【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽及び乾燥槽を薄型化することができ、これにより洗浄装置及び乾燥装置の占める面積を小さくするとともに、洗浄及び乾燥に用いる流体の量を減少させることができ、さらにウオーターマークがつきにくい洗浄装置及び乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽内の洗浄用流体により、前記洗浄槽に配設された板状の被処理物を洗浄またはリンスする洗浄装置であって、前記洗浄槽は、一側壁と装置躯体が当接することによって扁平ボックス状に構成されて内部空間が密閉され、前記一側壁は、前記洗浄槽において被処理物の表面又は裏面が臨む面であり、かつ、洗浄槽内に臨む面に隙間形成部材を配してなり、前記被処理物は、前記隙間形成部材に接触しつつ起立した状態で保持され、洗浄槽の一側壁と、一側壁に対向する側壁との間で両側壁から離間した位置で洗浄されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】
現像処理した後ウエハ周辺部を、現像液やイソプロピルアルコールのようなアルコール類の溶剤でリンスしても、ウエハ周辺部に異物が付着している。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、被加工層を有する半導体ウエハの表面上方に、周辺部を除いて、レジスト膜を塗布し、塗布したレジスト膜にパターンを露光し、潜像を形成し、潜像を形成したレジスト膜を現像し、現像後の半導体ウエハの周辺部にシンナを供給し、クリーニングした後、現像したレジスト膜を用いて半導体ウエハの被加工層に加工処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥時間の短縮化を図り、基板乾燥装置のチャンバに与える影響を回避することを目的とする。
【解決手段】基板Ｗを水平又は所定角度傾斜した状態で搬送する搬送手段１０と、表面に液が形成された状態で搬送手段１０により搬送される基板Ｗに対してエアＡを吹き付けて、基板上の液を除去するエアナイフノズル２３と、搬送手段１０のエアナイフノズル２３よりも上流側に配置され、基板Ｗに対して所定温度に加熱されたスチームＳを供給するスチーム供給手段２２と、を有している。基板Ｗの加熱にスチームＳを用いていることにより、基板Ｗを短時間で加熱することが可能になり、処理効率が向上する。同時に、スチームＳが基板Ｗに熱エネルギーを与えた後に、急激に温度が低下するため、チャンバに与える影響を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハーシッピングボックスの洗浄工程が終了した後、トレーを上昇するときに発生する負荷を減らし、乾燥工程を行うときの２次汚染の発生を防止する構造を持つボックスクリーナーを提供すること。
【解決手段】本発明によるボックスクリーナーは、純水が満たされる収容空間が設けられて下部には超音波発生機が配置された超音波洗浄槽と、ウェハーシッピングボックスが積載されるトレーと、前記トレーを前記超音波洗浄槽の内部に投入または搬出させるための駆動力を提供する昇降機構と、洗浄工程が完了した後、前記シッピングボックスを乾燥する乾燥装置を含むボックスクリーナーにおいて、前記超音波洗浄槽の一側には、洗浄工程が完了したときに前記シッピングボックスの内部に気体を噴射して前記シッピングボックス内部の純水を押し出すことで排水する気体噴射部が備えられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成された基板であっても乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、処理槽１に純水を処理液として供給して、処理位置にある基板Ｗを純水で処理した後、排出ポンプ５２によりチャンバ２７内を減圧するとともに溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に溶剤蒸気を供給する。これにより基板Ｗの表面の純水は溶剤によって置換されるものの、微細パターンの奥に入り込んだ純水までは置換できない。基板Ｗを乾燥位置へ移動させた状態で、溶剤濃度が所定値に達した場合には、排出ポンプ５２によりチャンバ２７内を再び減圧する。これにより、微細パターンの表面にできた蓋状のものが取り除かれ、微細パターンの奥に入り込んだ純水が溶剤によって置換される。したがって、微細パターンが形成された基板Ｗであっても乾燥不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】瞬時にベーパーを生成して基板上に供給して基板を乾燥でき、しかも腐食されることなく、クリーンな洗浄及び乾燥ができるベーパー乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する洗浄装置と、複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給ユニット３１と、一端側が前記処理液供給ユニット３１に接続され、他端側に前記洗浄装置に接続されるベーパー供給管２６を有し、前記処理液供給ユニット３１から供給された処理液を流通する流通路を有する石英ガラス管１４と、前記石英ガラス管１４の内側に前記流通路と隔離された状態に設けられたロッドヒーター２７と、前記石英ガラス管１４の外側に設けられ、前記ロッドヒーター２７を加熱し、輻射熱によって前記流通路を流通する前記処理液を加熱あるいは気化して前記ベーパー供給管２６に導く加熱手段としてのハロゲンランプ２８を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック４０と、スピンチャック４０を回転駆動するモータ４１と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル４２と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器４３と、処理容器の底部から排気する排気手段４４と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン５０と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源５１ａとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、基板Ｗに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ２８ｂを操作して排気を行わせてチャンバ２７内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させてチャンバ２７内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ２８ｂでの気体の排出を併用するので、チャンバ２７内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Ｗを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の熱容量に応じて、被洗浄物加熱部と蒸気冷却部との通過順序を換え、乾燥不良によるシミの原因を無くすことができる蒸気乾燥洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物を洗浄液中に浸漬して洗浄を行う洗浄槽１０と、被洗浄物の表面乾燥を行うため洗浄液を基に乾燥用蒸気を発生する蒸気発生槽２０とを、一体化して底部に具備する蒸気乾燥洗浄槽３０と、蒸気乾燥洗浄槽３０の内部に設置され、被洗浄物が通過する際、被洗浄物の表面乾燥を補助する被洗浄物加熱部４０と、蒸気乾燥洗浄槽３０の内部に設置され、乾燥用蒸気を露結させて回収する蒸気冷却部５０とを有し、被洗浄物が、被洗浄物加熱部４０を通過した後、蒸気冷却部５０を通過する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用途に使用することもできる、水晶のような基材表面の前処理ステップにおいて使用する、様々なｐＨ領域と伝導度を持つアルカリ性ベースの組成物を用いる方法を提供する。
【解決手段】ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏが、容積比で１：２：２００〜１：１：１００となる希釈比で、水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水を含有する、ｐＨが８〜１２の_ｕｄＳＣ１組成物を用いて基材表面を処理し、次いで、ノニオン系洗浄剤と脱イオン水を容積比で１〜１００となる希釈比で含有し、ｐＨが８〜１１のノニオン系洗浄剤組成物を用いて前記基材の表面を処理する基材表面の洗浄方法。前記_ｕｄＳＣ１のｐＨが、前記ノニオン系洗浄剤組成物のｐＨより高いことを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマエッチング後残留物をその上に有するマイクロ電子デバイスから前記残留物を洗浄するための洗浄組成物および方法。組成物は、チタン含有、銅含有、タングステン含有、および／またはコバルト含有のエッチング後残留物を含む残留材料の、マイクロ電子デバイスからの非常に有効な洗浄を達成するが、同時に、マイクロ電子デバイス上に同様に存在する層間誘電体、金属相互接続材料、および／またはキャッピング層に損傷を与えない。さらに、組成物は、窒化チタン層をその上に有するマイクロ電子デバイスからそれを除去するためにも有用であり得る。 （もっと読む）

【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】片面エッチングのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置（１００）は、真空室（１１０）を有し、穿孔ベルト（１２０）がこの真空室に対して配置されている。そして、エッチング室（１３０）は、真空室に関し、穿孔ベルトの反対側に配置される。エッチング室は開口部（１３２）を有し、ここを通ってエッチング剤が放出される。真空室は、エッチング剤からウェーハ（１４０）の背面（１４４）を保護する圧力差を生じるよう構成される。使用においては、ウェーハの背面は穿孔ベルトに対して配置される。ウェーハ（１４２）の前面は放出されたエッチング剤に露出される。圧力差は、ベルトに対してウェーハの背面を保護し、及び／又は、穿孔ベルトを通してウェーハの前側に配置されないエッチング剤を抽出する。 （もっと読む）

【課題】汚染および表面分解を最小限に抑えるための層間絶縁膜の表面改質
【解決手段】半導体システムは、誘電体層（１０４）を提供することと、誘電体層（１０４）内に、誘電体層（１０４）の上部に露出される導体（１０８）を提供することと、露出された導体（１０８）をキャッピングすることと、誘電体層（１０４）の表面を改質することであって、導体（１０８）を低ｐＨ溶液に溶解させて誘電体層（１０４）から導体（１０８）イオンを洗浄すること、導体（１０８）イオン下方の誘電体層（１０４）を溶解させること、機械的に強化された洗浄を行うこと、または誘電体層（１０４）上に疎水性層（８００）を化学吸着させることを含むことと、を含む。 （もっと読む）

本発明は、ウェハのスタックをマイクロ波チャンバ中に載置し、ウェハをマイクロ波に曝してウェハ間の水分を蒸発させることによって、ウェハのスタックから複数のウェハを個別に分離する方法に関する。
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可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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