説明

Fターム[5J081KK07]の内容

LC分布定数、CR発振器 (9,854) | 制御手段及び要因 (1,418) | 一次要因 (534) | 容量 (335)

Fターム[5J081KK07]の下位に属するFターム

Fターム[5J081KK07]に分類される特許

61 - 80 / 100


【課題】聴取装置のLC共振回路を所望の周波数範囲で持続的に作動させる。
【解決手段】発振器L、Cresと発振器の発振周波数をトリミングするためのトリミング装置11、12とを有する聴取装置において、予め与えられた目標値に依存してトリミング装置11、12を用い発振器の発振周波数を自動的に調節するための調節装置17、18、19を有する。 (もっと読む)


【課題】シングル・チャンネルの抵抗・容量可変RC発振器を提供する。
【解決手段】抵抗・容量可変RC発振器は、発振器の入力端に設置される抵抗・容量選択スイッチと、抵抗出力端と、容量出力端と、第1端が抵抗・容量選択スイッチに接続されて、第2端が抵抗出力端にフローティングする少なくとも一つの抵抗スイッチと、第1端が抵抗・容量選択スイッチに接続されて、第2端が容量出力端にフローティングする少なくとも一つの容量スイッチと、を備えてなるものであり、抵抗・容量選択スイッチによって、どの抵抗スイッチの第2端を抵抗出力端に接続する、及びどの容量スイッチの第2端を容量出力端に接続するかを選択して、抵抗出力端と容量出力端に異なる組み合わせの抵抗・容量出力値を発生させる。 (もっと読む)


【課題】可変周波数範囲を大きくするために設けたコンデンサがフローティング状態になることを防止して、発振周波数近傍の位相ノイズの悪化を改善できるようにする。
【解決手段】可変周波数範囲を大きくするために設けた並列コンデンサC3に対して並列に第2のスイッチングトランジスタP1を設け、周波数切り替えのために並列コンデンサC3に対して直列に接続された第1のスイッチングトランジスタN2がオフにされたときに、第2のスイッチングトランジスタP1がオンとなるようにすることにより、第1のスイッチングトランジスタN2がオフにされたときは、第2のスイッチングトランジスタP1のパスによって短絡されるようにして、並列コンデンサC3がフローティング状態になることを防ぐことができるようにする。 (もっと読む)


【課題】可変周波数範囲の広域化を可能にしつつ高い位相雑音特性を備えるVCO回路を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、VCO回路100に、バッファ回路B11、P型MOSトランジスタQ11及びキャパシタC11からなるバイアス回路101と、アンプA11と、インダクタL11、可変キャパシタC12、及びスイッチ付きキャパシタC13、C14、・・・からなる共振回路102と、を備える。 (もっと読む)


本発明は、電圧制御発振器(VCO)に関し、高温センサ送受信機でのVCOの使用に関する。このVCOは、電圧入力と、その電圧入力に応じた発振周波数とを有する。このVCOは、持続発振を可能にする利得をもたらすトランジスタを含む。このトランジスタはまた、入力電圧に応じて変化する容量を有する。高温センサには、センサ出力信号を無線送信するためにVCOに動作可能に結合された高温センサを含む。 (もっと読む)


【課題】オシレータの振動周波数の調節を可能とさせ、それにより効率的な態様で且つ顕著なダンピング無しで振動周波数の選択的変更を達成する。
【解決手段】オシレータの振動周波数の調節、特に回路装置によるPLLオシレータのデジタル粗調節に関するものである。回路装置は少なくとも一対のコンデンサ(C,C′)を有しており、その第一端子はオシレータと接続しており、且つ第二端子は、コンデンサ対(C,C′)をオシレータの振動回路内に組込むためにスイッチング装置によって第一基準電位(vss)と選択的に接続させることが可能である。尚、回路装置は、第一基準電位(vss)との該第二端子の選択的接続のための第一FETs(T1,T1′)、互いに第二端子を接続するための第二FET(T2)、及び第一基準電位(vss)とは異なる第二基準電位(vdd)との第二端子の夫々の接続のための第三FETs(T3,T3′)を有している。 (もっと読む)


【課題】超低電力RC発振器を提供する。
【解決手段】超低電力RC発振器は、電流源311と、所定の割合で組み合わせて構成された可変抵抗とを含み、前記可変抵抗により電流の大きさを調節する電流発生部310と、前記電流発生部が安定に電流を発生させ得るように一定のバイアス動作点に固定させるスタートアップ回路部340と、可変キャパシタと複数のトランジスタとを含み、前記電流発生部に発生した電流及び前記複数のトランジスタを利用して、前記可変キャパシタを充放電させる充放電回路部320と、複数のインバータを含み、前記可変抵抗の抵抗値及び前記可変キャパシタのキャパシタンス値により周波数が決定される発振信号を出力する発振信号出力部330と、前記電流発生部からの電流をミラーリングした電流を前記複数のインバータの駆動電源として提供するインバータ駆動電源部350とを含む。 (もっと読む)


【課題】電圧制御発振回路、及び、その調整方法に関し、制御電圧に対する周波数の変化量を精度よく調整できる電圧制御発振回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、制御電圧に応じて容量成分が制御される可変容量素子と、可変容量素子に直列に接続された直列容量素子と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続された並列容量素子と、可変容量素子と直列容量素子とから構成される直列回路に並列に接続され、誘導成分を構成する誘導素子とを有する電圧制御発振回路において、直列容量素子及び並列容量素子は、各々その容量成分を切り換え可能な構成されており、直列容量素子の容量成分及び並列容量素子の容量成分を切り換えることにより、制御電圧に対する発振周波数の変化量が調整されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのLC共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のLC共振回路が、インダクタL1、第1の微調容量と第1の容量バンクからなる並列回路と、第2の微調容量と第2の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第1の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第1の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第2の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第2の微調容量による周波数変換利得の和となる。 (もっと読む)


【課題】1つのICで効率良く、搭載されるセットの仕様や周波数に対応できる水晶発振器を提供する。
【解決手段】発振器1の出力側を、出力側が第1の抵抗7に接続されたインバータ2の入力側と第2の抵抗8の一端とに接続し、第1の抵抗7の他端を第1の容量9の一端と第1のトランジスタ3の入力側とに接続し、第1の容量9の他端を第1のスイッチ11の一端に接続し、第1のスイッチ11の他端を接地し、前記第2の抵抗8の他端を第2の容量10の一端と第2のトランジスタ4の入力側とに接続し、第2の容量10の他端を第2のスイッチ12の一端に接続し、第2のスイッチ12の他端を接地し、第1のトランジスタ3の出力側と第2のトランジスタ4の出力側とを発振出力端子5に接続し、第1のスイッチ11と第2のスイッチ12とを記憶装置13にて制御する。 (もっと読む)


【課題】広帯域の周波数帯で発振可能で、所望の周波数帯域への切替え機能を有する周波数可変シンセサイザを提供する。
【解決手段】負性抵抗を発生する能動素子部3の動作と周波数切替え制御信号とにより可変共振器2で可変の共振周波数で発振した信号を、分周比制御信号により可変分周器8で可変に分周して出力信号端子6Aから出力する。可変共振器2は、1ないし複数のインダクタとキャパシタとスイッチ素子とからなり、スイッチ素子を切替えることにより可変の共振周波数で発振する。可変分周器8は、可変共振器2の共振周波数の(1/i)、(1/2i)、(1/2)またはそれらの組み合わせで分周した周波数を出力する。インダクタに厚膜の配線金属層、裏面研磨の基板、基板から浮かした配線層のいずれかを、また、スイッチ素子にMEMSスイッチ、機械的切替え形スイッチ、FETスイッチ、ダイオードスイッチのいずれかを使用する。 (もっと読む)


【課題】共振器型発振器のQ値などの特性を高く維持させた設計をより容易に行えるようにする技術を提供する。
【解決手段】静電容量Caの2n倍(nは0〜5までの整数)となっている計6個)のコンデンサ211a〜fが並列に接続され、それらコンデンサ211a〜fにはスイッチ212a〜fがそれぞれ直列に接続されている。コンデンサ211a〜fは、静電容量が大きいものほど、インダクタと接続させる配線402の長さが短い位置に配置されている。それにより、出力する信号の周波数が低くなるほど、配線402の抵抗がQ値に及ぼす影響を低減させる。 (もっと読む)


【課題】モノリシック集積可能なMEMS型インダクタを実現する。
【解決手段】インダクタ102は、受動自己組立て手段を含む少なくとも2個の導電性サポート110,114によって、1巻回以上が基板100の上方に懸垂された導電性ループ104からなる。一実施例では、受動自己組立て手段は、導電性サポート110,114上に設けられた高レベルの固有応力を有する層を含む。応力層は、導電性サポート110,114の構造層(例えばポリシリコン)の上に堆積される。インダクタ102のサポートなどの構造が、ある犠牲層を除去することによって製造プロセス中に「解放」されると、応力層が収縮して残留歪みを小さくする。その結果、導電性ループが付属するサポートの自由端に上向きの力がかかる。結果として、サポートおよびループが、基板100から離れて持ち上がる。 (もっと読む)


【課題】発振振幅を小さく設定でき、特性の合し込みを容易にできる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本発明における電圧制御発振器は、発振周波数制御電圧S35に応じ、発振信号S103の周波数を変更する電圧制御発振器103であって、差動増幅型のトランジスタ対を有し、前記トランジスタ対から発振信号S103を出力する差動増幅型発振器50と、前記トランジスタ対に接続され、発振周波数制御電圧S35に応じ、等価容量を変更する発振周波数制御回路51とを備え、前記トランジスタ対を構成するトランジスタQ1およびQ2は、出力電流が実質的に変化しない領域で動作するように構成される。 (もっと読む)


【課題】標準的な半導体集積回路の製造プロセスで製造可能であり、LCタンク回路のチューナブル容量(バラクタ)として高耐圧デバイスを不要とし、かつノイズ特性の良好な電圧制御発振回路と半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】電圧制御発振回路VCOは、発振トランジスタ1_1、1_2を含む。VCOの発振周波数制御回路2は、発振制御電圧VTUNEが印加される複数の単位制御回路2_1、2_2…2_Nを含む。ひとつの単位制御回路は、電界効果トランジスタMN1と第1と第2の容量C1、C2とを含む。複数の単位制御回路の複数の電界効果トランジスタMN1は、発振制御電圧VTUNEの異なるレベルでターンオンする。発振周波数変化ゲインKvは適切な値となる。 (もっと読む)


【課題】発振を安定させながら、周波数可変範囲を拡大することができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】発振用トランジスタQ1のコレクタとエミッタとの間にコンデンサC2を設け、発振用トランジスタQ1のベースに結合されたコイルL1を設けた電圧制御発振器1aであって、発振用トランジスタQ1のベースとエミッタとの間に、発振用トランジスタQ1のベースに対してコイルL1と並列に配置される可変容量ダイオードD2を設けた。 (もっと読む)


【課題】 広帯域発振周波数を得る。
【解決手段】 バイポーラトランジスタQ1のベースをバイポーラトランジスタQ2のコレクタに接続する。バイポーラトランジスタQ2のベースをバイポーラトランジスタQ1のコレクタに接続する。Q1と電源間に抵抗R1、Q2と電源間に抵抗R2を接続する。バイポーラトランジスタQ1、Q2のエミッタ間にキャパシタC1、C2,インダクタL1を直列に接続する。C1,C2のキャパシタ値を変えることで広帯域発振周波数範囲を得る。発振周波数範囲は抵抗R1,R2を調節することで、変えることができる。Cv1,Cv2は可変キャパシタで、VCP電圧によりキャパシタ値を変える。 (もっと読む)


【課題】広帯域に亘って容量値が可変で、小型、低コストの可変容量素子を提供する。
【解決手段】シリコン基板1と、シリコン基板上に形成された当該シリコン基板とは異なる導電型の第1ウェル層2と、第1ウェル層上に形成された当該第1ウェル層とは異なる導電型の第2ウェル層3と、第2ウェル層上に形成されたゲート酸化膜4と、ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極5とを備える。ゲート電極と第2ウェル層間の電位差に応じて容量値が可変であるとともに、第2ウェル層と第1ウェル層間の電位差に応じて容量値が可変である。 (もっと読む)


【課題】 トリミングを行わずに電圧制御発振回路の発振周波数を調整すること。制御回路の面積を抑え、調整誤差の少ない発振回路を内蔵した半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】 電圧制御発振回路(VCO)の周波数を調整する可変容量素子を、プロセスや素子のばらつき調整用可変容量素子群と、周波数選択用可変容量素子群との2系統に分離して調整を行い、可変容量素子の切り替えスイッチの数と回路面積の増大を小さくする。調整誤差については、調整期待値との差分を記憶素子で記憶し、その差分値が最小となる容量素子値を求めることにより影響を最小限に押さえることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】2個以上の値の間で切替え可能なインダクタンス値を有する可変集積インダクタについて記載する。
【解決手段】好適な実施形態において、可変集積インダクタは、一対の2次インダクタに電磁結合されたマルチループ1次インダクタを含んでいる。2次インダクタは互いに接続されて閉回路を形成しており、その内部で2次インダクタは、マルチループ1次インダクタにより出力されるインダクタンス値を変化させるように直列接続と並列接続との間で切替え可能な可変トポロジを有している。一応用例において、可変集積インダクタは、マルチバンドRF無線トランシーバ(例えば、無線通信装置)で使用可能な種類である電圧制御発振器(VCO)内で用いられる。他の応用例において、可変集積インダクタは、同調増幅器負荷、インピーダンス整合ネットワーク、デジタル制御発振器、または他の任意の種類の周波数選択LCネットワークに利用可能である。 (もっと読む)


61 - 80 / 100