【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】処理対象の基板の周囲において、簡素な構成により、金属製の処理容器から溶出した金属の濃度を低減することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】高圧流体を用いて基板Ｗに対する処理を行う基板処理装置において、基板Ｗの処理が行われる金属製の処理容器１には、密閉自在な基板Ｗの搬入出口２が設けられると共に、高圧流体やその原料流体を供給する流体供給ライン２３１、処理容器内１の高圧流体を排出する流体排出ライン２３９が接続されている。基板保持部２は基板Ｗを保持した状態で処理容器１の内部に配置され、樹脂製の筒状体６は、基板保持部２に保持された基板Ｗにおける、板面を含むこの基板Ｗの周囲を囲むように、当該基板Ｗと処理容器１の内壁面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材９０と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに環状気体吐出口９９ａから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口９７ａから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Ｗｆの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口９７ａからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口９９ａから間隙空間ＳＰへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Ｗの表面中央部に向けて中央気体吐出口９８ａから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Ｗを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Ｗｆから除去して該基板表面Ｗｆを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】高温高圧流体の準備を行う容器の急激な圧力変動を抑え、簡素な手法で液体原料の移送を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、高温高圧流体により基板Ｗの乾燥を行うための処理容器１と、液体状態の原料を収容する原料収容部３と、高温高圧流体を処理容器１に供給するための供給部２と、を備え、この供給部２は、前記処理容器１及び原料収容部２に接続され、密閉自在な外部容器２１と、この外部容器２１を加熱するための加熱機構２５と、外部容器２１内に設けられ、原料収容部３から原料を受け入れて、加熱機構２５により加熱される外部容器２１の被加熱部に向けて当該原料を落下させるための開孔部２２１が設けられた内部容器２２と、を備え、内部容器２２に原料を受け入れた後、当該原料を前記被加熱部に接触させて得られた高温高圧流体を処理容器１へ供給する。 （もっと読む）

【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にＰＦＡから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してＰＦＡ膜を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器２５、硫酸溶液を電解する電解セル４、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５、電解セル４をこの順に介してバッチ式洗浄機２に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５を介さずにバッチ式洗浄機２に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機２から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン１０を有し、共通排液ライン１０の下流側端部にある分岐点１０ａからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン１０に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ２１を備える。 （もっと読む）

【課題】容器中の液体を通る音波の行動により基板を洗浄し、容器中で実質的に音波の反射が発生しない方法に関する。洗浄効率に関して大きな改良を得る。
【解決手段】基板は、洗浄液を含むタンク中に、液体中で形成された音波に対して所定の角度で配置される。この角度は、伝達角度に対応し、即ち、基板表面から波が反射されない角度に対応する。減衰材料はタンク中に配置され、基板を通って伝達される全ての波を実質的に吸収するように配置される。 （もっと読む）

【課題】超臨界乾燥処理時に、半導体基板上の金属材料がエッチングされることを防止する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄して純水リンスする工程と、前記半導体基板の表面を純水からアルコールに置換する工程と、前記アルコールで濡れた前記半導体基板をチャンバに導入する工程と、前記チャンバ内から酸素を排出する工程と、前記アルコールを超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記アルコールを気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。前記チャンバは、ＳＵＳによって形成され、内壁面に電解研磨処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第１開口と、前記側面に位置する第２開口と、を有する処理槽と、前記第２開口に設けられた導入部と、前記導入部から前記処理槽内に延び、末端部を有する配管と、前記配管に設けられた複数の吐出孔と、を含み、前記複数の吐出孔は、第１吐出孔と、第２吐出孔と、を含み、前記第２吐出孔は、前記第１吐出孔よりも前記末端部側に配置され、前記第１吐出孔の開口面積は前記第２吐出孔の開口面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の損失を極力低減し、高密度プラズマを効率良く生成できるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置２１と、マイクロ波発生装置２１に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした中空状の矩形導波管２２と、矩形導波管２２に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置２３と、矩形導波管２２の一部分であって、内部で生成したプラズマを外部で放出するアンテナ部４０とを備えている。アンテナ部４０は、その断面において短辺をなす壁４０ａに１又は複数のスロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 （もっと読む）

【課題】 洗浄時に洗浄水受け容器の内側にコンタミを含む水滴が付着することのないスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 ウエーハを吸引保持して回転するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持されたウエーハに洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、該スピンナテーブルを囲繞する環状外周側壁と環状内周側壁と底壁とを有する洗浄水受け容器と、該洗浄水供給手段を該スピンナテーブルに保持されたウエーハを洗浄する洗浄位置と退避位置との間で移動する駆動手段と、該洗浄水受け容器の底壁に接続され該洗浄水受け容器内のエアを排気する排気手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、該洗浄水受け容器の内側に親水性処理が施されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、互いに対向する一対の側壁１０ａ、１０ｂを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽１０と、複数の基板を起立させて保持する保持部２１と、保持部２１に連結され、処理槽１０内に搬入された際に、保持部２１に保持された基板と処理槽１０の一方の側壁１０ａとの間に介在される背部２２とを有し、保持部２１に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構２０とを備えている。処理槽１０に、貯留された薬液を加熱する加熱器８０が設けられている。この加熱器８０は、一方の側壁１０ａに設けられた第１加熱器８１と、他方の側壁１０ｂに設けられた第２加熱器８２と、を有しており、第１加熱器８１の出力と第２加熱器８２の出力は個別に制御される。 （もっと読む）

【課題】可動部材及び作動機構の数を減らし、簡便な構造で被処理基板を保持する基板処理装置等を提供する。
【解決手段】回転する被処理基板１に対する処理を行う処理装置１において、被処理基板Ｗを保持しながら鉛直軸周りに回転する基板保持部２、３には、被処理基板Ｗの側周面を規制する規制部材５２と、回動軸５１３周りに回動自在であり、被処理基板Ｗを規制部材５２側に押し付けて保持する可動部材５１と、当該可動部材５１を回動させる可動部材作動機構と、を備えている。そして回動軸５１３には、被処理基板Ｗの中央部寄りの位置側に回動軸５１３を付勢する付勢力が付与され、ガイド部５１７に沿って水平方向に移動することにより大きさの異なる被処理基板Ｗを保持する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置２に設けられた洗浄槽２２１では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Ｗを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽２２１の上方領域と連通する乾燥室２１では、洗浄槽２２１から引き上げられた被処理基板Ｗの乾燥が行われる。そして、第１の乾燥ガス供給部及び第２の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Ｗの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第１の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第２の乾燥ガスとが交互に供給される。 （もっと読む）

【課題】基板の全域を均一に洗浄処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、基板Ｗを保持して洗浄液に浸漬させる基板保持装置２０とを備えている。このうち基板保持装置２０は、個別に移動自在な第１基板保持部２０ａと第２基板保持部２０ｂとを有している。第１基板保持部２０ａおよび第２基板保持部２０ｂは、第１保持棒２１ａ、２１ｂと、基板Ｗの中心を通る垂直方向軸線に対して第１保持棒２１ａ、２１ｂとは反対側に設けられた第２保持棒２２ａ、２２ｂとをそれぞれ有している。 （もっと読む）

【課題】洗浄時の環境負荷をできるだけ低くし、かつ構造体の破壊のおそれがある片寄った物理的負荷を与えずに、電子部品あるいは微細構造を有する精密加工部品もしくは微細加工用金型等に付着した難洗浄性汚れを除去する。
【解決手段】被洗浄物を水、低級アルコール、または界面活性剤溶液に浸漬し、１００ＭＰａ〜１０００ＭＰａの超高圧の静水圧を当該被洗浄物に付与することによって、難洗浄性汚れを除去する。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラを解消し、パーティクル除去を効果的に行うことのできる超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を伝播槽中の伝播水を介して前記洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記伝播水として、脱気した純水に、溶存ガスを飽和濃度に対して３５〜７０％の濃度で溶解させたものを用いることを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】２種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための第１の薬液と、加熱されることにより、当該第１の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第２の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を加熱し、第１、第２の薬液供給部４３０、４２０は、混合液に第１、第２の薬液を補充供給する。制御部５は、混合液を第１の温度に加熱して被処理基板Ｗの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第１の温度より高い第２の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第１の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
（もっと読む）

【課題】簡易かつ低コストでウエハ表面に形成されたレジスト膜を除去する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面上にレジスト膜が形成された複数のウエハを所定の間隔で平行配置するとともに、前記洗浄槽内にオゾン水を供給する。次いで、前記洗浄槽内で、前記ウエハの前記表面に沿うようにして前記オゾン水の上下流を形成し、前記レジスト膜を除去して洗浄する。次いで、洗浄後の前記オゾン水を排出する。 （もっと読む）