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Fターム[5F157AB52]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)内の移送 (96)

Fターム[5F157AB52]に分類される特許

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【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽中の洗浄液中でシリコンウェーハを移動させながら洗浄する方法。洗浄槽中に設けられた、表面の一部から水流または気流が噴出する下り斜面を、シリコンウェーハを斜面に接触させることなく自由落下により移動させ、洗浄槽中に設けられた下り斜面に続く上り斜面を、自由落下により移動させたシリコンウェーハを斜面に接触させることなく牽引移動させて、移動の間に洗浄する。底部が入口側からの下り斜面と出口側に向けての上り斜面を有する洗浄槽を含む、シリコンウェーハ洗浄装置。下り斜面は、水流および/または気泡を吹き出す吹き出し口を有し、上り斜面は、シリコンウェーハを斜面に沿って牽引移動させるための手段を有し、シリコンウェーハを前記下り斜面および上り斜面を移動させながら洗浄槽中の洗浄液で洗浄する。 (もっと読む)


【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】被処理物の表面に到達する紫外光の強度の低下を抑制しつつ、被処理物の表面における静電気の発生を抑制することのできる紫外光照射処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される被処理物Wに紫外線ランプ32を備えたランプハウス30からの紫外光を照射することで被処理物Wの表面の洗浄を行う紫外光照射処理装置20であって、被処理物Wの周囲に不活性ガス及び電子親和性分子を混合した混合ガスを供給するガス供給ダクト37を備えることを特徴とする。前記混合ガス中における前記電子親和性分子の濃度は、1.0%以上6.0%以下であることが好ましい。前記不活性ガスは、窒素ガスであることが好ましい。前記電子親和性分子は、酸素分子であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず乾燥ユニット23においてチャンバー壁39を加熱する。そして、チャンバー壁39の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット23のチャンバー23a内に供給することによりチャンバー23a内にある加熱されたN2ガスを冷却ガスに置換する。その後、ウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させる。そして、ウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させる間に、またはウエハWを洗浄槽22内から乾燥ユニット23のチャンバー23a内まで移動させた後に、チャンバー23a内に乾燥ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】エキシマランプの放電容器が不意に破損しないように、エキシマランプの点灯の可否を判断する方法を提供する。
【解決手段】放電容器10内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間10を挟んで一対の電極17,18が前記放電容器10の外表面に形成され、前記放電容器10の内面に前記密閉空間内に発生した紫外線を光出射方向に向けて反射する紫外線反射膜が形成されたエキシマランプ1において、前記放電容器10が被処理体Wから遠ざかる方向に変形することを規制することにより生じる負荷を圧電素子3で電気信号に変換し、該負荷に対応する実測値と前記放電容器に割れが生じる危険性を有する水準の負荷に対応する基準限界値とを対比して、前記エキシマランプ1の点灯の可否を判断する。 (もっと読む)


【課題】気体の吹き付けより液切りを行う一方で、当該気体の吹き付けに伴い搬入口側に運ばれる処理液等が当該搬入口から外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口2aから処理室1に搬入される基板Sに対して剥離液を供給した後、基板Sを搬出口3aから搬出するように構成される。搬出口3aの近傍には、基板Sに対して基板搬送方向における下流側から上流側に向かってエアを吐出することにより剥離液を除去する第1エアナイフ13,13が配置され、搬入口2aの近傍には、基板搬送方向における上流側から下流側に向かってエアを吐出する第2エアナイフ14,14が設けられる。コントローラ30は、第1エアナイフ13,13によるエアの吐出動作中に第2エアナイフ14,14からエアが吐出されるようにエアの吐出動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】不活性ガスの使用量を低減して被照射物の洗浄及び表面改質のコスト削減可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線を放射する光源2と光透過窓3とを有するランプハウス4と、光透過窓3と被照射物Pとの間の空間Sに少なくとも不活性ガスと酸素とが含まれる混合ガスを導入するためのガス導入手段5とを備え、ランプハウス4は、不活性ガスを導入するためのガス導入口7と、不活性ガスを排出するためのガス排出口8とを有しており、ガス排出口8から排出された不活性ガスをガス導入手段5に送る回送流路6が備えられていることを特徴とする紫外線照射装置1。 (もっと読む)


【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス30には、紫外線ランプ32群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング33が設けられている。開放ハウジング33の天井部には、例えばステンレス板に1〜3mmの孔を多数形成した多孔のガス拡散板35を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス(不活性ガス)を供給して、紫外線ランプ32の周囲からワークWの紫外線照射空間Xにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 (もっと読む)


【課題】加工されたウエーハを効率よく洗浄することができるウエーハの洗浄装置を提供する。
【解決手段】環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着されたウエーハを洗浄するウエーハの洗浄装置であって、粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを収容する複数の載置棚を有するカセットが載置されるカセットテーブルを備えたカセット載置手段と、粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを洗浄する洗浄手段と、カセットテーブルと洗浄手段との間に配設され粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを仮置きする仮置手段と、カセット載置手段のカセットテーブル上に載置されたカセットに収容された粘着テープを介して環状のフレームに支持されたウエーハを仮置手段および洗浄手段への搬送経路に沿って搬送する搬送手段を具備している。 (もっと読む)


【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】液晶表示パネルに用いられるガラス基板などの基板を薬液や純水などの処理液を供給して処理する際の各処理液の温度の差が大きいことにより基板が撓んでしまうことが抑制される基板処理方法を提供すること。
【解決手段】一定方向に搬送される基板の処理面に薬液を供給して薬液処理するに際し、隔壁で仕切られる複数の薬液処理室の各薬液処理室にて前記基板に供給される各薬液の温度を前記基板の搬送方向の上流側から下流側に向けて段階的に下げるようにした。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液/気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい1または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目(すなわちポリマ網目)を形成しうる。長いポリマ鎖および/またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 (もっと読む)


【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置1は基板Wを処理液によって処理する処理槽3と、処理槽3の上方に配置された乾燥処理部6と、処理槽3と乾燥処理部6との間で基板Wを移動させる移動機構8とを備えている。乾燥処理部6は、移動機構8によって基板Wが処理槽3内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部6は制御部65によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液/気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい1または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目(すなわちポリマ網目)を形成しうる。長いポリマ鎖および/またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 (もっと読む)


【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽6と、ベーパー洗浄槽6内における下方部分に蓄えた洗浄剤16と、ベーパー洗浄槽6に連通した乾燥槽5と、ベーパー洗浄槽6と乾燥槽5間を遮断又は開放可能とした遮断蓋13と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽6と乾燥槽5間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体2と、装置本体2に連結された、装置本体2の内部を加減圧する圧力調整手段3と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁17と、洗浄剤16を加熱するための加熱システム19と、を具備した。 (もっと読む)


【課題】 チャンバー外部に処理液の流出を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、基板の処理空間を提供するチャンバー、チャンバーの内部に配置され、第1方向に延長されチャンバーの外部から両端部に提供された処理液が流れる第1供給ライン、第1供給ラインと連通され基板に向かうように延長され、処理液を基板に向かって噴射する噴射部、及び噴射部を第1方向と垂直な第2方向にスウィングさせるために、第1供給ラインと非接触方式で第1供給ラインを回転させる駆動ユニットを含む。従って、基板処理装置は、基板全体に均一に処理液を供給する。 (もっと読む)


【課題】実質的な剥離性能の減少や金属パターンの損傷無しに再使用できて、写真エッチング工程の費用を減少させることができるフォトレジスト剥離組成物を提供する。
【解決手段】本発明によるフォトレジスト剥離組成物は、スルホン系化合物80〜98.5質量%、ラクトン系化合物1〜10質量%、及びアルキルスルホン酸0.1〜5質量%を含む。 (もっと読む)


【課題】容器内の複数の基板を取り出して所定の処理を行い、処理後の基板を容器内に戻す一連の処理を繰り返し行う際に、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置は、一連の搬送動作を制御する制御部40を有し、制御部40は、一のウエハの基板を処理装置内に投入している状態において、フープ搬送装置12およびウエハ出し入れステージ15が空いているタイミングで、次のロットの未処理基板を収容したフープをウエハ出し入れステージ15に搬送し、トータルの搬送時間が適切になるように、フープ搬送装置12の動作タイミング、ウエハ出し入れステージ15での操作のタイミング、およびウエハ移載装置19の動作タイミングを個別に調整した搬送スケジュールを作成するスケジュール作成部54を有する。 (もっと読む)


【課題】純水の除去率を向上させることにより、基板に形成された微細パターンの倒壊を防止することができる。
【解決手段】制御部97は、基板Wを純水で洗浄する純水洗浄処理を行わせ、IPAを注入して純水をIPAで置換する置換処理を行わせる。その後、油水分離フィルタ51によって処理液中の純水を除去する分離除去処理を行わせ、ミキシングバルブ33から供給配管11にHFEを注入して置換促進処理を行わせ、ミキシングバルブ33から供給配管11に少量のIPAを注入して仕上げ処理を行わせた後、リフタ7を上方位置に移動させる。仕上げ処理では、基板Wの微細パターンの奥に入り込んだ純水を少量のIPAで引き出すことができるので、基板Wの微細パターン中に純水が残留するのを防止できる。その結果、基板Wに形成されている微細パターンの倒壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】装置は、ウエハに対して実行されるメニスカスプロセスを監視する。プロセッサによって受信される現在の処理の監視データは、ウエハおよび処理ヘッドの間のギャップの特徴を示す。プロセッサは、姿勢監視信号の形態であるデータと現行レシピとに応答するよう構成される。プロセッサは、さらなるメニスカス処理においてメニスカスを安定に保つことを可能にするためのメニスカス監視信号を生成する。監視は、現在のギャップが、(i)現行レシピの所望のギャップ以外のギャップであり、かつ、(ii)安定したメニスカスに対応するか否かを判定するために現在のメニスカス処理に対して行われる。その場合、較正レシピが、現在の、ギャップを指定するものとして特定される。この較正レシピは、現在のギャップによるウエハ面のメニスカス処理のためのパラメータを指定する。ウエハ面のメニスカス処理は、特定された較正レシピによって指定されたパラメータを用いて継続される。 (もっと読む)


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