【課題】低ノイズ係数（ＮＦ）、高利得、及び低電流消費と共に、非常に高い三次入力インターセプトポイント（ＩＩＰ３）を有する低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）を提供する。
【解決手段】修正された微分重ね合わせ（ＤＳ）低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）２２２は、メイン電流経路３２０とキャンセル電流経路３２２を含む。キャンセル経路の三次歪みは、メイン経路の三次歪みをキャンセルするために使用される。新規な一側面では、分離されたソース・ディジェネレーション・インダクタ３０６，３０８が、２つの電流経路の各々につきあり、これにより他方の電流経路に影響を与えることなく、一方の電流経路の調整を容易にする。第３の新規な側面では、キャンセル電流経路及び／またはデブースト電流経路がプログラマブルにディセーブルとされて、高線形性を求めない動作モードにおいて電力消費を低減し、ノイズ量を改善する。 （もっと読む）

【課題】高利得、及び低電流消費と共に、非常に高い三次入力インターセプトポイント（ＩＩＰ３）を有するＬＮＡを提供する。
【解決手段】ＬＮＡ２２２は、メイン電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）３０２、キャンセルＦＥＴ３０４、第１ソース・ディジェネレーション・インダクタ３０６、第２ソース・ディジェネレーション・インダクタ３０８、カスコード・トランジスタ３１０、及びＬＮＡ負荷３１２を含む。ＬＮＡ負荷３１２は、並列に結合されたインダクタ３１４及びキャパシタ３１６を含むＬＣタンク回路である。 （もっと読む）

【課題】高線形性と低歪みの増幅器を提供する。
【解決手段】修正された微分重ね合わせ低ノイズ増幅器は、メイン電流経路とキャンセル電流経路を含む。キャンセル経路の三次歪みは、メイン経路の三次歪みをキャンセルするために使用される。新規な一側面では、分離されたソース・ディジェネレーション・インダクタが、２つの電流経路の各々につきあり、これにより他方の電流経路に影響を与えることなく、一方の電流経路の調整を容易にする。第２の新規な側面では、ＬＮＡ負荷を通過しないデブースト電流経路が設けられる。デブースト電流は、ヘッドルームの問題を生じさせることなく、ネガティブ・フィードバックを増加させる。第３の新規な側面では、キャンセル電流経路及び／またはデブースト電流経路がプログラマブルにディセーブルとされて、高線形性を求めない動作モードにおいて電力消費を低減し、ノイズ量を改善する。 （もっと読む）

【課題】ＡＭ−ＰＭ変換をキャンセルしつつ、ＡＭ−ＰＭ歪みの影響を低減することが可能な電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、ＲＦ入力信号の位相を変化させて第１の信号を出力し、且つ、その移相量が可変である可変移相回路を備える。電力増幅回路は、所定の電流が流れるようにゲートに電圧が印加された第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタを備える。電力増幅回路は、一端が第１のＭＯＳトランジスタの他端に接続され、他端が第２の電位に接続され、ゲートに第１の信号に応じたドライブ信号が入力された第１導電型の第２のＭＯＳトランジスタを備える。電力増幅回路は、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタとの間の第２の信号の平均値を直接的又は間接的に検出し、平均値に応じた検出信号を出力する検出回路を備える。電力増幅回路は、可変移相回路の移相量を制御する制御信号を生成する制御信号生成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】歪の発生を少なくする。
【解決手段】入力信号（ＩＮ）を受ける初段増幅回路（ＰＲＥＡ）と、ゲートに初段増幅回路（ＰＲＥＡ）の出力信号を受けるソース接地の第１のトランジスタ（Ｔｒ１）と、ソースを第１のトランジスタ（Ｔｒ１）のドレインに接続し、ドレインから出力信号（ＯＵＴ）を送出すると共にドレインに対して電源供給がなされるゲート接地の第２のトランジスタ（Ｔｒ２）と、初段増幅回路（ＰＲＥＡ）の電源端と第２のトランジスタ（Ｔｒ２）のソースとの間に介在する第１のインピーダンス回路（Ｚ１）と、を備える。第１のインピーダンス回路（Ｚ１）は、直流を通過させると共に、所定の周波数帯域において所定のインピーダンス以上となるように構成された回路である。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板上に配置され、ガン発振である高周波負性抵抗発振の発振周波数において負性抵抗を生ずる能動素子１４０と、基板上に配置され、能動素子のドレイン端子電極と出力端子との間に接続され、負性抵抗の絶対値に等しい抵抗値を有する抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とからなる安定化回路１２０とを備え、安定化回路１２０は、発振周波数に、インダクタンスＬとキャパシタンスＣからなる共振周波数を同調することによって、発振周波数において、抵抗Ｒによって負性抵抗をキャンセルする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】安定化を図りながらソース接地ＦＥＴ素子が本来持つ最大有能利得を十分に生かせる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器は、ソース端子が接地される増幅用ソース接地ＦＥＴ素子と、増幅用ＦＥＴ素子のゲート端子に接続され、増幅用ソース接地ＦＥＴ素子のドレイン端子の印加電圧が増えるに応じてインピーダンスが高くなるように変化する安定化回路と、を備える。安定化回路は、例えば、増幅用ソース接地ＦＥＴ素子のゲート端子に接続するコンデンサと、コンデンサにドレイン端子が接続し、ゲート端子が接地し、ソース端子が増幅用ＦＥＴ素子のドレイン端子に接続するインピーダンス調整用ＦＥＴ素子と、インピーダンス調整用ＦＥＴ素子のソース端子に接続され、接地される抵抗と、この抵抗に接続し、接地されるコンデンサと、を備える。 （もっと読む）

【課題】新規な負荷変動器を提供する。
【解決手段】 可変位相器を用いた負荷変動器３００１であって、前記可変位相器は、信号が入力される第１ポートＰ１と、信号が出力される第２ポートＰ２と、第１可変インピーダンス３０２１が接続される第３ポートＰ３と、第２可変インピーダンス３０２２が接続される第４ポートＰ４と、を備えている。可変位相器は、第１ポートＰ１から入力された信号の位相が第１可変インピーダンス２０２１及び第２可変インピーダンス３０２２によって変化するものである。第１可変インピーダンス３０２１及び第２可変インピーダンス３０２２は、前記第１可変インピーダンスと第２可変インピーダンスとの間のインピーダンス差を調整可能に設けられている。インピーダンス差の調整によって、第１ポートＰ１及び第２ポートＰ２間の負荷が変動する。 （もっと読む）

【課題】主信号の変調帯域と相互変調積の周波数範囲外となる周波数では高インピーダンスでスプリアス低減効果のある電力増幅装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、入力信号を第１信号及び第２信号を含む伝送信号に電力増幅するＦＥＴ１０３と、ＦＥＴ１０３から出力される伝送信号のインダクタ成分を低減する第１のデカップリング素子１０４と、ＦＥＴ１０３に対し駆動電力を供給する電源回路２００と、電源回路２００に対しＦＥＴの出力端子１０６から出力されるＲＦ成分をカットする第２のデカップリング素子３００と、第１のデカップリング素子１０４と第２のデカップリング素子３００との間に接続され、第１信号の変調帯域とＦＥＴの出力信号における相互変調積の周波数領域では所定の第１インピーダンスで、第１信号の変調帯域と相互変調積の周波数領域外では第２インピーダンスを有するフィルタ４００とを備える。 （もっと読む）

【課題】差動入力を有する直交出力低雑音トランスコンダクタンス増幅器を提供する。
【解決手段】低雑音トランスコンダクタンス増幅器２００は、差動ＲＦ入力信号を受信するように構成されたＰＭＯＳトランスコンダクタンス部１１０と、ＰＭＯＳトランスコンダクタンス部に結合されたＰＭＯＳカスコード部１３０と、ＲＦ差動入力信号を受信するように構成されたＮＭＯＳトランスコンダクタンス部１２０と、ＮＭＯＳトランスコンダクタンス部に結合されたＮＭＯＳカスコード部１４０と、を含み、ＰＭＯＳカスコード部及びＮＭＯＳカスコード部は、差動直交出力信号ｇｍｐｑ、ｇｍｎｑ及び差動同相出力信号ｇｍｐｉ、ｇｍｎｉを提供する。ＲＦ信号を増幅するための方法は、差動ＲＦ入力信号を受信することと、差動ＲＦ入力信号を電流信号に変換することと、電流信号をバッファリングして差動直交出力信号及び差動同相出力信号を提供する。 （もっと読む）

【課題】 広帯域無線通信を行う送信機に用いられ、電源変換効率を向上させることができる電源回路を提供する。
【解決手段】 入力信号をプッシュプル増幅方式で増幅するプッシュプル増幅部と、制御信号によりプッシュプル増幅部に提供する電源電圧の電圧レベルを複数の電源１１２〜１１５、１１６〜１１９の選択接続によって可変とする可変電源部と、制御信号として、入力信号に基づいて電源電圧の電圧レベルを制御するために複数の電源を選択する選択信号Ｃ１〜Ｃ８を出力するスイッチ制御部１３８と、可変電源部における複数の電源１１２〜１１５、１１６〜１１９の負荷が一定となるよう、選択信号による電源の選択先を変更するスイッチ制御信号変換部１３９とを備えた電源回路としている。 （もっと読む）

【課題】大信号の変動に伴う小信号抑圧の発生を抑え、ドレインバイアス回路を広帯域で低インピーダンスにすることを実現する。
【解決手段】実施形態によれば、入力端子及び出力端子を有するパッケージ１００Ａ内に設けられ、当該入力端子からの入力信号を所定の周波数差とレベル差とを有する第１信号及び第２信号を含む伝送信号に電力増幅するＦＥＴ１０３と、ＦＥＴ１０３から出力される伝送信号のインダクタ成分を低減して出力する第１のデカップリング素子１０４と、パッケージ内のＦＥＴ１０３に対し駆動電力を供給する電源回路２００と、電源回路２００に対し出力端子からのＲＦ成分をカットする第２のデカップリング素子３００と、第１のデカップリング素子１０４及び第２のデカップリング素子３００との反共振を抑えながら広帯域にドレインバイアス回路のインピーダンスを下げる第３のデカップリング素子４００とを備える。 （もっと読む）

【課題】ランプアップまたはランプダウンにおいてスイッチングスペクトラムの劣化を軽減すること。
【解決手段】初段と最終段のバイアス回路８１、８３が、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流を決定する。電力検出回路５、６は、最終段出力信号Ｐｏｕｔの信号レベルに応答する電力検出信号Ｖ_ＤＥＴを生成する。誤差増幅器７に検出信号Ｖ_ＤＥＴと目標電力信号Ｖ_ＲＡＭＰが供給され、電力制御電圧Ｖ_ＡＰＣが制御信号増強回路９の入力に供給され、出力から増強制御信号Ｖ_ＥＮを生成する。制御信号増強回路９は、所定の非線型の入出力特性を有する。増強制御信号Ｖ_ＥＮが初段と最終段のバイアス回路８１、８３とに供給され、初段と最終段の増幅回路４１、４３のアイドリング電流は増強制御信号Ｖ_ＥＮによって制御され、ＲＦ電力増幅器の制御利得の低下が補償される。 （もっと読む）

【課題】出力電力を高効率で伝達可能な高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】例えば、差動増幅器ＡＤ１０１，ＡＤ１０２と、その各出力インピーダンスを整合するトランスフォーマＴＲ１０１を備え、ＡＤ１０１の差動出力ノード間にインダクタＬ１０１、スイッチＳ１０１、インダクタＬ１０２を直列に接続する。ＡＤ１０２が動作状態、ＡＤ１０１が非動作状態の場合には、Ｓ１０１がオンに制御される。この場合、ＡＤ１０１に含まれる差動対のトランジスタのオフ容量を踏まえて１次コイルＬＤ１１１／ＬＤ１１２の両端から見たＡＤ１０１側のインピーダンスが高インピーダンス状態（並列共振状態）となり、等価的に、ＡＤ１０２の動作に際してＬＤ１１１／ＬＤ１１２は影響しなくなる。 （もっと読む）

【課題】基本波周波数の異なる複数の入力信号が入力する場合でも、各基本周波数に応じた高周波処理が行えるようにする。
【解決手段】 基本角周波数の異なる複数の信号をＦ級増幅し、該基本角周波数の信号成分及び、その高調波の信号成分を含んだ信号を出力するＦ級増幅器と、Ｆ級増幅器の後段に設けられて、当該Ｆ級増幅器に寄生する寄生回路のインピーダンスを取り込んで回路設定されることにより、信号の直流成分及び偶数次高調波の信号成分に対しては短絡状態とし、奇数次高調波の信号成分に対しては開放状態となる高調波処理部と、高調波処理部の後段に設けられて、高調波の信号成分に対しては短絡状態にする短絡部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器が故障した影響を最小限に抑える放送用送信装置を提供する。
【解決手段】第２の電力増幅器１０５が故障すると、第２の電力増幅器１０５から故障情報の監視信号が自動制御装置１１４に出力され、自動制御装置１１４は、内蔵する可変コンデンサ１１５と可変コンデンサ１１６の容量を大きくするための制御信号を生成し、第２のＬＰＦ１０６に出力する。第２のＬＰＦ１０６はこの制御信号により可変コンデンサ１１５と可変コンデンサ１１６の通過特性を変化させることで可変コンデンサ１１５と可変コンデンサ１１６の容量を大きくし、故障した第２の電力増幅器１０５の出力電力における通過帯域の周波数を低く抑え、故障した第２の電力増幅器１０５の減衰量を大きくする。このように減衰量を大きくすることで、合成器１１３の入力端１１３ｂを開放端と見なすことで合成器１１３は第２の電力増幅器１０５を擬似的に切り離す。 （もっと読む）

【課題】 不要パルスの発生が抑制された信号変換回路ならびにそれを用いた増幅回路，送信装置および通信装置を提供する。
【解決手段】 第１信号Ｓ１がソース端子に、第２信号Ｓ２がゲート端子に入力されるトランジスタ７と、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２とが入力されて、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差の情報を有する第３信号Ｓ３を出力する第１回路５と、第１信号Ｓ１と第３信号Ｓ３とが入力されて、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差に応じて第１信号Ｓ１の位相をシフトさせた位相を有する第４信号Ｓ４を出力する第２回路６と、ソース端子がトランジスタ７のドレイン端子に接続されているとともにゲート端子に第４信号Ｓ４が入力されて、第１信号Ｓ１と第２信号Ｓ２との位相差に応じてデューティ比が変化する第５信号Ｓ５をドレイン端子から出力するトランジスタ９とを有する信号変換回路とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング周波数の補正を伴わずに増幅効率の低下を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、電力増幅器は、スイッチ素子と、可変受動素子と、サンプラと、比較器とを含む。スイッチ素子は、第１の端子、第２の端子及び制御端子を持ち、制御端子に供給される入力ドライブパルスの第１のエッジに応じて第１の端子と第２の端子との間を短絡する。可変受動素子は、電力増幅器の共振周波数の増減に影響する。サンプラは、第１のエッジに応じて、第１の端子と第２の端子との間の第１の電圧及び電力増幅器の出力電流を電流−電圧変換した第２の電圧のうち少なくとも一方に基づく注目電圧をサンプルする。比較器は、注目電圧と基準電圧とを比較し、注目電圧と基準電圧との間の差分に基づいて可変受動素子の制御電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅を行うに際し省電力化を図ること。
【解決手段】入力信号を増幅信号に増幅する増幅回路であって、前記入力信号と前記増幅信号との差分に応じて密度変調された密度変調パルスを出力するパルス密度変調部と、前記密度変調パルスの出力を前記入力信号に応じて遅延させる遅延回路と、前記増幅のための電源を供給する電源供給部と、前記遅延回路から出力されたパルスに応じて、前記電源供給部からの電源供給のスイッチを切り替えて前記増幅信号を出力するスイッチ部と、を備える増幅回路。 （もっと読む）

【課題】半導体製造プロセスの変動による高周波電力増幅トランジスタの特性変動をデジタル制御によって補償する際に、補償動作の精度を向上すること。
【解決手段】増幅部２１の増幅素子２１２の増幅ゲインは、バイアス制御部２２のバイアス電流により制御される。キャリブレーション回路１０のプロセスモニタ回路１００は、第１と第２の素子特性検出部１０１、１０２と電圧比較器１０３を含む。検出部１０１、１０２はレプリカ素子１０１５、１０２５の電流を第１と第２の検出電圧Ｖ_ＯＵＴ１、Ｖ_ＯＵＴ２に変換する。電圧比較器１０３は第１と第２の検出電圧を比較して、比較出力信号はサーチ制御部１０４に供給される。制御部１０４は、比較器１０３の比較出力信号とクロック生成部１０５のクロック信号に応答して、所定のサーチアルゴリズムに従ってマルチビットのデジタル補償値を生成して第２検出部１０２とバイアス制御部２２がフィードバック制御される。 （もっと読む）