【課題】良好な電力効率と歪み特性と、インピーダンス変換による回路損失の低減及び周波数帯域の広帯域化の両方を実現できる増幅回路を提供する。
【解決手段】本発明のドハティ増幅回路は、互いに位相が逆の１対の信号がそれぞれに入力される第１及び第２ノードと、キャリア増幅器１３と、キャリア増幅器１３の入力と前記第１ノードとの間に接続された伝送線路１２と、前記第２ノードに入力が接続されたピーク増幅器１４と、出力側伝送線路バラン１６と、伝送線路１２と同じ電気長を有する伝送線路１５とを具備している。出力側伝送線路バラン１６の２つの平衡ポート２６、２７の一方は、キャリア増幅器１３の出力に接続され、他方は、伝送線路１５を介してピーク増幅器１４の出力に接続されている。 （もっと読む）

【課題】出力電力を所望の値に精度よく制御し得る高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】準マイクロ波帯およびマイクロ波帯などの高周波帯の高周波信号Ｓ１を増幅して出力ライン２１に出力する増幅器１３と、出力ライン２１に介装されて増幅器１３によって出力ライン２１に出力された高周波信号Ｓ２の進行波成分Ｓｔを検出する方向性結合器１５と、方向性結合器１５によって検出された進行波成分Ｓｔに基づいて増幅器１３の利得を制御する第１制御部１６とを備えた高周波増幅器１であって、出力ライン２１における増幅器１３と方向性結合器１５との間の部位にアイソレータ１４が配設されている。 （もっと読む）

【課題】広帯域かつ高効率で、容易に実現可能な電力合成形増幅器を提供する。
【解決手段】所定の入力信号が分配される２つの経路の一方に設けられて入力信号を増幅するＢ級動作トランジスタ３と、他方の経路に設けられて入力信号を増幅するＣ級動作トランジスタ４と、Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力とＣ級動作トランジスタ４の出力電力とを合成するＴ分岐１１とを有する電力合成形増幅器である。Ｂ級動作トランジスタ３の出力電力は、第１アイソレータ９を介してＴ分岐１１に送られ、Ｃ級動作トランジスタ４の出力電力は、第２アイソレータ１０を介してＴ分岐１１に送られる。第１アイソレータ９によりＢ級動作トランジスタ３の負荷インピーダンスを一定値にし、第２アイソレータ１０がＣ級動作トランジスタ４の負荷インピーダンスを一定値にする。 （もっと読む）

マルチポート増幅器を通る通信信号をモニタリングすることによって、通信衛星のマルチポート増幅器における信号の絶縁を維持するとともに、混信成分を低減するために、マルチポート増幅器の出力信号が、検出されるとともにベースバンドにダウンコンバートされて、マルチポート増幅器のエミュレーションメカニズムに入力される。エミュレーションメカニズムは、混信成分と共にマルチポート増幅器の入力信号をリカバーするマルチポート増幅器の逆行列と、ＦＦＴによって混信成分の周波数解析を実行するデジタル信号プロセッサと、そのような混信成分をもたらすマルチポート増幅器の状態を判断するマルチポート増幅器のデジタルモデルとを含む。デジタル信号プロセッサは、遠隔測定リンクを介して通信する地上局に配置される。
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【課題】特別な信号源の搭載を不要にして、回路の簡単化を図ることができるとともに、タイミングの調整精度を高めて、高効率化と低歪み化を実現することができるようにする。
【解決手段】ＲＦ電力増幅トランジスタ２により増幅されたＲＦ信号の電力を検波する電力検波装置７と、電力検波装置７により検波されたＲＦ信号の電力から、ＲＦ電力増幅トランジスタ２に対するＲＦ信号と制御信号ＡＦに対応するドレイン電圧信号の入力タイミングのずれを検出する位相制御装置８とを設け、入力タイミングのずれの検出結果に応じて制御信号ＡＦの位相を調整して、入力タイミングのずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅装置をより高効率にする。
【解決手段】入力信号をメインアンプ１とピークアンプ２とで増幅して、前記両アンプ１，２の出力を合成して出力するドハティ増幅装置１０において、前記メインアンプ１と前記ピークアンプ２とに共通の電源電圧を供給する可変電源部７と、入力信号のエンベロープ振幅レベルを検出するエンベロープ検出部６と、前記可変電源部７によって前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを調整するために前記可変電源部７を制御する制御部８と、を備え、前記制御部８は、前記エンベロープ検出部６によって検出された入力信号のエンベロープ振幅レベルに応じて、前記両アンプ１，２に供給される電源電圧の大きさを制御するよう構成されている。 （もっと読む）

分散型低雑音増幅器（ＤＬＮＡ）（１０）は少なくとも、増幅器の入力（１４）から増幅器の出力（２２）までの第１パス（３６．１）を形成する第１増幅部（３０．１）と、上記入力（１４）から上記出力（２２）まで第２パスを形成する第２増幅部（３０．２）とを備える。上記第１パスおよび上記第２パスのそれぞれは、異なる位相の変化と関連付けられる。上記第１パスに沿って伝搬する、増幅器構成によって生成される雑音と、上記第２パスに沿って伝搬する、増幅器構成によって生成される雑音との間の位相差、及び、ＤＬＮＡの出力（２２）の前における雑音の相殺的干渉を発生させ、これによって雑音抑制帯域における雑音を抑制するために、上記差は雑音抑制帯域における周波数について３０度よりも大きい。増幅部（３０．１）から（３０．ｎ）における各ゲインは、上記増幅器（１０）の上記入力（１４）から上記出力（１０）までの方向に減少し得る。
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【課題】高周波電力増幅器における渦電流損失を、回路占有面積を増大させることなく低減する。
【解決手段】２つのゲインブロック（３ａａ，３ａｂ−３ｄａ，３ｄｂ）が各々に接続される１次インダクティブパス（２ａ−２ｄ，４ａ−４ｄ）および１次インダクティブパスと磁気結合する２次インダクティブパスに屈曲部（５）を設け、この屈曲部が中心を向くように配置する。２次インダクティブパス（４ａ−４ｄ）を、順次配線（１１ａ−１１ｃ）により相互接続し、未接続の２次インダクティブパス端部を出力端（１５ａ、１５ｂ）として利用する。 （もっと読む）

【課題】従来、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器は、回路構成が複雑で製造が困難であるという問題点があり、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器を、簡易な回路配置で容易に実現し、高電力効率及び良好な特性が得られる増幅器を提供する。
【解決手段】キャリア増幅回路４と、複数のピーク増幅回路５ａ、５ｂとを備え、これらの増幅回路からの出力をノード７で合成して出力するドハティ増幅器において、キャリア増幅回路４の出力段にインピーダンス変換器６を設けてキャリア増幅回路の特性を最適とし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの出力段に電気長が（λ／２）×ｎ（ｎは１以上の整数）となる伝送線路１１ａ、１１ｂを設けて回路配置を容易にし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの入力段に移相器１２ａ、１２ｂを設けて合成点における各経路の信号の位相を微調整する増幅器としている。 （もっと読む）

広帯域符号分割多重アクセス及び直交周波数分割多重のような多重変調信号の高ピーク対平均電力比に対して効率領域を拡大するためのＮウェイドハティ構造を使用する電力増幅器が開示される。一実施例において、本発明は、少なくとも１つのメイン増幅器と少なくとも１つのピーク増幅器とのアイソレーションを向上させるべく、かつ、高出力バックオフ電力におけるゲイン及び効率性能双方を向上させるべく、Ｎウェイドハティ増幅器に対してデュアルフィード分散構造を使用する。入力及び出力のいずれか又は双方においてハイブリッドカプラを使用することができる。少なくともいくつかの実装において、増幅、電力分割、及び電力結合の統合により、回路スペースを節約することもできる。
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【課題】電源効率が十分高く出力電力がサブＷからＷオーダー級のマイクロ波を出力する光マイクロ波変換装置を提供する。
【解決手段】光マイクロ波変換装置は、マイクロ波の周波数により半波整流波形に強度変調された光信号を発生する手段と、逆バイアス電圧が印加され、且つ上記光信号が入力されるとマイクロ波電気信号を出力するフォトダイオードと、を有する。また、他の光マイクロ波変換装置は、マイクロ波の周波数により半波整流波形に強度変調された光信号を発生する手段と、上記光信号から位相差が上記マイクロ波の半周期分である２つの光信号に分岐する手段と、共に逆バイアス電圧が印加され、且つ上記２つの光信号がそれぞれ入力されるとマイクロ波電気信号を出力する２つのフォトダイオードと、上記２つのフォトダイオードから出力するマイクロ波電気信号を互いに逆位相で取り出す手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はドハティ増幅器に関し、ドハティ増幅器の利得の低下を防ぎ、効率を上げることができるドハティ増幅器を提供することを目的としている。
【解決手段】入力信号を２方向に分岐させる信号分岐回路２１と、該信号分岐回路２１の一方の出力を受けるキャリアアンプ１と、該キャリアアンプ１の出力を受ける第１のλ／４線路２と、前記信号分岐回路２１の他方の出力と、ピークアンプ４の立ち上がり電圧とを比較する比較回路２２と、該比較回路２２の出力に応じて、ピークアンプ４を回路に組み込むか組み込まないかを決める高周波スイッチ２３と、該高周波スイッチ２３の出力を受ける第２のλ／４線路と、該λ／４線路の出力を受けるピークアンプ４と、前記第１のλ／４線路２の出力と前記ピークアンプ４の出力とを合成した信号を受ける負荷５と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が変動しても効率の低下を緩和することができ、しかも、製造時の歩留まりを向上し得るエンベロープトラッキング法に基づく高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】 本発明の高周波増幅回路１２ａは、マイクロ波帯の高周波の入力信号が入力される半導体増幅素子２１と、入力信号の包絡線の変動に追随する電源電圧を半導体増幅素子２１に印加する電源回路２２と、半導体増幅素子２１の出力側に接続された出力整合回路２４と、電源電圧が変動しても半導体増幅素子２１の効率が最大となるように当該出力整合回路２４のインピーダンスを調整するインピーダンス調整部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＴ技術を利用した電力増幅器において、能動素子として高耐圧トランジスタを用いた場合に、その特性を十分に活用することができる技術を提供する。
【解決手段】３個のほぼ等価なプッシュプル増幅器を具備している。プッシュプル増幅器における１対のトランジスタ３Ａ〜３Ｆのドレインは、金属配線１Ａ〜１Ｈから成る電流経路により相互に接続され、電流経路の中間点が正電源Ｖｄｄに接続されている。金属配線１Ａ〜１Ｈのうちトランジスタのドレインからその正電源Ｖｄｄに至る部分が１本の１次コイルを構成する。１次コイルが、それらと近接して配置された金属配線２から成る２次コイルと磁気的に結合することにより、１次コイルからの出力を合成し２次コイルの出力端子から出力する。１本の１次コイルに相当する金属配線の長さに対する、２次コイル全体に相当する金属配線の長さの比が、およそ３である。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号基本角周波数ωo及び高調波成分を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、直流成分に対して開放、偶数高調波成分に対して短絡、奇数高調波成分に対してＦＥＴの出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路は直流成分に対して短絡、奇数高調波数成分に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】入力電力の変化に対する利得変動を抑えて線形性を改善することができる高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】増幅器２４，２６は、分配器１２で２分配された広帯域変調信号を増幅する。バイアス回路３４は、増幅器２４の入力端子に一定のバイアス電圧を印加する。バイアス回路３６は、増幅器２６の出力端子におけるバイアス電流の変動に対して、このバイアス電流を所定の時定数で一定値に収束させるように増幅器２６の入力端子に印加するバイアス電圧を調整する。ここでの時定数は、広帯域変調信号の帯域幅の逆数より十分大きい値に設定されている。 （もっと読む）

【課題】第１λ／４線路及び第２λ／４線路をプリント配線基板上に直接形成することによる問題点を解決して、ドハティ増幅器の小型化、特性の向上を図る。
【解決手段】合成器１０は、第１λ／４線路Ｌ１を第１ストリップライン４６にて構成し、第２λ／４線路Ｌ２を第２ストリップライン５０にて構成し、さらに、誘電体基板３０内に形成してチップ状（チップ部品）に構成する。誘電体基板３０の上面３０ｘに第１シールド電極３２ａを形成し、誘電体基板３０の下面３０ｙに第２シールド電極３２ｂを形成し、第１λ／４線路Ｌ１と第２λ／４線路Ｌ２を第１シールド電極３２ａと第２シールド電極３２ｂとの間に形成する。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域において動作する通信用増幅器の相互変調歪みの信号レベルを一定に保つことにより通信品質を確保し、また、環境温度が変化しても高効率で低消費電力動作が可能な高周波増幅器を提供する。
【解決手段】 高周波電力を入力する増幅器２と、増幅器２の出力ラインの分岐出力を検波出力とする歪レベル検波回路５と、この検波電圧と基準電圧とを比較する比較器６と、この比較器６の出力電圧が入力され、内部に比較器６の出力電圧に対応して増幅器２のゲート電極及びドレイン電極に対する供給電圧を定めるデータテーブルを書き込んだＲＯＭを有する制御回路７とを備えるようにし、ＲＯＭデ−タに基づき増幅器２のドレイン電圧とゲート電圧を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器に関し、速やかに高効率動作を開始し、また、広帯域信号にも速やかに効率を落すことなく対応にする。
【解決手段】インダクタＬ１，Ｌ２とキャパシタＣ１，Ｃ２とから成る第１及び第２のタンク回路を、それぞれ、バランス型増幅器を構成する第１及び第２のトランジスタＺ１，Ｚ２に接続し、第１及び第２のトランジスタＺ１，Ｚ２のドレーン間に出力負荷抵抗Ｒ１を接続し、入力信号の極性を互いに反転した差動電圧信号を入力するバランス型増幅器に、両側のタンク回路に共通に、給電エネルギーを蓄積するインダクタＬ０を接続し、片側のタンク回路から非並衡にスイッチングトランジスタＺ０を導通して、インダクタＬ０に給電エネルギーを蓄え、スイッチングトランジスタＺ０をカットオフしたときに、該インダクタＬ０からバランス型増幅器給電が開始され、出力負荷抵抗Ｒ１から出力電力が立ち上がる。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅回路では、ＡＭ−ＰＭ特性（振幅−位相特性）の変動が複雑であって、十分な歪補償を行うのが困難であるという問題点があり、本発明は、ＡＭ−ＰＭ特性を改善し、歪の小さいドハティ増幅回路を提供する。
【解決手段】 互いにＡＭ−ＰＭ特性の異なる複数のドハティ増幅部を縦続接続したものであって、例えば、ＡＭ−ＰＭ特性が逆特性となるＧａＡｓＦＥＴを用いた成るドハティ増幅部２０と、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴを用いたドハティ増幅部３０とを縦続接続したものであり、それぞれのドハティ増幅部で発生する位相変化を相殺して、全体として良好なＡＭ−ＰＭ特性を実現し、歪を低減するドハティ増幅回路である。 （もっと読む）