【課題】ハロゲン化ガリウムのアルキル化によりトリアルキルガリウムを合成できる簡便な方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムを真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の溶媒中で、真空加熱処理されたマグネシウムと、少なくとも１種のハロゲン化ガリウムと、少なくとも１種のハロゲン化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを製造する方法であって、ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、溶媒として炭化水素化合物を用い、かつハロゲン化アルキルとして塩化アルキルを用いても、収率良くトリアルキルガリウムを得ることができる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、少なくとも１種の塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムと塩化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高い発光強度、及び高い熱耐久性を備えた発光性希土類錯体を提供する。
【解決手段】一分子に複数の希土類イオンを有する希土類多核錯体とする。希土類イオンの種類は問わないが、Tb(III)の九核錯体により、熱耐久性を備えた緑色発光体を得ることが可能である。また、特に優れた光増感機能を有する配位子の好適な例として、式：


で表されるサリチル酸ヘキシルや、サリチル酸メチルを用いることができる。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤで使用するための希土類金属前駆体であって、一般式ＯＣＲ^１（Ｒ^２）ＣＨ_２Ｘ（式中、Ｒ^１は水素またはアルキル基を示し、Ｒ^２は任意に置換されたアルキル基を示し、ＸはＯＲ及びＮＲ_２（式中、Ｒはアルキル基または置換アルキル基を示す）から選択される）で表される配位子を有する。また、前駆体の製造方法と前駆体を使用した金属酸化膜の成膜方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性に優れるとともに高い正孔注入・輸送能を有し、低電圧で駆動可能な有機電界発光素子を得ることができる、優れた電荷輸送膜用組成物を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）等で表わされるイオン化合物と、電荷輸送性化合物とを少なくとも含有する。


（一般式（１）中、Ｒ¹¹は、Ａ¹と炭素原子で結合する有機基を表わす。Ｒ¹²は、任意の基を表わす。Ｒ¹¹及びＲ¹²が互いに結合して環を形成していても良い。
Ａ¹は、長周期型周期表の第１７族に属する第３周期以降の元素を表わす。
Ｚ₁^n1-は、対アニオンを表わす。
ｎ₁は、対アニオンのイオン価を表わす。） （もっと読む）

【課題】３座配位子と単座配位子を有し、十分な発光性能を示すことのできる金属錯体を提供すること。
【解決手段】第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属と、単座配位子と、１個以上の芳香環を含みかつ当該芳香環構造内に３個の配位原子を含む３座配位子とを有する金属錯体であって、１０℃以上で可視域に発光を示す金属錯体。
陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が上記金属錯体を含む発光層であることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

本発明は、＜１０^−３ｍｏｌ／ｌの臨界ミセル形成物濃度および＞１ｎｍの流体力学的ミセル直径を有する少なくとも１つのフルオロアルキレート化金属錯体、ならびに従来のガレヌス製剤補助剤を任意に有する少なくとも１つの天然または合成のエポチロンまたはエポチロン誘導体を含む薬剤に関する。 （もっと読む）

【課題】 高光度及び長寿命を有する蛍光性錯体及び照明装置を提供すること。
【解決手段】 発光素子と、この発光素子の発光面側に配置され、βジケトンを配位子として有する蛍光性錯体を含む蛍光層とを備え、前記βジケトンの２つのカルボニル基に挟まれる位置のメチレン部位の水素原子が、光学中心を有する置換基で置換されていることを特徴とする。 （もっと読む）

エチレン性不飽和付加重合性モノマーからポリマーを製造する、金属錯体、金属錯体を含む触媒組成物並びに金属錯体及び触媒組成物の製造方法を開示する。金属錯体は式：（Ｉａ）（Ｉｂ）、（ＶＩＩ）


［式中、Ｍ^I及びＭ^IIは金属であり；Ｔは窒素又は燐であり；Ｐは炭素、窒素又は燐原子であり；基Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は互いに結合でき；Ｙは二価架橋基であり；Ｘ、Ｘ¹及びＸ²は、いくつかの例外を除いてアニオン性配位子基であり；Ｄは中性ルイス塩基配位子であり；且つｓ、ｏ、ｋ、ｉ、ｉｉ、ｐ、ｍ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｔ及びｙは特許請求の範囲で述べた数である］の１つに対応する化学構造を有する。
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