【課題】低消費電流で低電圧な定電圧を安定して得られる定電圧回路を提供すること。
【解決手段】定電圧回路Ａは、閾値電圧が極小でゲート長が特大のＭＯＳトランジスタＮ１を用いて低電流を作り出し、基準電圧Ｖ_REFを発生するＭＯＳトランジスタＮ２、これと対を成してカレントミラー回路を構成する各ＭＯＳトランジスタＮ３、Ｎ４、Ｎ７、及びその他の各ＭＯＳトランジスタＮ５、Ｎ６の何れについても低閾値電圧タイプとし、且つＭＯＳトランジスタＮ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ７のゲート長ＬをＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のゲート長Ｌよりも増大させている。これにより、各ＭＯＳトランジスタＮ２〜Ｎ７のドレイン電極−ソース電極間の電圧Ｖｄｓが０．１Ｖ以上の飽和領域で動作する電圧値を保ち、所望の低い基準電圧Ｖ_REFを発生でき、カレントミラー回路を構成する際に正常動作が可能となり、定電圧出力端子４から低消費電流で低電圧な定電圧が得られる。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】より低い電源電圧で動作できる定電流回路を提供する。
【解決手段】電源電圧ＶＤＤがディプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ１０のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ１０とＮＭＯＳトランジスタ１５のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ１５との加算電圧よりも高ければ、定電流回路は動作できる。定電流回路の電源電圧ＶＤＤとして、１つのドレイン・ソース間電圧と１つのゲート・ソース間電圧との加算電圧が必要になり、１つのドレイン・ソース間電圧と２つのゲート・ソース間電圧との加算電圧は必要ならないので、定電流回路の最低動作電源電圧が低くなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低電源電圧時にも安定した基準電圧を生成するとともに一定の駆動能力を維持する基準電圧発生回路を提供することを目的とする。
【解決手段】基準電圧発生・比較部１と、駆動部２と、Ｍ個の駆動部予備回路２１〜２Ｍを有する。基準電圧発生・比較部は、基準電圧ＶＲＥＦを生成し、基準電圧発生回路の出力端からの出力電圧が負帰還電圧として基準電圧発生・比較部に入力され、基準電圧発生・比較部から生成される基準電圧との比較後に、基準電圧発生・比較部の出力端から駆動部とＭ個の駆動部予備回路へ出力され、基準電圧発生回路の電源電圧ＶＤＤＡが異なる場合は、駆動部とＭ個の駆動部予備回路の少なくともいずれかの駆動後に基準電圧発生回路の出力端に出力され、基準電圧発生回路の出力端からの出力電圧が基準電圧発生・比較部から生成される基準電圧で一定になるように制御される。ここで、Ｍは、１以上の整数である。 （もっと読む）

【課題】オペアンプのオフセット電圧の影響を抑えたバンドギャップ電圧と最低動作電圧を抑えたバンドギャップ電圧とを得ることを目的とする。
【解決手段】開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタ、第２のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第１の抵抗、第１のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第１の抵抗の他端が入力に接続され、負帰還制御が行われる第１のオペアンプを有する。また、開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタのエミッタにベースが接続された第３及び第４のＰＮＰトランジスタ、第４のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第２の抵抗、第３のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第２の抵抗の他端が入力に接続された、負帰還制御が行われる第２のオペアンプを有する。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧で動作するバンドギャップ基準電圧発生回路は、分流パスを設けるため消費電流が多くなってしまう。公知技術の消費電流は、従来の低電源電圧動作のバンドギャップ回路から電流を削減したとはいえ、未だ多い。本発明では、低電源電圧で動作し、かつ、消費電流のさらに少ないバンドギャップ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】本発明の基準電圧発生回路では、低電源電圧動作の本質を維持したまま、さらに分流パスを共通化することで、消費電流を削減する。 （もっと読む）

【課題】環境発電装置において２次電池への損傷を避けるために０．３Ｖ以下の極低電圧を検出して誤動作を防止する。
【解決手段】太陽電池などの再生可能なエネルギー源を単一セルで使用する事を可能にする、極低電圧を確実に所定の温度係数で検出する回路Ｕ７３を実現する。単一セルで使用することによる、太陽電池では部分影、他の自然エネルギー源では過放電等による故障で発電停止を防止することが可能になり、コスト削減と利便性と安全性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスを用いて、雰囲気温度から駆動電圧を得る半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】ダイオード接続された整流素子（トランジスタ３）と、一端が前記整流素子の一端に接続され、他端が接地電位に接続された電圧発生源としての抵抗素子（抵抗１）と、から構成される駆動電圧発生回路（単位セル３１）から成り、前記抵抗素子（抵抗１）が発生する電圧を駆動電圧として前記整流素子（トランジスタ３）の他端に出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 （もっと読む）

【課題】内部にバンドギャップ電圧を生成することなく、バンドギャップ電圧より低く、かつバンドギャップ温度特性を有する基準電圧を発生する基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】接合型素子の順方向電圧をそれに比例する第１の電流に電流変換する第１の比例電流生成回路と、電流密度を変えた一対の接合型素子の順方向電圧の差をそれに比例する第２の電流に電流変換する第２の比例電流生成回路と、第１の電流と第２の電流との差をそれに比例する第１の電圧に電圧変換する電流電圧変換回路と、接合型素子の順方向電圧から第１の電圧を減じた電圧を基準電圧として出力するバッファ回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧での動作を可能とし、アーリー効果による電流比の悪化を抑圧可能とする。
【解決手段】
ＮＰＮ型の第１及び第２のトランジスタ１，２のベース、第１のトランジスタ１のコレクタ、及び、デプレッション型のＮチャンネルＭＯＳトランジスタである第３のトランジスタ３のゲートが相互に接続されると共に、定電流源４に接続される一方、第１及び第２のトランジスタ１，２のエミッタは、共にグランドに接続され、第２のトランジスタ２のコレクタは、第３のトランジスタ３のソースに接続されて、この第３のトランジスタ３のドレインに出力可能に構成されてなり、低電圧での動作を可能とし、アーリー効果による電流比の悪化が抑圧可能となっている。 （もっと読む）

【課題】電圧バンドギャップ基準回路を提供する。
【解決手段】前記回路は増幅器を含み、該増幅器はその入力に接続された第１および第２トランジスタを有する。前記回路は、第１および第２トランジスタの間のΔＶ_ｂｅに実質的に等しい電圧を、増幅器の共通入力に加えられた電圧から差し引くことにより、より低いヘッドルームで動作するように適合される。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを小さくするとともに、出力電流の低下を抑制することができる電流駆動回路を提供する。
【解決手段】電流駆動回路１０の出力端子には、抵抗Ｒ３が接続される。この抵抗Ｒ３には、抵抗Ｒ２及びトランジスタＭ６のドレイン端子が接続されている。トランジスタＭ６のゲート端子には、トランジスタＭ２のゲート端子、接地された電流源ＣＳ２、トランジスタＭ４のソース端子が接続される。電源線には、電流源ＣＳ１、トランジスタＭ４が接続される。電流源ＣＳ１は、トランジスタＭ４のゲート端子、トランジスタＭ３のドレイン端子、トランジスタＭ１のドレイン端子、抵抗Ｒ１に接続される。電圧Ｖｄが下がってきた場合には、トランジスタＭ３のオン抵抗が上昇し、トランジスタＭ１がトランジスタＭ２に直列となり、トランジスタＭ６のゲート電圧を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】電源電位の低電圧化を図る。
【解決手段】本発明に係る中間電位発生回路は、電源電位Ｖｃｃがソース入力される第１及び第２のトランジスタ５，３を含むカレントミラー回路と、ドレインが第１のトランジスタ５，３のドレインと接続する第３のトランジスタ６を含む電流源回路と、中間電位ＶＰＲがゲート入力され、ドレインが第２のトランジスタ３のドレインと接続する第４のトランジスタ８を含むソース接地増幅回路と、第１のトランジスタ５と並列に接続する第５のトランジスタ１２と、第２のトランジスタ３と並列に接続する第６のトランジスタ１１とを含む並列接続回路と、第７及び第８のトランジスタのゲートが共通に接続され、該ゲートに第２及び第６のトランジスタ３，１１のドレインが接続されてなるソースフォロア回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源・温度の変動に対する感度を極めて低めた効率的に設計することが可能な基準回路の提供。
【解決手段】ｐＭＯＳ Ｍ_６とｐＭＯＳ Ｍ_７とからなりｐＭＯＳ Ｍ_６，Ｍ_７のソースが電源ノードに接続された第１電流ミラー回路と、ｐＭＯＳ Ｍ_９とｐＭＯＳ Ｍ_８とからなり、ｐＭＯＳ Ｍ_６，Ｍ_７のドレイン側にカスコード接続された第２電流ミラー回路と、ソースが電源に接続されゲートがｐＭＯＳ Ｍ_６のゲートに接続されたｐＭＯＳ Ｍ_５と、飽和領域のｎＭＯＳ Ｍ_１及び三極管領域のｎＭＯＳ Ｍ_２，Ｍ_３とを備え、Ｍ_１，Ｍ_２，Ｍ_３はＭ_５のドレインから接地にかけて直列に接続され、各々のゲートはＭ_５のドレインに共通に接続されており、Ｍ_８のソースはＭ_１のソース及びＭ_２のドレインとの共通接続ノードに接続されており、Ｍ_９のソースは、Ｍ_２のソース及びＭ_３のドレインとの共通接続ノードに接続された構成とした。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧で駆動でき、かつ、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成するとともに、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくい半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のトランジスタのコレクタ端子と第２のトランジスタのエミッタ端子とを接続して出力端子とし、第１のトランジスタのベース端子と第２のトランジスタのベース端子とを接続して第１のベース端子とし、第１のトランジスタと第２のトランジスタとは同一構造であり、第１のベース端子には、第１のトランジスタのエミッタ側ｐｎ接合がわずかに順方向バイアスされる動作領域から逆方向バイアスされる動作領域となる範囲の電圧を印加され、供給電圧には、第１及び第２のトランジスタがnpn、又はpnpかによって、正の電圧又は負の電圧を印加される半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧で駆動でき、電源電圧の変動に対して安定な基準電圧を生成するとともに、基準電圧の温度係数が製造工程におけるパラメータの変動に影響されにくい半導体装置を提供することである。
【解決手段】第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン端子と第２のＭＯＳＦＥＴのソース端子とを接続し、前記第１のＭＯＳＦＥＴのドレイン端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴのソース端子との端子間を出力端子とし、前記第１のＭＯＳＦＥＴのソース端子を基準電位とし、前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲート端子とを接続し、前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲート端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲート端子との端子間を第１のゲート端子とし、前記第１のＭＯＳＦＥＴの基板端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴの基板端子とを接続し、前記第１のＭＯＳＦＥＴの基板端子と前記第２のＭＯＳＦＥＴの基板端子との端子間を第１の基板端子とし、半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低い最低動作電圧にて安定動作可能なレギュレータ回路を実現することを目的の一とする。また、最低動作電圧が低いレギュレータを用いてリーダ／ライタとの通信距離が長いＲＦＩＤタグの実現を目的の一とする。
【解決手段】基準電位と入力電位との電圧を監視し、前記電圧が所定のしきい値を超過した後、前記電圧の値に依らず一定の出力電位を得る半導体装置を提供する。前記半導体装置は、前記基準電位と前記入力電位との間の電圧を、第１の複数の非線形素子と、少なくとも一の線形素子を用いて分圧し、前記電圧の値に依らず一定の第１のバイアス電圧を生じ、前記第１のバイアス電圧を基準とし、前記基準電位と前記入力電位との間の電圧を、第２の複数の非線形素子を用いて分圧して、前記電圧の値に依らず一定の第２のバイアス電圧を生じ、前記第２のバイアス電圧を基準として、前記出力電位を決定する。 （もっと読む）

【課題】例えば約０．６Ｖ程度の低電圧であって温度変化に拘わらず安定した出力電圧を得ることができるようになされた温度特性に優れた低電圧動作定電圧回路を提供する。
【解決手段】抵抗と、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタとが直列に接続されて定電流が流れるように構成された抵抗・ダイオード直列回路を含むバンドギャップ基準電圧回路を基本構成要素として備える。前記抵抗・ダイオード直列回路に対して並列に接続され、該抵抗・ダイオード直列回路に流れる電流と同一の定電流が流れるように構成された出力回路を設ける。出力回路は、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタを備えるものとし、該ＭＯＳトランジスタにより該出力回路に流れる電流の正の温度係数を打ち消すように構成する。 （もっと読む）

【課題】例えば約０．６Ｖ程度の低電圧であって温度変化に拘わらず安定した出力電圧を得ることができるようになされた温度特性に優れた低電圧動作定電圧回路を提供する。
【解決手段】抵抗に表れる電圧の正の温度係数とダイオード接続されたバイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧の負の温度係数とを打ち消すように構成されたバンドギャップ基準電圧回路を備えた低電圧動作定電圧回路において、前記抵抗と前記ダイオード接続されたバイポーラトランジスタとが、前記ダイオード接続されたバイポーラトランジスタとの抵抗直列回路と、前記抵抗とのダイオード直列回路とに分離する。そして直列接続された同一抵抗値を有する一対の抵抗の一端に、前記ダイオード接続されたバイポーラトランジスタのコレクタ側端子を接続すると共に、前記一対の抵抗の他端に、前記抵抗の前記バイポーラトランジスタ接続側端子を接続し、中点電圧を取り出して出力電圧とする。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ電圧よりも低い電源電圧で動作し、低消費電力かつ高精度の基準電圧発生回路を提供すること。
【解決手段】第１のダイオードＤａの両端と、直列に接続した第２のダイオードＤｂと第１抵抗Ｒ₁との間に同じ電圧が掛かるように差動増幅回路Ａ１でフィードバックをかけ、正の温度依存性を持つ差分電圧Ｖ_Sを第２電流Ｉ₂に変換する。また、第２ダイオードＤｂに第３の抵抗素子Ｒ_3Aを接続し、第１のダイオードＤａに第４の抵抗素子Ｒ_3Bを接続して、負の温度依存性を持つ順方向電圧を第３電流Ｉ₃に変換する。そして、この第２電流Ｉ₂と第３電流Ｉ₃とを合成することで、温度依存性のない第１電流Ｉ₁を生成する。さらに、第３の抵抗素子Ｒ_3Aと第４の抵抗素子Ｒ_3Bを出力ノードＮ３に接続して、第２の抵抗素子Ｒ₂にＩ₁＋Ｉ₃×２となる電流を流して出力電圧Ｖoutを生成する。 （もっと読む）