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Fターム[5G303BA12]の内容

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Fターム[5G303BA12]に分類される特許

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【課題】柔軟性および端末加工性が良好で、かつ機械的強度にも優れるハロゲンフリーの難燃性ポリオレフィン組成物、およびこれを用いた電線・ケーブルを提供する。
【解決手段】(A)(a-1)エチレン・プロピレン・ジエン共重合体50〜80質量%、(a-2)エチレン・酢酸ビニル共重合体10〜25質量%および(a-3)直鎖状ポリエチレン10〜25質量%からなるポリオレフィン100質量部に対して、(B)金属水酸化物50〜120質量部および(C)カーボンブラック3〜20重量部を含有することを特徴とする難燃性ポリオレフィン組成物、および、このような難燃性ポリオレフィン組成物からなる被覆2を有する電線・ケーブルである。 (もっと読む)


【課題】火炎に接触した際にも有毒ガスや腐食性ガスの発生の恐れが無く、柔軟性、耐衝撃性と耐熱性とを併せ持ち、ベタツキやブリードアウトによる品質や加工性の低下のない、幅広い用途に使用可能な難燃性樹脂組成物および成形体を提供。
【解決手段】プロピレン−エチレンブロック共重合体(X1)100重量部に対し、金属水酸化物(Y)を80〜400重量部配合してなる難燃性樹脂組成物であって、プロピレン−エチレンブロック共重合体(X1)が、第1工程で結晶性プロピレン−エチレンランダム共重合体成分(A)を、第2工程で低結晶性或いは非晶性プロピレン−エチレンランダム共重合体成分(B)を逐次重合することにより得られ、以下の(i)〜(iii)などの条件を満たすことを特徴とする難燃性樹脂組成物などにより提供。
(i)共重合体成分(A)のエチレン含量[E(A)]が0.3〜15質量%であること、(ii)共重合体全量に対する共重合体成分(B)の割合[W(B)]が10〜90質量%であること、(iii)共重合体成分(B)のエチレン含量[E(B)]が40〜75質量%であること。 (もっと読む)


【課題】難燃性、耐摩耗性及び耐外傷性のみならず、耐熱性にも優れた絶縁電線を実現できる難燃性樹脂組成物、絶縁電線及びワイヤーハーネスを提供すること。
【解決手段】エチレンに由来する構造単位を70質量%以上含むエチレンプロピレンジエンゴムと、酢酸ビニルに由来する構造単位を20質量%以上含むエチレン酢酸ビニル共重合体と、金属水酸化物粒子を含む難燃剤粒子と、を含有し、エチレンプロピレンジエンゴム及び酢酸ビニル共重合体の混合樹脂100質量部に対して、難燃剤粒子が50〜200質量部の割合で含まれており、難燃剤粒子の表面にシランカップリング剤が付着している難燃性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】より低温で焼成を行っても所望の比誘電率やQ値を得ることができ、かつ焼成後の機械的強度が良好な高周波用誘電体磁器組成物、及び低温焼成と電極の密着強度の両立が可能な誘電体部品を実現する。
【解決手段】高周波用誘電体磁器組成物は、主成分が、一般式xMgO・ySiO(ただし、xはMgOのモル数、yはSiOのモル数を示す。)で表されると共に、前記xとyの比x/yが、1.8≦x/y<2.0を満足し、かつ、Ba及びSrのうちの少なくともいずれか一方が、前記主成分100重量部に対し、炭酸塩に換算して総計で3.0重量部を超え、かつ10.0重量部以下の含有量で含まれている。また、誘電体部品としての誘電体アンテナは、磁器素体1が高周波用誘電体磁器組成物で形成され、また電極部2はめっき形成されている。 (もっと読む)


【課題】難燃性のみならず、耐摩耗性及び耐外傷性にも優れた絶縁電線を実現できる難燃性樹脂組成物、絶縁電線及びワイヤーハーネスを提供すること。
【解決手段】エチレン系重合体を含むオレフィン樹脂と、金属水酸化物粒子と、金属水酸化物粒子の表面に付着するβ−カルボキシアクリル酸アルキルと、を含有し、金属水酸化物粒子及びβ−カルボキシアクリル酸アルキルが、オレフィン樹脂100質量部に対して50〜150質量部の割合で含まれている難燃性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低熱膨張係数を有し、且つ銅との接着力に優れる絶縁樹脂組成物、及びその半硬化物を支持体表面に形成してなる支持体付き絶縁フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂組成物の全固形分中、(A)エポキシ樹脂が10〜30質量%、(B)フェノール性水酸基含有ポリアミドイミドが35〜65質量%、(C)フェノキシ樹脂が3〜20質量%、及び(D)無機フィラーが5〜38質量%含まれる絶縁樹脂組成物。さらに(E)架橋ゴム粒子を含有しても良い。
及び前記絶縁樹脂組成物の半硬化状態のフィルムが支持体の表面に形成されている支持体付絶縁フィルム。 (もっと読む)


【課題】 [(CaSr)O][(TiZrHfMn)O]系の誘電体磁器組成物が有する優れた諸特性を有しつつ、誘電体層の厚みを薄く、たとえば2μm以下にしても、クラックの発生を防止できる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】〔(Ca1−xSr)O〕〔(Zr1−y−z−αTiHfMnα)O〕ただし、0.991≦m≦1.010、0≦x≦1、0≦y≦0.1、0<z≦0.02、0.002<α≦0.05で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、
主成分100モル部に対して、
0.1〜0.5モル部のAl、および
0.5〜5.0モル部のSiOを含む誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】ハロゲンフリーで高度の難燃性を発揮し、可撓性、機械物性、耐熱老化性、耐加熱変形性、低温特性、電気絶縁性に優れた難燃性樹脂組成物と、該難燃性樹脂組成物により絶縁被覆されたフレキシブルフラットケーブルを提供すること。
【解決手段】ポリマー成分が、JIS硬度がA98未満の熱可塑性ポリウレタンエラストマーとエチレン共重合体とを含有し、かつ、難燃剤成分が、水酸化マグネシウム、1,3、5‐トリアジン誘導体、並びに亜鉛、アルミニウム、及び錫からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子を含み、ハロゲン原子を含まない金属化合物を含有する難燃性樹脂組成物と、該難燃性樹脂組成物により絶縁被覆されたフレキシブルフラットケーブル。 (もっと読む)


【課題】 直径10mm、厚み5mmのサイズの成形体を焼成して得られた焼結体からなる試料において、誘電体磁器のサイズが大きい場合でも、優れた誘電特性を有する誘電体磁器が要求されており、この要求を満たすことができるか不明であった。
【解決手段】 誘電体磁器4内部のAlをAl換算で0.007質量%以下(ゼロを含まず。)含有し、内部におけるAlの濃度を1としたとき、誘電体磁器4の表面近傍におけるAlの濃度の比が0.5〜2であり、かつ平均気孔径が8μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】測定周波数1MHz〜GHz帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材を提供する。
【解決手段】AlをAl換算で99.3質量%以上、SiをSiO換算で0.05〜0.3質量%、SrをSrO換算で0.01〜0.16質量%含有するとともに、アルミナ結晶粒子1を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子1で構成される3重点2にSi、Al、SrおよびOの各元素を含有する結晶相が存在し、かつアルミナ結晶粒子1の平均粒径が10μm以上である。これにより、Si、Al、SrおよびOの各元素を含む低損失の結晶相が存在するため、またアルミナ結晶粒子1の平均粒径が10μm以上であるため粒界の数が少なくなり、周波数1MHz〜8.5GHzにおける誘電正接を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム1モルに対して、イットリウムをYO3/2換算で0.0014〜0.03モル、マンガンをMnO換算で0.0002〜0.045モル、マグネシウムをMgO換算で0.0075〜0.04モル、イッテルビウムをYbO3/2換算で0.025〜0.18モル含有するとともに、前記マグネシウムが前記結晶粒子の内部よりも表層部に多く存在し、前記結晶粒子の表面から20nmの深さにおける前記マグネシウムの濃度が0.2原子%以下であり、前記結晶粒子の平均粒径が0.05〜0.2μmで、かつ前記結晶相が立方晶を主体とする結晶構造を有する。 (もっと読む)


【課題】静電容量の容量変化率(ΔC/C)が広い温度域において小さく、比誘電率が大きく、誘電損失が小さい、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物、その製造方法、及びその誘電体磁器組成物を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】一般式[Na1−x1−yLi[Nb1−zTa]O(但し、x、y、zは、0≦x≦1.0、0≦y≦0.30、0≦z≦0.40)で示される主成分と、副成分として、主成分に対するモル%で1.0〜8.0モル%のNb、1.0〜8.0モル%のMgO、3.0〜16.0%のRO(但しRはCa、Sr、Baの内、少なくとも1種)を含む誘電体磁器組成物である。また、同様の組成の粉末を焼成することによる誘電体磁器組成物の製造方法であり、その誘電体磁器組成物よりなる誘電体を有する誘電体磁器コンデンサである。 (もっと読む)


【課題】 優れた高温負荷寿命および容量温度特性を有するとともに、電歪現象が抑制された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、MgOを含む第1副成分と、SiO系の焼結助剤を含む第2副成分と、V、NbおよびWOの少なくとも一つを含む第3副成分と、Rの酸化物(ただし、Rは、Tb、GdおよびDyから選ばれる少なくとも1種)を含む第4A副成分と、Rの酸化物(ただし、Rは、Ho、YおよびYbから選ばれる少なくとも1種)を含む第4B副成分と、MnOまたはCrを含む第5副成分とを、有する誘電体磁器組成物である誘電体磁器組成物。
(もっと読む)


【課題】高い誘電率と共振周波数を有しつつ、共振周波数の温度係数を低い値に調整できる誘電体組成物および材料を得ること。
【解決手段】aATiO−bNaNbO(AはCa、Srのいずれか1種または2種)で表され、前記aおよびbが0.030≦a≦0.170かつ0.830≦b≦0.970かつa+b=1を満足する磁器組成物を主材料系として、それに誘電率などを高く保ったまま共振周波数の温度係数を低くするための組成物と混合して、焼結体または混合物を得ることにより解決した。 (もっと読む)


【課題】分散性に優れ、また、樹脂に配合することによって樹脂複合材の絶縁性を向上させることが可能であり、且つ樹脂複合材の熱伝導性を少なくとも維持することが可能である繊維状炭素系材料絶縁物を提供すること。
【解決手段】繊維状炭素系材料と前記繊維状炭素系材料上に形成された絶縁被膜とを備える繊維状炭素系材料絶縁物であって、前記絶縁被膜が、前記繊維状炭素系材料上に形成されたカチオン性高分子電解質を含むカチオン性ポリマー層と、前記カチオン性ポリマー層上に形成された金属酸化物またはケイ素酸化物を含む酸化物層とを備えることを特徴とする繊維状炭素系材料絶縁物。 (もっと読む)


【課題】高温での誘電損失の低減化を可能にし、かつ薄膜化が可能である高誘電性フィルム形成用のコーティング組成物を提供する。
【解決手段】(A)フィルム形成樹脂、(B)高誘電性無機粒子および(C)溶剤を含むコーティング組成物であって、(A)がセルロース系樹脂のみからなり、(B)が、MaTibc(Mは周期表の第2周期から第5周期までの2族金属元素;aは0.9〜1.1;bは0.9〜1.1;cは2.8〜3.2)で示される複合酸化物粒子、M1a2bc(M1とM2は異なり、M1は周期表の2族金属元素、M2は周期表の第5周期の金属元素;aは0.9〜1.1;bは0.9〜1.1;cは2.8〜3.2)で示される複合酸化物粒子、および周期表の2族金属元素および4族金属元素よりなる群から選ばれる少なくとも3種の金属元素を含む複合酸化物粒子よりなる群れから選ばれた少なくとも1種である高誘電性フィルム形成用コーティング組成物。 (もっと読む)


【課題】CuOを含有させなくても、低温での焼成が可能であり、且つQ・f値を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、BaO−Nd23−TiO2系化合物、及び2MgO・SiO2を含み、副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、アルカリ土類金属酸化物、及びリチウム化合物を含み、リチウム化合物の質量をLiOに換算した場合に、リチウム化合物の含有量cが、主成分100質量部に対して、0.04質量部<c<3.24質量部である。 (もっと読む)


【課題】強誘電特性の劣化を引き起こすことなく、効率的にリーク電流を抑制する新たな強誘電体材料を提供する。
【解決手段】薄膜化させるターゲット材料として、Bi:Nd:Fe:Mn=1.0:0.05:0.97:0.03組成を有する焼結ターゲットを用い、パルスレーザ照射によりターゲットから射出されたアブレーション粒子を、STO基板(1d)上にPt(1c)をPLA堆積させたPt/STO基板上に堆積することにより、BFOのBiサイト及びFeサイトの両方のサイトを元素置換したBNFM(1b)の強誘電体材料の薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】絶縁電線に要求される高度の難燃性と機械特性、なかでも押出成形時の成形機器に対する負荷が小さく優れ、かつ廃棄時の埋立による重金属化合物やリン化合物の溶出や、焼却による多量の煙、腐食性ガスの発生などの問題のない絶縁樹脂組成物およびこの組成物をもちいてなる絶縁電線、ケーブル、光ファイバコード又は光ケーブルを提供する。
【解決手段】エチレン系共重合体を含有する樹脂成分100質量部に対し金属水和物50〜250質量部、及びホスファゼン化合物2〜50質量部を含有させてなる絶縁樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低温焼成で製造することができ、高い相対密度や硬度、並びに高い品質係数(高いQ値又は低いtanδ値)を有するZn2SiO4セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛(ZnO)粒子と二酸化珪素(SiO2)粒子を2:1のモル比で配合したものに10mol%未満の一定量の酸化ビスマス(Bi23)粒子を添加し、湿式混合する(ステップS1)。ステップS1で得た混合物を仮焼成する(ステップS2)。ステップS2で得た仮焼成物を粉砕する(ステップS3)。ステップS3で得た粉砕物を加圧成形する(ステップS4)。ステップS4で得た成形物を本焼成することによりZn2SiO4セラミックスを形成する(ステップS5)。 (もっと読む)


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