【課題】ノズル支持アームに複数設けられたノズルの全体の投影面積を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に流体を供給する複数のノズル（８２ａ，８２ａ’）と、複数のノズルを支持するノズル支持アーム（８２）と、ノズル支持アームを当該ノズル支持アームの長手方向軸線周りに回転させる回転機構（８６Ａ）と、を備え、複数のノズルの吐出口（８２ａ１，８２ａ１’）は、ノズル支持アーム長手方向軸線周りの異なる周方向位置に配置され、ノズル支持アームの回転位相に依存して前記複数のノズルうちのいずれか一つの吐出口が基板保持部により保持された基板の方を向くように設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理室内の付着物を洗浄可能な液処理装置および液処理装置の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを液処理する液処理装置１において、ウエハＷを水平に支持し回転可能なウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０の上方を覆いウエハ支持部材１０と共にウエハＷを液処理するための処理室Ｓを形成するカバー２０と、カバー２０の外周部２３とウエハ支持部材１０の外周部１３との間を開放する開位置と、閉鎖する閉位置との間で、カバー２０を昇降させる昇降機構１３２と、処理室Ｓ内に配置され、回転するウエハＷに処理液を供給する液供給部材３０（４０）と、ウエハ支持部材１０によりウエハＷを支持していない状態で、カバー２０の位置を閉位置に設定し、液供給部材３０（４０）により処理室Ｓ内に所定量の洗浄液を供給した後、カバー２０の位置を開位置に変更する制御装置７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを液処理する液処理装置１において、基板Ｗを水平に支持し、基板Ｗと共に回転可能な支持部材１０と、支持部材１０と共に基板Ｗを液処理するための処理室Ｓを形成し、処理室Ｓ内に気体を流入させる開口部２４を備えるカバー２０と、処理室Ｓ内において基板Ｗに上方から処理液を供給する液供給部材３０と、支持部材１０の外周部１３とカバー２０の外周部２３との間に形成される環状間隙ＧＰを取り囲み、環状間隙ＧＰを介して、回転する基板Ｗから振り切られる処理液を受け取るカップ４０と、環状間隙ＧＰを調節する調節機構１２２と、処理室Ｓの開口部２４に液供給部材３０を接近または離間させる移動機構１３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを液処理する液処理装置１において、基板Ｗを水平に支持し、回転可能な支持部材１０と、支持部材１０の外周部１３との間に環状間隙ＧＰを形成する間隙形成部材２０と、基板Ｗに上方から処理液を供給する液供給部材３０と、環状間隙ＧＰを取り囲み、環状間隙ＧＰを介して、回転する基板Ｗから振り切られる処理液を回収するカップ４０と、間隙形成部材２０を昇降させる昇降機構１２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、パターン倒壊を防止すること。
【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法は、前記基板に昇華性物質の溶液（ＳＬ）を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質（ＳＳ）で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後、前記基板を、処理チャンバー内でフッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒し、かつ、前記アルコールガスの分圧を第１の分圧とする第１の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第１の分圧より低い第２の分圧とする第２の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超臨界乾燥処理時に、半導体基板上の金属材料がエッチングされることを防止する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄して純水リンスする工程と、前記半導体基板の表面を純水からアルコールに置換する工程と、前記アルコールで濡れた前記半導体基板をチャンバに導入する工程と、前記チャンバ内から酸素を排出する工程と、前記アルコールを超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記アルコールを気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。前記チャンバは、ＳＵＳによって形成され、内壁面に電解研磨処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング１と、前記ハウジング１内に基板３を保持する保持手段２と、前記基板３の処理面３ａに対して処理液を供給する供給手段８と、前記ハウジング１内に気体を取り込む取り込み口１ａと、前記ハウジング１内の処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出する排出口１ｃとを備え、前記保持手段２は前記処理面３ａを前記ハウジング１の底部１ｂに向けて前記基板３を保持し、前記取り込み口１ａから前記排出口１ｃへ向かう気流を形成し、前記気流によって処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、基板中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内では、複数の開口６３０が形成された整流板６３が、基板の上方に配置される。整流板６３は、チャンバ上部の導入口から導入されたエアを整流し、チャンバ内にダウンフローを発生させる。整流板６３では、基板の中央部の真上に位置する中央領域６３１における開口６３０の分布密度が、中央領域６３１の周囲の周辺領域６３２における開口６３０の分布密度よりも大きいため、中央領域６３１の開口率が周辺領域６３２の開口率よりも大きい。これにより、基板の中央部におけるダウンフローを、基板の中央部以外の部位におけるダウンフローよりも強くすることができる。その結果、基板の中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の処理液供給部を基板の裏面側に配置することが可能な液処理装置、及びこの液処理装置における液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の裏面周縁を支持し、前記基板を回転する基板支持部材と、前記基板支持部材により支持される前記基板の一方の面に対して処理を行う少なくとも２つの処理部と、前記基板支持部により支持される基板の中心に対応する位置に配置され、第１の回転軸の周りを回転する第１の回転部と、前記第１の回転部から第１の方向に離間して配置され、前記第１の回転軸と平行な第２の回転軸の周りを回転する第２の回転部とを備える液処理装置が提供される。少なくとも前記第１の回転部の回転により、前記少なくとも２つの処理部が前記第１の方向に沿って互いに平行に、且つ前記第１の方向と直交する第２の方向に移動できるように前記第１の回転部及び前記第２の回転部に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ミスト等に起因する基板へのウォーターマークの発生を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】スピンベース２３に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに形成される液膜を、該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスにより凍結させる。、冷却ガスを吐出するノズル３を基板の回転中心ＡＯから基板周縁まで回動アーム３５によりスキャンさせる。これ以外のタイミングでは、ノズル３を基板上方から離れた待機位置（点線）に待機させるとともに、低流量で冷却ガスを吐出させてアイドリングを行う。吐出される冷却ガスについては、待機位置のノズル３直下に設けたガス回収ユニット３００により回収し、処理空間ＳＰに冷却ガスが流出するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】被照射物に付着した有機物等の汚染物と大気中に含まれる汚染物質との反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、所要の光洗浄処理を確実に達成することができる光照射装置を提供する。
【解決手段】エキシマランプと、このエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口および内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、このランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構とを備えてなり、前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理体を液処理する液処理部内の圧力の変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１は、被処理体Ｗに対して処理液を供給して被処理体Ｗを液処理する複数の液処理部３と、複数の液処理部３内の雰囲気を排出する共通排気路６と、液処理部３の各々と共通排気路６とを連結する個別排気路３５と、個別排気路３５に開閉自在に設けられた開閉機構５と、共通排気路６に外気を取り込む外気取込部６５と、を備えている。共通排気路６には、外気取込部６５から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁が設けられている。制御部１００は、開閉機構５の各々の開閉状態に基づいて、取込量調整弁の開度を制御するようになっている。 （もっと読む）

【課題】微細気泡を用いた基板処理能力低下を防止すること。
【解決手段】微細気泡を含む処理液Ｓ２を生成する微細気泡発生装置３と、微細気泡を含む処理液Ｓ２を吐出するノズル５と、微細気泡発生装置３とノズル５を接続する配管４ｂと、前記配管４ｂ途中で配管内壁に付着した気泡を取り除く排気機構を設ける。ここで、排気機構は、内側の配管４１ａ、この内側の配管４１ａと外側の配管４１ｂとの間に形成された空間Ｋ、ポンプＰ２によって構成される。 （もっと読む）

【課題】カップに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１および基板保持部２１の周囲に配設されるカップ４２が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して処理液を供給するためのノズル８２ａと、カップ４２の上部に洗浄液を供給することにより当該カップ４２の洗浄を行うカップ洗浄部４９、４９ａと、を備えている。カップ４２の上部には凹部４２ａが形成されており、カップ洗浄部４９、４９ａは、カップ４２の上部の凹部４２ａに洗浄液を供給するようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に洗浄液を噴射することによって切削屑が混入したミストが飛散しても、この飛散したミストに混入されている切削屑が再び被加工物の表面に付着することがないスピンナー洗浄装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持し回転可能なスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持された被加工物に洗浄液を噴射する噴射口を有する洗浄液噴射ノズルを備えた洗浄液噴射機構とを具備するスピンナー洗浄装置であって、洗浄液噴射ノズルの噴射口の背部を覆って配設された集塵傘と、集塵傘に設けられた吸引口に一端が連通して配設された吸引チューブと、吸引チューブの他端が接続された吸引源とを具備するミスト吸引手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム１は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間に設けられた搬送ステーション７とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、第１の洗浄装置３１と、第２の洗浄装置３３とを有している。搬送ステーション７内の圧力は、剥離装置３０内の圧力、第１の洗浄装置３１内の圧力及び第２の洗浄装置３３内の圧力に対して陽圧である。 （もっと読む）

【課題】凍結洗浄技術を用いて基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理技術を、簡易な設備で、しかも低ランニングコストで提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に常温よりも高い凝固点を有する凝固対象液を供給して液膜を形成し、その液膜を凝固させて基板表面に凝固対象液の凝固体を形成した後、その凝固体を融解除去している。したがって、従来技術において凝固のために必須となっていた極低温ガスを使用する必要がなくなる。このため、ランニングコストを抑制することができる。また、供給ラインの断熱が不要となるため、装置や周辺設備の大規模化を防止することができ、プットプリントの低減を図ることができるとともに、装置や周辺設備のコストも抑制することができる。 （もっと読む）