【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部および基板裏面を短時間で、しかも良好に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】遮断部材５が基板Ｗの表面Ｗｆに近接して対向配置された状態で基板Ｗの上面ベベル部に第１処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。このベベル洗浄中に裏面処理ノズル２から第２処理液が基板裏面Ｗｂに供給されて裏面洗浄が実行される。また、遮断部材５の下面周縁部に段差部ＳＴが形成されており、環状部５０ｂに付着した処理液などが基板対向面側に移動しようとしても、当該移動は段差部ＳＴにより阻止される。その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】基板の保持を行う保持部材の保持部に洗浄液が噴射されることによりこの保持部が洗浄されている間に、保持部材における乾燥処理が困難な箇所である基端部に洗浄液が付着してしまうことを防止することができる洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】保持部材３１、３２、３３の洗浄を行う洗浄装置４０は、保持部材３１、３２、３３の保持部３１ｐ、３２ｐ、３３ｐに洗浄液を噴射することにより当該保持部３１ｐ、３２ｐ、３３ｐの洗浄を行う洗浄部５０と、保持部材３１、３２、３３に対して進退を行い保持部材３１、３２、３３の基端部３１ｑ、３２ｑ、３３ｑをカバーするカバー部６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】大気中でも良好に基板を洗浄できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４０は、搬送路３０ａの上方に配置されており、各搬送ローラ３０により搬送される基板Ｗの上面と近接する。また、遮断板４０には、リンス液供給ノズル６０の設置スペースとして使用される複数の中空突出部４２が設けられている。複数のリンス液供給ノズル６０は、中空突出部４２の延伸方向に沿うように、中空突出部４２の中空空間４２ａに固定されており、搬送される基板Ｗに対して近接できる。シールドガス供給ノズル５０、５５は、第１処理空間７１にシールドガスを供給し、第１処理空間７１内の空気をシールドガスと置換する。これにより、第１処理空間７１において、基板Ｗと、大気に含まれる酸素と、リンス液の水分と、が接触することを防止できる。 （もっと読む）

【解決手段】上側処理ヘッドは、基板の上面に洗浄材料に施すように及び次いで基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成された上側モジュールを含む。上側モジュールは、上側すすぎメニスカス内を洗浄材料に向かって且つ基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている。下側処理ヘッドは、上側すすぎメニスカスによって基板に加えられる力と釣り合うように基板に下側すすぎメニスカスを施すように構成されている下側モジュールを含む。下側モジュールは、上側処理ヘッドと下側処理ヘッドとの間に基板キャリアが存在しないときに上側処理ヘッドから吐出される洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている。上側処理ヘッド及び下側処理ヘッドは、複数の上側モジュール及び下側モジュールをそれぞれ含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 この発明は基板の乾燥処理を迅速かつ確実に行なうことができるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理槽１と、この処理槽内に設けられた上面に開口部を有するカップ体２と、このカップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル１６と、上記処理槽の上部に設けられこの処理槽内に清浄空気を導入するファン・フィルタユニット３２と、このファン・フィルタユニットから上記処理槽内に供給された清浄空気を上記カップ体の内部空間を通じて排出する排出管５及び排出ポンプ６と、上記カップ体の上方で少なくとも上記基板の上面よりも径方向外方に配置され上記基板に加熱用の光線を照射するランプ５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水を用いたフォトレジスト除去装置において、基板表面の洗浄領域へのフォトレジストとオゾンの反応生成物の再付着を防止する。
【解決手段】洗浄対象の基板を支持して回転する支持台と、支持台の上方に、注水口を下方に向けて配設された洗浄ノズルと、洗浄ノズルに高濃度オゾン水を供給する高濃度オゾン水供給装置とを備えたフォトレジスト除去装置において、洗浄ノズルを、基板の回転中心からそれぞれ所定の距離をおいて配置された複数の単位洗浄ノズルで構成し、各単位洗浄ノズルを、各単位洗浄ノズルから吐出された高濃度オゾン水の基板上における流れの方向の重なりが少なくなるように基板の周方向にずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜太陽電池パネルに一定間隔で設けられた多数のスクライブ内に付着するパーティクルを確実に除去でき、しかも表面の成膜面に傷を付けたり成膜を剥離したりするおそれがない高圧液噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 薄膜太陽電池パネルＸの各スクライブＸ２の位置に対応して噴射ノズル３をノズルホルダー２の長手方向に沿って一定の間隔をあけて配列し、ノズルホルダー２をその両側の支持部１３・１４でノズルホルダーの長手方向に移動自在に支持し、太陽電池パネルＸをスクライブＸ２に平行に相対的に搬送しながら、ノズルホルダー２の各噴射ノズル３から一本の直線状に噴射する高圧液を太陽電池パネルＸの多数のスクライブＸ２に対し平行に噴射させて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第１の処理液で処理してから第２の処理液で処理する基板処理装置１００は、第１、第２の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、半導体ウェーハＷ上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段８１，８２と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース９０と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース９０に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハＷ上の液膜が第１の処理液から第２の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置７と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理液の膜厚を均一にすることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハＷを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウェーハに向けて噴射する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、制御装置７と、を有し、上部ノズル体５１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第１温度調整ユニット６１及び第１濃度調整ユニット６２を具備し、斜方ノズル体７１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第３温度調整ユニット７６及び第２濃度調整ユニット７７を具備し、制御装置７は、上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１から噴射する処理液の温度及び濃度の少なくとも一方を調整することで半導体ウェーハＷ上の処理液の液膜の膜厚を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の下面への処理液による処理時にのみ対向部材を当該基板の下面に近接させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】下面処理液配管１０の管壁の途中部には、ベローズ部２４が設けられている。下面処理液配管１０内を処理液が流通するときは、その処理液の圧力によってベローズ部２４が伸長状態となり、下面処理液配管１０内を処理液が流通しないときよりも、下面処理液配管１０の配管長が長くなる。下面処理液配管１０の上端部に、対向棒２０が固定されている。処理液の吐出時には、対向棒２０を前記近接位置に位置し、また、処理液を吐出しないときは、対向棒２０を前記離間位置に位置する。 （もっと読む）

【課題】処理槽を洗浄している間に異常が発生した場合に、安全を確実に確保できる技術を提供する。
【解決手段】処理槽１０を洗浄している間に異常検知部９６が異常を検知した場合に、リカバー制御部９７が、比抵抗計１４から取得した計測値に基づいて処理槽１０が純水状態であるか否かを判定し、処理槽１０が純水状態でない場合には、比抵抗回復処理を行って、処理槽１０を薬液状態から純水状態に移行させる。一方、処理槽１０が純水状態である場合には、基板処理装置１をスローリーク状態とする。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、３つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管４５に導入される。排気切換器５０は、集合管４５から排気が導入される排気導入室５４と、排気導入室５４の内部に回転可能に設けられた回転板５５とを備えている。排気導入室５４の側壁５９には、３つの導出接続孔６２，７２，８２が、回転軸線Ｃを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔６２，７２，８２には、個別排気管６０，７０，８０の上流端が接続されている。回転板５５の回転軸線Ｃまわりの回転に伴って、選択孔４９が３つの導出接続孔６２，７２，８２と順に対向する。 （もっと読む）

【課題】基板から離脱した汚染物質による処理槽の汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽１０の下方に下部タンク４０を設けている。リフター５０によって基板Ｗを投入する前に、排液バルブ１５を開放して処理槽１０の底部から下部タンク４０に一旦全ての処理液を排出する。下部タンク４０から処理槽１０に処理液が再供給される過程において、全ての処理液が循環ライン２０に設けられたフィルタ２３を通過することとなるため、処理液に含まれている全ての汚染物質がフィルタ２３によって取り除かれる。このため、基板Ｗから処理液中に離脱した汚染物質が処理槽１０に付着して汚染するのを防止することができる。また、そのような汚染物質が基板Ｗに付着するのを防止することもできる。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４を備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内に、洗浄ブラシの回転方向と基板の回転方向とが同じとなる部分の割合が非常に少なく、回転方向の同じ部分と反対の部分とが存在することに起因する基板面内での洗浄能力のばらつきが小さく、高い洗浄効果が得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板１を保持し、基板１を回転させる基板回転手段３０と、基板面と平行で基板回転軸ａと交差するブラシ回転軸の延在方向に並べて配置された２つの洗浄ブラシ７、８（１０）を備え、２つの洗浄ブラシ７、８（１０）がブラシ回転軸を中心として相反する方向に回転されるものであって、各洗浄ブラシ７、８、１０が基板１の回転方向と反対方向に回転される一対のブラシ４０（５０）と、一対のブラシを回転させるとともに、ブラシ回転軸の延在方向に一対のブラシを往復移動させるブラシ駆動手段１２とを備える基板洗浄装置２０とする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３の周囲を取り囲む有底筒状の処理カップ６と、スピンチャック３および処理カップ６を収容する処理室２と、処理室２内に清浄空気を供給して、処理室２内に清浄空気の下降気流を形成するＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１１と、処理カップ６内の雰囲気を排気するための吸引機構３３と、処理カップ６の周囲において処理室２内を上下に仕切る仕切板７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する、基板処理方法および装置においてパーティクル除去効率をさらに高める。
【解決手段】基板表面ＷｆにＤＩＷの液膜１１を形成し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを入り込ませた後、ＨＦＥ液が基板表面Ｗｆに供給されてパターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを孤立して残留させながらパターンＦＰ上面を含む基板表面Ｗｆ全体にＨＦＥ液の液膜１２を形成している。このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。 （もっと読む）