【課題】 4h-SiC半導体素子のオン状態の抵抗低減とスイッチング速度向上実現する。
【解決手段】 (0001)面4h-SiC半導体素子のチャネル領域周囲に対してトレンチ溝を設け、シリコン酸化膜を埋め込む。トレンチ溝の酸化膜を、c軸方向へは引っ張り応力が加わり、c軸に垂直な平面上の二つ以上の軸からの圧縮応力が加わるように、平面レイアウトする。例えば、酸化膜で埋め込まれたトレンチ溝を、チャネルを囲む多角形としたり、離散的に配置する場合、チャネルを中心に対称的に配置するレイアウトでもよい。 （もっと読む）

【課題】表面側保護膜が裏面側フォトレジストの剥離液に対する耐性を備えていなくても、表面側に保護膜を形成し裏面側Ｓｉ基板にパターンエッチングして溝を形成した後、裏面側のフォトレジストだけを剥離することができるプロセス工程を有する半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板１の表面側に半導体機能領域２０を形成し、裏面側を研削して半導体基板１を所要の厚さに減じた後、表面側に保護膜２４を塗布し、裏面側にフォトレジスト２５を用いて所要の開口パターンを形成し、該パターン開口部から半導体基板１をエッチングして裏面に溝１６を形成し、その後、裏面側のフォトレジスト２５を研磨により除去し、裏面側半導体機能層を形成する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００の製造方法は以下の工程を有する。第１の主表面１との第２の主表面２とを有する炭化珪素基板８０が準備される。第１の主表面１に電極が形成される。炭化珪素基板８０は六方晶の結晶構造を有し、第１の主表面１の｛０００１｝面に対するオフ角が±８°以内であり、第１の主表面１は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第１の主表面１に生ずる７５０ｎｍ以上の波長域における発光領域３の密度が１×１０⁴cm^-2以下であるような特性を有する。 （もっと読む）

【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜２０を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜１８と上記コラプス抑制膜１８上に形成されたＳｉＯ_２絶縁膜１７とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】フィールドプレート電極を有するトレンチゲート構造を備えた電力用半導体装置においてゲート−ソース間容量を低減する。
【解決手段】電力用半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２、フィールド絶縁膜６、フィールドプレート電極７、第１の絶縁膜８、導電体９、第２の絶縁膜１１、ゲート絶縁膜１０、及びゲート電極１２を備える。フィールドプレート電極７は、フィールド絶縁膜６を介して第１の半導体層２のトレンチ５内に設けられる。第１の絶縁膜８は、フィールドプレート電極７上に設けられ、フィールド絶縁膜６とともにフィールドプレート電極７を取り囲む。導電体９は、第１の絶縁膜８上に設けられ、フィールドプレート電極７とは絶縁される。ゲート電極１２は、フィールド絶縁膜６の上端上に設けられ第２の絶縁膜１１を介して導電体に隣接し、ゲート絶縁膜１０を介してトレンチ５内に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ハイサイド素子として用いても誤動作が少なく、かつオン耐圧およびオフ耐圧の双方を高く維持することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢの内部には、ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ１が、その主表面側にはｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２が、その主表面側にはｎ型ドリフト領域ＤＲＩとｐ型ボディ領域ＢＯとが形成されている。ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ１とｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２との間には、これらの領域を電気的に分離するためにｎ⁺埋め込み領域ＮＢが形成されている。ｎ⁺埋め込み領域ＮＢとｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２との間には、ｐ^-エピタキシャル領域ＥＰ２よりも高いｐ型不純物濃度を有するｐ⁺埋め込み領域ＰＢが形成されている。ｐ⁺埋め込み領域ＰＢは、ｎ型ドリフト領域ＤＲＩとｐ型ボディ領域ＢＯとの接合部の少なくとも直下に位置し、かつｎ型ドリフト領域ＤＲＩと接するドレイン領域ＤＲＡの直下を避けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】トンネルＦＥＴのオン電流の劣化を抑制しつつ、オフ電流を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、溝が形成された基板と、前記基板上の前記溝に隣接する位置にゲート絶縁膜を介して形成され、前記溝の反対側に位置する第１側面と、前記溝側に位置する第２側面とを有するゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート電極の前記第１側面に形成された第１の側壁絶縁膜と、前記ゲート電極の前記第２側面と前記溝の側面に形成された第２の側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第１側面に対し前記第１の側壁絶縁膜側に形成された、第１導電型のソース領域と、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第２側面と前記溝の側面に対し前記第２の側壁絶縁膜側に形成された、第２導電型のドレイン領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗および高耐電圧を両立させることができ、デバイスサイズの小型化、製造歩留まりの向上およびコストの低減を達成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板上５に形成され、ゲートトレンチ１１が形成されたエピタキシャル層６と、ゲートトレンチ１１の側面１４および底面１５に形成されたゲート絶縁膜１７と、ゲートトレンチ１１に埋め込まれ、ゲート絶縁膜１７を介してエピタキシャル層６に対向しているゲート電極２０と、エピタキシャル層６の表面側から裏面側へ向かって順に形成されたソース層２５、チャネル層２６およびドリフト層２７とを含む半導体装置１において、オン抵抗Ｒ_ｏｎを変数ｙとし、耐電圧Ｖ_ｂを変数ｘとする関数で表したときに、下記関係式（１）を成立させる。
ｙ≦９×１０^−７ｘ^２−０．０００４ｘ＋０．７００１…（１） （もっと読む）

【課題】入力トランジスタの構造を櫛形構造にしてゲート抵抗を抑えつつ、ＮＦの増大を防ぐことが可能なＣＭＯＳ集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタは、ゲート配線から櫛歯状に延びて形成され、信号入力端子からの入力信号が供給されるゲート電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるソース配線から、ゲート電極の櫛歯の間に１つ起きに櫛歯状に延びて形成される、接地端子に接続されたソース電極と、ゲート配線に対向した位置に形成されるドレイン配線から、ゲート電極の櫛歯の間のソース電極が存在しない箇所に櫛歯状に延びて形成される、電源端子に接続されたドレイン電極と、を備え、ゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とは、重なり合う領域が存在しないことを特徴とする、ＣＭＯＳ集積回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、主表面が設けられた炭化珪素層１９が形成される。炭化珪素層１９の主表面の一部を覆うマスク１７が形成される。主表面に対して傾斜した側面ＳＳが炭化珪素層１９に設けられるように、マスク１７が形成された炭化珪素層１９の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が５０％以下である雰囲気下で行われる。 （もっと読む）