【課題】 比誘電率εｒが40〜48の範囲内において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域における共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＬａ_２Ｏ_ｘ・βＡｌ_２Ｏ_３・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）と表したとき、モル比α，β，γ，δが0.155≦α≦0.210，0.155≦β≦0.220，0.284≦γ≦0.360，0.284≦δ≦0.365、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足するとともに、前記組成式の成分100質量％に対してストロンチウムを酸化物換算で0.001モル部以上0.01モル部以下含んでなり、ＬａＡｌＯ_３−ＣａＴｉＯ_３のペロブスカイト相中に、ＣａＴｉＯ_３結晶が存在してなる誘電体セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】 高い比誘電率εｒと高いＱｆ値と良好な共振周波数の温度係数とを示す誘電体セラミックスを提供すること。
【解決手段】 ＢａＯ，Ｎｄ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３を含有する主結晶相と、主結晶以外の結晶相とを含んでなる誘電体セラミックスであって、主結晶相を一般式ａＢａＯ・ｂＮｄ_２Ｏ_３・ｃＴｉＯ_２・ｄＡｌ_２Ｏ_３と表したとき、モル比ａ，ｂ，ｃ，ｄがそれぞれ、１３．５０≦ａ≦１６．１０，１７．６０≦ｂ≦１９．４０，５９．８０≦ｃ≦６６．１０，１．７０≦ｄ≦５．８０，ａ+ｂ+ｃ+ｄ＝１００を満足する範囲にあると
ともに、主結晶相以外の結晶相は、Ｂａ−Ａｌ−Ｔｉ系酸化物，Ａｌ_２Ｏ_３,Ｎｄ_２Ｏ_３
またはこれらの混合物からなることを特徴とする誘電体セラミックス。 （もっと読む）

【課題】高い電界強度下においても良好な特性を示す誘電体磁器組成物、および該誘電体磁器組成物が誘電体層に適用されたセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを主成分として含有し、チタン酸バリウム１００モルに対して、副成分として、Ｍｇの酸化物をＭｇＯ換算で１．０〜３．０モル、Ｒの酸化物（Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１つ）をＲ_２Ｏ_３換算で２．０〜５．０モル、Ｍｎの酸化物をＭｎＯ換算で０．０５〜１．０モル、Ｓｉを含む酸化物をＳｉＯ_２換算で２．０〜１２．０モル、含有し、Ｍｇの酸化物の含有量（α）およびＲの酸化物の含有量（β）が、０．４５≦α／β＜１．００である関係を満足する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが40前後において、Ｑ値が高く、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さく、高温域および低温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 組成式をαＳｍ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＣａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４）で表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.162＜α＜0.386，0.049＜β＜0.113，0.206＜γ＜0.357，0.340＜δ＜0.417、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足し、前記組成式の成分100質量％に対してアルミニウムを酸化物換算で６質量％以下（０質量％を除く
）含む誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、比誘電率εｒが38前後において、Ｑ値が30000以上であり、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が10ｐｐｍ／℃以
下であり、高温域および低温域の共振周波数の温度係数τｆの値の差が２ｐｐｍ／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】 低い比誘電率ε_ｒと高いキュリー点Ｔｃを有し、１１００℃以下での低温焼結を実現した焦電磁器材料を提供する。
【解決手段】 組成式が（Ｐｂ_{（１−ｘ）}，Ｃａ_ｘ）（Ｔｉ_{（１−ｙ）}，（Ｓｂ_１／２Ｎｂ_１／２）_ｙ）Ｏ_３（但し、０．０８≦ｘ≦０．２４、０．００１≦ｙ≦０．５）で表される主成分に、副成分としてＳｉＯ_２を０．１質量％以上１０質量％以下添加する。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁材料の誘電損失を小さくすると共に、加熱処理されたときに電気絶縁材料が熱膨張するのを抑制することができる絶縁性フィラーを提供する。
【解決手段】比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子１０１と、ポリマー粒子１０１の表面を覆う絶縁体層１０２とにより形成される絶縁性フィラー１００を含有して電気絶縁材料が形成されることで、絶縁性フィラー１００は比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子１０１を含んでいるため、電気絶縁材料の誘電損失を小さくすることができる。また、ポリマー粒子１０１を覆う絶縁体層１０２を形成する無機絶縁物の熱膨張率がポリマー粒子１０１よりも小さいため、絶縁性フィラー１００が加熱されたときにポリマー粒子１０１の表面を覆う絶縁体層１０２によりポリマー粒子１０１の熱膨張が抑制されるため、加熱処理されたときに電気絶縁材料が熱膨張するのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率、誘電正接が低く、回路基板を構成する基板または層間絶縁膜に有用である充填材を提供すること。
【解決手段】キュービック型細孔構造を有し、かつ窒素吸着により求められる比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下である多孔質無機酸化物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層として用いた場合に、寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが可能な誘電体セラミックおよびそれを用いて誘電体層を形成した信頼性（寿命特性）に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックを、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子を主相粒子とする焼結体からなり、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子が、シェル部とコア部とを備え、副成分として、Ｒ（Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、および、Ｍ（Ｍｇ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｍｏ，ＷおよびＶから選ばれる少なくとも１種）を含み、ＲおよびＭは、ＢａＴｉＯ₃系セラミック粒子のシェル部に存在するとともに、ＲおよびＭの合計濃度が、粒界からコア部に向かって勾配を有し、かつ、極小となる部分Ｃ２と、極大となる部分Ｃ３とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】５００以上の誘電率εを得ながら、１２０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層３を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（x、y、zはモル比を表し、x+y+z=1である）を主成分とし、前記（x，y，z）が、点Ａ（0.70，0.00，0.30）、点Ｂ（0.69，0.02，0.29）、点Ｃ（0.55，0.10，0.35）、点Ｄ（0.35，0.15，0.50）、点Ｅ（0.50，0.00，0.50）で構成される五角形ＡＢＣＤＥに囲まれる領域内にある（点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、および線分ＡＥ以外の線分を含む）。 （もっと読む）

【課題】非接触式電力伝達系を提供する。
【解決手段】この電力伝達系は誘電材料を含む場集束素子を含む。誘電材料は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３又はＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の群から選択される組成物を含む。（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＣｒ_ｚＯ_３−δＮ_ｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。ＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙ（Ｃａ_１−ｚＣｕ_ｚ）Ｃｕ_２Ｔｉ_４−δＡｌ_δＯ_{１２−０．５δ}のような材料が包含され、ここで０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０≦ｚ≦１、０≦ｄ≦０．１である。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡が少ないため薄型化しても配線の断線を引き起こしにくく、かつ高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック誘電体に好適な結晶性ガラスを提供する。
【解決手段】組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜６５％、ＣａＯ ２０超〜２７％（ただし、モル比でＣａＯ／ＳｉＯ_２が０．５未満または０．５５以上）、ＭｇＯ １２〜２５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．０１〜０．５％未満を含有し、主結晶としてディオプサイド結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス。 （もっと読む）

【課題】電界印加時の高温試験や高温高湿試験が良好である積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、（Ｂａ_1-yＡ_y）（Ｔｉ_1-xＢ_x）Ｏ₃を主成分とし、前記ＡはＮａ，Ｋから選択される少なくとも１種の元素であり、前記ＢはＮｂ，Ｔａから選択される少なくとも１種の元素であり、前記ｘおよびｙは、ｘｙ平面で、点Ｃ（ｘ＝０．０００７，ｙ＝０．０００００１），点Ｄ（ｘ＝０．００５，ｙ＝０．０００００１），点Ｅ（ｘ＝０．００５，ｙ＝０．００２），点Ｆ（ｘ＝０．０００７，ｙ＝０．０００２）を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にあることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を１．０〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、２．５≦α／β≦５．０、１．０≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】所望の比誘電率および電気抵抗を有する誘電材料及び、発生力の大きなトランスデューサを提供する。
【解決手段】誘電材料１００は、海相１０１中に島相１０２が分散されてなる海島構造を有する。島相１０２は、エラストマーを含み比誘電率が１５以上の高誘電材料からなり、海相１０１は、エラストマーを含み該高誘電材料よりも大きな体積抵抗率を有する高抵抗材料からなる。この誘電材料からなる誘電膜を、少なくとも一対の電極間に介装して、トランスデューサを構成する。 （もっと読む）

【課題】ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率の、低温で焼結したβ−ユ−クリプタイトセラミックスを提供する。
【解決手段】β−ユ−クリプタイトセラミックスの組成の原料粉末を十分混合し、低温で仮焼して、焼結助剤を加えると共に、微粉砕することによって、ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率のβ−ユ−クリプタイトセラミックス焼結体。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）

【課題】（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１−ｙ）Ｏ_３を主成分とする誘電体磁気組成物であって、内部電極としてＮｉなどの卑金属を用いたとしても、高湿度下における絶縁抵抗の経時による劣化が生じ難い積層コンデンサを得ることを可能とする誘電体磁気組成物を提供する。
【解決手段】主成分を（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）（Ｔｉ_ｙＺｒ_１−ｙ）Ｏ_３と表したときに、０≦ｘ≦１かつ０≦ｙ≦０．５０である主成分と、副成分として、主成分１００モル部に対し、ＳｉＯ_２を０．５モル部以上、１５モル部以下、ＭｎＯを０．１モル部以上、１０モル部以下含み、さらにＡｌ_２Ｏ_３を０．０１モル部以上、０．０７９モル部以下の割合で含む、誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｕ−ｖ−ｗ}，Ｃａ_ｕ，Ｍｇ_ｖ，Ｓｒ_ｗ）_α（Ｔｉ_１−ｘ，Ｚｒ_ｘ）Ｏ_３の組成式で表わされる主成分と、酸化ニッケルと、酸化セリウムと、酸化マンガンと、を有する誘電体磁器組成物であって、前記組成式中のｕが０．２０〜０．２７であり、前記組成式中のｖが０．０１８〜０．０４９であり、前記組成式中のｗが０．００４〜０．０１８であり、前記組成式中のｘが０．１１８〜０．１４９であり、前記組成式中のαが０．９５〜１．０２であり、前記酸化ニッケルを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有し、前記酸化セリウムを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有し、前記酸化マンガンを前記主成分１００重量部に対して０．０３〜０．４重量部含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒及び前記有機溶媒に分散されたペロブスカイト構造を有する薄片状酸化物粒子を含む有機溶媒分散体を提供する。
【解決手段】層状ペロブスカイト酸化物粒子を有機カチオンと接触させ、層状構造を剥離して、薄片状ペロブスカイト酸化物粒子の水性分散体を製造する第一工程、前記水性分散体から薄片状ペロブスカイト酸化物粒子を含む固形分を抽出する第二工程、及び前記固形分を有機溶媒に分散させる第三工程を含む方法により製造する。 （もっと読む）