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Fターム[5F157CF40]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 光源 (106)

Fターム[5F157CF40]に分類される特許

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【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程S12と、レジストパターンを疎水化する第1の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程S14〜S16とを有する。 (もっと読む)


【課題】紫外線ランプに対して、隣接ランプ管から放射される紫外線の影響を減少させること
【解決手段】この紫外線照射装置(16-2)は、複数本の紫外線ランプ(L1,L2,…)を並列配置した紫外線照射装置であって、座標軸を、前記複数本の紫外線ランプの並列方向をX方向、各紫外線ランプの照射方向を−Y方向、各紫外線ランプ軸線方向をZ方向と規定したとき、隣接する2本の紫外線ランプ相互間にZ方向に延在する遮蔽板(26)を備え、前記遮蔽板の−Y方向高さは、隣接する紫外線ランプ(L1)の光源をランプ中心(C1)にある点光源(S1)と見なして、各紫外線ランプ管のいずれの箇所からも隣接する紫外線ランプの点光源を視認できない高さとする。 (もっと読む)


【課題】低圧蒸気放電灯の消灯時に冷却ベース部の温度及び発光管部の温度を適切に制御する。
【解決手段】発光管部(10)の端部に発光管内の水銀蒸気圧を制御するための冷却ベース部(15)を備えた低圧水銀蒸気放電灯(17)、冷却ベース部を冷却する第一の冷却装置(31)、発光管部を冷却する第二の冷却装置(32)、点灯信号及び消灯信号を受けて低圧水銀蒸気放電灯の点灯及び消灯を行なう点灯装置(20)、並びに第一の冷却装置、第二の冷却装置及び点灯装置を制御する制御部(40)を備えた紫外線照射装置において、制御部が、消灯信号を受けると、放電灯を点灯させたまま冷却ベース部の温度と発光管部の温度の温度勾配が小さくなるように第一の冷却装置及び第二の冷却装置の動作状態を制御した後に、点灯装置に低圧水銀蒸気放電灯を消灯させるよう構成した。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ低コストでウエハ表面に形成されたレジスト膜を除去する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面上にレジスト膜が形成された複数のウエハを所定の間隔で平行配置するとともに、前記洗浄槽内にオゾン水を供給する。次いで、前記洗浄槽内で、前記ウエハの前記表面に沿うようにして前記オゾン水の上下流を形成し、前記レジスト膜を除去して洗浄する。次いで、洗浄後の前記オゾン水を排出する。 (もっと読む)


【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Wが収容された筒状の処理室12内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Wにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室12内の略中央部に光を照射する第1光照射手段と、前記処理室12内の周壁側の領域に光を照射する第2光照射手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室10は、被処理基板Wを収容する乾燥室本体11と、乾燥室本体11の内壁11aに設けられた光透過部材12と、乾燥室本体11の内壁11aと光透過部材12との間に設けられた加熱用光源13とを備えている。光透過部材12の下方には、光透過部材12側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部14が設けられている。光透過部材12の内面12aは、乾燥ガスがこの光透過部材12の内面12aに液膜として付着するように表面処理が施されている。 (もっと読む)


【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、ウエハWを保持するスピンチャック7と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック7に保持されたウエハWに供給する薬液供給ユニット22と、スピンチャック7に保持されたウエハWに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット4とを含む。 (もっと読む)


【課題】スループットが高く、かつ被処理基板の回転にともなうパーティクルの発生および熱ストレスによるポリマーの剥がれの発生を抑制しつつ被処理基板の周縁部に環状に付着したポリマーを除去すること。
【解決手段】被処理基板Wの周縁部に環状に付着したポリマー2を除去するポリマー除去装置であって、周縁部に環状にポリマーが付着した被処理基板Wを収容する処理容器11と、被処理基板Wを載置する載置台12と、被処理基板Wに環状に付着したポリマー2にリング状レーザー光を一括照射するレーザー照射部20と、被処理基板Wに環状に付着した前記ポリマーにオゾンガスを供給するオゾンガス供給機構15,19と、オゾンガスを排気する排気機構23,24とを具備する。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れを生じさせることなく基板に付着した異物を除去する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法では、基板が載置台に載置され(ステップS1)、載置台に載置された基板に所定の金属に対して化学結合性を有する有機物質、例えばフタロシアニンが蒸気の状態で供給され(ステップS2)、基板に付着した金属を含む異物と有機物質との結合物質の生成を促進するエネルギが基板に供給され(ステップS3)、載置台に載置された基板が所定温度に加熱されることにより基板から結合物質が揮発させられる(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第1の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】高いアスペクト比で、狭い幅の溝に絶縁膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。これにより、シリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する際に処理室内壁等に付着した付着物を、励起された酸素含有ガスで処理することにより改質することができる。 (もっと読む)


【課題】 高い洗浄処理能力を得ることができ、しかも、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても確実に除去することができる照射装置を提供する。
【解決手段】 放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、エキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、エキシマランプにおける一方の電極およびプラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、エキシマランプとプラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、エキシマランプにおける一方の電極とプラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
洗浄物の大形化や搬送の高速化に対応でき、効率を改善した、無声放電ランプおよびこれを用いた照射装置を提供する。
【解決手段】
放電管軸と直交する断面が非円形状であるエキシマ光を放射する無声放電ランプにおいて、少なくともエキシマ光を透過する1面が円弧状に膨らんだ形状とし、外圧に対する強度を増すことによって、誘電体の厚みを薄くし、ランプの効率を改善する。このランプと反射筒とを並列に配置し、ランプから横向けに放射される無駄な光の進行方向を被照射体方向に変更し、被放射体への照射効率を改善するように、照射装置を構成する。 (もっと読む)


物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。1つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】ハロゲンを含まない酸化剤を用いて、従来のハロゲン型酸化剤並みの高い洗浄能力を備えつつ、環境負荷の小さい洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄装置M1は、洗浄対象物13を洗浄する洗浄装置であって、洗浄対象物13と対向配置されたカーボンナノチューブ層11と、カーボンナノチューブ層11と洗浄対象物13との間に純水12を供給する純水供給装置と、カーボンナノチューブ層11に紫外線L1を照射する紫外線照射装置と、を有し、前記紫外線照射装置によってカーボンナノチューブ層11の表面に接する純水12に紫外線L1を照射し、これにより生成したオキソニウムイオンを酸化剤として洗浄対象物13を洗浄することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】凸形状部の倒壊をより確実に防止するだけではなく、被処理体の処理効率を高くすること。
【解決手段】液処理装置は、本体部91と、本体部91に設けられた複数の凸形状部92とを有する被処理体90を処理する。液処理装置は、被処理体90の本体部91を支持する支持部50と、支持部50によって支持された被処理体90に薬液を供給する薬液供給機構1と、薬液供給機構1によって薬液が供給された後の被処理体90に、リンス液Rを供給するリンス液供給機構10と、を備えている。液処理装置は、リンス液供給機構10によってリンス液Rが供給された後の被処理体90に、疎水化ガスを噴出して供給する疎水化ガス供給機構20も備えている。 (もっと読む)


【課題】ランプ温度に影響を受ける紫外線ランプと冷却ユニットとの距離に制限を加えることで、高入力電力の場合での早期の失透や黒化等を抑制する。
【解決手段】紫外線透過性の石英ガラスで気密性を有する放電空間13を備えた発光管14内の軸方向に一対の放電用の電極15a,15bを対向して配置する。放電空間13内にアーク放電させた状態を維持するために十分な量の希ガス、水銀、ハロゲン、発光金属からなる封入物を封入することで紫外線ランプ100を構成し、点灯時に紫外光を発光させる。紫外線ランプ100は、内管21と外管22との間に紫外線ランプ100を冷却させる冷却液24を循環させ、紫外線を透過させる二重構造の冷却ユニット200の内管21内に収容する。紫外線ランプ100と冷却ユニット200の内管21との距離D[mm]と紫外線ランプ100の入力電力P[W/cm]は、D≦−0.2P+35の関係を満足するものとした。 (もっと読む)


【課題】 この発明は基板の乾燥処理を迅速かつ確実に行なうことができるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理槽1と、この処理槽内に設けられた上面に開口部を有するカップ体2と、このカップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル16と、上記処理槽の上部に設けられこの処理槽内に清浄空気を導入するファン・フィルタユニット32と、このファン・フィルタユニットから上記処理槽内に供給された清浄空気を上記カップ体の内部空間を通じて排出する排出管5及び排出ポンプ6と、上記カップ体の上方で少なくとも上記基板の上面よりも径方向外方に配置され上記基板に加熱用の光線を照射するランプ51とを具備する。 (もっと読む)


【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第1の処理液で処理してから第2の処理液で処理する基板処理装置100は、第1、第2の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体51及び斜方ノズル体71と、半導体ウェーハW上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段81,82と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース90と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース90に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハW上の液膜が第1の処理液から第2の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置7と、を備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】処理液の沸点以上に基板を加熱することにより、処理液の表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部61は、HFE中の基板Wを処理位置から上方位置へ下部保持機構29及び上部保持機構43により移動させる際に、HFEの液面よりも下方にある基板Wの一部位を加熱ユニット55により加熱する。基板Wは、HFEの沸点以上の温度に加熱された状態であるので、基板W及び微細パターンに接触しているHFEは沸騰して気化する。したがって、HFEから気中に基板Wが露出した状態では、基板Wに付着していたHFEの大半が既に蒸発しているので、HFEの表面張力によって微細パターンに負荷がかかることがない。その結果、HFEの表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止できる。 (もっと読む)


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