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Fターム[5F157CE77]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 検知制御 (3,601) | 制御対象 (3,445) | 雰囲気 (491) | エア排出 (76)

Fターム[5F157CE77]に分類される特許

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【課題】第1の処理液および第2の処理液を確実に分離して回収するとともに、被処理基板上にウォーターマークやパーティクル等の欠陥が生じることを確実に防止すること。
【解決手段】液処理装置1は、基板保持機構20と、第1の処理液および第2の処理液を供給する処理液供給機構30と、回転カップ61と、回転カップ61の第1の受け面61aで受けた第1の処理液および第2の処理液をそれぞれ排出する外側排出部15および内側排出部16と、外側排出部15を開閉する排出部開閉機構34とを備えている。回転カップ61の第1の受け面61aの下端61bは、基板保持機構20によって保持された被処理基板Wより下方に延びている。排出部開閉機構34が上昇した場合、第1の処理液は外側排出部15へ向けて排出され、排出部開閉機構34が下降した場合、第2の処理液は内側排出部16へ向けて排出される。 (もっと読む)


【課題】必要な排気を確保しつつも、排気量を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部51は、ロットが搬送されて薬液処理部CHB1,CHB2や純水洗浄処理部ONB1,ONB2にて処理されるタイミングがスケジュールにより予め判断できるので、薬液処理部CHB1,CHB2や純水洗浄処理部ONB1,ONB2の状態に応じて各ダンパー37,41,45,49を操作し、薬液処理部CHB1,CHB2や純水洗浄処理部ONB1,ONB2の排出口35,39,43,47から排出される排気流量を調整できる。その結果、処理に必要な排気を確保しつつも装置全体の排気量を低減できる。 (もっと読む)


【課題】ミストの漏洩防止および排気が十分になされ、加工装置が備える他の機器や部品へのミストによる悪影響を防止する。
【解決手段】ケーシング20内の洗浄室21に設けたスピンナテーブル30にウェーハ(ワーク)Wを保持し、ケーシング20上方の開口をフラップ25で閉じ、洗浄室21内を密閉した状態で、スピンナテーブル30を回転させ、洗浄水供給ノズル50から、回転するウェーハWの上面に洗浄水を供給して洗浄するスピンナ洗浄装置1において、洗浄室21内の、スピンナテーブル30の保持面30Aよりも上方に配したエアブロワ70から下向き、かつスピンナテーブル30の回転方向に沿った方向に空気を噴出させて、発生するミストを下方におさえ込み、ケーシング20の下部に接続した排気管60からミストを外部に排出する。 (もっと読む)


【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ3の天面付近の側壁には、給気ユニット41が配置されている。給気ユニット41の給気口43からは、側壁2に沿って水平方向に流れるクリーンエアが、処理チャンバ3内に供給される。処理チャンバ3内の雰囲気は、処理チャンバ3の底部に配置された排気ユニット51,52の排気口53,54から斜め下方に向けて吸い込まれて排気される。給気ユニット41,42から、処理チャンバ3の内部にクリーンエアが供給されるとともに、排気ユニット51内が強制的に排気されると、処理チャンバ3内に、カップ5のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成される。 (もっと読む)


【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部91は、純水などの液滴が付着した基板Wを処理槽9に載置した後、シャワーノズル17から乾燥媒体を供給させる。基板Wに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Wは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ59で加熱しつつシャワーノズル17に供給して基板Wを乾燥させる前に、インラインヒータ59を作動させた状態で気体をガス排気管77に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ1内に供給されずガス排気管77を介して排出されるので、チャンバ1の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板上でのパターン倒れを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、洗浄処理部5a〜5dを有する。洗浄処理部5a〜5dは、スピンベース22、チャック回転駆動機構24、チャンバ31、真空ポンプ33、蒸気供給管34および液体供給ノズル46を備える。チャンバ31がスピンベース22から離間した位置に設定されかつスピンベース22が回転されている状態で、スピンベース22上の基板Wに液体供給ノズル46から薬液およびリンス液が供給される。スピンベース22が停止されかつチャンバ31がスピンベース22に密着した位置に設定されている状態で、真空ポンプ33によりチャンバ31内が排気されるとともに蒸気供給管34からチャンバ31内にIPAの蒸気が供給される。 (もっと読む)


【課題】低湿度ガスの供給量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWが収容されるチャンバ1と、チャンバ1内でウエハWを保持するスピンチャック2と、チャンバ1内のスピンチャック2の上方に上下動可能に設けられ、低湿度ガスおよび清浄空気のいずれかを下方に向けて吐出可能なガス吐出ヘッド7と、ガス吐出ヘッド7を、少なくとも前記チャンバの上部の退避位置と、前記基板保持部に保持された基板に近接した近接位置との間で移動させる駆動機構67と、スピンチャック2に保持されたウエハWに処理液を供給する処理液供給ノズル15と、スピンチャック2に保持されたウエハWにIPAを供給するIPA供給ノズル35とを具備し、少なくともIPAの供給時にガス吐出ヘッド7を近接位置に位置させて前記ガス吐出ヘッドから低湿度ガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】気体の吹き付けより液切りを行う一方で、当該気体の吹き付けに伴い搬入口側に運ばれる処理液等が当該搬入口から外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口2aから処理室1に搬入される基板Sに対して剥離液を供給した後、基板Sを搬出口3aから搬出するように構成される。搬出口3aの近傍には、基板Sに対して基板搬送方向における下流側から上流側に向かってエアを吐出することにより剥離液を除去する第1エアナイフ13,13が配置され、搬入口2aの近傍には、基板搬送方向における上流側から下流側に向かってエアを吐出する第2エアナイフ14,14が設けられる。コントローラ30は、第1エアナイフ13,13によるエアの吐出動作中に第2エアナイフ14,14からエアが吐出されるようにエアの吐出動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器110の一の側面には、搬送機構101の搬送アーム120に保持されたウェハWを搬入出させる搬入出口111が形成されている。処理容器110内には、搬送アーム120に保持されたウェハWの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材130と、当該ウェハWの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル140が設けられている。処理容器110の底面であって、帯電部材130の周囲には、処理容器110内の雰囲気を排気する排気口150が形成されている。処理容器110内であって、搬入出口111側の内側面には、ウェハWの裏面の付着物を検査する検査機構160が設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板面内により均一に処理を施すと共にスループットの向上を図る。
【解決手段】基板処理装置1は、基板2を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Xを形成するための液ノズル16と、基板2上に形成された液層Xを除去するための除去手段とを備える。この除去手段は、基板2を横断するように設けられて該基板2の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ18と、該エアナイフ18によるエア吐出位置よりも基板2の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Xの波打ちを抑える波消し部材20と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】処理流体室内の圧力異常を精度良く検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
制御装置は、第1サンプリング窓および第2サンプリング窓の開閉状態に応じて、第1〜第4設定圧力検出信号のうち1つの設定圧力検出信号を選択する(ステップS1)。制御装置は、選択された設定圧力検出信号が圧力センサから出力されるか否かを監視している(ステップS2)。選択された設定圧力検出信号が圧力センサから出力されると(ステップS2でYES)、制御装置は薬液キャビネット内に圧力異常が発生したと判定し(ステップS4)、警報器から所定の警報音または警報表示を出力させる(ステップS5)。 (もっと読む)


【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 (もっと読む)


【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置1は基板Wを処理液によって処理する処理槽3と、処理槽3の上方に配置された乾燥処理部6と、処理槽3と乾燥処理部6との間で基板Wを移動させる移動機構8とを備えている。乾燥処理部6は、移動機構8によって基板Wが処理槽3内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部6は制御部65によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 (もっと読む)


【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽6と、ベーパー洗浄槽6内における下方部分に蓄えた洗浄剤16と、ベーパー洗浄槽6に連通した乾燥槽5と、ベーパー洗浄槽6と乾燥槽5間を遮断又は開放可能とした遮断蓋13と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽6と乾燥槽5間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体2と、装置本体2に連結された、装置本体2の内部を加減圧する圧力調整手段3と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁17と、洗浄剤16を加熱するための加熱システム19と、を具備した。 (もっと読む)


【課題】基板の上方の雰囲気が周囲に拡散することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。基板の周囲の側方の雰囲気が基板の上方の空間に流入するのを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハWをほぼ水平に保持するスピンチャック1と、スピンチャック1に保持されたウエハWに処理液(たとえばSPM)を供給するための処理液ノズル2と、スピンチャック1を取り囲み、開口33が形成された筒状の処理カップ3と、スピンチャック1の上方に配置された雰囲気遮断機構4とを備えている。雰囲気遮断機構4の雰囲気遮断部材38からは、処理カップ3の上端18dに沿うように空気が筒状に吐出される。ウエハWにSPMが供給されるとき、開口33の上方の空間は、雰囲気遮断部材38から吐出された筒状のエアーカーテンによって取り囲まれる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板処理装置及びその製造方法を開示し、工程設備の工程ユニットをモジュール化し、モジュール化された工程ユニットをメインフレームに脱着可能に設置することを特徴とする。
【解決手段】工程設備の製造に必要とする作業時間及び作業量を減少させることができるだけでなく、各工程ユニットの維持補修をより容易に実施できる基板処理装置及びその製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第1、第2鍔辺部8A、8Bと該第1、第2鍔辺部の一端を連結する奥壁部8Cと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第1、第2供給口13A、14Aと減圧吸引手段に連結された吸引口11Aとを備え、第1供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第2供給口は第1、第2鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口9A近傍に設けられている。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速30〜1000m/secの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 (もっと読む)


【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハWを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハWの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド7とを備えており、処理ヘッド7は、一対の第1、第2鍔辺部8A、8Bと第1、第2鍔辺部8A、8Bの一端を連結する連結部8Cとからなり、第1、第2鍔辺部8A、8Bと連結部8Cとで囲まれた部分が溝(S)を形成し、第1、第2鍔辺部8A、8Bの他端間がウェーハWの周縁部の一部が挿入される開口9Aを形成し、さらに、供給口10A及び吸引口11Aを設けて、溝内にウェーハWの周縁部を挿入して処理する基板処理装置1において、処理ヘッド7は、処理液供給装置15Aに連結した供給口10AをウェーハWの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置15Bに連結した吸引口11AをウェーハWの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 (もっと読む)


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