【課題】本発明は、非常に簡単な構成により、乗算回路、除算回路を実現する。
【解決手段】電源の一端から他端に向けて、電圧降下素子と、一対のＰＮ接合素子の各素子に一対の分流素子がそれぞれ直列に接続され、かつその直列回路が並列に配置された回路と、定電流源（除算回路の場合は第１の信号入力電流源）とを順に直列接続し、一対の分流素子の一方に並列に第１の信号入力電流源（除算回路の場合は第２の信号入力電流源）を印加するとともに、一対のＰＮ接合素子の各素子と一対の分流素子とのそれぞれの接続点の電位をトランスコンダクタンスアンプの差動入力として印加し、トランスコンダクタンスアンプの差動アンプ初段トランジスタの共通エミッタの電流をカレントミラーを介して第２の信号入力電流源（除算回路の場合は定電流源）より供給するとともに、定電流源（除算回路の場合は第１の信号入力電流源）の電流値を一定に保つように構成されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで発振防止を図り、増大する容量性の負荷を駆動できる演算増幅回路及びこれを用いた駆動回路を提供する。
【解決手段】容量性負荷を駆動するための演算増幅回路１０は、入力信号をインピーダンス変換するボルテージフォロワ回路２０と、ボルテージフォロワ回路２０と演算増幅回路１０の出力との間に直列に接続された抵抗回路３０とを含む。ボルテージフォロワ回路２０が、入力信号及びボルテージフォロワ回路２０の出力信号の差分を増幅する差動部２２と、差動部２２の出力に基づいてボルテージフォロワ回路２０の出力信号を出力する出力部２４とを含み、抵抗回路３０を介して、容量性負荷を駆動する。差動部２２の出力のスルーレートが、出力部２４の出力のスルーレートと同等又は出力部２４の出力のスルーレートより大きい。 （もっと読む）

【課題】 エミッタ接地形として構成され、直列に接続され、それぞれのエミッタが第１の電源電圧（Ｇｎｄ）に連結された第１および第２のバイポーラ・トランジスタ（Ｑ１、Ｑ２）によって形成された２つの段からなる改良型２段式大帯域幅増幅器（２０）を提供することにある。
【解決手段】 入力信号（Ｖ_in）は入力端子（１１）を介して前記第１のトランジスタのベースに印加され、出力信号（Ｖ_out）は前記第２のトランジスタのコレクタに接続された出力端子（１２）で得られる。並列帰還構造（１３’）が提供される。これは、第１の分岐において第２の電源電圧（Ｖｃｃ）と前記第２のバイポーラ・トランジスタのコレクタとの間に直列に接続された２つのダイオード（Ｄ１、Ｄ２）と、もう１つの分岐においてエミッタ内に抵抗器（Ｒｆ）を備えたエミッタ・フォロワとして構成された第３のバイポーラ・トランジスタ（Ｑ３）とから構成される。前記第３のバイポーラ・トランジスタのベースおよびコレクタは前記ダイオードの共通ノードおよび前記第２の電源電圧にそれぞれ接続される。抵抗器は、前記第１のおよび第２のトランジスタの共通ノードに接続されて、帰還信号（Ｖ_f）を注入する。２つのダイオードは低い内部抵抗を有し、第２のトランジスタのコレクタ・キャパシタンスを低減するので、改良型増幅器の全体的な帯域幅は非常に高い周波数（たとえば、２０ＧＨｚ以上）で大幅に拡大される。
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【課題】 増幅素子の動作効率とともに、回路の利用率、安定化を高めることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 パワー半導体２，３の動作により負荷５に対し所定の出力電圧を発生するバイポーラ動作を可能とした電力増幅器であって、電源４よりパワー半導体２，３に供給する電源電圧を、パワー半導体２，３による負荷５に対する出力電圧の範囲に基づいて設定する。 （もっと読む）

【課題】消費電流を抑えて変換速度を高める。
【解決手段】レベル変換回路は、定電流源ＩＳと、定電流源ＩＳに共通に接続され０〜５Ｖの電源電圧範囲において相補的な関係で急峻に遷移する入力信号に対して電圧−電流変換を行う一対の差動トランジスタＱ１，Ｑ２と、一対の差動トランジスタＱ１，Ｑ２に接続されるアクティブ負荷Ｍ１〜Ｍ６と、このアクティブ負荷Ｍ１〜Ｍ６の出力状態に対応して０〜２０Ｖの電源電圧範囲において遷移する出力電圧を生成する出力部Ｍ７〜Ｍ１０とを備える。特に、このレベル変換回路は、入力信号の遷移開始から所定期間だけ一対の差動トランジスタＱ１，Ｑ２に流れる差動電流を増大させる補助電流路を生成する電流路生成回路Ｒ１，ＣＭ１，ＤＬをさらに備える。 （もっと読む）

【課題】 チャージアンプ回路において、自励発振が始まるまでに要する時間を短縮すると共に、特性の悪化を防止する。
【解決手段】 本発明のチャージアンプ回路１は、ジャイロセンサ２から出力された信号をＣＶ変換する機能を有し、オペアンプ３とフィードバックＭＯＳ抵抗１３とを備えてなるものにおいて、電源投入時には、前記フィードバックＭＯＳ抵抗１３を低抵抗とし、その後、前記フィードバックＭＯＳ抵抗１３を高抵抗とするように構成したものである。この構成の場合、電源投入時には、フィードバックＭＯＳ抵抗１３が低抵抗であるから、自励発振が始まるまでに要する時間を短縮できる。そして、その後、フィードバックＭＯＳ抵抗１３が高抵抗になるから、出力が安定し、特性の悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電荷−電圧変換係数の率依存変化を補正するドリフトタイプ放射線検出器を提供する。
【解決手段】ドリフトタイプ放射線検出器(３０１)の電荷−電圧変換係数の率依存変化を補正するために、前記ドリフトタイプ放射線検出器に作用する瞬時光子衝突率の変化を検出する。前記ドリフトタイプ放射線検出器(３０１)の集積アンプ(３０２)を通って流れるドレイン電流は、前記瞬時光子衝突率で検出された変化に比例する量で変更される(９０２、９０３)。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、容量性負荷（Cp）においてソフトスイッチングで矩形電圧信号を発生するように設計された増幅器に関する。
【解決手段】 該増幅器は、供給端子（VS）と基準端子（GND）との間に接続された二つのスイッチ（M1、M2）から成り、中点が該容量性負荷に接続されたハーフブリッジ構造と、エネルギー回復を有するソフトスイッチング回路とを有する。該増幅器での電気伝導損失を制限するために、エネルギー回復を有するソフトスイッチング回路は、ダイオード又はトランジスタのような能動部品を有さない。本発明によれば、それは、該容量性負荷の端子間の容量性素子（C2）に直列に接続された誘導性素子（L2）からのみ形成される。有利に、該誘導性素子は、該増幅器の電気伝導性損失を制限するために、飽和可能インダクタを有する。 （もっと読む）

【課題】
オペアンプの飽和による遅延を解消するとともに、クリップレベルを高い自由度で設定でき、ディフェクト部の信号波形を安定してクリップすることのできるクリップ回路を提供する。
【解決手段】
帰還型のクリップ回路２のオペアンプ１１の出力に、オペアンプ１１に帰還がかからない期間でのオペアンプ１１の飽和を抑制するように働く負荷ＲＬを接続した。また、負荷ＲＬは、再生データ信号の最長波長８Ｔ（１２１ｎｓ）より長くなるように選定することによって、再生ＲＦ信号のピークとボトムとの間のレベルでクリップを行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの変動や温度変動に対する変動を低減させて高精度の複数の定電流を生成しバイアス電流として供給することができる定電流回路及びその定電流回路を使用したシステム電源装置を得る。
【解決手段】 ＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２から流れる各電流ｉ１及びｉ２の一方の電流の変動に対して負帰還がかけられてその変動を打ち消すように、演算増幅回路ＡＭＰがＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２の動作制御を行い、ＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ２から対応して電流が供給される２つのｐｎｐトランジスタＱ１及びＱ２に流れる電流密度の差によって生じる電位差に接続した抵抗Ｒ１に流れる定電流を基準電流とし、演算増幅回路ＡＭＰによって動作制御されたＰＭＯＳトランジスタＭＡ１〜ＭＡｎで該基準電流に比例した各電流をそれぞれ生成して出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】 コンデンサの占有面積を縮小することができる位相補償回路を提供する。
【解決手段】 エラーアンプ１の出力側に接続する抵抗R1、コンデンサＣ及び容量増幅回路として機能するコンダクタンスアンプ１８を有する位相補償回路であって、容量を前記コンダクタンスアンプ１８により増幅して用いることでコンデンサＣの容量を小さい容量としても全体として本来必要とされる容量を確保するようにした。 （もっと読む）

【課題】 非選択の受光素子に入り込む迷光によるノイズの影響をなくし、受光素子の選択及び切替を安定して行える受光増幅回路を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受光増幅回路は、受光素子１２及び１３を備える。一方の受光素子１２は、スイッチ１６を介して、オペアンプ１１の反転入力端子とＧＮＤとの間に接続されると共に、スイッチ１８を介して電圧源Ｖｃｃに接続されている。他方の受光素子１３は、スイッチ１７を介して、オペアンプ１１の反転入力端子とＧＮＤとの間に接続されると共に、バイパス用アナログスイッチ１９を介して電圧源Ｖｃｃに接続されている。 （もっと読む）

【課題】 受光素子とアンプ回路部とを含む受光アンプ素子において、上記アンプ回路部の動作テストをレーザーの照射を行うことなくテスト回路を用いて簡易に実施可能とすると共に、該テスト回路によるチップ面積の増加を抑制する。
【解決手段】 受光アンプ素子チップが形成されるウェハ１上において、フォトダイオードＰＤにテスト用の仮想電流を流し込むためのテストパッド１１を配置する。上記各テストパッド１１は、ウェハ１上で隣接するチップ間のダイシングライン２２上に配置される。 （もっと読む）

【課題】高出力の光を受光した場合のオペアンプの飽和を防止し、かつリミットを任意に設定できる電流電圧変換回路を提供する。
【解決手段】本発明の回路では、フォトダイオード２に光が入射し、光電流Ｉが発生すると、カレントミラー回路９を介し、抵抗４、５で決まるミラー比倍の電流がオペアンプ１に入力される。この際、抵抗４では光電流Ｉによって電圧降下が発生するが、この値がリミット用トランジスタ８の動作し始める電圧、例えば０.７Ｖ以下ならばリミッタ機能は働かない。しかし、光電流Ｉが大きくなり、抵抗４での電圧降下が、トランジスタ８の動作し始める電圧に達すると、トランジスタ８がオンしてコレクタに電流が流れ始め、フォトダイオード２で発生した光電流ＩをＧＮＤに流すことにより、アンプ１への入力電流にリミットがかかる。 （もっと読む）

【課題】 定電流駆動用のトランジスタが短絡状態の故障になっても、過電流を防止できる定電流供給装置を提供する。
【解決手段】 定電圧出力用のＮＰＮ型トランジスタ２１を備える定電圧回路２と、定電流供給用のＰＮＰ型トランジスタ３１を備える定電流回路３とを組み合わせて定電流供給装置を構成する。定電流回路３の負荷として発光ダイオード１１と抵抗１２との直列回路を接続する。故障検出手段１３は、発光ダイオード１１の点灯／消灯状態とその状態での負荷電圧に基づいて定電流供給装置の故障を検出する。 （もっと読む）

【課題】スルーレートに影響を与える電流を調節して、所要スルーレートの動特性を満足させ得る空間光変調器を駆動する駆動集積回路のバッファを提供する。
【解決手段】駆動集積回路のデジタル／アナログコンバータの出力端に連結され、デジタル／アナログコンバータの出力電圧を受けて反転し増幅する第１増幅器と、前記第１増幅器で反転および増幅された出力電圧を反転し増幅する第２増幅器と、前記第２増幅器の出力端と入力端に連結され、出力電圧を充電する充電手段と、前記第１増幅器の出力端と前記第２増幅器の入力端に連結され、出力電圧の調整が可能な電流調節部とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】
ゲインの範囲を大きくしながらも、製造プロセスのバラツキを抑えた高精度な対数増幅が行え、且つ、低消費電力、小面積で実現可能なスイッチトキャパシタ増幅回路を提供する。
【解決手段】
第１スイッチ手段のオンオフ動作により入力電圧のサンプリング動作を行う第１期間と出力電圧のホールド動作を行う第２期間を交互に切り換えて増幅動作を行う第１及び第２スイッチトキャパシタ増幅回路１４３，１４４を直列接続する。１つの差動増幅器１３１の入力、出力の各端子に、該各端子を第１及び第２スイッチトキャパシタ増幅回路１４３，１４４の各所定ノードＶｉｐ１，Ｖｉｍ１，Ｖｏｐ１，Ｖｏｍ１，Ｖｉｐ２，Ｖｉｍ２，Ｖｏｐ２，Ｖｏｍ２に各別に接続する第２スイッチ手段１１５〜１２２を設けて、第１及び第２スイッチトキャパシタ増幅回路が１つの差動増幅器１３１を共用可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズが少なく、高周波特性に優れ、かつ、トランジスタの熱暴走を防止するトランジスタ集積回路装置を提供する。
【解決手段】 一端が高周波信号の入力端子ＲＦｉｎに共通接続され、他端が各トランジスタのベース電極に接続されたキャパシタＣ１１〜Ｃ１ｎと、一端が直流電源の入力端子ＤＣｉｎに共通接続され、他端が各トランジスタのベース電極に接続されたインダクタＬ１１〜Ｌ１ｎとを備えることにより、直流電源回路において発生する高周波ノイズを低減する。これにより、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１ｎから出力される高周波ノイズを低減することができる。また、インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎは、入力端子ＲＦｉｎから入力される高周波信号が直流電源回路側に流れることを防ぐ。これにより、高周波信号が直流電源回路側に流れることによる高周波信号の損失を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 高速動作と低消費電力を両立した、ゲインが可変の増幅回路を提供する。
【解決手段】 増幅回路１３０は４段の可変ゲインアンプＶＧＡ１（１３２）、ＶＧＡ２（１３４）、ＶＧＡ３（１３６）、ＶＧＡ４（１３８）により構成され、４段のＶＧＡの可変ゲイン幅は、すべて１倍〜２倍となっており、全体として最小ゲインは１倍、最大ゲインは１６倍に設定されている。１つのＶＧＡの最大ゲインが小さいため、小さなバイアス電流で高速動作を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 外光の明るさを検出する光検出回路において、アナログ信号ラインにスイッチを挿入することなく検出レンジを切り換えることにより、スイッチングノイズやスイッチのオン抵抗の影響を排除しつつ、周囲照度の変化を広い範囲において検出する。
【解決手段】 この光検出回路は、光電変換素子１１と、光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第１の増幅手段１２〜１３と、制御信号が第１の状態であるときに、第１の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第１の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第２の状態であるときに、第１の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第２の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成する第２の増幅手段２１〜２５とを具備する。 （もっと読む）