本発明は優れた耐久性及び信頼性の電気的接続を新空室（２２５）の壁（２７）を通って形成するための電気的貫通接続構造（２００）を提供する。電気的貫通接続構造（２００）は、開口端（２１７）及び閉口端（２１８）を持つチューブ状部材を備える。少なくとも１つの導電体（２０１）が閉口端（２１７）を通って伸びており、閉口端（２１７）に真空密閉接合部（２１４）によって固定される。接合部（２１４）は、開口端（２１７）からの視野方向に含まれないように構成されている。このようにすることで、衝突物（２２０）及び直熱放射（２２１）が接合部（２１４）に直接当たることを防ぎ、問題を起こし得る接合部（２１４）の汚染にかかる時間を延ばす。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって極めて高い天板の位置再現性を実現することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、チャンバ壁３８の開口部３８ａを閉塞する天板４０と、天板４０をチャンバ壁３８に対して昇降させる複数のスライドピン５６と、各スライドピン５６にそれぞれ設けられた歯付きプーリ６２に掛け渡された歯付きベルト６６とを備える。各スライドピン５６は、歯付きベルト６６によって各歯付きプーリ６２を介して同期して駆動され、天板４０の姿勢を維持したまま天板４０を昇降させる。チャンバ壁３８には位置決めピン４８が設けられ、天板４０にはピン挿入孔４０ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】波長２５０〜２７０ｎｍの深紫外域で発光する光源として使用可能な高機能性Ｇａ₂Ｏ₃単結晶薄膜を、簡便な手段で作製する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ₂Ｏ₃単結晶膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の各画素に同一マスクを用いて複数の非共通層を蒸着した場合の位置ずれによる蒸着欠陥を低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子のキャリア輸送層と発光層を同一のマスク２０を用いて連続的に成膜する。キャリア輸送層の蒸着によって発生するマスク２０と基板１０の熱膨張に伴う変位の差分に応じて、発光層の蒸着工程においては、両側のポイントソース３１ａ、３１ｃの放射角θ２をキャリア輸送層の蒸着時より広げて蒸着する。キャリア輸送層の外縁を囲むように発光層の外縁部を回り込ませることで発光層に欠陥が発生するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】蒸着粒子がクラスター化するのを防ぎ、欠陥のない有機化合物層を有する有機ＥＬ素子を製造する。
【解決手段】蒸着源２１の直上領域を飛翔する蒸着粒子の状態を、レーザー光源４１から出力されたレーザー光を２つの偏光光線に分割してセンサー４２の２つの受光素子で受光する光遮蔽式のパーティクルモニター４によってモニターする。パーティクルモニター４の２つの受光素子の出力を比較して位相の異なる信号を取り込むことで、蒸着粒子のクラスター化を検出する。クラスターが発生した時は、制御ＰＣ４４によって蒸着電源２３のパワーをセーブする。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで処理能力の高い真空成膜装置を実現することを可能にする真空成膜装置用のトレイ構造を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用のトレイ構造は、基板１９が載置されるマスク２２と、マスク２２を支持するトレイ１８とを有する。トレイ１８のマスク２２を支持している面には、真空成膜装置内でトレイ構造を加熱する際にトレイ構造に照射される電磁波の反射率が少なくともトレイ１８よりも高い反射板２３が備えられている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高温での安定性に優れるとともに、刃先のチッピングを抑制することにより工具寿命を長期化させた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材の表面上に形成された被覆層とを含むものであって、該被覆層は、Ａ層とＢ層とが交互にそれぞれ１層以上積層された交互層を含み、該Ａ層は、ＡｌとＣｒとを含む窒化物からなり、該Ａ層を構成する金属原子の総数を１としたときのＣｒの原子数の比が０よりも大きく０．４以下であり、該Ｂ層は、ＣｒとＳｉとを含む窒化物からなり、該Ｂ層を構成する金属原子の総数を１としたときのＳｉの原子数の比が０．０５以上０．３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】すくい面での被覆層の欠損を抑制して耐欠損性を向上させ、逃げ面における耐摩耗性を向上できる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基体６の表面に被覆層７が被覆され、すくい面２と逃げ面３との交差稜線部を切刃４とし、すくい面２での被覆層７の厚みＴ_ｒが逃げ面３での被覆層７の厚みＴ_ｆよりも薄く、被覆層７は柱状結晶からなるとともに被覆層７での表面側に位置する上層領域の平均結晶幅が被覆層７での基体６側に位置する下層領域の平均結晶幅よりも大きい２つの層領域にて構成され、すくい面２での被覆層７の膜厚Ｔ_ｒに対する上層領域の厚みの比率が、逃げ面３で被覆層７の膜厚Ｔ_ｆに対する上層領域の厚みの比率よりも小さく、すくい面２での柱状結晶の平均結晶幅が逃げ面３での柱状結晶の平均結晶幅より小さい切削エンドミル１である。 （もっと読む）

【課題】放射線像変換パネルとして輝度、鮮鋭性に優れた放射線像変換パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】蛍光体原料を含む蒸着源を加熱し、発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該蛍光体原料の安息角が２０°以上９０°以下であることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】数百μｍを超える厚膜の成膜が可能であり、かつ、多量の成膜材料を高い均一性で迅速に溶融でき、しかも、突沸に起因する欠陥等も防止できる真空蒸着用の蒸発源、および、この蒸発源を利用する真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱／溶融して蒸発させる蒸発源が、成膜材料を加熱／溶融する複数の蒸発室と、この蒸発室の上方に配置される、成膜材料の蒸気が通過する開口部が１個のみ形成された遮蔽部材とを有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）