【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。
【解決手段】一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）の複合金属酸化物Ａに、一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、３≦ｎ≦７）で、かつ、上記金属に配位したときに式（１）の構造をとり得る、カルボン酸Ｂが混合した液状組成物であり、酸化物Ａ構成原料並びにカルボン酸Ｂがモル比０＜Ｂ／Ａ＜０．２になるように溶解している有機金属化合物溶液からなる。


但し、式中、上記一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨのｎを満たす範囲内で、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＰｂ，Ｌａ，Ｚｒ又はＴｉを示し、ｍはＭの価数を示す。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、所望の誘電特性や温度特性を確保しつつ信頼性を向上させる。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３系の主成分粉末と、焼成によりＬｉ_２ＯとなるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉＯ_２となるＴｉ化合物を用意し、それぞれ所定量秤量して混合し、セラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成する。Ｌｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＬｉ_２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部添加し、Ｔｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＴｉＯ_２に換算して０．０５〜４．０モル部添加する。副成分として特定希土類元素酸化物、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｖ化合物、Ｂａ化合物、Ｃａ化合物、Ｓｉ化合物を適量添加してもよい。Ｂａの一部をＣａ又は／及びＳｒ、Ｔｉの一部をＺｒ又は／及びＨｆで置換してもよい。 （もっと読む）

本発明は、下記化学式１で表されるチタン酸バリウム系粉末に関する。
［化学式１］
（Ｂａ_ｘＲ^１_ｒ１Ｒ^２_ｒ２）（Ｔｉ_ｙＲ^３_ｒ３Ｒ^４_ｒ４）Ｏ_３
（前記Ｒ^１は、イットリウム（Ｙ）、ランタン族元素からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^２は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^３は、リン（Ｐ）及びニオブ（Ｎｂ）からなり、前記Ｒ^４は、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種以上であり、前記ｒ_１とｒ_３は、互いに独立して０より大きく０．０５以下の実数であり、前記ｒ_２とｒ_４は、互いに独立して０より大きく０．１以下の実数であり、（ｘ＋ｒ_１＋ｒ_２）／（ｙ＋ｒ_３＋ｒ_４）は、０．８５以上１．１５以下である実数である。） （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ（チタン酸バリウムストロンチウム）系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】たとえば、ＭｇＯ（１００）基板のＭｇＯ（１００）面上に形成されたＢａＺｒＯ₃の薄膜上に、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）の単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理することによって、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃の単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

本発明は、誘電体製造用焼結前駆体粉末およびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、第１物質の粉末と第２物質の粉末を含む誘電体製造用焼結前駆体粉末、第１物質からなるコアと第２物質からなるシェルの構造を持つコア−シェル構造の誘電体製造用焼結前駆体粉末、およびこれらの製造方法に関する。前記第１物質の相対誘電定数が前記第２物質の相対誘電定数より大きい。
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【課題】ＰｂおよびＢｉを含まず、広周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式（Ｓｒ_ｘＢａ_１−ｘ）_ｍＴｉＯ_３（０．１５９≦ｘ≦０．２３８、０．９９７≦ｍ≦１．０１１）で表される化合物を含む主成分と、副成分として、ＣａＴｉＯ_３を１１〜２５重量％、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる１つ以上の酸化物を、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ換算で、０．１０〜０．５０重量％、Ａ元素の酸化物（ＡはＭｎおよび／またはＣｒ）を元素換算で０．５９０〜１．９４０モル％、およびＤ元素の酸化物（ＤはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹから選ばれる１つ以上）を有し、Ｄ元素とＡ元素とのモル比（Ａ／Ｄ）が２．２５０〜７．４５０である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が１μｍまで薄層化した場合でも積層セラミックコンデンサの信頼性を確保。
【解決手段】組成式が１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｍＴｉＯ_３＋ａＭｎＯ＋ｂＣｕＯ＋ｃＳｉＯ_２＋ｄＭｇＯ＋ｅＲＯ（但し、係数１００、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはモル比、ｍは（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）のＴｉに対するモル比、ＲＯはＹ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、２ＣｅＯ_２、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｈｏ_２Ｏ_３、Ｅｒ_２Ｏ_３、Ｔｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｌｕ_２Ｏ_３から選択される希土類元素酸化物）で表される誘電体セラミックであって、上記組成式のｍ、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、それぞれ、０．９９８≦ｍ≦１．０３０、０≦ｘ＜０．０４、０．０１≦ａ≦５、０．０５≦ｂ≦５、０．２≦ｃ≦８、０．０５≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦２．５の関係を満足し、且つ平均粒径が０．３５μｍ以上、０．６５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｓｉを含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＳｉの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＳｉ含有量の割合を４０％以上とし、Ｓｉの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＳｉ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの寿命特性および絶縁破壊電圧をより向上させ得る、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成するために用いられる誘電体セラミックを、コアシェル構造を有するコアシェル結晶粒子と、均一系の構造を有する均一系結晶粒子とを備えるものとする。この誘電体セラミックにおいて、コアシェル結晶粒子と均一系結晶粒子とは、９１：９〜９９：１の範囲の面積比率で存在する。好ましくは、コアシェル結晶粒子の平均粒子径をＲ１、均一系結晶粒子の平均粒子径をＲ２としたとき、Ｒ２／Ｒ１の比率が０．８以上かつ３以下となるようにされる。 （もっと読む）

【課題】ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックは一般に誘電率が低いとされるが、ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックにおいて、より高い誘電率が得られるようにし、これを用いた積層セラミックコンデンサの小型化を図れるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が組成式：（Ｓｒ_{１−x−ｙ}Ｓｎ_ｘＢａ_ｙ）ＴｉＯ_３で表わされ、かつこの組成式において、ｘが０．００５≦ｘ≦０．２４、ｙが０≦ｙ≦０．２５である、誘電体セラミックを用いる。上記主成分１００モルに対して、Ｍ（Ｍは、ＭｎおよびＶの少なくとも一方）を、ＭＯに換算して、０．０１モル〜５モル、および／または、Ｓｉを、ＳｉＯ_２に換算して、０．２モル〜５モル含むことが好ましく、さらに、上記主成分１００モルに対して、Ｃａを、ＣａＯに換算して、０．１モル〜２５モル含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の高い誘電体ナノポア材料を提供する。
【解決手段】シュウ酸バリウムチタニルを焼成し、チタン酸バリウムの仮焼粉を得た。このチタン酸バリウム仮焼粉に平均粒径１５０ｎｍのポリメタクリル酸メチル微粒子を１０ｗｔ％添加して、湿式混合した。乾燥後、一軸プレス成形によりペレット化してから、１３００℃にて窒素雰囲気下で焼成し、ナノ閉気孔を有するチタン酸バリウムの焼結体を得た。この焼結体の気孔率は１０％であった。また、焼結体の断面の微構造観察を行ったところ、気孔径１００〜２００ｎｍの閉気孔が観察された。この焼結体の比誘電率は、緻密なチタン酸バリウム焼結体の誘電率の約２倍であった。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、結晶性が高く、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上で、粒度分布を表すＤ９０／Ｄ５０が１．２５以下である、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末との混合粉末を焼成する焼成工程を備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、結晶性が高く、誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末とを分散する分散工程と、前記分散工程において得られた混合粉末を焼成する焼成工程と、を備えており、前記焼成工程の温度上昇過程において、前記混合粉末の重量が減少しはじめる温度が５８０℃以下であるようにした。 （もっと読む）

【課題】８００℃〜９５０℃の低温焼成が可能であり、４．５〜６．０（１ＭＨｚ）の低い誘電率及び低い誘電損失率を有する低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物及びこれを低温で焼成して製造した低誘電率セラミック誘電体を提供する。
【解決手段】低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物において、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、アルカリ土類酸化物及びアルカリ金属酸化物を含有するホウケイ酸塩ガラスフリット４４重量％〜６５重量％、充填材３４重量％〜５５重量％、及びＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３及びＷＯ_３の中から選択された１種又は２種以上の核形成剤０．１重量％〜５重量％とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電性無機粒子を含む非フッ素系樹脂フィルムの電気絶縁性と耐電圧を向上させることができる積層型高誘電性フィルムを提供する。
【解決手段】（Ａ）非フッ素系熱可塑性樹脂（ａ１）および高誘電性無機粒子（ａ２）を含む高誘電性樹脂フィルム層、および（Ｂ）該高誘電性樹脂フィルム層（Ａ）の少なくとも片面に設けられている絶縁性樹脂（ｂ）の塗膜層を含む積層型高誘電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】 キュリー温度を制御できる範囲が広く、室温付近の相転移が無く、優れた強誘電特性を示すチタン酸バリウムを主成分とした強誘電セラミック材料を提供する。
【解決手段】 （１００−ａ−ｂ）ＢａＴｉＯ_３・ａＢｉ_２Ｏ_３・ｂＭ_２Ｏ_３（式中、ＭはＢｉ以外の３価の金属を示す。ａ、ｂは１≦ａ≦１５、０≦ｂ≦５、５≦ａ＋３ｂ≦１５である。）で表される酸化物からなる強誘電セラミック材料。前記Ｍが第５周期の遷移金属、原子番号が５９以上６９以下の希土類金属から選ばれる３価の金属であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が小さく、しかも耐熱性、及び冷熱衝撃試験での耐クラック性に優れた積層体の製造に有用な、重合性組成物及びプリプレグ、並びに該積層体、さらに該積層体を用いてなる誘電体デバイスを提供すること。
【解決手段】シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及び比誘電率が１５以上で、かつ比誘電率の温度変化率が正である無機充填剤を含有してなる重合性組成物、前記重合性組成物を強化繊維に含浸させた後に重合してなるプリプレグ、前記プリプレグと、当該プリプレグ及び／又は他の材料とを積層した後、硬化してなる積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイス。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１０００℃以下でも焼成可能であるとともに、１００ＭＨｚにおける比透磁率および比誘電率を高くできる磁性体と誘電体との複合焼結体およびそれを用いたＬＣ複合電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶を含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、前記複合焼結体の結晶中のＹ型六方晶ＢａフェライトおよびＭ型六方晶Ｂａフェライトの合量の割合が７３．４〜７６．８質量％であり、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶の合量の割合が２２．３〜２６．２質量％であるとともに、前記複合焼結体にＢｉがＢｉ_２Ｏ_３換算で５．７〜１２．０質量％含まれている磁性体と誘電体との複合焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が小さく、しかも耐熱性、及び冷熱衝撃試験での耐クラック性に優れた積層体の製造に有用な、重合性組成物及びプリプレグ、該積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイスを提供すること。
【解決手段】シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及びジルコン酸化物とチタン酸化物との組み合わせからなる高誘電フィラーを含有してなる重合性組成物、前記重合性組成物を強化繊維に含浸させた後に重合してなるプリプレグ、前記プリプレグと、当該プリプレグ及び／又は他の材料とを積層した後、硬化してなる積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイス。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率でありかつ静電容量の温度特性に優れるとともに、高温負荷試験での寿命特性が高い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５を構成する誘電体磁器が、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、その誘電体磁器を構成する結晶粒子はカルシウムの濃度が０．２原子％以上の結晶粒子から構成されており、前記誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）