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Fターム[5J097AA13]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 目的又は効果 (3,383) | 所望の周波数特性 (693)

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【課題】周波数温度特性を改善し得るだけでなく、製造工程の簡略化を果たすことができ、かつコストを低減することが可能な弾性表面波フィルタ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板2上にIDT電極7b及び第1の配線パターン11を形成し、IDT電極7b及び第1の配線パターン11を覆うように絶縁膜10を形成し、IDT電極7bが形成されている部分上及び第1の配線パターン11の一部上に絶縁膜が残るように絶縁膜10をエッチングし、さらに第1の配線パターン11上に絶縁膜10が残存している部分において、第1の配線パターン11と接触しないように、第1の配線パターン11と異なる電位に接続される第2の配線パターン12を形成する各工程を備える弾性表面波装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】インターディジタル電極2の表層部に形成する陽極酸化膜を、該陽極酸化膜の絶縁性と弾性表面波素子の素子特性を両立させることが出来る膜厚に形成し、且つインターディジタル電極2によって励起される弾性表面波の周波数を、所望の周波数に調整することが出来る弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】インターディジタル電極2の陽極酸化処理工程において、電解液4中で陰極部材5とインターディジタル電極2の間を流れる電流の密度を制御することにより、圧電基板1に励起されることとなる弾性表面波の周波数を調整する。 (もっと読む)


【課題】信号のレベルを低下させることなくジッタを低減させるジッタ低減回路およびこれを用いた信号伝送装置を提供する。
【解決手段】ジッタ低減回路10は、入力した信号の信号成分を通過させる第1帯域フィルタ12と、前記第1帯域フィルタ12から出力された前記信号を増幅する増幅器14と、前記第1帯域フィルタ12よりも広い通過帯域幅を有し、前記増幅器14から出力された前記信号の信号成分を通過させる第2帯域フィルタ16とを備えた構成である。 (もっと読む)


【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をSH波としたSAWデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板12上にIDT14と反射器22(22a,22b)とを有するSAW素子片10を備える。前記圧電基板12は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向を正として−62°≦θ≦−51°の範囲に設定し、且つ、SAWの伝播方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、前記IDT14を含む励振電極がW又はWを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するSAW共振子100では、励振するSAWの波長をλ、励振電極の膜厚をH、IDTを構成する電極指のライン占有率をmrとした時に、基準化膜厚H/λとライン占有率mrとの積を、0.001≦H/λ・mr<0.027の範囲内となるように定める。 (もっと読む)


【課題】クロック信号に生じるジッタを解消した信号伝送装置を提供する。
【解決手段】信号伝送装置10は、データ信号の送信部24を備えた送信側ICチップ22と、前記データ信号の受信部52を備えた受信側ICチップ50とを有し、前記送信部24と前記受信部52とをデータ信号伝送ライン40で接続し、クロック信号を前記送信部24に出力する発振器26を前記送信側ICチップ22に接続し、前記発振器26から出力された前記クロック信号を前記受信部52に導くクロック信号伝送ライン42を設け、前記クロック信号伝送ライン42にSAWフィルタ44を設けた構成である。 (もっと読む)


【課題】 小型化が可能、または、設計の自由度を向上させることが可能なフィルタおよびアンテナ分波器を提供すること。
【解決手段】 本発明は、第1の共振子と、第1の共振子より励起効率を低減させた第2の共振子(S31)と、第2の共振子(S31)と並列に接続されるインダクタ(L31)と、を具備することを特徴とするフィルタ、アンテナ分波器および分波器である。本発明によれば、減衰特性を改善するため共振子に付加するインダクタンスを小さくでき、実装面積を削減できる。または、2つの反共振点を任意に設定できる。 (もっと読む)


【課題】 FSK通信を行う際に、周波数帯の切り替えに伴う出力位相の不連続が生じ無いSAW共振子を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成するためのSAW共振子100は、圧電基板12における弾性表面波の伝播方向に沿って設けた一対の櫛型電極20aa,20abからなるIDT16aと、前記IDT16aに対して並列に配置した一対の櫛型電極20ba,20bbからなるIDT16bと、前記IDT16aの櫛型電極20aa,20abと前記IDT16bの櫛型電極20ba,bbとを相互に切り替え接続する切替手段60を有し、前記IDT16aの電極指24の交差部の幅a1と、前記IDT16bの電極指24の交差部の幅a2と、各IDT16a,16bの交差部間の距離bとの和をBとしたときに、Bを7λ≦B≦33λの範囲に設定することを特徴とする(但し、λは弾性表面波の波長)。 (もっと読む)


簡潔に言えば、本発明の一実施形態によれば、電気機械的共振器等の共振器(110)は相殺ネットワーク(112)と結合されることにより、例えば共振器に固有の静電容量(210)に起因する可能性のある共振器(110)における反共振効果を低減及び/又は相殺する。共振器応答からの反共振効果の相殺により、共振器(110)の共振効果を、共振器(110)が、例えばデジタルRF受信機(800)に用いられてもよい帯域通過シグマ−デルタ変調器(526)において比較的高いQを有する帯域通過フィルタとして利用されることを可能にする、支配的な効果にすることができる。
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HFフィルタが提案され、このHFフィルタは、直列共振器(S1)及び少なくとも2つのそれぞれ並列分岐路に配置された並列共振器(P1、P2)を有する第1の部分フィルタ(TF1)を有し、DMSフィルタとして形成された第2の部分フィルタ(TF2)を有し、ベースプレート上にいくつかの内部ハウジング接点(GKi)を有するハウジングを有し、このベースプレートは基板(SU)上の端子面に接続されており、これに比べて少数の外部ハウジング接点(GKa)を有し、これらの外部ハウジング接点はベースプレート内部に導かれる線路(DL1、DL2)を介して内部ハウジング接点(GKi)に接続されており、第1の並列共振器(P1)及び第2の部分フィルタ(TF2)のアース端子のためのベースプレート内に又はベースプレート上に互いに別個に導かれた少なくとも2つの線路を有し、これらの線路は少なくとも2つ異なる外部ハウジング接点(E2、E4)に接続されている。
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【課題】無線通信機器へ実装した後において、無線通信機器のケースなどによる減衰特性の影響を受けない高周波フィルタ部品を提供する。
【解決手段】圧電基板30の一面には、弾性表面波素子が形成され、回路基板20の表面にフェースダウン実装される。圧電基板30の、弾性表面波素子のIDT電極等が形成された面とは反対の面に導体膜34が形成され、前記導体膜34は、回路基板20に設けられた接地用の導体パッド42にワイヤ31で接続されている。 (もっと読む)


【課題】デュプレクサの受信用帯域通過フィルタの設計変更を最小限に留めた良好な減衰特性の高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高周波モジュールは、弾性表面波素子における複数の並列共振用励振電極のうち、回路上最も出力に近い並列共振用励振電極の一端を単独接地用端子に接続するとともに、その他の並列共振用励振電極の一端をリング状接地用端子に接続し、単独接地用端子およびリング状接地用端子をそれぞれ独立にインダクタンス成分を介して誘電体基板の裏面に形成されたグランドパターンに接続してなり、単独接地用端子とグランドパターンとの間に介在させるインダクタンス成分を、誘電体基板の表面に実装したチップインダクタで構成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波素子において、挿入損失を増大させずに通過帯域外の周波数領域における減衰量を拡大する。
【解決手段】複数の単構成素子からなり、単構成素子は、直列腕17に配置された第1の弾性表面波共振器21と、第1の弾性表面波共振器21の入力端子側の並列腕19および出力端子側の並列腕19にそれぞれ接続され、第1の弾性表面波共振器21の共振周波数と一致する反共振周波数を有する第2の弾性表面波共振器22および第3の弾性表面波共振器23と、第2の弾性表面波共振器22および第3の弾性表面波共振器23の基準電位端子側を相互に接続した接続点Pと基準電位端子18との間に配置された第1のインダクタンス素子24とを備え、第1、第2、第3の弾性表面波共振器21,22,23の容量および第1のインダクタンス素子24によって形成された共振周波数が相互に一致している。 (もっと読む)


電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料(例えば、圧電材料)(132)を基板材料(104)の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料(140)を適用するステップとを含む。電極材料(140)の少なくとも1つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される(244)。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも1つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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【課題】 通過帯域での帯域幅を確保して帯域通過フィルタの損入損失を低減し、かつ通過帯域以外の阻止域での帯域外減衰量を増大する。
【解決手段】 フィルタ回路は、複数の周波数帯域の信号が入力可能な入力ポートINと、それぞれが異なる周波数帯域の信号を出力可能な複数の出力ポートOUTa,OUTb,OUTcと、これら出力ポートに接続される複数の帯域通過フィルタ1a,1b,1cと、これら帯域通過フィルタと入力ポートINとの間に接続される複数の帯域阻止フィルタ2a,2b,2cと、これら帯域阻止フィルタの入力インピーダンスを可変制御する制御部3と、を備えている。互いに通過帯域が異なる複数の帯域通過フィルタの前段に複数の帯域阻止フィルタ4a,4b,4cを接続し、信号を通過させる帯域通過フィルタの通過帯域に合わせて、帯域阻止フィルタのインピーダンスを可変制御するため、所望の周波数帯域の信号のみを出力ポートから取り出すことができ、かつ帯域外減衰量も増大でき、信号の選択性が非常によくなる。 (もっと読む)


【課題】 材料の熱膨張係数の差によって生ずる基板の反りに起因した弾性表面波素子の周波数ずれを調整する、弾性表面波素子および弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板2と、半導体基板2上に形成された圧電薄膜3と、圧電薄膜3上に形成されたIDT電極4と、半導体基板2の裏面に形成され、その厚み方向に分極されたPZT薄膜6と、を少なくとも備え、PZT薄膜6にDCバイアス電圧を印加するDCバイアス回路7を具備し、PZT薄膜6にDCバイアス電圧を印加することにより弾性表面波素子1の反りを矯正し、IDT電極4の電極間距離Pを変化させることで所望の共振周波数に調整する。 (もっと読む)


【課題】電極寸法の製造偏差による周波数偏差が小さいAlを主成分とした電極を用い、反射特性に優れ製品の小型化を図ることが可能であり、電気機械結合係数が大きく、かつ、温度に対する周波数変動が小さい弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】水晶基板2の表面の切り出し角および伝搬方向が、オイラー角(0°、135〜186°、90±2°)の範囲になるように設定されるとともに、規格化電極膜厚h/λは0.082〜0.150に設定し、SH型表面波を励振する。 (もっと読む)


【課題】 低インピーダンスで広帯域が得られる小型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 弾性表面波フィルタ10は、圧電基板12上に、すだれ状電極20からなる入力電極16と出力電極18とを配設し、前記入力電極16および前記出力電極18を挟み込む位置に反射器30を配設した共振子フィルタ14を2組並列接続してなる弾性表面波フィルタ10であって、前記すだれ状電極20および前記反射器30の電極指22,32は、斜めに折り曲げられた接続部24,34と、前記接続部24,34の両端に接続された直線部26,36とを有し、第1の前記共振子フィルタ14aで得られる通過帯域と、第2の前記共振子フィルタ14bで得られる通過帯域との一部を重ね合わせるとともに、第1の前記共振子フィルタ14aで励起される弾性表面波と、第2の前記共振子フィルタ14bで励起される弾性表面波との位相差を180度としてなる構成である。 (もっと読む)


本発明は、無指向性の弾性波反射器(32)上の圧電膜(41)と、圧電膜の表面上に設けてあり、弾性波鏡の禁制帯内の波を励振すべく用いられる励振及び/又は受容手段(43, 44)とを備える弾性波装置に関する。
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【課題】 高周波化を可能とし、周波数温度特性が優れ、且つ、製造コストを低減できるラム波型高周波共振子を提供する。
【解決手段】 ラム波型高周波共振子1は、水晶基板10の一方の主面にラム波を励振させるための櫛歯状のIDT電極20を備えたラム波型高周波共振子であって、前記水晶基板10の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で(0、θ、0)になるようにIDT電極20が形成され、水晶基板10の厚みtと、波長λとの関係が、0<t/λ≦3で表される範囲内に設定され、この範囲において6つの領域が設定され、そのうちの第1領域では、角度θが132.8度≦θ≦178度、t/λが1.1≦t/λ≦3の範囲に設定されている。 (もっと読む)


【課題】 優れた周波数特性と通過特性を有する弾性表面波素子、及びこの弾性表面波素
子の製造方法を提供する。
【解決手段】 弾性表面波素子10は、半導体基板(Si層50)の同一平面上に半導体
配線領域20とSAW領域30が並列して形成されている弾性表面波素子10であって、
ウエハ1に弾性表面波素子10を格子状に配列すると共に、隣接する弾性表面波素子10
に形成される半導体配線領域20を市松模様状に配列し、半導体配線領域20とSAW領
域30の上面に渡って同一平面の絶縁層71〜74を形成し、最上層の絶縁層74の表面
に圧電体層90を形成し、SAW領域30の圧電体層90の表面にIDT40を形成する。 (もっと読む)


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