【課題】低電流域のＲ_ｏｎを低減でき、大電流域で伝導度変調を行えるＭＯＳＦＥＴを備え、アプリケーションに最適なデバイス特性に制御できる半導体装置と製法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ｎ−型ベース層２と、ｎ−型ベース層２の表面部に部分的に形成されたｐ型ベース層４と、ｐ型ベース層４の表面部に部分的に形成されたｎ^＋型ソース層５と、ｎ^＋型ソース層５およびｎ−型ベース層２の間のｐ型ベース層４の表面に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介してｐ型ベース層４に対向するゲート電極７と、ｐ型ベース層４に連なるようにｎ−型ベース層２内に形成されたｐ型コラム層３と、ｎ−型ベース層２の裏面部に部分的に形成されたｐ^＋型コレクタ層１０と、ｎ^＋型ソース層５に電気的に接続されたソース電極８と、ｎ−型ベース層２およびｐ^＋型コレクタ層１０に電気的に接続されたドレイン電極１１とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩ族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、（ａ）基板上方に、ＩＩ族酸化物半導体層を成長させる工程と、（ｂ）ＩＩ族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつＯリッチ条件での成長を行い抵抗率が１０^５Ωｃｍ以上のＩＩ族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
空乏領域が、ｐウェルのまわりのｎ−ドリフト領域中に形成される恐れがある。電流が、空乏領域のまわりで流れるとき、この空乏領域によって、事実上ｐウェル接合部の深さよりチャネル長が長くなることがある。
【解決手段】
シリコンカーバイド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）は、ｎ型シリコンカーバイドのドリフト層（１２）と、ドリフト層に隣接し、第１のｎ型シリコンカーバイド領域（２４）をその中に有した第１のｐ型シリコンカーバイド領域（２０）と、ドリフト層上の酸化物層（２８）と、ドリフト層と第１のｐ型領域の一部分との間に配置されたｎ型シリコンカーバイド制限領域（２６）とを含むことができる。制限領域は、キャリア濃度が、ドリフト層のキャリア濃度より高い。シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】リーク不良の発生を抑制でき、かつ薄型基板を用いることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ３０を、半導体基板３５の表層部に形成された第１導電型層３４と、第１導電型層３４の表面に形成されたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７上に形成されたゲート電極３８と、半導体基板３５の主表面３５ａ上に配置され、主表面３５ａの一部を露出させるコンタクトホール４２が形成された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に配置され、コンタクトホール４２を介して半導体基板３５と接続されるアルミニウムを有する材料で構成される上部電極４３と、上部電極４３上に形成されたニッケルを有する材料で構成されるメッキ膜４４と、半導体基板３５の裏面３５ｂに形成された下部電極４６とを有する構成とする。そして、上部電極４３のうちコンタクトホール４２に形成されている部分の膜厚ｔを２μｍ以上にする。 （もっと読む）

【課題】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通ＩＧＢＴのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】耐圧を確保しつつ、オン抵抗を下げることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】高抵抗で第１導電型の第１ベース層１２と、第１ベース層の裏面に設けられた第１導電型のドレイン層１０と、第１ベース層の表面に形成された第２導電型の第２ベース層１６と、第２ベース層の表面に形成された第１導電型のソース層１８と、ソース層および第２ベース層の表面上に配置されたゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極２２と、ゲート絶縁膜の下面からドレイン層に向かって延伸して配置された第１導電型の電流導通層１４と、ドレイン層に設けられたドレイン電極２８と、ソース層および第２ベース層に設けられたソース電極２６とを備え、電流導通層の側面と第２ベース層の最接近部との距離Ｗ１と、第２ベース層とドレイン層との垂直方向の距離Ｗ２との関係が、Ｗ１＞Ｗ２となるように構成した。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族物質を含む半導体素子及びその製造方法に係り、該半導体素子は、溝を含むシリコン基板３０と、溝周囲の基板上に形成されたハードマスク３２と、溝を充填する、ハードマスク上に形成された第１物質層３４と、第１物質層上に形成された上部物質層３６、及び上部物質層上に形成された素子層と、を含み、該第１物質層は、ＩＩＩ−Ｖ族物質層であり、該上部物質層は、第１物質層の一部でもあり、該上部物質層は、第１物質層と同一物質または異なる物質であってもよい。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程数で形成でき、耐熱性に優れた温度センサを備える炭化珪素半導体装置を得る。
【解決手段】 炭化珪素基板１の活性領域ＡＲに形成された半導体素子と、活性領域ＡＲを取り囲むように炭化珪素基板１中に形成されたウエル領域５と、炭化珪素基板１上に配設される多結晶シリコンからなるゲート電極８と、ゲート電極８と同時に形成され、その一部を用いて形成した測温抵抗体１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタのソース又はドレイン用の拡散層を形成するにあたって形成されるシリコン膜に表面凹凸を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ピラーを形成する工程と、隣り合う前記半導体ピラーで挟まれた溝の側面を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の前記溝の底部に近い領域に側面開口を形成する工程と、前記溝の内部を覆うようにシリコン膜からなる被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜上に前記半導体ピラー内へ拡散させる不純物で構成された不純物層を形成する工程と、前記不純物を、前記側面開口を塞ぐように形成されている前記被覆膜を通して前記半導体ピラー内に熱拡散させてソース又はドレイン用の拡散層を形成する工程と、を含む。前記被覆膜の成膜温度を５１０℃より高く度５５０℃未満の範囲とすることにより、非晶質状態のシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数のチャネルを有する窒化物半導体装置において、ノーマリオフかつ低オン抵抗を実現する技術を提供する。
【解決手段】第１の窒化物半導体層３，５，７と、第１の窒化物半導体層よりも禁制帯幅が大きい第２の窒化物半導体層５，６，８とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも２つ以上有する窒化物半導体積層体１０を備え、窒化物半導体積層体１０に設けられたドレイン電極１４と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４とソース電極１３の両者に対向して設けられたゲート電極１５，１６とを有し、ドレイン電極１４とソース電極１３は、窒化物半導体積層体１０の表面または側面に配置され、ゲート電極１５，１６は、窒化物半導体積層体１０の深さ方向に設けられた第１ゲート電極１５と、該第１ゲート電極１５と窒化物半導体積層体１０の深さ方向の配置深さが異なる第２ゲート電極１６とを有する。 （もっと読む）