【課題】金属ナノ粒子を使用して形成させる接合体の形成方法を提供する。
【解決手段】具体的に提供されるものとしては、不活性雰囲気下であっても金属相が形成できるようなフラックス成分を含んだペーストを提供する。このペーストを使用することで、窒素を初めとする不活性雰囲気下でかつ低温で、さらには従来必要とされていた加圧を行うことなく、実用に耐えうる接合強度を発揮できうる接合材を提供することができるようになった。ペーストの構成としては、平均一次粒子径１〜２００ｎｍであって、炭素数８以下の有機物質で被覆されている銀ナノ粒子と、少なくとも二つのカルボキシル基を有するフラックス成分および分散媒から構成される接合材を使用することで、３００℃以下の温度であっても物質間接合を行うことが可能になる。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１の第１の側面Ｓ１と、第２の炭化珪素基板１２の側面Ｓ２とが互いに面するように、処理室６０内にベース部３０および第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。処理室６０の内面の少なくとも一部は、Ｔａ原子およびＣ原子を含む吸収部５２によって覆われている。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室６０内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部５２の少なくとも一部が炭化される。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ−Ｓｉ共晶接合の接合信頼性を高めることができる接合方法を提供する。
【解決手段】２枚の基板１，２をＡｕ−Ｓｉ共晶接合により接合する接合方法であって、第１のシリコン基板１０を用いて形成された第１の基板１と第２のシリコン基板２０を用いて形成された第２の基板２とを用意する。接合装置のチャンバ内で第１の基板１のＡｕ膜１３と第２の基板２の第２のシリコン基板２０とが接触するように両基板１，２を重ね合わせて荷重を印加した状態で、両基板１，２をＡｕ−Ｓｉの共晶温度よりも高い規定温度まで昇温する昇温過程、両基板１，２の加熱温度を上記規定温度に所定時間だけ保持する温度保持過程、両基板１，２を室温まで降温させる降温過程を順次行うようにし、降温過程では、両基板１，２を上記規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】金属部材の接合面の選択的な加熱を実現できる金属部材の接合方法及び金属部材の接合装置並びにこれらを用いた金属接合部材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属部材の接合方法は、複数の金属部材を固相状態で接合する金属部材の接合方法であって、金属部材の接合面に誘電体微粒子を配置する工程（１）と、該工程（１）の後に実施され、該誘電体微粒子が接合面に配置された該金属部材と他の金属部材とを、該誘電体微粒子を挟むように配置し、これらの金属部材自体に塑性変形が生じない程度の圧力を付与する条件下、該誘電体微粒子にミリ波を照射して、これらの金属部材の接合面を加熱する工程（２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】接合基板に発生する反りをより低減すること。
【解決手段】第１基板の第１基板表面と第２基板の第２基板表面とに粒子を照射することにより、その第２基板表面とその第１基板表面とを活性化させるステップＳ２と、その第１基板の温度とその第２基板の温度との温度差を小さくするステップＳ３と、所定温度差よりその温度差が小さくなった後に、その第２基板表面とその第１基板表面とを接触させることにより、その第２基板とその第１基板とを接合するステップＳ４とを備えている。このような接合方法によれば、その温度差が所定温度差より小さくなる前に接合された他の接合基板に比較して、その第２基板とその第１基板との熱膨張に起因する反りをより低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。
【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】３枚以上の基板を１枚の接合基板に高速に接合すること。
【解決手段】接合チャンバーの内部で上基板とその中間基板とを接合することにより、その第１接合基板を作製するステップＳ１２と、その接合チャンバーの内部にその第１接合基板が配置されているときに、その接合チャンバーの内部にその下基板を搬入するステップＳ１３と、その接合チャンバーの内部でその第１接合基板とその下基板とを接合することにより、第２接合基板を作製するステップＳ１４とを備えている。このような多層接合方法によれば、その上基板は、その中間基板に接合された後に、その接合チャンバーから取り出されることなしに、その下基板に接合されることができる。このため、その第２接合基板は、高速に作製されることができ、ローコストに作製されることができる。 （もっと読む）

【課題】接合しようとする一対の基板の接合面を１台の処理設備により効率よく短時間でプラズマ処理し、それに続いて容易に基板の接合をする。
【解決手段】プラズマ基板表面処理接合装置は、接合する一対の基板１８、２８の接合面をプラズマ処理するためのプラズマ電極３２と、そのプラズマ処理した一対の基板１８、２８の接合面を当接して接合するホルダ押し上げロッド３１とを有する。一対の基板１８、２８を互いに対向させた状態で位置決めピン２４と位置決め孔１４とにより相互に位置決めする。前記ホルダ押し上げロッド３１により基板の接合面を互いに離間して対向させ、その接合面の間にプラズマ電極を挿入してプラズマを形成し、基板１８、２８の接合面を同時にプラズマ処理する。その後基板１８、２８の接合面を当接するよう基板を移動し、基板１８、２８を加圧して圧着する。 （もっと読む）

【解決課題】従来よりも効率的な活性化接合方法、装置を提供する。
【解決手段】第１の金属帯及び第２の金属帯を一定の送り速度で移送し、第１の金属帯に対する第１主活性化領域、及び、第２の金属帯に対する第２主活性化領域に、活性化源からの衝突エネルギーを付与して第１の金属帯及び第２の金属帯を表面活性化し、接合領域で接合する金属クラッド帯の製造方法において、第１主活性化領域と接合領域との間の少なくとも一部の領域である第１副活性化領域と、第２主活性化領域と接合領域との間の領域の少なくとも一部の領域である第２副活性化領域の双方に対して、衝突エネルギーを追加的に付与する工程を有し、第１副活性化領域における積算エネルギーと第１主活性化領域における積算エネルギーとの比、及び、第２副活性化領域における積算エネルギーと第２主活性化領域における積算エネルギーとの比をいずれも２０〜５０％とする。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理しなくても満足できる接合エネルギを得ることが可能な接合方法を提供する。
【解決手段】２つの基板を接合するための接合方法であって、基板のうちの少なくとも一方に対して活性化処理を行うステップと、部分真空下で２つの基板の接触工程を行うステップとを備える接合方法に関する。２つのステップの組み合わせに起因して、接合を行うことができると共に、接合ボイドの数が少ない高い接合エネルギを得ることができる。特に、処理されたデバイス又は少なくとも部分的に処理されたデバイスを備える基板に適用できる。 （もっと読む）