【課題】電力増幅を行うに際し省電力化を図ること。
【解決手段】入力信号を増幅信号に増幅する増幅回路であって、前記入力信号と前記増幅信号との差分に応じて密度変調された密度変調パルスを出力するパルス密度変調部と、前記密度変調パルスの出力を前記入力信号に応じて遅延させる遅延回路と、前記増幅のための電源を供給する電源供給部と、前記遅延回路から出力されたパルスに応じて、前記電源供給部からの電源供給のスイッチを切り替えて前記増幅信号を出力するスイッチ部と、を備える増幅回路。 （もっと読む）

【課題】センサの測定精度を向上する。
【解決手段】電圧電流変換回路であって、直流電源電流を供給又は遮断するスイッチＳ１と、スイッチＳ１に一端が接続されたインダクタＬ１と、周囲温度の変化に応じて測定値が変動し得るセンサの測定値に対応する入力電圧Ｖｉｎに応じた電流がインダクタＬ１の充放電を通じて出力されるよう、スイッチＳ１のスイッチングを制御する制御回路１２と、を備える。ここで、前記周囲温度の変化は、前記電圧電流変換回路の自己発熱に起因する温度変化を含む。 （もっと読む）

【課題】 入力される高周波信号のレベルが小さい時はＮＦ特性を十分に向上すると共に、高周波信号のレベルが大きい時は歪特性を十分に向上する。
【解決手段】 ＴＲ１のコレクタに接続されているコイルＬ２（負荷手段）とＶｃｃとの間に接続された抵抗Ｒ９と、該抵抗Ｒ９に並列接続された制御電圧Ｖｇｃに応じてオン／オフするＴＲ３と抵抗Ｒ８との直列回路とからなるバイアスコントロール部１１を備えている。入力信号のレベルが小さい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオフすることにより、ＴＲ１のバイアスが浅くなってＮＦ特性が向上され、入力信号のレベルが大きい時は、制御電圧ＶｇｃによりＴＲ２，ＴＲ３がオンすることにより、ＴＲ１のバイアスが深くなって歪特性が向上される。 （もっと読む）

【課題】Ｅ級増幅回路を備える電源装置、非接触送電装置、車両、および非接触電力伝送システムにおいて、Ｅ級増幅回路を他の用途で利用可能にする。
【解決手段】チョークコイル２１０、スイッチング素子２２０、ゲート駆動装置２３０、共振回路２５０、およびキャパシタ２６０は、スイッチング素子２２０の零電圧スイッチングを実現するＥ級増幅回路を構成する。チョークコイル２１０は、その磁気回路を開閉可能に構成される。チョークコイル２１０の磁気回路の開放時、スイッチ２１４，２７０は、それぞれオン，オフされる。ゲート駆動装置２３０は、磁気回路の開閉に応じてスイッチング素子２２０のスイッチング周波数を変更する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の寄生容量が大きい場合にも零電圧スイッチングを実現する増幅回路を備える電源装置、非接触送電装置、車両、および非接触電力伝送システムを提供する。
【解決手段】電源装置２０は、チョークコイル２１０と、スイッチング素子２２０と、共振回路２５０と、補償回路２６０とを含む。スイッチング素子２２０の寄生容量２７０は、Ｅ級零電圧スイッチングを実現するための所定の容量よりも大きい。補償回路２６０は、スイッチング素子２２０に並列に接続される。補償回路２６０は、直列接続されたコイル２６２およびキャパシタ２６４を含み、誘導性インピーダンスを有する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な、制御整合ステージ、方法、およびプロセッサ・プログラム製品を提供する。
【解決手段】第１のステージに第２のステージを整合させるための制御整合ステージ１０を備え、制御整合ステージは、第１のステージの出力信号から第１の信号と第２の信号とを導出するための導出手段１１と、第１の信号と第２の信号の間の位相を検出するための検出手段１２と、前記整合のために前記検出に応じて調整可能インピーダンス・ネットワーク１４を制御するための制御手段１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力信号の歪みを抑えつつ効率を向上することのできる増幅装置、送信装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る増幅装置は、飽和出力電力が互いに異なる複数の増幅回路を具備している。実施形態に係る増幅装置は、入力端子に入力された入力信号の包絡線信号を検出する検波器と、前記検波器が検出した包絡線信号の信号電圧を、それぞれ異なる参照電圧と比較する複数の比較器と、前記複数の比較器の比較結果に基づいて前記複数の増幅回路のいずれか一つを選択する切替制御部とを具備している。そして、実施形態に係る増幅装置は、前記入力端子を前記切替制御部が選択した増幅回路の入力に接続するとともに、前記切替制御部が選択した増幅回路の出力を出力端子に接続する切替部とを具備することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】出力電力に応じて出力経路を選択することにより、中出力および低出力における電力効率を向上させた高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＰＡモジュール１００は、ＨＢＴ１０１及び１０２が配置された高出力経路ＨＲ１と、ＨＢＴ１０３が配置された中出力経路ＭＲ１と、ＨＢＴ１０４が配置された低出力経路ＬＲ１とを含み、ＨＢＴ１０３の出力ノードに接続されたインピーダンス変換回路１１７と、一端が上記出力ノードと出力端子との間に接続され、他端がコンデンサ１３５に接続されたスイッチ１０５と、ＨＢＴ１０４の出力ノードと出力端子との間に接続されたインピーダンス変換回路１１６とを具備し、スイッチ１０５がオフ状態の場合、上記接続ノードから出力端子を見たインピーダンスを５０Ωより小さいインピーダンスに変換し、ＨＢＴ１０４の出力ノードから出力端子を見たインピーダンスを５０Ωより大きいインピーダンスに変換する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】半導体チップ２上に、トランジスタ３ａ，３ｂと、トランジスタ３ａ，３ｂに隣接したコレクタパッド４ａ，４ｂとが設けられている。トランジスタ３ａ，３ｂとコレクタパッド４ａ，４ｂはそれぞれコレクタ配線６ａ，６ｂにより接続されている。半導体チップ２外に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４ａ，４ｂと外部パッド８はそれぞれワイヤ１０ａ，１０ｂにより接続されている。コレクタパッド４ａは、コレクタパッド４ｂよりも外部パッド８から遠い位置に配置されている。コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長は、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じである。 （もっと読む）

【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂが接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂは、増幅素子Ｔｒ２の出力と接地点との間に直列に接続されたインダクタＬ５及びキャパシタＣ１を有する。インダクタＬ５とキャパシタＣ１を接続する接続点Ｘに、スイッチＳＷ２の他端が接続されている。 （もっと読む）

【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板と前記Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるＦＥＴ１０からなるパワーアンプ１１と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部１２と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部１４と、を具備する増幅回路 （もっと読む）

【課題】駆動用アンプのゲインが変動するのをなるべく抑えて差動信号の駆動信号を生成して、その駆動信号によって容量性負荷を駆動することのできる駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器を提供する。
【解決手段】圧電スピーカー駆動用アンプ１４は、キャパシタ４１から圧電スピーカー１５に転送されたエネルギーを、圧電スピーカー１５を駆動するためのエネルギーに再利用する。その際に、ＰＷＭ回路２２のランプ波発生回路６１は、圧電スピーカー１５の両端子間の電圧変化分ΔＶ_ｎ（Ｖ）に含まれる、インダクタ４２にエネルギーをチャージする元のキャパシタ４１の両端子間の電圧値Ｖ_ｌｐ（Ｖ）の成分と、圧電スピーカー１５の両端子間の電圧値Ｖ_ｎ−１（Ｖ）＝Ｖ_ｓｐｋ（Ｖ）の成分とを打ち消すような傾きｋをもち、かつ、その傾きｋにチャージ時間ｔ（μＳ）の二乗が乗じられた二次のランプ波を発生させる。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】なるべく少ない数のスイッチング素子で差動信号の駆動信号を生成して、その駆動信号によって容量性負荷を駆動することのできる駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器を提供する。
【解決手段】圧電スピーカー駆動用アンプ１４は、キャパシタ４１から圧電スピーカー１５に転送されたエネルギーを抵抗等でなるべく消費させずに、圧電スピーカー１５を駆動するためのエネルギーに再利用する。その際に、ゲートドライバ回路２３は、第１フェーズから第４フェーズまでの各動作フェーズに合わせて、スイッチング駆動回路２４のＰＭＯＳトランジスタ４５〜４９の導通状態を切り換える。これによって、圧電スピーカー駆動用アンプ１４は、なるべく少ない数のスイッチング素子で、差動信号の駆動信号を生成して、その駆動信号によって圧電スピーカー１５を駆動することができる。 （もっと読む）

【課題】整数倍の信号成分に起因して、負荷回路やスイッチング素子に余分な電流が流れない電力効率を向上したスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１は、第１端子５０ａ及び第２端子５０ｂを有しており、パルス信号により駆動されて第１端子及び第２端子の導通状態をスイッチするスイッチング素子１０と、スイッチング素子の第１端子１３に電圧を供給する電源部３０と、電源部に並列に接続される負荷回路４０と、電源部と負荷回路との接続点Ｐと、スイッチング素子の第１端子との間に接続され、パルス信号のクロック周波数のＮ倍（Ｎは１以上の整数）の周波数において、接続点からスイッチング素子へ流れる電流を抑制する受動回路部５０と、受動回路部と接続点との間に接続され、Ｎ倍の周波数において共振する共振回路部６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
出力の線形性を改善した電力増幅器、及び、電子装置を提供する。
【解決手段】
電力増幅器は、所望波が差動入力される一対の第１増幅部と、前記第１増幅部の出力側に接続される一対の第２増幅部と、前記第２増幅部の出力側に接続されるトランスと、電源から前記第１増幅部に電力を供給するとともに、前記トランスを介して前記第２増幅部に電力を供給する電力供給線と、前記第１増幅部と前記第２増幅部との間に接続され、前記所望波を前記第２増幅部に通過させるとともに、前記所望波の二次歪み成分を遮断する遮断回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】圧電素子等の容量性負荷にチャージされたエネルギーを無駄に消費することなく、容量性負荷を低消費電力で駆動することのできる駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器を提供する。
【解決手段】スイッチング駆動回路２４は、容量性負荷である圧電スピーカ１５に転送されたエネルギーを抵抗等でなるべく消費させずに、インダクタ４２を介してキャパシタ４１に再びチャージし、容量性負荷の駆動に再利用する。これにより、圧電スピーカ駆動用アンプ１４は、圧電スピーカ１５を低消費電力で駆動することができる。その際、圧電スピーカ１５を駆動するために必要なエネルギーは、ダイオード４８を介して、電源から自動的にキャパシタ４１に補充される。従って、ゲートドライバ２３は、スイッチング素子の制御を簡潔に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ゼロクロス付近においてもスイッチングの動作周期に基づく時間内にエネルギーの転送が終了するような駆動信号を生成して、その駆動信号によって容量性負荷を駆動するための各動作フェーズの動作を本来の動作時間通りに行うことのできる駆動用ドライバ、駆動用アンプおよび情報機器を提供する。
【解決手段】ゲートドライバ回路２３は、駆動信号ＶＣＮ，ＶＣＰがゼロクロス付近の範囲ＲＺにあるときに、ＰＭＯＳトランジスタ４７，４９およびＮＭＯＳトランジスタ５０，５１の導通状態を切り換える。これによって、圧電スピーカー駆動用アンプ１４は、動作状態を、通常動作状態からゼロクロス動作状態にする。そして、その駆動信号ＶＣＮ，ＶＣＰによって圧電スピーカー１５を駆動するための各動作フェーズを、本来のスイッチング動作周期に基づく時間通りに行うことができる。 （もっと読む）

【課題】サブミクロンＣＭＯＳプロセスで製造されることができかつ良好な線形性および信頼性を有する相補型増幅器を提供する。
【解決手段】ＰＭＯＳトランジスタ４２２とそれにスタック結合されたＮＭＯＳトランジスタ４１２で構成した相補型増幅器４００で、ＮＭＯＳトランジスタ４１２およびＰＭＯＳトランジスタ４２２は、別々のバイアス電圧を有し、それらのバイアス電圧は、各トランジスタの相互コンダクタンスの低高および高低遷移をオーバーラップさせるように選択され、各トランジスタの幅および長さ寸法は、中反転領域におけるＮＭＯＳトランジスタ４１２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化を中反転領域におけるＰＭＯＳトランジスタ４２２の入力容量の変化および相互コンダクタンスの変化と整合させるように選択される。それによりほぼ一定の総入力容量およびほぼ一定の総相互コンダクタンスを有しうる。 （もっと読む）

【課題】２倍波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得る。
【解決手段】バイアス回路５において、基本波整合回路４の出力側に接続され、基本波周波数成分を全通過させ、２倍波周波数成分を反射するフィルタ回路５１と、基本波整合回路４の出力側とフィルタ回路５１との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、２倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる２倍波吸収回路５２と、２倍波吸収回路５２に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路５３とを備えた。
バイアス回路５において、２倍波周波数成分を高周波トランジスタ２側に反射させずに吸収することによって、２倍波処理回路３とバイアス回路５とで並列共振を起こすことがなく、その結果、２倍波処理回路３の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。 （もっと読む）