液を供給する洗浄液供給管２１０と、中間貯槽２０３から洗浄液を排出する廃液管２２０と、を有している。電極２０４は、中間貯槽２０３に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板に液体を供給する供給部からの液体の液だれを防ぐことが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理の対象となる基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部が保持する基板に対して前記所定の液体を供給する供給手段と、液体供給部から前記供給手段に液体を供給する供給管と、前記供給管に設けられ、前記液体の供給を開始し、又は停止する供給弁と、前記供給弁に対して設けられ、前記供給弁の開閉速度を制御する速度制御器と、前記供給弁よりも前記液体供給部側において前記供給管から分岐し、前記供給管を流れる前記液体を排液するドレイン管と、前記ドレイン管に設けられる第１の開閉弁とを備える液処理装置により上記の課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】小径の処理液の液滴を均一に噴霧できる２流体ノズル及び同２流体ノズルを用いた基板液処理装置並びに基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、液体吐出部（４８）から吐出した処理液と気体吐出口（５２）から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を被処理体に向けて噴霧する２流体ノズル（３４）及び同２流体ノズル（３４）を用いた基板液処理装置（１）並びに基板液処理方法において、液体吐出部（４８）は、気体吐出口（５２）の内側に円周中心部に対して外側方向へ向けて処理液を吐出する複数の液体吐出口（４７）を同一円周上に配置することにした。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ノズルに霜が付着するのを抑制し、霜に起因する基板の汚染を防止する。
【解決手段】基板上から側方に退避した退避位置において、冷却ガスノズル３のガス吐出口３０に対して上面３７ａが平面となった整流部材３７を近接対向配置し、ガス吐出口３０から少量の冷却ガスを吐出させる。不使用時にも冷却ガスを吐出させるアイドリングを行っておくことにより、ノズルの温度上昇を抑制し必要時に直ちに冷温の冷却ガスを吐出させることができる。また、アイドリング時に整流部材３７を配置し、ガス吐出口３０周りの隙間から冷却ガスを吹き出させることにより、高湿度の周囲雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制し、ノズル内に下が付着するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されたパターンの倒れ、あるいは被処理体の表面の膜荒れなどといった被処理体に対するダメージを抑えながら、被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を容易に除去すること。
【解決手段】ウエハＷに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い、ウエハＷの表面の自然酸化膜１１を溶解させることにより、前記自然酸化膜１１の表面に付着している付着物１０について、ウエハＷの表面からいわば浮いた状態となるようにする。その後、ウエハＷの置かれる雰囲気よりも圧力の高い領域から下地膜１２に対して反応性を持たない二酸化炭素ガスを供給し、断熱膨張により当該ガスを凝縮温度以下に冷却してガスクラスターを発生させる。そして、このガスクラスターを非イオン化の状態でウエハＷに照射して、付着物１０を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ミストを発生しやすい処理室のメンテナンス性を確保しつつ、室内の排気効率および排気能力の均一性を向上させること。
【解決手段】ブロー洗浄室Ｒ2の室内排気機構１１２において、第１の仕切板１１４は、上部２流体ノズル１０４Ｕより高くて排気ポート１０６，１０８より低い位置に配置され、ブロー洗浄室Ｒ2の室内空間を縦方向で上部空間ＵＲ2と下部空間ＬＲ2とに分割する。ここで、第１の仕切板１１４と上流側隔壁８６との間には、チャンバ幅方向（Ｙ方向）に一列に延びる２つのスリット開口１１６，１１８が形成される。また、第２の仕切板１２４は、第１の仕切板１１４の上に拡がる上部空間ＵＲ2を、横方向で、第１の開口１１６と第１の排気ポート１０６との間に延在する第１の排気空間１２０と、第２の開口１１８と第２の排気ポート１０８との間に延在する第２の排気空間１２２とに分割する。 （もっと読む）

【課題】ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる薬液温調装置および薬液温調方法を提供する。
【解決手段】温調槽２０に硫酸を含む薬液を貯留する。温調槽２０の薬液に添加液投入部３０から添加液として水を投入すると、硫酸の水和熱によって薬液の温度が上昇する。調合槽１０には硫酸の新液を貯留する。熱交換部４０を用いて調合槽１０の硫酸の新液と温調槽２０の薬液との間で熱交換を行い、新液を目標温度にまで昇温する。また、必要に応じて調合槽１０の新液を冷却部５０によって冷却する。調合槽１０の新液が予め設定された目標温度に到達した後に、その目標温度の新液を洗浄処理部８に送給する。硫酸と水とが反応することによって発生する反応熱を用いて調合槽１０の新たな薬液を目標温度にまで昇温しているため、ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面から除去対象物を良好に除去して、除去対象物が残存することによる基板の表面の処理に与える悪影響を抑制すること。
【解決手段】本発明では、基板（５）の裏面の除去対象物を除去する基板処理方法（基板処理システム１）において、基板支持体（３４）で基板（５）の外周端を支持し、基板（５）の裏面の内周部から基板支持体（３４）の近傍までの所定の処理範囲（５０）で除去対象物を除去する裏面処理工程（裏面処理装置１０）と、基板（５）の裏面の外周端から内周側の所定の処理範囲（７１）で除去対象物を除去する裏面周縁部処理工程（裏面周縁部処理装置１１）とを有し、裏面処理工程（裏面処理装置１０）での処理範囲（５０）と裏面周縁部処理工程（裏面周縁部処理装置１１）での処理範囲（７１）とが重なる重畳処理範囲（７２）を設けることにした。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊および残渣の発生を抑制または防止すること。
【解決手段】フッ化水素を含むＨＦベーパと、水が溶解可能で水よりも沸点が低い溶剤を含む溶剤ベーパとを基板に供給することにより、不要物をエッチングして基板から除去する除去工程（Ｓ２）が行われる。また、除去工程と並行して、基板上の溶剤を蒸発させる蒸発工程（Ｓ２）が行われる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄基板へのダメージの発生を抑えることができ、また、エレクトロニクス産業等で使用される高精密度の基板等に対して高清浄度の洗浄を行うことが可能な超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供すること。
【解決手段】被洗浄物を超音波振動子の振動面から延びた垂線の液面までの成す領域（超音波照射領域）外の洗浄液の液面下の近傍に位置するように保持して、超音波によって洗浄液の表面に表面張力波を励起させ、被洗浄物に超音波を直接照射することなしに、表面張力波による音圧によって被洗浄物の微粒子汚染物を剥離するようにして、被洗浄基板へのダメージの発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増大させることなくウエハの上面に固着した異物を除去可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、収縮層形成工程と、亀裂形成工程と、除去工程とを含む。収縮層形成工程では、半導体装置の構成材料が積層されたウエハの上面に、前記構成材料よりも収縮率が高い収縮層を形成する。亀裂形成工程では、前記収縮層を収縮させて該収縮層に亀裂を形成する。除去工程では、前記亀裂が形成された前記収縮層を前記ウエハの上面から除去する。 （もっと読む）

【課題】液体処理後の乾燥時のパターン倒壊を抑制した基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板処理方法が提供される。前記基板処理方法は、少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程を含む。前記基板処理方法は、前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程をさらに含む。前記基板処理方法は、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の洗浄エリアに基板の回転速度とロール洗浄部材の回転速度の相対速度がゼロとなる点（領域）が存在しても、基板の表面をその全域に亘ってより均一に洗浄できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの直径方向に沿って延びるロール洗浄部材１６を基板Ｗの表面に接触させつつ、ロール洗浄部材１６と基板Ｗを共に回転させて基板Ｗの表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、ロール洗浄部材１６及び基板Ｗの少なくとも一方の回転速度または基板の回転方向をスクラブ洗浄処理中に変更する。 （もっと読む）

【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄（プレ洗浄）技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄（プレ洗浄）剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にＧａＡｓ、サファイア、SｉＣのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの洗浄において、半導体ウェーハ表面における金属不純物レベルとパーティクルレベルを同時に低減させることができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＨＦ洗浄、オゾン水洗浄、ＨＦ洗浄の順で行う洗浄工程を少なくとも１回有する半導体ウェーハの洗浄方法であって、該半導体ウェーハの洗浄方法において最後に行われるＨＦ洗浄において、前記半導体ウェーハ表面に前記オゾン水洗浄で形成された酸化膜を全て除去することなく前記半導体ウェーハ表面上に厚さを一部残すようにして洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）