【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】隣接する処理室への処理液（ミスト）の侵入をより確実に防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｓに薬液処理を施すウエット処理部２と、その前処理としてドライ洗浄等の処理を基板Ｓに施す前処理部１とを有する。各処理部１，２のチャンバ１０，２０は開口部１１ａを介して連通しており、この開口部１１ａは、前処理部１側に設けられるシャッタ装置１４と、ウエット処理部２側に設けられるシャッタ本体２５とにより開閉可能に設けられている。また、前処理部１のチャンバ１０内には、開口部１１ａの開放中、ウエット処理部２側に向かって開口部１１ａにエアを吐出するエアノズル１９ａ，１９ｂが配備されている。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、効率的に薬液を回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において、制御部１２１は、リンス液によるリンス処理後に薬液による薬液処理を制御する。この際に、最初に、リンス処理用の回転数以上の回転数で基板Ｗを回転させながら基板上に薬液を供給して排液カップを薬液により洗浄し、その際に排液カップ５１で受けた液を廃棄ライン１１３によって廃棄する。その後、薬液処理用の回転数で基板を回転させながら基板上に薬液を供給して基板の薬液処理を行い、その際に排液カップで受けた液を回収ライン１１２によって回収する。 （もっと読む）

【課題】 この発明は回転テーブルの回転数を増大させても、処理槽内の圧力が上昇するのを防止できるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体ウエハ１０を回転させて処理するスピン処理装置において、
処理チャンバ１と、この処理チャンバ内に設けられたカップ体２と、このカップ体内に設けられ上記半導体ウエハを保持して駆動モータ８により回転駆動される回転テーブル５と、この回転テーブルの回転速度に応じて変化する上記処理チャンバ内の圧力を制御する制御装置３５とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック４０と、スピンチャック４０を回転駆動するモータ４１と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル４２と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器４３と、処理容器の底部から排気する排気手段４４と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン５０と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源５１ａとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 （もっと読む）

【課題】排気を分散させることによって乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空ポンプによって排気機構７５を介してチャンバ内の気体を排出するが、排気機構７５はチャンバ内の気体を複数箇所から排気するので、チャンバ内において排気が偏りにくい。したがって、溶剤ノズルによってチャンバ内に形成された溶剤蒸気雰囲気が偏ることを防止でき、処理液から露出された基板Ｗに付着している液滴が偏って引かれることを防止できる。その結果、基板の乾燥不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、基板Ｗに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ２８ｂを操作して排気を行わせてチャンバ２７内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させてチャンバ２７内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ２８ｂでの気体の排出を併用するので、チャンバ２７内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Ｗを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】純水内に浸積され洗浄処理が行われた基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した純水を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】純水内に浸積された基板を取り出した後、上記基板の表面に液状のイソプロピルアルコールを供給して、上記基板の表面に付着している上記純水を上記イソプロピルアルコールに置き換え、その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコールを蒸発させることにより上記基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】基板端部に付着した付着物を除去する際に，その付着物を化学分解反応させる活性種が基板の処理面に回り込むことを防止して，処理面にダメージを与えないようにする。
【解決手段】ウエハＷの端部に紫外線を当てて洗浄処理を行う際に，ウエハＷの端部の裏側表面に裏側気体２３６の流れを形成するとともに，その表側表面にも裏側気体と同一方向の表側気体２４６の流れを形成し，裏側気体の流速を表側気体の流速よりも速くする。これにより，たとえウエハの端部と仕切板２２０の間に隙間Ｇが生じていても，ウエハの表側から裏側に向う下降気流２３８が形成されるので，ウエハの端部の裏側で生じた活性種のウエハの表側への回り込みを確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア供給ダクト１０Ａ上に設けられた仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に位置する。外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。この場合、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。 （もっと読む）

【課題】閉じ込め式化学表面処理のための方法及び装置
【解決手段】プロキシミティヘッドを使用して基板の表面を前処理するための装置、システム、及び方法は、基板の表面とプロキシミティヘッドのヘッド表面との間に非ニュートン流体を塗布することを含む。非ニュートン流体は、ヘッド表面と基板の表面との間で１つまたは２つ以上のサイドに沿って閉じ込め壁を画定する。非ニュートン流体を提供された１つまたは２つ以上のサイドは、ヘッド表面と基板の表面との間の基板上に処理領域を画定する。閉じ込め壁によって画定される処理領域内に実質的に閉じ込められるように、基板の表面に、プロキシミティヘッドを通してニュートン流体が塗布される。閉じ込められているニュートン流体は、基板の表面から１種または２種以上の汚染物質を実質的に除去するのに役立つ。一例では、非ニュートン流体は、雰囲気制御された隔離領域を形成するために使用されてもよく、これは、領域内における制御式の表面処理を助けることができる。別の例では、ニュートン流体の代わりに第２の非ニュートン流体が処理領域に塗布される。第２の非ニュートン流体は、基板の表面上の１種または２種以上の汚染物質に作用し、それらを基板の表面から実質的に除去する。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体２１０と、槽体２１０の中に配置されたステージ２２０と、槽体２１０の中に設けられ、ステージ２２０を囲む少なくとも１つの第１の側壁（２３０又は２４０）と、槽体２１０の中で、ステージ２２０の上方に配置され、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲を閉じ込める操作可能なプレート２６５と、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲と流体連通された排気装置２７０と、を備える。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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【課題】高い処理能力を得ることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納し，内部で基板を処理する処理容器２と，処理容器２内に収納された基板Ｗを加熱するヒータ２０と，処理容器２内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段５と，処理容器２内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段７と，処理容器２内にＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給手段９と，処理容器２内を排気する排気管２３と，この排気管２３に設けられた流量コントローラ７１と，処理容器２内を加圧するように流量コントローラ７１を制御する制御部２１と，を備えていることを特徴とする，基板処理装置１である。 （もっと読む）

ディスク状物品を回転させる過程と、回転時にディスク状物品に液体を付与する過程と、回転時にディスク状物品から振り払われる液体を集める過程と、回転時にディスク状物品に平行に配置されてディスク状物品に面するプレートを提供する過程と、そしてプレートに平行に、プレートを横切るようガスを導く過程と、を具備する、ディスク状物品の液体処理用の装置と方法がここに開示される。
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シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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