【課題】本発明の実施形態は、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、前記処理面における発火を検出する検出部と、を備えたこと、を特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】沸点付近のリン酸水溶液を含む処理液を基板に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】リン酸、硫酸、および水が、第１タンク１５からスピンチャック２に保持された基板Ｗに至る処理液の流通経路Ｘ１に供給される。これにより、リン酸、硫酸、および水の混合液が生成される。また、硫酸を含む液体と水を含む液体とが流通経路Ｘ１において混合され、リン酸、硫酸、および水の混合液の温度が上昇する。スピンチャック２に保持された基板Ｗには、沸点付近のリン酸水溶液を含む混合液が供給される。 （もっと読む）

【課題】処理液を含む雰囲気の漏洩を抑制または防止するとともに、排気量を低減することができるポットおよびこのポットを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、薬液を吐出する薬液吐出口３ａを有する薬液ノズル３と、待機位置Ｐ１３に配置された薬液ポット５とを含む。薬液ポット５は、薬液吐出口３ａが配置される内部空間Ｓ１を区画するハウジング２５と、内部空間Ｓ１を仕切る仕切部材２６とを含む。ハウジング２５は、薬液ノズル３が挿入される挿入口２７と、挿入口２７より下方に配置された排出口２８とを有している。また、仕切部材２６は、挿入口２７と排出口２８との間の高さで内部空間Ｓ１を上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とに仕切っている。仕切部材２６は、上方空間Ｓ２と下方空間Ｓ３とを接続する接続口３０を有している。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体（１８）から除去する方法を提供する。
【解決手段】硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ裏面側の空間において上昇気流や乱流の発生を防止し、ウェーハの裏面の汚れを防止することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ洗浄装置１０は、回転可能に軸支されると共に中心部に開口１１ａを有するステージ１１と、ステージ１１上においてウェーハ１を支持する複数のガイドピン１４と、ステージ１１の開口１１ａ内に設けられ、ウェーハ１の裏面に処理液又はガスを供給する複数の裏面洗浄ノズル１６と、開口１１ａ内において裏面洗浄ノズル１６を保持するノズル保持部材１７とを備えている。ノズル保持部材１７の上部は、ステージ１１の開口１１ａに装入されており、ノズル保持部材１７の上面１７ａはステージ１１の上面１１ｂと実質的に面一か又は上面よりも上方に位置し、裏面洗浄ノズル１６の先端はノズル保持部材１７を貫通してノズル保持部材１７の上面１７ａに露出している。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、液滴供給手段４１の二流体ノズル４１８から、ＤＩＷの凝固点より低い温度に調整された洗浄液としてのＨＦＥの液滴を基板表面Ｗｆに供給し、パターン近傍のＤＩＷを凝固させると共に物理洗浄する。これにより、パターンを補強してダメージを防止した上で基板表面Ｗｆの洗浄を行い、別途凍結の手段を設ける場合に比べてコストを低減し、処理に要する時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】液中に微細バブルを効率的に生成し、その微細バブルを含有する液体を被洗浄物の表面に良好な洗浄が期待できるように吹付けることのできる流体噴出ノズルを提供することである。
【解決手段】気体導入口１６４ａと、気体噴出口１６４ｂの形成された気体噴出面１６３とを有するユニット本体１６０と、ユニット本体１６０に設けられ、液体が通る液体通路１６１ａの形成された液体導入部１６１とを有し、ユニット本体１６０には、気体通路１６４と、液体導入部１６１の液体通路１６１ａが結合するキャビティ１６２とが形成され、ユニット本体１６０の気体噴出面１６３は、気体噴出口１６４ｂの形成される面を底面部分１６３ａとしたすり鉢状に形成され、ユニット本体１６０には、気体噴出面１６３のすり鉢状の周面部分１６３ｂで開口し、キャビティ１６２から続く複数のノズル孔１６５が形成された構成となる。 （もっと読む）

【課題】全てのチャックピンが基板との接触を高速回転時にも維持でき、スピンヘッド本体の熱変形によるチャックピンの設定位置のずれを防止できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド６２０、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起７２０を有するカム７２０、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド６２０各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器７８０を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工装置を提供する。
【解決手段】 基板加工装置は、基板を支持し、支持された基板を回転させる。薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の下部面に選択的に噴射する。基板の下部面に噴射される薬液、洗浄液、及びガスと同一の薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の上部面に選択的に噴射する。従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 （もっと読む）

【課題】処理モジュールに処理液を共通の塗布ノズルを用いて供給するときに、複数準備される薬液ノズルの処理液供給配管同士の擦れを防ぎ、同時に塗布ノズルを把持して移動するときにノズル搬送アームへの無用な負荷を掛けないようにすること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０を接続し、上部に第１の把持穴４０を設けるノズルブロック部１７と、上部に第２の把持穴２５を設ける把持用ブロック部１８と、両ブロック部を直状に接続する接続管１９と、を備える。処理液供給ノズルに連通される処理液供給管２１は、接続管の中に配管され、ノズル把持アーム１２は、第１の把持穴及び第２の把持穴にそれぞれ嵌合可能な第１及び第２の把持用凸部４１，４２を備え、ウエハＷの上方に処理液供給ノズルを移動する際は、ノズルブロック部の第１の把持穴と把持用ブロック部の第２の把持穴にそれぞれ第１及び第２の把持用凸部を同時に嵌合して把持した状態で移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗの中心部にリンス液を供給しながら、基板Ｗの回転数をリンス処理工程時の基板Ｗの回転数より低い第１の回転数まで低下させる工程と、基板Ｗの回転数を第１の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Ｗの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される液体の力が小さい場合であっても基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しつつ基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、保持部１２により保持された基板Ｗの表面に洗浄液の液膜を形成するための洗浄液供給部２０と、洗浄液供給部２０により基板Ｗの表面に形成された洗浄液の液膜内において、温度の異なる部分を発生させることにより当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる対流発生機構４０と、洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する液体供給部３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、洗浄液としてのＤＩＷの液膜が形成された基板Ｗの表面Ｗｆに対し、媒介液供給機構５５から媒介液としてのトルエンを供給し、ＤＩＷの液膜の上にトルエンの液膜を更に形成する。その後、超音波付与機構５１によりトルエンを介してＤＩＷに超音波を付与しながら、凝固手段３１から基板表面Ｗｆに凍結用の窒素ガスを吐出し、ＤＩＷを凝固させる。これにより、結晶サイズの小さいＤＩＷの凝固体を形成し、その後のリンス工程で短時間に解凍することを可能とし、リンス液中に遊離するＤＩＷの結晶を減少し、パターンへのダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板に付着するリンス液に起因する基板の処理不良を防止することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが回転するとともに、気液供給ノズル４５３の液体ノズル４５３ａが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル４５３ａから回転する基板Ｗにリンス液が吐出される。気液供給ノズル４５３が基板Ｗの外方位置に向かって移動する。ガスノズル４５３ｂが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル４５３が一時的に停止する。気液供給ノズル４５３が停止した状態で、回転する基板Ｗ上の中心部ＷＣに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル４５３が再び基板Ｗの外方位置に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】微細バブルの洗浄に有効なより多くの性質を利用しつつ効果的な洗浄を可能にする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】処理液をかけて被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、マイクロナノバブルやナノバブル等の比較的小さいサイズのバブルを含む第１処理液を前記被洗浄物にかける第１ステップ（Ｓ３）と、該第１ステップの後に、前記第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのマイクロバブル等のバブルを含む第２処理液を前記第１処理液が付着した状態の前記被洗浄物にかける第２ステップ（Ｓ４）とを有し、第１処理液での洗浄の後に、該第１処理液に含まれるバブルより大きいサイズのバブルを含む第２処理液での洗浄がなされるので、比較的小さいバブルの好ましい性質を利用した第１処理液による洗浄の後に、比較的大きいバブルの好ましい性質を利用した第２処理液による洗浄を行うことができるようになる。 （もっと読む）

【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板１に対する処理を行う処理装置１において、被処理基板Ｗを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部２、３には、被処理基板Ｗの側周面を規制する規制部材５２と、回動軸５１３周りに回動自在であり、被処理基板Ｗを規制部材５２側に押し付けて保持する可動部材５１と、当該可動部材５１を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸５１３には、被処理基板Ｗの中央部寄りの位置側に回動軸５１３を付勢する付勢力が付与され、ガイド部５１７に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Ｗを保持する。 （もっと読む）