【課題】 低電圧で安定した増幅作用を行い得る反転増幅器を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＯＳ型回路のＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のソースＳｐ・ゲートＧｐ間にゲートバイアス発生手段としてのバイアス電源５をバイアス抵抗Ｒｂを介して接続し、このときのバイアス電源５を、（ＶＴＰ＋αｐ（≧βｐ））≦電源電圧ＶＤＤの直流電圧源とした。
ここで、ＶＴＰは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧、αｐは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の動作電圧、βｐはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のゲートＧｐ・ソースＳｐ間にバイアス電圧（ＶＴＰ＋αｐ）が印加されているときにドレン電流Ｉｄｐが飽和するのに必要なドレン電圧である。 （もっと読む）

順方向ブロック（１５）、順方向ブロックからの出力を増幅するためのスイッチング段（１１）、及びスイッチング段からの出力信号をロー・パス・フィルタリングするための出力フィルタ（１２）を含む順方向経路と、ロー・パス・フィルタリングされた出力信号に接続され、フィードバック信号を生成するための大域フィードバック・ブロック（１８、１９）を備える大域フィードバック経路（１３）と、入力信号から前記フィードバック信号を減算し、結果を前記順方向経路に供給するための手段（１４）とを備えるパルス変調電力変換器。大域フィードバック・ブロック及び／又は順方向ブロックが、前記出力フィルタの位相遅れの少なくとも一部分を補償するための手段と、スイッチング周波数において１８０度位相遅れを得るための手段とを含み、それによって前記スイッチング周波数において被制御発振のための条件を達成する。制御システムは自己発振技術の利点を、非線形性を抑制するための高利得広帯域制御ループと組み合わせる。これは総高調波ひずみ及び雑音の点でよりよく実行するシステムにつながることになる。 （もっと読む）

電圧発生回路１１４に含まれる第１の増幅回路（１３２）は、Ｐ型ＴＦＴ素子（Ｐ１０１，Ｐ１０２）およびＮ型ＴＦＴ素子（Ｎ１０１，Ｎ１０２）によって構成される差動回路と、定電流回路（１５０ａ，１５０ｂ）と、Ｎ型ＴＦＴ素子（Ｎ１０３）とを含む。定電流回路（１５０ａ；１５０ｂ）は、Ｐ型ＴＦＴ素子（Ｐ１３２ａ；Ｐ１３２ｂ）と、キャパシタ（Ｃ１３２ａ；Ｃ１３２ｂ）と、スイッチ（Ｓ１０４ａ〜Ｓ１０６ａ；Ｓ１０４ｂ〜Ｓ１０６ｂ）と、抵抗素子（Ｒ１３２ａ；Ｒ１３２ｂ）とからなる。キャパシタ（Ｃ１３２ａ；Ｃ１３２ｂ）は、電圧設定時、すなわちダイオード接続されるＰ型ＴＦＴ素子（Ｐ１３２ａ；Ｐ１３２ｂ）に電流が供給されているときのノード（２０４；２０８）の電圧を保持する。
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【課題】 回路のプロセス変更や初段増幅器における帰還抵抗の抵抗値変更を伴うことなく、受光アンプ素子において高速応答性を実現する。
【解決手段】 受光アンプ素子が有する帰還回路の帰還抵抗１０が、電位がフローティング状態の島領域１１上に形成されており、この島領域１１は、上記帰還抵抗１０以外の素子が形成されている島領域とは電気的に分離される。 （もっと読む）

【課題】負荷にショートなどの異常が発生した場合に、温度保護回路が動作する前に異常を検出することで回路を保護する保護回路を提供する。
【解決手段】第１電圧が印加され、前記第１電圧に基づく電圧を負荷の一端に印加する第１インピーダンス変換器と、第２電圧が印加され、前記第２電圧に基づく電圧を前記負荷の他端に印加する第２インピーダンス変換器と、前記負荷の一端の電圧と前記負荷の他端の電圧との差電圧が所定値より小であるか否かを判別し、前記差電圧が前記所定値より小であると判別した場合、回路保護用の判別信号を出力する判別回路と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電源電圧変動、動作温度変化、トランジスタ閾値電圧のばらつき等があっても安定して精度良く所望の電流量を供給可能な電流安定化回路、電流安定化方法、及びそのような電流安定化回路を用いた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 電流安定化回路は、一定の電圧を供給する定電圧供給回路と、定電圧供給回路に結合され、一定の電圧に応じた所定の電圧に基づいて電流を生成し、電流に応じて所定の抵抗に発生する電圧と所定の電圧とを比較することで、フィードバック制御により電流の電流量を所定量に制御する電流生成回路を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 回路を構成するトランジスタの特性の影響を排除した電流源回路を提供する。
【解決手段】 ブランキング期間においてスイッチ回路Ｓｉ（ｉはｎ以下の自然数）はトランジスタＱｉＢのドレインと定電流源６０とを結合する。スイッチ回路ＴｉＡ，ＴｉＢもオンし、各トランジスタＱｉＡ，ＱｉＢをダイオード接続する。定電流源６０から電源電圧ＶＬに至る電流経路に基準電流Ｉ_０が駆動され、容量素子ＣｉＢ，ＣｉＡは基準電流Ｉ_０に応じた電荷を格納する。動作期間になると、スイッチ回路ＳｉはトランジスタＱｉＢのドレインと回路網１００とを結合する。スイッチ回路ＴｉＢ，ＴｉＡはオフとなる。トランジスタＱｉＢ、容量素子ＣｉＢおよびスイッチ回路ＴｉＢは、電流源トランジスタＱｉＡのドレイン電圧の上昇を抑えるドレイン電圧上昇制限回路を構成し、回路網１００には基準電流レベルＩ_０に等しい電流が供給される。 （もっと読む）

本発明は、電気エネルギー源によって給電される終段（６）を備え、終段（６）の入力側が制御装置（４）に接続され、制御装置（４）の制御信号により、エネルギー源のパラメータ値に依存した終段（６）の出力信号が制御される電気増幅器に関する。本発明によれば、エネルギー源および制御装置（４）に接続されている補償装置（９）が設けられ、該装置（９）によって制御信号がパラメータ値に依存して可変である。パラメータは、例えばエネルギー源の系統電圧である。更に、本発明は、電気エネルギー源によって給電される終段（６）を備えた増幅器の制御方法に関する。この方法では、エネルギー源のパラメータ値を検出し、それから補償信号を導出し、これに依存して終段（６）のための制御信号を形成する。本発明は、磁気共鳴装置のための傾斜磁場増幅器に適する。
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第１および第２の入力端子を有する差動入力ステージ（１０２）と、出力端子を有する出力ステージとを備える、マイクロフォン前置増幅器であって、マイクロフォン前置増幅器は、半導体基板上に組み込まれる。ローパス周波数伝達関数を有するフィードバック回路（１０３）が、出力端子と第１の入力端子の間に結合され、半導体基板上に組み込まれる。第２の入力端子は、マイクロフォン信号のための入力（１０５）を提供する。それによって、（半導体基板の消費面積に関して）非常にコンパクトで低雑音の前置増幅器が提供される。

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調和および非調和なスプリアスな周波数の存在下においてフィードバック制御電圧を最適化するプラズマ用の改良型ｒｆ電力制御装置を提供する。このシステムでは無線受信器用途に通常用いられるのと類似の発振器（２８）とミキサ（２４’）が、プラズマ点火のために用いられる固体ｒｆ供給源のサンプリングされた出力に配置される。サンプリングされた出力は、低周波数へとミキシングされフィルタリングされて、非線形のプラズマにおいて生成されたスプリアスな周波数を除去する。この態様でフィードバック電力制御は基本的にスプリアスな周波数を無視する。このアプリケーションでは、発信器（２８）と混合器（２４’）は、別の所望なシステム特性と干渉せず、プラズマのスプリアス成分の変化からフィードバック制御電圧を効率的に分離する。これは、従来の電力制御デバイスおよび方法で可能な精度より高い精度でのｒｆ電力のプラズマへの送達が可能にする。
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入力信号を受信するための第１の差動入力を有するＮＭＯＳトランジスタ・ダブレットと入力信号を受信するための第２の差動入力を有するＰＭＯＳトランジスタ・ダブレットとを有する入力ステージ（６１）を備える装置（８０）。この装置（８０）は、さらに、アナログ入力信号を受信し、アナログ入力信号を第１の差動入力または第２の差動入力に選択的に向けるための切換え手段を備える。この手段は、ＮＭＯＳトランジスタ・ダブレットの相互コンダクタンスとＰＭＯＳトランジスタ・ダブレットの相互コンダクタンスとの比が一定に保たれるように、切換え信号（φ，φバー）によって制御される。
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発振を抑制するために適切な動作が取られるのを許容する、フィードバックに起因する信号内の発振を識別する発振検出方法である。本方法は、一連の引き続く時間ウインドウの各々における信号を周波数領域に変換するステップと、或る時間ウインドウから引き続く時間ウインドウまでの信号位相における変化を複数の周波数帯域の各々ごとに計算するステップと、該計算ステップの結果を１つまたは複数の限定された規準と前記周波数帯域の幾つかまたはすべての間で比較し、フィードバックに起因する発振が信号内に存在するか否かに関する測定を提供するステップと、を含む。さらなる弁別のために、時間ウインドウから引き続く時間ウインドウまでの信号振幅の変化も周波数帯域の各々ごとに計算され得、その結果は、１つまたは複数のさらなる限定された規準と比較される。本発明は、補聴器において特定の応用を有する。
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