【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティを発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該方法により得られた誘電体薄膜を有する薄膜キャパシタとチューナブルデバイスを提供する。
【解決手段】Ｂａ_1-xＳｒ_xＴｉ_yＯ₃（０．２＜ｘ＜０．６、０．９＜ｙ＜１．１）の誘電体薄膜をゾルゲル法で形成するときに、塗布から焼成までの工程は２〜９回行い、初回の焼成後に形成される薄膜の厚さは２０〜８０ｎｍとし、２回目以降の焼成後に形成される各薄膜の厚さは２０〜２００ｎｍ未満とし、初回から２〜９回までのそれぞれの焼成は大気圧雰囲気下、昇温速度１〜５０℃／分で５００〜８００℃の範囲内の所定の温度まで昇温させることにより行い、誘電体薄膜の総厚は１００〜６００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】ＢａとＴｉとを含む配合原料を熱処理することにより合成される、ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミック粉末であって、仮焼・合成度が高く、特性の良好なセラミック粉末を確実に提供することが可能なセラミック粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともＢａとＴｉとを含む配合原料を仮焼することにより合成される、ペロブスカイト型結晶構造を有するセラミック粉末を加熱・昇温し、５００℃から９００℃の温度範囲における重量減少率を測定して、該重量減少率の値から前記セラミック粉末の合成度を評価する工程を設ける。
上記のペロブスカイト型結晶構造を有するセラミック粉末がＢａＴｉＯ₃を主たる成分とするものである場合に、上記の評価方法を適用して合成度を評価する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い複合酸化物を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム及び鉛からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物と、チタン、ジルコニア及び錫からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物とを混合して焼成温度まで加熱し、焼成し、降温して複合酸化物を製造する複合酸化物の製造方法において、前記降温工程における降温速度を３℃／分以上、４００℃／分以下に調整する。降温は好ましくは炉内に気体を導入して行う。 （もっと読む）

【課題】アンテナ用基体を構成する液晶ポリエステル樹脂組成物において、組成物ペレットを安定的に生産する。
【解決手段】液晶ポリエステル樹脂組成物は、液晶ポリエステル５０〜８０体積％と高誘電性フィラー２０〜５０体積％とを含有している。この液晶ポリエステルは、以下の式（１）で示される構造単位を全構造単位に対して８０モル％以上含むとともに、全構造単位における全芳香族基の中で２，６−ナフタレンジイル基を６０モル％以上含み、流動開始温度が２８０℃以上であり、流動開始温度より高い温度で測定されるメルトテンションの最大値が０．００９８Ｎ以上である。
（１）−Ｏ−Ａｒ¹ −ＣＯ−
（式中、Ａｒ¹ は、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−フェニレン基および４，４’−ビフェニレン基からなる群から選ばれる１種以上の芳香族基を表す。） （もっと読む）

【課題】 高誘電率であり、比誘電率の温度変化率が小さくかつＡＣ電界特性の小さい誘電体磁器およびそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とする誘電体磁器であって、その結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍであり、前記イットリウムおよび前記マンガンの含有量が、前記誘電体磁器に含まれるバリウム１モルに対して、前記イットリウムがＹＯ_３／２換算で０．００１４〜０．０３モル、前記マンガンがＭｎＯ換算で０．０００２〜０．０４５モルであり、前記マグネシウムの含有量が、前記チタン酸バリウム１００質量部に対して、ＭｇＯ換算で０．０６５〜０．３４質量部であり、かつ、前記誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対するパイロクロアの面指数（２２２）の回折強度の割合が５．８〜２０．０％である。 （もっと読む）

【課題】一般式：ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型構造を有する誘電体磁器組成物であって、Ａ／Ｂ比（モル比）が１以下で、結晶性に優れ、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物を確実に、しかも効率よく製造することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の工程で、Ａサイト元素化合物と、Ｂサイト元素化合物を、モル比：Ａ／Ｂが１を超える割合で配合し、焼成することにより、一般式：ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型複合酸化物を合成した後、第２の工程で、このペロブスカイト型複合酸化物に、Ｚｒ化合物を、ＺｒがＢサイト成分の一部と考えた場合に、全体としての前記、モル比：Ａ／Ｂが１以下となるような割合で混合してセラミック原料とする。
好ましくは、第２の工程において、モル比：Ａ／Ｂが１未満になるような割合で前記Ｚｒ化合物を混合する。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】主成分が（Ｂａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよび／またはＹ）であり、副成分として、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌおよび／またはＭｇ）と、Ｓｉとを含む、誘電体セラミック。各主成分粒子１１の断面上における、Ｍが存在している領域１２の面積割合が、平均値で１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】主成分がＢａ（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系であり、副成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよび／またはＹ）と、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌおよび／またはＭｇ）と、Ｓｉとを含む、誘電体セラミック。各主成分粒子１１の断面上における、ＲおよびＭの少なくとも一方が存在している領域１２の面積割合が、平均値で１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】所望の高比誘電率を確保することができ、かつ静電容量の温度特性を安定した良好なものに維持できる誘電体磁器組成物を得ることのできる誘電体磁器組成物の製造方法を実現する。
【解決手段】ＢａＣＯ_３及びＴｉＯ_２に含有されているＣａ成分を測定する。次いで、合成後の主成分粉末に含まれるＣａ成分の含有量が、不可避不純物を含め２００〜３２２ｐｐｍとなるように、ＢａＣＯ_３、ＴｉＯ_２及びＣａＣＯ_３を秤量する。この秤量物を湿式で混合・粉砕した後、仮焼し、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする主成分粉末を作製する。その後、この主成分粉末に所定の副成分粉末を添加し、湿式で混合・粉砕し、その後乾燥させて誘電体磁器組成物を得る。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性に優れた、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１における誘電体セラミック２を構成する誘電体セラミックとして、一般式：（Ｂａ_{１−ｈ−ｍ−ｘ}Ｃａ_ｈＳｒ_ｍＲｅ_ｘ）_ｋ（Ｔｉ_{１−ｎ−ｙ}Ｚｒ_ｎＭ_ｙ）Ｏ_３で表わされ、Ｒｅは、Ｌａ等であり、Ｍは、Ｍｇ等であり、かつ、０．０５≦ｘ≦０．５０、０．０２≦ｙ≦０．３、０．８５≦ｋ≦１．０５、０≦ｈ≦０．２５、０≦ｍ≦０．５０、および０≦ｎ≦０．４０の各関係を満足する、チタン酸バリウム系複合酸化物からなる、主成分と、焼結助剤としての副成分とを含み、焼結体における結晶粒子の平均粒径が０．６μｍ以下である、誘電体セラミックを用いる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１における誘電体セラミック２を構成する誘電体セラミックとして、ＡＢＯ_３（ＡはＢａ等。ＢはＴｉ等。）を主成分とし、副成分として、Ｒ（ＲはＬａ等。）、Ｍ（ＭはＭｎ等。）、ＶおよびＳｉを含有するものを用いる。この誘電体セラミックのための焼成前の原料を作製する工程では、ＢａとＶとを含む、たとえばＢａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３またはＢａ_２ＶＯ_４のようなＢａ−Ｖ化合物を予め準備し、これをＡＢＯ_３粉末に添加するようにする。 （もっと読む）

【課題】常圧で汎用な焼成手法を用いて、成形性のよいＢａＴｉ_２Ｏ_５系強誘電性セラミックスを得ること。
【解決手段】 ＢａＴｉ_２Ｏ_５粉末を、Ｍｎを助剤として添加し１２００℃以上で焼成してＢａＴｉ_２Ｏ_５系の強誘電性セラミックスを得ることを特徴とするＢａＴｉ_２Ｏ_５系強誘電性セラミックス製造方法である。また、１２５０℃以上で焼成し、ε’≧３５０（周波数ｆ＝１ＭＨｚ）であるＢａＴｉ_２Ｏ_５系の強誘電性セラミックスを得ることができる。必要に応じて、焼成物を粉砕し再度成形して焼成する工程を繰り返し焼結度が８０％以上となるようにすることができる。 （もっと読む）

本発明は、物質の新規な組成物、すなわち高誘電体誘電率を有するＬａ_０．４Ｂａ_０．６Ｍｎ_０．４Ｔｉ_０．６Ｏ_３セラミックであり、キャパシタコンポーネントとして使用することができる。この材料中に保有された誘電体特性は、既存の誘電体コンポーネントと比較してはるかに改善されている。本発明における、広範な周波数および温度において動作可能なまたは使用可能な組成物および加工技術による、高誘電体誘電率セラミックを見出すことは、電子および電気デバイスの分野において極めて有用である。誘電率は１ｋＨｚにおいて、〜２０，０００から〜５４，０００で記録され、３つの桁での周波数でほぼ一定である。したがって、デバイスのサイズを最小化する他、得られる誘電体誘電率を、エネルギー貯蔵、センサー、電気フィルターなどに使用することができる。
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【課題】εｒが１５以下で、１０ＧＨｚでのＱが１０００以上、共振周波数温度特性（τｆ）が±１５ｐｐｍ／℃の、高周波用の誘電体共振器に用いるのに好適な高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた電子部品や通信機装置を提供する。
【解決手段】 フォルステライト（Ｍｇ₂ＳｉＯ₄）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ₃）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ₃）を含む高周波用誘電体磁器組成物であって、その成分比が、
６５重量％≦Ｍｇ₂ＳｉＯ₄≦８７．５重量％
５重量％≦（ＣａＴｉＯ₃＋ＳｒＴｉＯ₃）≦１５重量％
２．５重量％≦ＭｇＴｉＯ₃≦２０重量％
の条件を満たし、
ＣａＴｉＯ₃とＳｒＴｉＯ₃の合計に対するＣａＴｉＯ₃の重量比が、
０．２５≦｛ＣａＴｉＯ₃／（ＣａＴｉＯ₃＋ＳｒＴｉＯ₃）｝≦０．６３
の条件を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】 温度によって共振周波数が変化しにくい誘電体セラミックスおよびこれを用いた誘電体共振器が望まれている。
【解決手段】 組成式をαＬａ₂ Ｏ_x ・βＡｌ₂ Ｏ₃ ・γＣａＯ・δＴｉＯ₂（ただし、３≦ｘ≦４）と表した場合に、モル比α，β，γ，δが下記式を満足する成分１００モル部に対して、バリウムの含有量が酸化物換算で０．００１モル部以上０．００９モル部以下であり、かつＣａＴｉＯ_３結晶を含むことを特徴とする誘電体セラミックスとする。
０．１６≦α≦０．２１
０．１６≦β≦０．２２
０．２９≦γ≦０．３６
０．２９≦δ≦０．３７
（ただし、α＋β＋γ＋δ＝１） （もっと読む）

【課題】結晶構造が同一で異なる誘電率を示す誘電体、およびこれを用いた誘電体素子を提供する。
【解決手段】酸素と金属元素からなる金属酸化物絶縁体であり、絶縁体を構成する酸素原子のすべてがO¹⁷またはO¹⁸、あるいは酸素原子がO¹⁶、O¹⁷、およびO¹⁸のいずれかであり、金属酸化物を構成する酸素同位体の種類あるいは比率を変えることにより、誘電率を変化できる誘電体材料、およびこれを用いた誘電体素子。誘電体素子では酸素同位体の分布が不均一であり、酸素原子の平均質量が大きい部分の誘電率が高く、酸素の平均質量が小さい部分の誘電率が低くなっている。素子は、O¹⁷あるいはO¹⁸からなる水を用いるゾルゲル法により作成される。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気または中性雰囲気による特性劣化を防止でき、かつ一定レベル以上の耐電圧を保ちながら比抵抗が十分に小さい正特性サーミスタ磁器組成物を提供する。
【解決手段】正特性サーミスタ磁器組成物は、組成式が（Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＣａ_ｚＰｂ_ｓＰｒ_ｔＳｍ_ｕ）Ｔｉ_ｖＯ_３(但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｓ＋t＋ｕ＝１、０．４１５≦ｘ≦０．８０５、０．０２≦ｙ≦０．３０、０．０５≦ｚ≦０．２０、０．０１≦ｓ≦０．２４、０．００２≦ｔ≦０．００４、０．００２≦ｕ≦０．００４、０．９７≦ｖ≦１．０５、ｔ／ｕ＝０．７４〜１．２５)で表される固溶体と、固溶体に対する重量が０．００１〜０．０３ｗｔ％のＭｎと、固溶体に対する重量が０．０９〜１．０ｗｔ％のＳｉとを含む。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、絶縁不良が生じにくくするとともに、負荷試験における故障寿命特性を改善する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１に備える誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックを得るためのチタン酸バリウム系粉末として、平均粒径Ｄ１が１０〜２００ｎｍの範囲内にあり、最大粒径をＤ２、最小粒径をＤ３としたとき、１．０＜Ｄ２／Ｄ１≦２．０、および０．５≦Ｄ３／Ｄ１＜１．０の関係を満足する、といった粒度分布がシャープであるものを用いる。これによって、セラミックスラリーでの分散性が極めて高くなり、積層セラミックコンデンサ１における誘電体セラミック層２の密度向上および表面の平滑化が可能になり、絶縁不良が生じにくくするとともに、負荷試験における故障寿命特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む組成系であっても、高温雰囲気下、長時間の高電界印加に耐えうる高い信頼性を有する誘電体セラミック及びその製造方法、並びにこの誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】誘電体セラミックは、チタン酸バリウム系複合酸化物を主成分とし、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕの群から選択された少なくとも１種の希土類元素Ｒ、及びＭｇ、Ｎｉ、Ａｌを含有し、かつ、希土類元素Ｒ、Ｎｉ、Ａｌ及びＴｉを主成分とした結晶性複合酸化物が存在している。そして、この誘電体セラミックで誘電体セラミック層１ａ〜１ｇが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 従来のセラミックス回路基板は、耐熱サイクル特性および曲げ強度特性が良好であるものの、絶縁性能に対する信頼性の要求がさらに高くなっている現在、必ずしも十分とは言えなくなってきている。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、希土類金属酸化物を含む粒界相を有してなり、任意の断面における面積が１００μｍ^２の範囲で前記粒界相の数が４２個以下であることを特徴とするセラミック焼結体とする。 （もっと読む）