【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送路２と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段９と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段２１と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、所定の流速で第２の処理液を供給する第１のリンス手段２２と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】加熱対象となる基板以外に加熱の影響が及ぶことを防ぎつつ、基板に過剰なストレスを与えることなく、塗布液または熱硬化性の部材を効率的に均一に乾燥させることができる、局所加熱装置を提供する。
【解決手段】基板１を搬送する搬送手段と、側部周囲を囲まれ上下に開口を有する空間１１が形成され、上部開口端の全周が基板１の下面と接触して基板１を支持する基板支持部材４とを備える。また、基板支持部材４が基板１を支持した状態で上記空間１１の内部に位置し、基板１の加熱対象となる局所位置の下面側に熱風を噴射して、非接触な状態で局所位置を加熱する非接触加熱手段３と、上記空間１１と連通するように接続され、空間１１に存在する空気を排出する排気手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 リンス流体の消費を抑え、洗浄・リンス・乾燥プロセスに要する総時間を削減する基板洗浄乾燥技術を提供する。
【解決手段】 線状の流体が基板表面に沿って吹き付けられて空気／流体境界線を形成し、線状の蒸気がマランゴニ乾燥を達成するためにこの境界線に供給される。好適な装置は、洗浄流体および／またはリンス流体のタンクを使用する。タンク流体の上方ではリンス流体源が基板表面にリンス流体を向け、基板が洗浄流体から持ち上げられるときに基板表面にメニスカスを形成し、乾燥用蒸気源が乾燥用蒸気をメニスカスに向ける。リンス流体タンクは、基板受取洗浄部分と基板リンス部分とを有する。リンス流体源と乾燥用蒸気源とはリンス部分上方の乾燥エンクロージャによって囲まれる。基板のローディング、洗浄、リンス、乾燥およびアンローディングが少なくとも部分的な時間的重複をもって実行される。 （もっと読む）

【課題】基板上に滞留した洗浄液を一定方向に流し去ることにより液切り効果を向上させることが可能となる洗浄基板の液切り装置を提供する。
【解決手段】基板３０上に滞留する洗浄液９０を排除する液切りローラー２０は、基板３０を搬送する搬送ローラー４０により洗浄工程を経て搬入されてきた基板３０を、接触して上下から挟み込んで配備され、且つ、基板３０上に滞留する洗浄液９０が一方向に流出するよう、基板３０の進行方向に対し直角を除く任意の角度で設置される。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて被処理体を回転させながら処理する処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、処理源１５５を用いて内部にて基板Ｇを処理する処理容器１００と、処理容器１００の壁部に配設され、基板Ｇを処理容器内に搬入又は処理容器内から搬出する複数のバルブＶと、処理容器１００の底面に対して鉛直方向の中心軸Ｏを中心に点対称に配置され、処理容器内にて中心軸Ｏを中心に回転可能な複数のステージ１１０ａ，１１０ｂと、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂを支持し、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちのいずれかのステージを複数のバルブのうちのいずれかの搬送口近傍まで回転させるタイミングに併せて、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちの他のいずれかのステージを複数のバルブＶのうちの他のいずれかのバルブＶの近傍まで回転させるステージ支持部材１１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ５を処理する方法。
【解決手段】半導体ウェーハ５を、
・フッ化水素を含有する溶液９１が少なくとも部分的に充填された液体容器１１中で処理して、半導体ウェーハ５の表面にある酸化物を溶解させ、
・溶液９１から輸送方向８１に沿って輸送して取り出し、かつ乾燥させ、かつ
・乾燥後に、オゾン含有ガス９３で処理して、半導体ウェーハ５の表面を酸化させ、
ここで、半導体ウェーハ５の表面の一方の部分が既にオゾン含有ガス９３と接触しているのに対し、半導体ウェーハ５の表面の他方の部分がなお溶液９１と接触しており、かつ溶液９１及びオゾン含有ガス９３は、これらが互いに接触していないように、空間的に分離されている。 （もっと読む）

【課題】稼動中に装置が使用する電力、エア、純水の消費量を、待機中のとき大幅削減し、且つ、再稼動において、直ちに洗浄を開始することができる液晶枚葉洗浄装置を提供する。
【解決手段】搬送手段１５を具備するロードバッファ部１０とアンロードバッファ部５０と、ブラシ洗浄手段２５を具備するロールブラシ部２０と、バブルジェット手段３５を具備するバブルジェットアクアナイフ部３０と、エア噴射手段４５を具備するエアナイフ部４０と、純水供給制御手段６４を具備する純水供給部６０と、装置コントロール手段７５を具備する装置制御部７０とを有し、装置コントロール手段７５は、待機のとき、待機信号により純水供給機能以外の全ての機能を停止させ、純水供給制御手段６４は、待機信号を受けて純水供給手段６２の純水の供給を制御する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を洗浄ブラシで洗浄する際、洗浄効果を向上させることができるようにした洗浄ブラシを提供することにある。
【解決手段】基板の板面を洗浄するための洗浄ブラシであって、
ブラシ軸１５と、ブラシ軸に設けられた太さの異なる複数種の毛材１６ａ，１６ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減し、排液量を少なくし、処理時間を短縮することができる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向における長さが基板Ｗの寸法より短くされた置換水洗室１０、置換水洗室内において基板を一方向へ連続して搬送する搬送ローラ、置換水洗室内の入口付近に配設された入口ノズル１６、入口ノズルより基板搬送方向における前方側に配設された高圧ノズル１８、および、置換水洗室内の出口側に配設されたエアーノズル２２を備えて置換水洗部２を構成した。置換水洗室１０内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６および高圧ノズル１８からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗室内から基板が搬出された後に入口ノズルおよび高圧ノズルからの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、基板（２）を処理するための基板処理部（２１）と、基板（２）を処理する処理流体を基板処理部（２１）に供給するための処理流体供給部（２２）と、噴霧ノズル（４８，４９）から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部（２１）より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部（２３）とを設けることにした。また、前記排気処理部（２３）は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板（５２、５３、５４）を設けることにした。 （もっと読む）

【課題】撥水面を有する洗浄処理後の基板に対し気体を噴出して液切り乾燥させる場合に、基板表面にウォータマークが発生することを確実に防止できる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向に対して交差するように、基板Ｗの主面へその幅方向全体にわたって気体を噴出して基板上から液体を除去するエアナイフ３２を配設し、エアナイフより基板搬送方向における後方に、基板搬送方向に対して交差するように、基板の主面へその幅方向全体にわたって液体をカーテン状に吐出する液体ノズル３４、３６を配設する。液体ノズル３４のエアナイフ３２側に、下端が基板Ｗの主面と近接するように基板の幅方向全体にわたって板状カバー３８を取着し、板状カバーにより、液体ノズルからカーテン状に吐出される液体が基板搬送方向における前方へ流動するのをせき止め、エアナイフから噴出する気体による水膜４０の乱れを抑える。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積を抑制しながら、基板処理速度を向上する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板処理部と、払出機構７０と、搬入機構７１と、プッシャ６と、主搬送機構３とを含む。基板処理部は、複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す。払出機構７０は、払出チャック７３を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１に沿って横行させる。搬入機構７１は、搬入チャック７４を基板移載位置Ｓと基板受け渡し位置Ｐとの間で第１横行経路１０１よりも下方の第２横行経路１０２に沿って横行させる。プッシャ６は、昇降保持部１０５を基板移載位置Ｓにおいて昇降させる。主搬送機構３は、基板受け渡し位置Ｐと前記基板処理部との間で複数枚の基板Ｗを一括して搬送する。払出チャック７３、搬入チャック７４および昇降保持部１０５は、それぞれ、複数枚の基板Ｗを一括して保持することができる。 （もっと読む）

【課題】 貼り合せた電子本体と基板を分離するための分離装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 平台、伝動部、溶解部、洗浄部及び第１仕切板を含む分離装置において、伝動部は平台上に配置し、電子本体と基板を移動するに用いる。溶解部は、平台上に配置し、溶剤を電子本体と基板に噴射する。洗浄部は平台上に配置し、電子本体を洗浄する。第１仕切板は、溶解部と洗浄部との間に設け、この第１仕切板は少なくとも一つ以上の第１貫通孔を有し、電子本体のみが通過できるように設定する。電子本体は第１貫通孔を通過できるように、一方、基板は第１貫通孔を通過できないようにすることにより、電子本体と基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器３７による測定温度と、圧力検出器３９による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ８７の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽７７内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ８７を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿８１に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ８７の空運転を防止できるので、ベローズポンプ８７の負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を処理する基板処理装置及び該基板の搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は受け取り部材、搬送部材及び制御部を備える。搬送部材は受け取り部材に基板を載置又はピックアップする複数の搬送アームを備える。制御部は搬送アームの速度を調整して同時に駆動される搬送アームが目標地点に同時に到達するように制御する。これによって、搬送部材は複数の基板を受け取り部材に一度に載置又は取り出すことができるので、基板処理装置は搬送時間を短縮させ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の洗浄装置を小型化する。
【解決手段】第１主面、および第１主面の反対側に位置する裏面（第１裏面）３ｂを有し、第１主面に半導体チップが搭載され、裏面３ｂには半導体チップとそれぞれ電気的に接続される複数の半田ボール（外部接続端子）８が接合されたパッケージ基板（配線基板）を有する半導体装置の製造方法であって、配線基板９の裏面３ｂを洗浄する工程を有している。ここで、配線基板９の裏面３ｂを洗浄する工程には、配線基板９の裏面３ｂと対向する位置に配置されたノズル（第１ノズル）２２ｂから、加圧した洗浄液を配線基板９の方向に吹き付けて洗浄する工程が含まれ、ノズル２２ｂから洗浄液を吹き付ける際に、配線基板９の裏面３ｂが、ノズル２２ｂに対して傾斜するように配線基板９を動作させる。 （もっと読む）

【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽中の洗浄液中でシリコンウェーハを移動させながら洗浄する方法。洗浄槽中に設けられた、表面の一部から水流または気流が噴出する下り斜面を、シリコンウェーハを斜面に接触させることなく自由落下により移動させ、洗浄槽中に設けられた下り斜面に続く上り斜面を、自由落下により移動させたシリコンウェーハを斜面に接触させることなく牽引移動させて、移動の間に洗浄する。底部が入口側からの下り斜面と出口側に向けての上り斜面を有する洗浄槽を含む、シリコンウェーハ洗浄装置。下り斜面は、水流および／または気泡を吹き出す吹き出し口を有し、上り斜面は、シリコンウェーハを斜面に沿って牽引移動させるための手段を有し、シリコンウェーハを前記下り斜面および上り斜面を移動させながら洗浄槽中の洗浄液で洗浄する。 （もっと読む）