【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、所望の誘電特性や温度特性を確保しつつ信頼性を向上させる。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３系の主成分粉末と、焼成によりＬｉ_２ＯとなるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉＯ_２となるＴｉ化合物を用意し、それぞれ所定量秤量して混合し、セラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成する。Ｌｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＬｉ_２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部添加し、Ｔｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＴｉＯ_２に換算して０．０５〜４．０モル部添加する。副成分として特定希土類元素酸化物、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｖ化合物、Ｂａ化合物、Ｃａ化合物、Ｓｉ化合物を適量添加してもよい。Ｂａの一部をＣａ又は／及びＳｒ、Ｔｉの一部をＺｒ又は／及びＨｆで置換してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系に替わる非鉛系の新しい圧電材料として期待される板状チタン酸バリウムの製造方法に関し、これの中間生成物である板状チタン酸カリウムリチウムを従来法よりも高速かつ安定して製造出来る製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、ＫおよびＬｉ源原料を水系媒体に添加混合後、この混合物にマイクロ波を照射することを特徴とする板状チタン酸カリウムリチウムの製造方法であり、反応操作は回分式のみならず連続式でも可能となる。これまでの欠点であった反応の長時間化が回避されて反応時間が劇的に短縮される結果、顕著な経済性の向上が図られることになる。さらに、従来法では不可能であった低原料濃度下での反応進行も可能となり、反応操作の安定性の格段の向上をも獲得出来る。 （もっと読む）

【課題】未硬化状態でのハンドリング性に優れており、積層プレス時に過度の流動を抑制でき、かつ熱伝導性、加工性及び耐熱性に優れた硬化物を与える絶縁シートを提供する。
【解決手段】芳香族骨格を有し、かつ重量平均分子量１万以上のポリマー（Ａ）と、重量平均分子量１万未満のエポキシ樹脂（Ｂ１）及びオキセタン樹脂（Ｂ２）の内の少なくとも一方の樹脂（Ｂ）と、硬化剤（Ｃ）と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、かつ新モース硬度３．１以上の第１の無機フィラー（Ｄ）と、有機樹脂フィラー（Ｅ１）及び新モース硬度３以下の第２の無機フィラー（Ｅ２）の内の少なくとも一方の物質（Ｅ）とを含有し、第１の無機フィラー（Ｄ）の含有量が２０〜６０体積％、かつ物質（Ｅ）の含有量が１〜４０体積％である絶縁シート。 （もっと読む）

本発明は、下記化学式１で表されるチタン酸バリウム系粉末に関する。
［化学式１］
（Ｂａ_ｘＲ^１_ｒ１Ｒ^２_ｒ２）（Ｔｉ_ｙＲ^３_ｒ３Ｒ^４_ｒ４）Ｏ_３
（前記Ｒ^１は、イットリウム（Ｙ）、ランタン族元素からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^２は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^３は、リン（Ｐ）及びニオブ（Ｎｂ）からなり、前記Ｒ^４は、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種以上であり、前記ｒ_１とｒ_３は、互いに独立して０より大きく０．０５以下の実数であり、前記ｒ_２とｒ_４は、互いに独立して０より大きく０．１以下の実数であり、（ｘ＋ｒ_１＋ｒ_２）／（ｙ＋ｒ_３＋ｒ_４）は、０．８５以上１．１５以下である実数である。） （もっと読む）

【課題】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】化学組成ＫＡｌＳｉ_２＋ｘＯ_６＋２ｘ（０．５≦ｘ≦１．８）を有するケイ酸アルミ焼結体からなる、熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料であって、相対密度が９５％以上の緻密なケイ酸アルミニウムセラミックからなり、熱疲労による発電能力の低下が抑制された特性を有することを特徴とする熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法、絶縁基板及びその応用製品。
【効果】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板を提供すると共に、該絶縁基板を用いた熱疲労に優れ出力特性の高い熱電素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の温度係数が正でありながら、誘電率の高い、温度補償用セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 Ｓｎ_mＮｂ₂Ｏ₆（０．７≦ｍ≦１．３）を主成分とする。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ（チタン酸バリウムストロンチウム）系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】たとえば、ＭｇＯ（１００）基板のＭｇＯ（１００）面上に形成されたＢａＺｒＯ₃の薄膜上に、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）の単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理することによって、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃の単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

本発明は、誘電体製造用焼結前駆体粉末およびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、第１物質の粉末と第２物質の粉末を含む誘電体製造用焼結前駆体粉末、第１物質からなるコアと第２物質からなるシェルの構造を持つコア−シェル構造の誘電体製造用焼結前駆体粉末、およびこれらの製造方法に関する。前記第１物質の相対誘電定数が前記第２物質の相対誘電定数より大きい。
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【課題】誘電体セラミック層が１μｍまで薄層化した場合でも積層セラミックコンデンサの信頼性を確保。
【解決手段】組成式が１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｍＴｉＯ_３＋ａＭｎＯ＋ｂＣｕＯ＋ｃＳｉＯ_２＋ｄＭｇＯ＋ｅＲＯ（但し、係数１００、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはモル比、ｍは（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）のＴｉに対するモル比、ＲＯはＹ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、２ＣｅＯ_２、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｈｏ_２Ｏ_３、Ｅｒ_２Ｏ_３、Ｔｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｌｕ_２Ｏ_３から選択される希土類元素酸化物）で表される誘電体セラミックであって、上記組成式のｍ、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、それぞれ、０．９９８≦ｍ≦１．０３０、０≦ｘ＜０．０４、０．０１≦ａ≦５、０．０５≦ｂ≦５、０．２≦ｃ≦８、０．０５≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦２．５の関係を満足し、且つ平均粒径が０．３５μｍ以上、０．６５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＰｂおよびＢｉを含まず、広周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式（Ｓｒ_ｘＢａ_１−ｘ）_ｍＴｉＯ_３（０．１５９≦ｘ≦０．２３８、０．９９７≦ｍ≦１．０１１）で表される化合物を含む主成分と、副成分として、ＣａＴｉＯ_３を１１〜２５重量％、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる１つ以上の酸化物を、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ換算で、０．１０〜０．５０重量％、Ａ元素の酸化物（ＡはＭｎおよび／またはＣｒ）を元素換算で０．５９０〜１．９４０モル％、およびＤ元素の酸化物（ＤはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹから選ばれる１つ以上）を有し、Ｄ元素とＡ元素とのモル比（Ａ／Ｄ）が２．２５０〜７．４５０である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 還元雰囲気下において焼成されても、安定した絶縁性を有する、積層セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 ＣａＴｉＯ₃系において、Ｓｎを含む組成とする。特に、ＳｎをＢａサイトに固溶させた、（Ｃａ_1-x-yＢａ_xＳｎ_y）ＴｉＯ₃（ただし０≦ｘ＜０．２、０．０１≦ｙ＜０．２）を主成分とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｓｉを含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＳｉの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＳｉ含有量の割合を４０％以上とし、Ｓｉの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＳｉ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの寿命特性および絶縁破壊電圧をより向上させ得る、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成するために用いられる誘電体セラミックを、コアシェル構造を有するコアシェル結晶粒子と、均一系の構造を有する均一系結晶粒子とを備えるものとする。この誘電体セラミックにおいて、コアシェル結晶粒子と均一系結晶粒子とは、９１：９〜９９：１の範囲の面積比率で存在する。好ましくは、コアシェル結晶粒子の平均粒子径をＲ１、均一系結晶粒子の平均粒子径をＲ２としたとき、Ｒ２／Ｒ１の比率が０．８以上かつ３以下となるようにされる。 （もっと読む）

【課題】ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックは一般に誘電率が低いとされるが、ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックにおいて、より高い誘電率が得られるようにし、これを用いた積層セラミックコンデンサの小型化を図れるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が組成式：（Ｓｒ_{１−x−ｙ}Ｓｎ_ｘＢａ_ｙ）ＴｉＯ_３で表わされ、かつこの組成式において、ｘが０．００５≦ｘ≦０．２４、ｙが０≦ｙ≦０．２５である、誘電体セラミックを用いる。上記主成分１００モルに対して、Ｍ（Ｍは、ＭｎおよびＶの少なくとも一方）を、ＭＯに換算して、０．０１モル〜５モル、および／または、Ｓｉを、ＳｉＯ_２に換算して、０．２モル〜５モル含むことが好ましく、さらに、上記主成分１００モルに対して、Ｃａを、ＣａＯに換算して、０．１モル〜２５モル含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、結晶性が高く、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上で、粒度分布を表すＤ９０／Ｄ５０が１．２５以下である、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末との混合粉末を焼成する焼成工程を備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、結晶性が高く、誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末とを分散する分散工程と、前記分散工程において得られた混合粉末を焼成する焼成工程と、を備えており、前記焼成工程の温度上昇過程において、前記混合粉末の重量が減少しはじめる温度が５８０℃以下であるようにした。 （もっと読む）

【課題】高誘電性無機粒子を含む非フッ素系樹脂フィルムの電気絶縁性と耐電圧を向上させることができる積層型高誘電性フィルムを提供する。
【解決手段】（Ａ）非フッ素系熱可塑性樹脂（ａ１）および高誘電性無機粒子（ａ２）を含む高誘電性樹脂フィルム層、および（Ｂ）該高誘電性樹脂フィルム層（Ａ）の少なくとも片面に設けられている絶縁性樹脂（ｂ）の塗膜層を含む積層型高誘電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】電極材料との接着力が大きく、且つ膜強度が大きい誘電体組成物を構成するコア−シェル構造粒子、これを用いた組成物、誘電体組成物及びキャパシタを提供する。
【解決手段】ペロブスカイト系結晶構造を有する高誘電率無機粒子を含有するコアと、（ａ）重合性基を有する樹脂を含有するシェルを有するコア−シェル構造粒子であって、シェルの平均厚さが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコア−シェル構造粒子。 （もっと読む）

【課題】 ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材を提供する。
【解決手段】 ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上含有するとともに、元素としてＳｉ、ＡｌおよびＭ（Ｍはアルカリ土類金属）を含有し、アルミナ結晶粒子１を主結晶粒子とするアルミナ質焼結体であって、該アルミナ質焼結体の任意断面におけるアルミナ結晶粒子１で構成される３重点２に、元素としてＳｉ、Ａｌ、ＭおよびＯを含有する結晶相、または元素としてＳｉ、Ａｌ、ＭおよびＯを含有する非晶質相が存在するとともに、アルミナ結晶粒子１で構成される３重点２のうち１０％以上の３重点に、元素としてＳｉ、Ａｌ、ＭおよびＯを含有する結晶相が存在する。 （もっと読む）