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国際特許分類[H03K3/02]の内容

電気 (1,674,590) | 基本電子回路 (63,536) | パルス技術 (16,231) | 電気的パルスの発生回路;単安定回路,双安定回路,多安定回路 (1,702) | パルスの発生に用いられる回路形式または手段によって特徴づけられた発生器 (1,478)

国際特許分類[H03K3/02]の下位に属する分類

能動素子として二種類以上の素子または手段の使用によるもの,例.BIMOS,IGBTのような複合装置
内部または外部正帰還をもつ,差動増幅器または比較器を用いるもの (124)
内部または外部正帰還をもつ,論理回路を用いるもの (450)
能動素子として正帰還をもつ真空管だけを用いるもの
能動素子として内部または外部正帰還をもつバイポーラトランジスタを用いるもの (51)
能動素子として2個の電極,1個または2個の電位跳躍障壁をもち,負性抵抗特性を示す半導体装置を用いるもの (2)
能動素子としてホール蓄積またはエンハンスメント効果を示す半導体装置のを用いるもの (1)
能動素子として3以上の電極をもちかつアバランシェ効果を示す半導体装置を用いるもの
能動素子として3以上のPN接合,または4以上の電極,または同一伝導領域に接続された2以上の電極をもつバイポーラ半導体装置を用いるもの (2)
能動素子として内部または外部正帰還をもつ電界効果トランジスタを用いるもの (670)
能動素子としてバルク負性抵抗装置,例.ガン効果装置,を用いるもの
能動素子として他に分類されない半導体を用いるもの (2)
能動素子としてガス入り管を用いるもの,例.非安定トリガ回路
能動素子として超電導装置を用いるもの (3)
能動素子として電気化学的電池を用いるもの
能動素子として光−電子装置,すなわち電気的にまたは光学的に結合された発光および光電変換を用いるもの (3)
能動素子として電子ビーム偏向管を用いるもの
能動素子として非線形磁気装置または非線形誘電体装置を用いるもの (14)
外部信号により制御されるスイッチング素子によって負荷を通して放電させられ,かつ正帰還が組みこまれていないエネルギ蓄積素子の使用によるもの (33)
電流磁気効果装置の使用によるもの,例.ホール効果装置 (3)

国際特許分類[H03K3/02]に分類される特許

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【課題】発振周波数の電源電圧依存性を抑制した発振回路を提供する。
【解決手段】第1の充放電回路10が放電を終了すると、第1の充放電回路10の第1のキャパシタC1の端子電圧が電源電圧Vddに初期化されるとともに、第2の充放電回路20が放電を開始する。そして、第2の充放電回路20が放電を終了すると、第2の充放電回路20の第2のキャパシタC2の端子電圧が電源電圧Vddに初期化されるとともに、第1の充放電回路10が放電を開始する。第1及び第2の充放電回路10,20は交互に初期化と放電を繰り返し、放電は常に電源電圧Vddから開始される。 (もっと読む)


【課題】増幅手段の駆動電力を連続制御し、発振起動時間の短縮や動作の安定性を確保しながら定常時の消費電力を効率的に低減することのできる発振回路およびその制御方法を提供する。
【解決手段】発振回路が駆動する負荷容量への充放電電流に応じて発振回路の駆動電力を制御することとしたため、発振起動時間や発振の安定性を犠牲にすることなく定常時の消費電力を効果的に低減することが出来る。また本発明を採用したシステムにおいては、環境の変動に応じて最適な電力を発振回路に与えることが可能となり、システム全体での省エネルギー化、電池の長寿命化が実現出来る。 (もっと読む)


【課題】回路の構成を複雑にすることなく、制御電圧と発振周波数とを逆比例または正比例させることができる電圧制御発振器および電圧制御発振方法を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器21は、RSフリップフロップ22を構成するNORゲート23とオペアンプ33、抵抗29およびキャパシタ31からなるミラー積分回路24とを備えたものにおいて、NORゲート23の出力路とミラー積分回路24に含まれるオペアンプ33の反転端子との間に、スイッチの役割をするダイオード25を設け、ミラー積分回路24に含まれるキャパシタ31を充電した後、放電することで、RSフリップフロップ22をセットまたはリセットし、発振動作を継続し、前記発振周波数を変更する。 (もっと読む)


【課題】回路構成が複雑になることがなく、動作範囲を大きくすることができる電圧制御発振器および電圧制御発振方法を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器1は、フリップフロップを構成するNANDゲート3と、オペアンプ17、抵抗5〜13およびキャパシタ15を備え当該オペアンプ17の反転端子に制御電圧を印可するブートストラップ回路とによって、当該制御電圧と発振周波数とを比例させるものにおいて、NANDゲート3の出力路と、オペアンプ17の非反転端子との間に、当該非反転端子から帰還した電圧が当該NANDゲート3の閾値以下になったか否かに基づいて、キャパシタ15に電荷を充電するかキャパシタ15から電荷を放電するか否かを決定するダイオード21を設けた。 (もっと読む)


【課題】 スキャンパス法によるディレイテストを迅速に開始できるとともに高速且つ高精度な実行が可能なパルス発生回路を提供する。
【解決手段】 2つの遅延信号の遅い方の第2遅延信号CLK2の入力クロックからの遅延時間が調整可能な遅延回路部51,52、単安定マルチバイブレータ53、単安定マルチバイブレータの出力信号が入力に帰還する正帰還ループであって遅延回路部内の入力クロックから第2遅延信号に至る信号遅延経路を経由する場合としない場合の2つを個別に形成する制御と遅延回路部の遅延時間の調整を行う制御回路55、正帰還ループの発振周波数を測定する発振周波数測定回路60、及び、入力クロックと2つの遅延信号から入力クロックの1周期内に時間差が第2遅延信号の入力クロックからの遅延時間と同等となる少なくとも2回の立ち上がりまたは立ち下がりエッジを有するパルス信号CLK3を生成するパルス生成回路56を備える。 (もっと読む)


可変閾値の多段パルス整形回路を活用した、回路配置及び方法を用いて、水晶発振回路の信号出力をパルス整形する。パルス整形回路の各段は、ラッチの入力を駆動するシュミット・トリガを有し、該シュミット・トリガは水晶発振回路によって発生する歪んだパルスを拒否するために制御されるプログラム可能なトリップ・ポイントを有する。可変閾値の多段パルス整形回路は、例えば、ノイズおよび他の環境効果に対して強い電子回路のためのクロック信号の生成に用いることによって、電子回路におけるクロック関連のエラーの可能性を低減できる。
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【課題】第1の制御クロックに基づいて第1の制御を行う第1の制御部と、第2の制御クロックに基づいて第2の制御を行う第2の制御部とを有する半導体装置に関し、チップサイズの小型化が可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、第1の制御クロックに基づいて第1の制御を行う第1の制御部と、第2の制御クロックに基づいて第2の制御を行う第2の制御部とを有する半導体装置であって、第1のクロックを生成する第1のクロック生成部と、第2のクロックを生成する第2のクロック生成部と、第1のクロック又は前記第2のクロックのいずれかを選択し、出力する選択部と、クロック選択部で選択されたクロックから第1の制御クロックを生成し、第1の制御部に供給するとともに、クロック選択部で選択されたクロックから第2の制御クロックを生成し、第2の制御部に供給する制御クロック生成部とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】消費電力を削減する。
【解決手段】負荷に定電流パルスを供給する定電流パルス発生回路であって、直流電源と、直流電源に対して、負荷と並列に設けられたインダクタ部と、直流電源とインダクタ部とを接続するか否かを切り替えることにより、直流電源からインダクタ部にエネルギーを供給するか否かを切り替える第1スイッチと、インダクタ部と負荷とを接続するか否かを切り替えることにより、インダクタ部に蓄積されたエネルギーを負荷に供給するか否かを切り替える第2スイッチとを備える定電流パルス発生回路を提供する。 (もっと読む)


【課題】回路規模の増大を抑制しつつタイミング違反を防止することが可能なフリップフロップ機能素子、半導体集積回路、半導体集積回路設計方法及び半導体集積回路設計装置を提供する。
【解決手段】設計装置のセルライブラリに、3個のラッチ回路(L1、L2、L3)を備えるフリップフロップFF1をスタンダードセルとして記憶する。このラッチ回路L2の出力は、フリップフロップFF1の出力信号Qとなる。ラッチ回路L2にデータ信号は、クロック信号CKによりラッチされた信号をラッチ回路L3に供給する。このラッチ回路L3の出力は、フリップフロップFF1の出力信号Q2となる。ホールドタイム違反が生じる可能性があるエラーパスを発見した場合、設計処理部は、このエラーパスにおいて前段のフリップフロップFFの出力としてQ出力からQ2出力に変更する。 (もっと読む)


【課題】マイクロプロセッサ或いはオンチップ・システムなどの集積回路装置において受験信号のデューティー・サイクルを測定するメカニズムを提供する。
【解決手段】該メカニズムは、該デューティー・サイクルに比例する、ありふれた研究室装置或いは製造装置を用いて測定され得る周波数を生成する。該メカニズムは、必要な面積が非常に僅かで、使用されていないときには給電を止めることのできる標準的な相補型金属酸化膜半導体プロセスで簡単な回路を用いて具体化され得る。該メカニズムは、例えば、ロー・パス・フィルタと、校正基準電圧信号を供給するための分周器と、VF変換器と、周波数信号出力を、該信号の周波数が所定範囲内にあるように割るための分周器と、出力ドライバと出力パッドとを含み得る。該周波数出力信号から、オフチップ装置を用いて受験信号のデューティー・サイクルを計算することができる。 (もっと読む)


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