【課題】 希ガスとフッ素原子を含むガスとが封入されたエキシマランプを、十分に高い照度を長時間の間にわたって維持することのできる長い光出力減衰寿命を有するものとして構成することのできるエキシマランプ装置を提供すること。
【解決手段】 このエキシマランプ装置は、金属ロウ材によるロウ付けにより封止構造が形成された放電容器内に、希ガスとフッ素原子を含むガスとが封入されると共に、放電容器の外面の一部に放電用電極が配設されて放電領域が形成され、当該放電領域以外の非放電領域にロウ付け部が位置されてなるエキシマランプを備えてなり、エキシマランプにおける非放電領域を冷却する冷却手段を備えている。冷却手段はヒートシンクにより構成されていることが好ましく、このヒートシンクがエキシマランプの支持部材としての機能を兼ね備えた構成とされていることが更に好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性が高くかつ高品質な半導体基板を得ることが可能な紫外線照射装置および紫外線照射方法を提供すること。
【解決手段】紫外線ランプユニット８から照射される赤外線によるウェハ６の温度上昇を考慮し、紫外線ランプユニット６と重合する位置に配備されたヒータユニット７ｂから放射される輻射熱と紫外線ランプユニット８から放出される輻射熱の単位面積あたりの総和が他のヒータユニット７ａの単位面積あたりの輻射熱と同等になるようにヒータユニット７ｂを加熱制御する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物に欠陥が発生してもその成長を抑えることができるとともに、洗浄作業を行う際に洗浄装置の各種異常を目視で検知することができる半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷを、洗浄液３が満たされた洗浄槽４０に浸漬して洗浄ユニットで半導体ウエハＷ表面の洗浄を行う半導体ウエハＷの洗浄方法において、少なくとも、半導体ウエハＷの洗浄液３浸漬中及び洗浄槽４０から引き上げた後の半導体ウエハＷ表面に洗浄液３が付着している間、半導体ウエハＷに対して可視光のうち所定の短波長域の光のみを照射する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への入熱量を適正化して無駄な加熱をなくすると共に、無駄な処理をなくして処理時間を短縮することができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】被処理基板に外径寸法測定用のレーザ光を照射する測定用レーザ光照射ステップと、測定用のレーザ光のうち、基板の端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光を受光してレーザ光の出力を検出する出力検出ステップと、回転する基板の回転角を検出する回転角検出ステップと、出力検出ステップで検出したデータと回転角検出ステップで検出したデータとに基づいて基板の外径寸法を算出する算出ステップと、算出した外径寸法に基づいて、基板の外周端から所定範囲の基板表面に対し、照射断面が矩形の異物洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射して所定範囲の基板表面に付着した異物を分解、除去する分解ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】異物を除去するためのレーザ光照射装置及び受光装置を利用して基板の位置合わせを行い、基板に対して適正な後処理を施すことができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】異物除去装置に設けられた異物を除去するためのレーザ光照射部３４からステージ３３に載置されて回転するウエハＷの端部にずれ測定用のレーザ光を照射し、照射したレーザ光のうちウエハＷの端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光をパワーメータ３５で受光してレーザ光の出力を検出し、回転するウエハＷの回転角を検出し、検出したレーザ光の出力データと回転角データとに基づいてウエハＷのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてウエハＷのずれを補正し、その後、ウエハＷの端部にレーザ光照射部３４から洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射してウエハＷに付着した異物を分解、除去する。 （もっと読む）

【課題】真空紫外光の発光効率を向上させ、処理能力の高いエキシマランプ装置を提供すること。
【解決手段】エキシマランプ２０と、ガス噴出口１２ａを有するガス供給管１２Ａと、搬送機構３８とを備え、被処理体Ｗに対してエキシマ光を照射するエキシマランプ装置１０において、前記ガス供給管１２Ａが互いに離間して複数設けられ、隣り合うガス供給管同士は、一方のガス供給管１２Ａに設けられたガス噴出口１２ａと、他方のガス供給管１２Ｂに設けられたガス噴出口１２ｂとが一対の関係となるガス噴出口を少なくとも一対備え、該一対のガス噴出口は、一方のガス噴出口１２ａの噴出方向と他方のガス噴出口１２ｂの噴出方向とが該隣り合うガス供給管に挟まれた空間Ａ内で対向、または交差するように形成され、前記エキシマランプ２０は、該隣り合うガス供給管に挟まれた空間Ａよりも鉛直下方に配置されていることを特徴とするエキシマランプ装置。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】照射すべき平面にエキシマ光を効率よく均一に、かつ継続的に安定して照射できるようにする。
【解決手段】エキシマ照射装置１に、放電容器２、窓側電極層３、背面側電極層４、電源装置５、電極側窓部材６、被照射体側窓部材７及びガス供給装置９を設けた。放電容器２は、紫外線を透過させる材料で構成され、放電用ガスを封入した薄箱形状を呈し、厚さ方向に直交する互いに平行な２平面の一方を被照射体に対向する窓面２Ａとしている。窓側電極層３は、窓面２Ａの外側面に貼付され、紫外線を透過させる。電極側窓部材６は、窓側電極層３の外側面に密着して配置され、紫外線を透過させる。被照射体側窓部材７は、電極側窓部材６の外側に電極側窓部材６との間に間隙１２を設けて配置され、紫外線を透過させる。ガス供給装置９は、間隙１２に不活性ガスを流通させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、放射される紫外線を遮光する反応生成物の固着を抑制した紫外線ランプ及び紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、紫外線ランプと、該紫外線ランプを内部に配置した筐体と、該紫外線ランプを該筐体と共に取り囲む平板状の光照射窓と、からなる紫外線照射装置において、該光照射窓の紫外線ランプに対向する面に対して反対側の面に金又は白金からなる薄膜を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れを生じることのない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に付着したパーティクルＰを洗浄、除去する基板洗浄方法において、ウエハＷを加熱してウエハＷの表面に付着するパーティクルＰを熱応力によってウエハＷの表面から剥離させる加熱ステップと、ウエハＷ表面の近傍に生じた温度勾配によりパーティクルＰをウエハＷの表面から脱離させる脱離ステップと、ウエハＷの表面から脱離したパーティクルＰを、ウエハＷに対向配置された捕集板１３によって捕集するパーティクルＰの捕集ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄液により表面にパターンが形成された基板を洗浄するにあたって、洗浄液を除去あるいは乾燥させるときに、洗浄液の表面張力によりパターンの凸部の倒れを抑えながら当該基板を洗浄すること。
【解決手段】洗浄を行う基板と、洗浄液の液滴と、の間において当該液滴の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように基板を加熱して、この基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板上に供給された洗浄液の液滴の下面から蒸気が下方に向かって噴き出すことにより、基板と液滴との間の表面張力がなくなるかあるいは極めて小さくなり、またこの蒸気により基板上の残渣などが上方に巻き上げられて液滴に取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】ランプの通算点灯時間に応じて、適切な初期点灯電力で点灯させることができる紫外線照射装置及び該装置の制御方法を提供すること。
【解決手段】エキシマランプ１に設けられたＩＣタグ１ａに、該ランプの点灯時間の積算値である通算点灯時間、点灯履歴情報などの情報に加え、初期電圧規定値、初期周波数規定値、定常電圧規定値、定常周波数規定値等の該ランプに固有の電気的特性値を記録しておく。装置を起動する際、制御部４は、ＩＣタグ１ａから上記情報を読み取り、ランプの通算点灯時間と該ランプに固有の電気的特性値に基づき、初期点灯時にランプに印加する電圧、周波数などを設定してランプを初期点灯させる。初期点灯後、定常点灯に移行させ、ランプ１へ印加する電力の定電力制御を行なう。 （もっと読む）

【課題】同一の基板において微小異物の検出と成分分析を行うことができる異物検出方法を提供する。
【解決手段】光学式異物検査装置１３、電子ビーム照射装置１４、水蒸気供給ユニット１５及び圧力制御バルブ１７を備える異物検出装置１０において、ウエハＷの温度及び該ウエハＷの表面を取り巻く雰囲気中の水蒸気圧を制御することによってパーティクルＰの周りに選択的に水分を結露させ、その後、ウエハＷの温度を低下させながら、上記水蒸気圧がウエハの表面にパーティクルが付着していない場合の飽和蒸気圧曲線を越えないように制御して結露した水分から氷の結晶Ｔを発生・成長させ、ウエハＷの表面を光学的に検査し、検査対象のパーティクルＰの位置を特定し、氷の結晶Ｔを蒸発させて除去し、さらに、特定されたパーティクルＰの成分をエレクトロンビームを用いて分析する。 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、電装部を密閉しつつ、その密閉された電装部の内部を冷却する紫外線照射装置を提供することである。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、放電容器と該放電容器の放電空間を介して対向配置された電極とからなるエキシマランプと、複数の該エキシマランプにそれぞれ電気的に接続されたトランスと、該複数のエキシマランプと該複数のトランスとを保持すると共に、該複数のエキシマランプと該複数のトランスとの間に設けられた隔壁を具備する筐体と、該筐体内で該隔壁を介して該複数のトランスを取り囲む電装部と、からなる紫外線照射装置において、該電装部には、冷却液の流路を具備する冷却手段が設けられ、該各トランスの外方には、該各トランスを個別に囲うと共に、該トランスを介して対向された一対の開口部を具備した風洞体が設けられ、該電装部の内部には、該風洞体の一方の開口部から他方の開口部に送風する送風手段が設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線を安定的に照射することができ、且つ紫外線照射時の熱の発生を抑えることができるドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明のドライ洗浄装置は、半導体ウエハ等の被洗浄物が収容される反応容器１１の内部に紫外線を照射する発光ダイオード１４と、前記反応容器１１内にオゾンを含む洗浄用ガスを導入するガス導入手段を備えている。発光ダイオード１４が発光する紫外線は強度が安定しているため、被洗浄物の表面を斑なく洗浄することができる。また、発光ダイオード１４は、発光する紫外線照度の立ち上がりが早いため、洗浄装置１０の処理能力を高めることができる。さらに、発光ダイオードは紫外線ランプに比べて輝度を容易に調整することができる。さらにまた、発光ダイオードは熱の照射が極めて少ないため、被処理物が熱で変形することがなく、材料選択の自由度が大きい。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置及びその方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を支持する支持プレートと基板の上部に具備され基板を保護する遮断部とを含む。遮断部は衝撃波を形成するために光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。これにより、基板洗浄装置は衝撃波とともに発生するプルーム及び残留ビームが遮断部の特定領域に集中することを防止し、遮断部の損傷による基板の再汚染を防止できる。 （もっと読む）