【課題】 積層セラミックコンデンサに用いられるＢａＴｉＯ₃系誘電体材料に関し、誘電率が高く、温度特性が良好で、かつ信頼性の高い、誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、上述の誘電体セラミックに適したセラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。モル比Ａ／Ｂは０．９５〜０．９８である）を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして５０％以上の粒子が単結晶である、主成分粉末を用意する第１の工程と、前記主成分粉末の粒子の表面に、少なくともＢａ化合物を担持させる第２の工程と、前記粒子の表面にＢａ化合物を担持させた主成分粉末を熱処理する第３の工程と、
を備える製造方法によって得られたセラミック粉末を用いて、積層セラミックコンデンサを作製する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が比較的高く、それゆえ、薄くかつ可撓性を有するキャパシタを構成するために有利に用いることができる誘電体シートを提供する。
【解決手段】セラミック粒子１６が、樹脂のような可撓性のある基材１５中に分散している、誘電体シート１２において、セラミック粒子１６の粒径をＲとし、誘電体シート１２の厚みをＴとしたとき、Ｒ／Ｔ≧１となるようにし、セラミック粒子の形状が略球形であるとき、より好ましくは、Ｒ／Ｔ≧２／√３となるようにする。 （もっと読む）

【課題】結晶化度が高いにもかかわらず、緻密な焼結体を得ることが可能な配線基板用ガラスセラミックス組成物及びガラスセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】焼成すると主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉＯ_６）、コージェライト（Ｍｇ_２Ａｌ_４Ｓｉ_５Ｏ_１８）、又はフォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）を析出する性質を有する結晶性ガラス粉末を含む配線基板用ガラスセラミックス組成物であって、ガラス組成中にアニオン成分としてフッ素（Ｆ）を０．１〜３モル％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、良好な寿命特性が得られるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分がＢａＴｉＯ_３系であり、副成分としてＬｉを含み、Ｌｉ含有量ｅ［モル部］が、主成分１００モル部に対し、０．５≦ｅ≦６．０であり、当該誘電体セラミックのグレインについて、グレイン径の平均値Ｒｇ［μｍ］が０．０６＜Ｒｇ＜０．１７、より好ましくは０．０６＜Ｒｇ＜０．１４であり、その標準偏差σｇ［μｍ］がσｇ＜０．０７５であるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】焼成時の収縮挙動を抑制しつつ、誘電特性を従来と比べて飛躍的に向上させることができ、しかも信頼性を確保できるようにした。
【解決手段】セラミック組成物は、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＯ系ガラス組成物（ただし、ＭはＣａ、Ｍｇ、Ｓｒ、及びＢａの中から選択された少なくとも１種を示し、Ｂ_２Ｏ_３：４〜１７．５重量％、ＳｉＯ_２：２８〜５０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：０〜２０重量％、ＭＯ：３６〜５０重量％である。）を２６〜６０重量％含有すると共に、ＳｒＴｉＯ_３及びＣａＴｉＯ_３のうちの少なくとも１種を３０〜６５重量％含有し、かつ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＣａの中から選択された少なくとも１種を含む金属酸化物が１０重量％以下（ただし、０重量％を含む。）に調製されている。このセラミック組成物を焼成してセラミック焼結体２を作製し、該セラミック焼結体２を有する複合ＬＣ部品２０を得る。 （もっと読む）

【課題】電子トンネリングを防止するのに十分な厚さにおいても、要求されるキャパシタンス値を満たすことができる高誘電率の誘電定数を有し、誘電損失が非常に低く、常誘電特性を示す線形的なＢＳＴＯ誘電体薄膜組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）誘電体薄膜に錫酸化物（ＳｎＯ_２）が連続組成拡散法によって添加され、一般式Ｂａ_{（１−ｘ）}Ｓｒ_ｘＴｉ_{（１−ｙ）}Ｓｎ_ｙＯ_３（式中、モル分率ｘは０．０６≦ｘ≦０．８２の範囲であり、モル分率ｙは０．０５≦ｙ≦０．２８の範囲である）（ＢＳＴＳＯ）である誘電体薄膜組成物とする。これにより、電界によるキャパシタンスの変化がほとんどなく、要求されるキャパシタンス値を示し誘電損失は非常に低く、既存の誘電体素材であるＳｉＯ_２のような常誘電（paraelectric）特性を示す。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、−１５〜＋５％の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きａが−７０００〜−３０００ｐｐｍ／℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｍｇの酸化物から成る第１副成分と、ＭｎまたはＣｒから選択される少なくとも１種の酸化物から成る第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹｂから選択される１種以上）から成る第３副成分と、Ｓｉを含む酸化物から成る第４副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、高い絶縁性および寿命特性の維持を可能とする。
【解決手段】誘電体セラミック層２の厚みをｔとし、誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックの結晶粒子の平均粒径をｒとしたとき、Ｎ＝ｔ／ｒ−１で定義される平均粒界個数Ｎを０＜Ｎ≦２とするとともに、誘電体セラミックの組成を、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ、またはＢａならびにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含む。Ｂは、Ｔｉ、またはＴｉならびにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含む。）で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつＭｎおよびＶを副成分とし、主成分１００モル部に対して、Ｍｎを０．０５〜０．７５モル部、Ｖを０．０５〜０．７５モル部それぞれ含有し、ＭｎおよびＶの合計で０．１０〜０．８０モル部含有する。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃に対する耐性が高く、それゆえ、大容量化のために薄層化された積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いるのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、ＡＢＯ_３がたとえばＢａＴｉＯ_３であるとき、その結晶粒子は、主成分からなるＢａＴｉＯ_３結晶粒子１１を含むとともに、二次相として、少なくともＭｇ、ＮｉおよびＴｉを含む結晶性酸化物からなるＭｇ−Ｎｉ−Ｔｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１２と、少なくともＢａおよびＳｉを含む結晶性酸化物からなるＢａ−Ｓｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１３とを含むようにする。 （もっと読む）

【課題】高温負荷寿命およびＤＣバイアス特性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３と副成分としてＢａＺｒＯ_３と希土類（Ｒ）酸化物とを含む誘電体磁器組成物が、非拡散相と拡散相とからなる表面拡散粒子を有している。拡散相内の微小領域に対して、ＺｒおよびＲの濃度を測定し、Ｒ濃度がＺｒ濃度以上である微小領域の集合を第１領域、Ｚｒ濃度がＲ濃度よりも大きい微小領域の集合を第２領域とする。第１領域において、Ｚｒ濃度が１．０原子％以上２．０原子％未満、Ｒ濃度が２．０原子％以上３．５原子％未満である領域を第１拡散相、第２領域において、Ｚｒ濃度が２．０原子％以上４．０原子％未満、Ｒ濃度が１．０原子％以上２．０原子％未満である領域を第２拡散相とすると、第１拡散相２０ｂ〜２４ｂは、第２拡散相２０ｃ〜２４ｃよりも非拡散相２０ａ〜２４ａの近傍に存在している。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率ε_ｒが８〜２０で調整可能であり、Q×ｆｏ値も大きく、さらに共振周波数ｆｏの温度係数τ_ｆの絶対値が３０ｐｐｍ/℃以下で調整が容易な高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 酸化スズ（ＳｎＯ₂）、フォルステライト（Ｍｇ₂ＳｉＯ₄）、ステアタイト（ＭｇＳｉＯ₃）、マグネシウムチタネート（ＭｇＴｉ₂Ｏ₅）からなる誘電体磁器組成物であって、組成式 aＳｎＯ₂−bＭｇ₂ＳｉＯ₄−cＭｇＴｉ₂Ｏ₅−dＭｇＳｉＯ₃で表したときに、前記組成式におけるａ，ｂ，ｃ，ｄ(ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル％である)が、４≦ａ≦３７、２５≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１９、２≦ｄ≦１９、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００の範囲にある高周波用誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低く作製が容易かつ低コストの低温焼成セラミック組成物を製造することを課題とする。
【解決手段】 目標組成となるように原料粉末を秤量、混合して得られる混合粉末を、前記混合粉末の溶融温度以下の温度で仮焼し、微粉砕して得られた低温焼結化材と、比誘電率が６以下の無機フィラーとの混合比率が、低温焼結化材と無機フィラーの合計に対して１５体積％より大きく４０体積％より小さくなるように混合して作製した粉末を用いることを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性に優れた誘電体磁器と、それを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、Ｘ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】２２０ＭＰａ以上の強度値、０．１％以下の低誘電損失と高品質係数を有し、誘電率が６〜１０、共振周波数の温度係数が−５０〜＋５０ｐｐｍ／℃で可変性を持っている低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物を提供する
【解決手段】低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物は、ホウケイ酸塩系ガラスフリットと、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、コーディエライト、ムライト、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄、ＺｒＳｉＯ₄、ＭｇＴｉＯ₃、ＭｇＳｉＯ₃、ＣａＳｉＯ₃及びＺｎ₂ＳｉＯ₄とからなる単一酸化物と複合酸化物の中から選択された少なくとも１種の充填材と、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃及びＢａＴｉＯ₃の中から選択された少なくとも１種のセラミックと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ比誘電率の温度特性に優れた誘電体磁器と、それを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、結晶粒子はカルシウムの濃度が０．２原子％以下の結晶粒子からなる第１の結晶群と、カルシウムの濃度が０．４原子％以上の結晶粒子からなる第２の結晶群とから構成されており、誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分の含有量を比較的に減らしつつ、低温（たとえば９５０℃以下）での焼結を可能とし、しかも良好な特性（比誘電率、ｆ・Ｑ値、絶縁抵抗）を示し、異材質同時焼成をも可能とする誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、Ｚｎの酸化物単独ならびにＭｇの酸化物およびＺｎの酸化物から選ばれる１つと、Ｃｕの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、副成分として、Ｓｉの酸化物、Ｚｎの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物およびＬｉの酸化物から選ばれる少なくとも１つと、Ｂの酸化物と、を含み、ガラス軟化点が７５０℃以下であるガラス成分と、を含有し、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、１．５〜１５重量％である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウム，エルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、ルテチウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウム，エルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対してタンタルを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウム，エルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対してニオブを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）