【課題】照射範囲の広いX線照射装置を用いて、試料を電子回路基板等に実装したままで、分析対象部分にのみX線を照射して分析する。
【解決手段】X線照射位置決めフィルタ２０Ａが電子回路基板６０上の部品６１Ａの近傍に配置されている。X線照射位置決めフィルタ２０ＡにはX線を通す窓が開いている。窓の形状は、部品６１Ａにおける分析対象部分の形状に合わされている。窓を除く表面はX線を遮断する。蛍光X線分析装置１Ａは、X線管１０で発生する一次X線１１を部品６１Ａに照射する。窓を通過した一次X線１１によって部品６１Ａにおける分析対象部分を構成する物質の分子が励起され、蛍光X線１２が発生する。蛍光X線分析装置１Ａは、その蛍光X線１２を検出器３０で検出し、分析器４０で部品６１Ａを構成する物質に含有される成分を分析する。 （もっと読む）

【課題】加圧成形試料からの破片や粉体による汚染を簡単な作業で十分に抑制できる試料ホルダを提供する。
【解決手段】加圧成形試料１を保持する試料ホルダ２であって、底部３ａ付きの円筒形であって通気部３ｃを有する本体３と、本体３の上部を覆うように着脱自在に取り付けられ、加圧成形試料１の分析面１ａを露出させる開口４ａを有し、下方から加圧成形試料１が当接される蓋体４と、加圧成形試料１が載置される受け皿５と、本体３の底部３ａと受け皿５との間に配置され、受け皿５を介して加圧成形試料１を蓋体４に押圧する内側ばね６と、加圧成形試料１を非接触で囲うように配置されるリング部７ａおよびそのリング部７ａから垂下する多孔性膜である袋部７ｂからなるトラップ７と、底部３ａとリング部７ａとの間に配置され、リング部７ａを蓋体４に押圧する外側ばね８とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁石は、構成元素およびその組成により特性が大きく異なるが、従来の磁石のリサイクル方法では組成による選別が行われていなかった。そのため、回収された磁石には種々の組成の、特性の異なった磁石が混在しており、個々の元素の酸化物のような粗原料まで精製してから新たな再生磁石を製造する必要があった。
【解決手段】磁石を搭載した使用済み製品について、搭載されている磁石がネオジム磁石か否かを選別し、更にネオジム磁石中のＤｙ組成によりネオジム磁石を選別、回収することにより、品質が良好で安定した磁石のリサイクル原料を効率よく製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】前置増幅部前段の性能特性の変動による影響が抑制されたＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】標準サンプルから放出された蛍光Ｘ線を検出する半導体Ｘ線検出素子、及び半導体Ｘ線検出素子の出力信号を受信する初段ＦＥＴ回路を含む前置増幅部前段と、前置増幅部前段を冷却する冷却装置と、前置増幅部前段から出力される検出信号を分析する信号分析装置と、検出信号を分析して得られる前置増幅部前段の性能特性を示す性能値、及び前置増幅部前段の温度をリアルタイムで監視し、冷却装置を制御して性能値が規定値を満たすように前置増幅部前段の温度を調整させる制御装置とを備え、前置増幅部前段が調整された温度において、測定対象物から放出された蛍光Ｘ線を分析する。 （もっと読む）

【課題】回折線による分析精度の低下を抑制することができる蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】蛍光Ｘ線分析装置１００は、スペクトルから、二次Ｘ線ピークを抽出する二次Ｘ線ピーク抽出部１２と、抽出された前記二次Ｘ線ピークのエネルギー幅を算出する二次Ｘ線ピーク幅算出部１３と、抽出された前記二次Ｘ線ピークのエネルギー値における蛍光Ｘ線ピークのエネルギー幅の情報を取得する蛍光Ｘ線ピーク幅情報取得部１４と、二次Ｘ線ピーク幅算出部１３が算出した前記二次Ｘ線ピークのエネルギー幅が、前記二次Ｘ線ピークのエネルギー値における蛍光Ｘ線ピークのエネルギー幅よりも大きい場合に、抽出された前記二次Ｘ線ピークを回折線ピークと判定する回折線ピーク判定部１５と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スペクトルを有効に表示することができるスペクトル表示装置を提供する。
【解決手段】スペクトル表示装置１００は、第１軸を所定の物理量とし、第２軸を前記所定の物理量に対する強度として表したスペクトルの一部を拡大して表示するスペクトル表示装置であって、前記スペクトルの前記第１軸の拡大範囲を指定するための操作部１０と、操作部１０によって指定された前記拡大範囲の情報を取得する範囲情報取得部２２と、前記拡大範囲の情報に基づいて、前記拡大範囲が所定の拡大率で前記第１軸に沿って拡大され、かつ前記拡大範囲とは異なる前記第１軸の範囲が所定の縮小率で前記第１軸に沿って縮小された拡大スペクトルを生成するスペクトル生成部２４と、スペクトル生成部２４が生成した前記拡大スペクトルを表示する表示部３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】試料表面の付着物質を精度よく検出できる半導体装置の検査方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２の上に反射膜１３と薄膜１４とを順に形成してなる試料１１の表面に、反射膜１３の臨界角θｃよりも浅い入射角θで入射Ｘ線８２ａを照射し、入射Ｘ線８２ａの照射により薄膜１４表面の付着物質８６から放出される蛍光Ｘ線８３を検出することで、試料１１の表面の付着物質８６を検出する。 （もっと読む）

【課題】樹脂中の塩素濃度を蛍光Ｘ線分析で正確に測定することが可能な塩素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の塩素濃度測定方法は、真空中での蛍光Ｘ線分析により樹脂中の塩素濃度を測定する方法であって、対陰極としてロジウムを用いて発生させたＸ線を、クロム測定用フィルタ２３を通して測定試料Ｓに照射し、測定試料Ｓとの比重差が０.１５以内の標準試料を用いて作成した検量線に基づき、照射により測定試料Ｓから発生した蛍光Ｘ線の強度から塩素濃度を算出する。 （もっと読む）

【課題】透過Ｘ線装置で検出した異物の位置の元素分析を蛍光Ｘ線で正確かつ迅速に行えるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】第１のＸ線源１２と、第１のＸ線源から試料１００を透過した透過Ｘ線１２ｘを検出する透過Ｘ線検出器１４とを有する透過Ｘ線検査部１０と、第２のＸ線源２２と、第２のＸ線源からのＸ線を試料に照射したときに該試料から放出されるＸ線２２ｙを検出する蛍光Ｘ線検出器２４とを有する蛍光Ｘ線検査部２０と、試料を保持する試料ステージ５０と、試料ステージを、第１のＸ線源の照射位置と第２のＸ線源の照射位置との間で相対的に移動させる移動機構３０と、透過Ｘ線検出器にて試料中に検出された異物１０１の位置を演算する異物位置演算手段６０と、異物位置演算手段によって演算された異物の位置が第２のＸ線源の光軸２２ｃに一致するように移動機構を制御する移動機構制御手段６１と、を備えたＸ線分析装置１である。 （もっと読む）

【課題】被測定試料中に含まれる元素および放射性物質をそれぞれ特定することができる、蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】
本発明の蛍光Ｘ線分析装置は、Ｘ線領域（１ｋｅＶ〜５０ｋｅＶ）を計測する蛍光Ｘ線検出器と、γ線領域（５０ｋｅＶ〜１．５ＭｅＶ）を計測するγ線検出器と、分析処理手段とを備える。励起Ｘ線管が、被測定試料に対してＸ線を照射する。蛍光Ｘ線検出器は被測定試料に含まれる元素固有の蛍光Ｘ線を検出し、γ線検出器は核種固有のγ線を検出する。分析処理手段が、蛍光Ｘ線のスペクトルとγ線のスペクトルとを求める。
必要に応じて、分析処理手段は、蛍光Ｘ線のスペクトルに基づいて試料に含まれる元素を特定してその含有量を求め、γ線のスペクトルに基づいて試料に含まれる放射性物質の核種を特定してその含有量を求める。 （もっと読む）