【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル５は、複数の噴射口３１が形成された噴射部６と、吐出口３６が形成された吐出部７とを含む。複数の噴射口３１は、複数の液滴がそれぞれ基板Ｗ内の複数の衝突位置Ｐ１に衝突するように形成されている。吐出口３６は、各衝突位置Ｐ１からの距離Ｄが等しい基板Ｗ内の着液位置Ｐ２に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル５は、吐出口３６から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Ｗに複数の噴射口３１から噴射された複数の液滴を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル１５からの液滴が基板Ｗの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Ｗの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板Ｗ上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 （もっと読む）

【課題】気泡を含む液体が基板などの対象物に供給されることを抑制または防止できるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル１１は、長手方向Ｘ１に延びるスリット状の吐出口５４が形成された吐出部４５と、吐出口５４に供給される液体が流通する液体流路５５が形成された供給部４３と、液体流路５５を上流側と下流側とに仕切っており、上流側と下流側とを接続する複数の第１接続路６４が形成された第１拡散板４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板Ｗの周縁部Ｅに形成された傾斜面Ｂf、Ｂrに付着した汚染物質を、粘着ローラー８４を用いて効果的に除去することを可能とする。
【解決手段】基板Ｗの周縁部Ｅに粘着剤層８４aを介して当接する粘着ローラー８４を、回転させながら基板Ｗの周縁部Ｗに沿って基板Ｗに対して相対的に移動させる（移動動作）。しかも、この移動動作の実行中に、基板Ｗの周縁部Ｅが粘着剤層８４aに食い込んだ状態で、粘着剤層８４aを基板Ｗに対して相対的に回転軸方向Ｄf、Ｄbへ移動させ、これによって傾斜面Ｂf、Ｂrに粘着剤層８４aを接触させている。したがって、基板Ｗの周縁部Ｅに形成された傾斜面Ｂf、Ｂrに付着したパーティクルを粘着ローラー８４の粘着剤層８４aで捕捉して、効果的に除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に付着する付着物を効率良く除去する。
【解決手段】氷体５３２がＤＩＷの液膜ＬＦを介して基板Ｗの表面Ｗｆに近接した状態で０℃よりも低い温度に冷却された窒素ガスが氷体５３２の下面の外周縁近傍に供給され、基板Ｗの表面Ｗｆと氷体５３２とに挟まれるＤＩＷが凝固して凝固領域ＦＲが形成される。これによって、凝固領域ＦＲでは、氷結の形成による体積膨脹によって基板Ｗの表面Ｗｆに対するパーティクルＰＴなどの付着物の付着力が弱まるとともに、付着物が凝固領域ＦＲに取り込まれる。そして、凍結ヘッド５３が基板Ｗに対して相対移動することで凝固領域ＦＲが基板Ｗの表面Ｗｆから剥離され、パーティクルＰＴも一緒に基板Ｗの表面Ｗｆから除去される。 （もっと読む）

【課題】塵ＰおよびレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去する。
【解決手段】基板Ｗの周縁部Ｅに液状の被覆剤Ｃを塗布して、基板Ｗの周縁部Ｅに付着した塵Ｐを液状の被覆剤Ｃによって覆う。そして、基板周縁部Ｅに付着した塵Ｐを覆う被覆剤Ｃを硬化させることで、当該塵Ｐを硬化された被覆剤Ｃの内部に捕捉する。したがって、被覆剤Ｃを基板Ｗの周縁部Ｅから除去することで、基板Ｗの周縁部Ｅから塵Ｐを除去することができる。さらに、基板Ｗの周縁部Ｅに被覆剤Ｃを塗布した後に、基板表面ＷfにフォトレジストＲを塗布するため、基板Ｗの周縁部Ｅでは、フォトレジストＲは被覆剤Ｃの上に塗布される。したがって、基板Ｗの周縁部Ｅから被覆剤Ｃを除去した際には、被覆剤Ｃの上に塗布されたフォトレジストＲも被覆剤Ｃとともに基板Ｗの周縁部Ｅから除去される。こうして、塵ＰおよびフォトレジストＲを基板Ｗの周縁部Ｅから同時に除去できる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンに与えられるダメージを抑制しつつ、半導体基板上のパーティクルを効果的に除去する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の洗浄方法は、表面に凹凸パターンが形成された半導体基板を所定温度に加熱しながら前記半導体基板の表面に水蒸気を供給する工程と、前記加熱及び水蒸気の供給の停止に伴い前記半導体基板を冷却し、前記半導体基板上の水分を凍結させる工程と、前記水分の凍結後に、前記半導体基板上に純水を供給し、凍結膜を融解させる工程と、前記凍結膜の融解後に、前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄時間を短縮することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置１は、基板保持台２０と、基板回転駆動部２５と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面に対して洗浄液を供給するノズル３０と、基板保持台２０に保持された基板Ｗの上面を洗浄する第１洗浄具４１および第２洗浄具４２と、第１洗浄具４１および第２洗浄具４２が取り付けられた支持部材４３と、を備えている。支持部材４３は、第１洗浄具４１を基板保持台２０に保持された基板Ｗの中心部から基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に基板Ｗに沿って移動させるように、移動可能に構成されている。第１洗浄具４１および第２洗浄具４２は、第１洗浄具４１が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されている場合に、第２洗浄具４２が基板Ｗの洗浄領域Ｗ_０の周縁部に配置されるように、支持部材４３に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】着脱性やメンテナンス性に優れ、梁型のノズル保持機構が無くても撓まない長尺型の処理液吐出ノズルを提供すること。
【解決手段】この処理液吐出ノズル６４に取り付けられるたわみ補正機構７４は、ノズルヘッダ管６８の第１および第２の中間点Ｐ_M1，Ｐ_M2で補強面６８ａに突出して設けられる第１および第２の中間ジョイント部７８，８０と、ノズルヘッダ管６８の第１および第２の中間ジョイント部７８，８０の間たとえば長手方向の中心点Ｐ_Cで補強面６８ａに突出して設けられる中心ジョイント部７６と、中心ジョイント部７４と第１の中間ジョイント部との間に架け渡される第１の連結棒８０と、中心ジョイント部７８と第２の中間ジョイント部８０との間に架け渡される第２の連結棒８４とを有している。 （もっと読む）

【課題】パターンにダメージが発生することを抑制または防止しつつ、パーティクルの除去率を向上させること。
【解決手段】噴射ノズル５から基板Ｗの上面に向けて複数の処理液の液滴を噴射させながら、基板Ｗに対して噴射ノズル５を移動させて、基板Ｗに対する液滴の衝突位置を移動させる。基板Ｗに付着しているパーティクルは、液滴の衝突によって除去される。基板Ｗの上面に向けて噴射された液滴の断面積と液滴の数との積である総液滴衝突面積は、基板Ｗの上面の面積の１４倍以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ２１０と、チャンバ２１０の内部を加熱するヒータ２１２と、チャンバ２１０に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ２１０から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ２１０を回転させる回転部２７０と、を備えている。回転部２７０は、チャンバ２１０を水平方向に対して９０°以上１８０°以下回転させる。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄面と反対側の面に液体が付着するを防ぐことが可能な枚葉式の基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】回転可能な回転板と、前記回転板の周縁に沿って設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の上端に設けられ、前記基板の周縁を支持することにより前記基板を案内可能な案内部と、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板に対して上方から液体を供給する供給部とを備え、前記案内部が、前記回転板の周方向に沿って少なくとも３つ以上設けられ、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板の表面よりも高い高さを有する液処理装置により上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄体を表裏両側から同時にスクラブ洗浄する洗浄工程において、被洗浄体に与えるダメージを低減させる。
【課題手段】１対のブラシローラ１Ａ，１Ｂがそれぞれ挿着された２つの回転軸の回転方向と略直交してこれら２つの回転軸の軸心を含む断面において、第１の被洗浄面１１Ａと接触する複数の第１の突起５Ａの各基端部分を第１の被洗浄面１１Ａの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第１領域Ｌａと、第２の被洗浄面１１Ｂと接触する複数の第２の突起５Ｂの各基端部分を第２の被洗浄面１１Ｂの略垂直方向から被洗浄体１０に投影した複数の第２領域Ｌｂとが重なる複数の重複範囲Ｌｐは、２つのブラシローラ１Ａ，１Ｂの回転位置に関わらず、当該重複範囲Ｌｐを含む第１領域Ｌａ及び第２領域Ｌｂの何れに対しても８０％以下の範囲に制限される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の金属材料やポリシリコンのエッチングを抑制し、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄・リンスした後に、表面が水溶性有機溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバを密閉し、前記水溶性有機溶媒を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記水溶性有機溶媒を気体に変化させて、前記水溶性有機溶媒を前記チャンバから排出する工程と、前記チャンバ内の圧力が大気圧まで下がるに伴い、前記チャンバ内へ不活性ガスを供給する工程と、前記半導体基板を冷却する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆに、ＤＩＷにポリスチレン微粒子Ｐを分散させた処理液Ｌによる液膜ＬＰを形成する。冷却ガス吐出ノズル３から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Ｗに対し走査移動させて、液膜ＬＰを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Ｐが凝固核となって氷塊ＩＣの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】検査の定量性を確保するとともに、作業効率を改善するフォトマスク洗浄システムを提供する。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する洗浄装置と、フォトマスクに付着している異物を検出する異物検出手段を有し洗浄装置により洗浄されたフォトマスクを検査する検査装置と、検査装置による検査結果に基づいてフォトマスクに異物が付着している箇所を再生部位として指示する指示手段を有し当該フォトマスクを再生する再生装置と、洗浄装置、検査装置および再生装置との間でフォトマスクを運搬する運搬装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウム層が露出した基板表面を洗浄でき、かつゲルマニウム層の膜減り抑制と優れた洗浄効率とを両立できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム層が露出した基板表面に洗浄液を供給する基板洗浄方法であって、洗浄液として、アルカリ物質の添加によってｐＨが７より大きい値に調整されたオゾン水を用いる。基板処理装置は、ゲルマニウム層が露出した表面を有する基板Ｗを保持するスピンチャック１２と、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの表面に、アルカリ物質の添加によってｐＨが７より大きい値に調整されたオゾン水からなる洗浄液を供給する洗浄液供給機構２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を向上させること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの外周より外側に配置されているカップ６とを含む。カップ６は、気体吐出口から基板Ｗ上に向けて気体を吐出することにより、基板Ｗの上面に沿って流れる気流を形成する。この気流によって基板Ｗの上面がパーティクルやミストから保護される。 （もっと読む）