【課題】基本波を逓倍した高次高調波を用いる発振器において、出力レベルと雑音特性を向上させることを目的としている。
【解決手段】基本波及び前記基本波の高次高調波を含む信号を生成する発振回路と、基本波の通過を阻止し、基本波の高次高調波を通過させる周波数選択回路と、を備え、周波数選択回路は、インダクタと第１キャパシタとの並列回路を含み、並列経路の共振周波数が、基本波の周波数に設定されている。 （もっと読む）

【課題】コルピッツ型発振回路を用いた電圧制御発振器において、可変容量素子の非線形歪みによる位相雑音特性の劣化を抑制することができる技術を提供すること。
【解決手段】２つのバリキャップダイオード１２、１３が設けられたコルピッツ型発振回路で構成したＶＣＯ回路において、共振部１と帰還部２の間にバリキャップダイオード１２をそのカソード側で帰還部２と接続するように設けると共に、バリキャップダイオード１２のカソードと帰還部２との間に逆電圧印加部３を接続して、バリキャップダイオード１２のカソードに制御電圧を印加している。またバリキャップダイオード１２のカソードと帰還部２との間にバイパス部４を接続して、インダクタ４０のインピーダンスを適切に調整することにより、バリキャップダイオード１２のカソードに印加される発振段トランジスタ２０のベース交流電圧の振幅を低減し、可変容量素子の非線形歪みを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数遠方の雑音を低減することが可能なディジタル制御発振装置、ならびに高周波信号処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、複数の単位容量ユニットＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］を用いて分数容量を実現する。ＣＩＵ［１］では、容量素子ＣＦＸｐ［１］，ＣＦＸｍ［１］の一端がそれぞれ発振出力ノードＯｓｃＰ，ＯｓｃＭに接続される。一方、ＣＩＵ［２］〜ＣＩＵ［ｋ］では、容量素子ＣＦＸｐ（［２］〜［ｋ］），ＣＦＸｍ（［２］〜［ｋ］）の一端が固定電圧Ｖ６に接続される。ＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］の一方の容量素子の他端は共通接続され（ＳＷＦＤ）、他方の容量素子の他端も共通接続される（ＳＷＦＳ）。そして、ＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］内の各スイッチ（ＳＷＦ１〜ＳＷＦ３）のオン・オフは共通に制御される。 （もっと読む）

【課題】位相雑音および出力が改善された電圧制御発振器および関連システムを提供する。
【解決手段】電圧制御発振器は、第１の可変静電容量素子（１２０）と、第２の可変静電容量素子（１２２）と、可変静電容量素子（１２０、１２２）間に結合され、出力ノード（１０４）において、発振信号の振動周波数において可変静電容量素子（１２０、１２２）の間にインダクタンスを提供する誘導素子（１３２）とを含む。第１の可変静電容量素子（１２０）は第１の制御電圧ノード（１１０）および出力ノード（１０４）の間に結合され、第２の可変静電容量素子（１２２）は第１の制御電圧ノード（１１０）に結合され、第２の誘導素子（１３４）は第２の可変静電容量素子（１２２）および第２の制御電圧ノード（１１２）の間に結合される。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音を軽減すると共に、起動時の発振の成長を妨げず、温度や経時変化の影響を受けにくくして安定した出力を得ることができる発振回路を提供する。
【解決手段】 水晶振動子Ｘ１の一端が発振用トランジスタＴｒ１のベースに接続されると共に他端が接地され、直列接続のコンデンサＣｂ１，Ｃｂ２が水晶振動子Ｘ１に並列に接続されたコルピッツ発振回路において、発振用トランジスタＴｒ１のベースの前段に、水晶振動子Ｘ１の発振周波数を狭帯域化するフィルタＸｆを挿入した発振回路であり、また、フィルタＸｆの前段にバッファ用トランジスタＴｒ２を備えた発振回路である。 （もっと読む）

【課題】良好な位相雑音特性を有し、かつ広帯域な発振周波数範囲を有する電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器１は、電源と、少なくとも３つのポート１０ａ〜１０ｄを備えるインダクタ１１と、少なくとも３つのポートから選択される異なるポート対にそれぞれ接続される少なくとも２つの負性抵抗回路１２及び１４と、を有し、インダクタは、少なくとも２つの負性抵抗回路に接続されるポート対の間でそれぞれインダクタとして動作可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】増幅用のトランジスタに帰還容量成分Ｃ１及び結合容量成分Ｃ２の直列回路を接続したコルピッツ発振回路を用いた電圧制御発振器において、部品点数の削減に寄与できる技術を提供すること。
【解決手段】トランジスタ２１のベースに接続された第１の伝送線路４１とトランジスタ２１のエミッタとアースとの間に接続された第２の伝送線路４２と、を備え、第１の伝送線路４１及び第２の伝送線路４２を互いに接近させて両者の間に線路間容量成分を形成する。この線路間容量成分を前記帰還容量成分Ｃ１として利用すると共に第２の伝送線路４２とアースとの間に形成される寄生容量成分を前記結合容量成分Ｃ２として利用する （もっと読む）

【課題】５ＧＨｚ以上の周波数帯域で出力周波数を調整するコルピッツ回路を用いた電圧制御発振器において、出力周波数の可変幅（調整幅）の劣化（低下）を抑えると共に、位相雑音の良好な特性を持つ電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】可変周波数帯域内における周波数ｆに対応する波長をλとすると、共振部１のバリキャップダイオード１３とトランジスタ２１のベース端子との間に直列となるように、線路長Ｄがλ／４で且つ特性インピーダンスが１０Ω以下の伝送線路６を配置して、トランジスタ２１のベース端子からバリキャップダイオード１３側を見た時に、当該バリキャップダイオード１３と伝送線路６とがいわば可変インダクタンス素子Ｌと等価になるようにする。 （もっと読む）

【課題】設計および製造が容易で、装置のサイズが小さい帰還型発振装置を提供すること。
【解決手段】帰還型発振装置１において、入力端子から入力された信号を増幅して出力端子から出力するバイポーラトランジスタ１０と、マイクロストリップラインによって構成され、バイポーラトランジスタの出力端子と入力端子とを結合して出力端子から入力端子に所定の周波数の信号を帰還してバイポーラトランジスタを発振させる結合回路１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】無駄な電力消費やノイズの悪影響等を抑制できる回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】回路装置は発振回路１０とバッファー回路２０を含む。バッファー回路２０は、プリバッファーＰＢＦと第１、第２の出力バッファーＱＢＦ１、ＱＢＦ２を含む。第１のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１が動作イネーブル状態に設定され、第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作ディスエーブル状態に設定される。第２のモードでは、第１の出力バッファーＱＢＦ１及び第２の出力バッファーＱＢＦ２が動作イネーブル状態に設定される。第１のモードでは、プリバッファーＰＢＦの駆動能力が、第２のモードに比べて低い駆動能力に設定される。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振器の制御利得を発振周波数に対して比較的一定に維持し、位相ノイズを低減したプログラマブルバラクタ装置を提供する。
【解決手段】プログラマブルバラクタ装置１００は、複数のデジタルバラクタビットＢ０、Ｂ１、Ｂ２によって制御される複数のバイナリ重み付けバラクタ１０４，１０６，１０８を含み得る。プログラマブルバラクタ装置は、複数のバイナリ重み付けバラクタと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとする制御とを含み得る。プログラマブルバラクタ装置の実効容量を変化させる方法は、複数のバイナリ重み付けバラクタを設けることと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとすることとを含み得る。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音を劣化させずに２倍波の出力電力を増加できる高周波発振器を得る。
【解決手段】 第１から第３の端子を有する能動素子と、前記第１と第２の端子にそれぞれ接続され、所要の周波数において誘導性となる第１と第２のリアクタンス回路と、前記第３の端子に接続され、前記所要の周波数において容量性となる第３のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数の２倍の周波数においてインピーダンスがショートとなる第４のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数におけるリアクタンスが、前記所要の周波数における前記第４のリアクタンス回路のリアクタンスと絶対値が等しく符号が逆となる第５のリアクタンス回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】、数百メガヘルツの発振周波数を有する発振信号を出力する場合において、半導体集積回路内に設けられた他の回路の特性劣化を抑制することができる発振回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の内部に設けられた内部キャパシタと、半導体集積回路の外部に設けられた外部キャパシタ及び外部インダクタとからなる共振回路と、共振回路に入力端及び出力端が接続された増幅回路と、を有し、共振回路は、内部キャパシタ、外部インダクタ、並びに内部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなる第１閉回路と、外部キャパシタ、外部インダクタ、並びに外部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなり、第１閉回路の配線抵抗よりも小なる配線抵抗を有する第２閉回路と、を有することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】位相ずれを確認する技術を提供する。
【解決手段】プッシュ・プッシュ発振回路１００は、相互に逆位相で動作する、２つの発振器１、２と、２つの発振器１、２から出力された第1出力信号を合成する合成器１０１と、合成器１０１から出力された第２出力信号に含まれる第１出力信号の基本波を監視するための基本波監視回路１０２と、を備えている。即ち、基本波監視回路１０２を用いることで、合成器１０１から出力された第２出力信号に含まれる第１出力信号の基本波を確認することができる。第１出力信号の基本波を確認することで、合成器１０１に入力された２つの第１出力信号が逆位相であったか確認することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数、特に１００ＧＨｚ以上のテラヘルツ帯において共振特性を良好とする新規なアンテナ及びそれを用いた発振器を提供する。
【解決手段】スロットアンテナは、スロットアンテナ本体２となる空隙と、この空隙に対して十字となるように空隙の長手方向に対して垂直方向に一つ以上設けたスリットリフレクタ部３となる空隙とが、導電性平板５に形成されて成り、所望されるインピーダンス又はアドミタンスの周波数特性が得られるようにスリットリフレクタ部３の配置場所、長さ及び幅が定められている。 （もっと読む）

【課題】小型で周波数特性の良好な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器（ＶＣＯ）の共振部１は、共振周波数の調整を行うために静電容量が変化する可変容量素子１３、１４と、インダクタンス素子１１と、を含み、エミッタ接地型のトランジスタ２１はこの共振部１からベース端子Ｔ１に入力された周波数信号を増幅する。帰還部２は帰還用の容量素子２２、２３を含み、前記トランジスタ２１のエミッタ端子Ｔ２から出力された周波数信号を、前記ベース端子Ｔ１を介してトランジスタ２１に帰還させる。そして前記ベース端子Ｔ１に印加されるバイアス電圧を調整するためのベース・ブリーダ抵抗Ｒ２、Ｒ３及びトランジスタ２１が共通の集積回路３内に形成され、トランジスタ２１の動作点を調整するためにエミッタ抵抗Ｒ１はこの集積回路３外に別体の抵抗素子として設けられる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数を決定する容量値の変化に伴う発振周波数の変動を抑え、且つ、位相雑音を低減することのできる発振装置を提供する。
【解決手段】発振装置は、ドレイン接地回路からなる第１増幅回路１０と、第１増幅回路１０の出力を増幅する、ゲート接地回路からなる第２増幅回路２０と、第２増幅回路２０の出力を第１増幅回路の入力に帰還させるコンデンサＣ１と、第１増幅回路１０の入力側に設けられた共振器２と、共振器２及び第１増幅回路１０内のトランジスタＱ１に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路１２と、第２増幅回路２０内のトランジスタＱ２に動作用のバイアス電圧を印加するバイアス回路２２とから構成される。この結果、位相雑音の発生を、単一のトランジスタからなるコルピッツ発振回路と同程度に抑えつつ、容量変化によって発振を起動できなくなったり、発振周波数が変動するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】外部磁界からの影響を防止しつつ、小型化及び軽量化を図ると共に、耐振動及び耐衝撃性を向上させた静磁波発振装置を提供する。
【解決手段】静磁波素子を用いて所望の発振周波数を得る静磁波発振装置１であって、静磁波発振装置本体２の周囲に強磁性体３３ａ，３３ｂと振動を吸収可能な非磁性体３２ａ，３２ｂ，３２ｃとを交互に積層させると共に、該非磁性体３２ａ，３２ｂ，３２ｃが吸収可能な振動周波数を層によって相違させる。 （もっと読む）