インバータ用スナバコンデンサ及びスナバ回路の冷却構造
【課題】コンデンサモジュール、金属ケース及びスナバモジュールを小形、安価にする。
【解決手段】インバータ回路３に並列に接続されたスナバコンデンサ８をモールド材が充填されたコンデンサモジュール１７内に収納するとともに、スナバコンデンサ８の電極８ａと半導体スイッチＳ１，Ｓ２を冷却する冷却フィン１４に接続された導体１９とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を介して接続する。
【解決手段】インバータ回路３に並列に接続されたスナバコンデンサ８をモールド材が充填されたコンデンサモジュール１７内に収納するとともに、スナバコンデンサ８の電極８ａと半導体スイッチＳ１，Ｓ２を冷却する冷却フィン１４に接続された導体１９とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を介して接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、コンデンサ等を直流電源として、高電圧・大電流のパルスを発生させるパルス電源に関し、特に、コンデンサを周期的にある設定電圧まで高速充電するコンデンサ充電装置に使用されるインバータ用スナバコンデンサ及びスナバ回路の冷却構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８は従来のコンデンサ充電装置の回路構成を示し、１はコンデンサであり、コンデンサ１には漂遊インダクタンス２を介してインバータ３を接続する。インバータ回路３は、ＩＧＢＴ等からなる半導体スイッチＳ１，Ｓ２をブリッジ接続して構成し、直流電力を交流電力に変換する。インバータ回路３の出力には昇圧トランス４を介してダイオードブリッジ回路からなり、交流電圧を直流電圧に変換する整流回路５を接続し、整流回路５の出力はリアクトル６を介してコンデンサ７に接続する。この回路動作を説明すると、まずコンデンサ１に３相電源や整流回路等を用いて直流電圧を蓄えておき、一対の半導体スイッチＳ１のオンにより昇圧トランス４の一次側にコンデンサ１から漂流インダクタンス２、半導体スイッチＳ１、昇圧トランス４の一次巻線、半導体スイッチＳ１の経路で電流ｉ１を流し、また昇圧トランス４の二次側に整流回路５、リアクトル６、コンデンサ７の経路で電流ｉ２を流し、リアクトル６にエネルギーを蓄積しつつコンデンサ７を充電する。次に、半導体スイッチＳ１をオフすると、リアクトル６、コンデンサ７、整流回路５の経路で電流ｉ３が流れ、リアクトル６に蓄えられたエネルギーはコンデンサ７に移行し、コンデンサ７はさらに充電される。ただし、インバータ回路３の半導体スイッチＳ１をオフした瞬間、電流ｉ１と漂遊インダクタンス２の影響により、半導体スイッチＳ１には過電圧が発生する。そこで、この過電圧により半導体スイッチＳ１が破損するのを防止するため、インバータ回路３と並列にスナバコンデンサ８を接続する。図９（ａ），（ｂ）はコンデンサ７の充電電流と充電電圧である。
【０００３】
図１０は他の従来のコンデンサ充電装置の回路構成を示し、図８との相違点は、スナバ回路として、スナバコンデンサ８に代わって、半導体スイッチＳ１にスナバコンデンサ９とスナバダイオード１０の直列回路からなるスナバモジュール１１を並列に接続するとともに、スナバコンデンサ９とスナバダイオード１０との接続点とインバータ３の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗１２を接続してインバータ用充電型ＲＣＤスナバ回路を構成している点である。動作もスナバ回路以外の動作及びコンデンサ７の充電電流、充電電圧は図８の回路の場合と同様であり、スナバ回路においては、スナバコンデンサ９は常時スナバ抵抗１２を介してコンデンサ１の直流電圧と同一の電圧に充電されており、半導体スイッチＳ１がターンオフしたときに発生するサージ電圧がコンデンサ１の直流電圧よりも高くなった分がスナバダイオード１０を介してスナバコンデンサ９に充電され、この充電電荷はスナバ抵抗１２を介して元のコンデンサ１の充電電圧まで放電される。
【０００４】
なお、この発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【特許文献１】特開平８−１４０３３８号公報
【特許文献２】特開平６−１４５６２号公報
【特許文献３】特開平７−７９２４号公報
【特許文献４】特開平６−１６９０３８号公報
【特許文献５】特開平１０−２８５９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来のコンデンサ充電装置において、スナバコンデンサ８は、吸湿による絶縁劣化の防止や他部品との絶縁を保つために、通常はモールド材が充填されたモジュール内に収納されている。モジュール化されたスナバコンデンサ８は、半導体スイッチＳ１，Ｓ２との間のインダクタンスをできる限り少なくするために、図１１に示すように、スナバコンデンサ８の電極８ａを半導体スイッチＳ１，Ｓ２の接続端子１３と接続し、いわゆる直付け構造としている。１４は半導体スイッチＳ１，Ｓ２が取り付けられた冷却フィンである。しかしながら、モジュール化されたスナバコンデンサ８の温度上昇の要因は主に二つあり、その一つは半導体スイッチＳ１，Ｓ２や導体で発生した熱が図１１の矢印１５に示すようにモジュール化されたスナバコンデンサ８に伝達され、温度上昇することであり、もう一つの要因はコンデンサ固有のｔａｎδ（誘電正接）の影響により自己発熱することである。
【０００６】
モジュール化されたスナバコンデンサ８はモールド材を介して上記要因で発生した熱を空気中に放熱するが、モールド材は熱伝導率が低いために、冷却効率が悪い。従って、温度上昇を抑えるために、コンデンサ８の並列数を増加するか、あるいは冷却効率を上げるために、モジュールの表面積を増加する必要があり、結果的にモジュール化されたスナバコンデンサ８の大形化につながり、高価にもなった。
【０００７】
又、図１０に示すスナバモジュール１１においても、スナバコンデンサ９やスナバダイオード１０は同じくモールド材が充填されたモジュール内に収納されており、スナバモジュール１１は半導体スイッチＳ１との間のインダクタンスをできる限り少なくするために、図１２に示すように、スナバモジュール１１の電極１１ａを半導体スイッチＳ１の接続端子１３と接続し、直付け構造としている。しかしながら、スナバモジュール１１においても、半導体スイッチＳ１や導体で発生した熱が矢印１６に示すような経路でスナバモジュール１１に伝達され、またスナバコンデンサ９の自己発熱、あるいはスナバダイオード１０の損失による自己発熱により温度が上昇し、モールド材を介して放熱するが、やはり放熱効果が悪く、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の並列数を増加したり、スナバモジュール１１の表面積を増加したりする必要があり、スナバモジュール１１が大形で高価となった。
【０００８】
この発明は上記のような課題を解決するために成されたものであり、スナバコンデンサを収納したコンデンサモジュール、金属ケース及びスナバコンデンサ、スナバダイオードを収納したスナバモジュールを小形、安価にすることができるインバータ用スナバコンデンサ及びスナバ回路の冷却構造を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の請求項１に係るインバータ用スナバコンデンサの冷却構造は、複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたインバータ用スナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサをモールド材が充填されたコンデンサモジュール内に収納するとともに、スナバコンデンサの電極と半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したものである。
【００１０】
請求項２に係るインバータ用スナバコンデンサの冷却構造は、複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたスナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサを絶縁油を封入した金属ケース内に収納し、金属ケースと半導体スイッチを冷却する冷却フィンとを導体により接続したものである。
【００１１】
請求項３に係るインバータ用スナバ回路の冷却構造は、直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内においてスナバダイオードと半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したものである。
【００１２】
請求項４に係るインバータ用スナバ回路の冷却構造は、上記導体を冷却フィンにねじにより取り付け、このねじを冷却フィンの上方が開放された上面又は側面に取り付けたものである。
【００１３】
請求項５に係るインバータ用スナバ回路の冷却構造は、直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内のスナバダイオード及びスナバモジュールの電極と水配管と接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したものである。
【発明の効果】
【００１４】
以上のようにこの発明の請求項１によれば、スナバコンデンサの電極は高熱伝導性のシート及び導体を介して冷却フィンと接続されており、スナバコンデンサの熱は冷却フィンに伝わり易くなる。このため、スナバコンデンサの冷却効果が向上し、スナバコンデンサの温度上昇は生じ難くなり、スナバコンデンサの並列設置数を増加させる必要が無く、スナバコンデンサを収納したコンデンサモジュールの表面積を増加させる必要もないので、コンデンサモジュールを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサをモールド材が充填されたコンデンサモジュール内に収納したので、吸湿等による絶縁劣化を生じることがない。
【００１５】
請求項２によれば、スナバコンデンサを絶縁油を封入した金属ケース内に収納し、金属ケースと半導体スイッチを冷却する冷却フィンとを導体により接続しており、スナバコンデンサの熱は高熱伝導性の絶縁油を介して金属ケースに伝わり、さらに導体を介して冷却フィンへと伝わる。このため、スナバコンデンサと冷却フィンとの間の熱抵抗が小さくなり、スナバコンデンサの冷却効果が向上し、スナバコンデンサの温度上昇は生じ難くなり、スナバコンデンサの並列設置数を増加させる必要が無く、スナバコンデンサを収納した金属ケースの表面積を増加させる必要もないので、金属ケースを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサを絶縁油が充填されたコンデンサモジュール内に収納したので、吸湿等による絶縁劣化を生じることがない。
【００１６】
請求項３によれば、モールド材が充填されたスナバモジュール内においてスナバダイオードと冷却フィンに接続された導体とを高熱伝導性のシートを介して接続しており、スナバダイオードの熱は高熱伝導性のシート及び導体を介して冷却フィンへと伝わる。このため、スナバダイオードと冷却フィンとの間の熱抵抗が小さくなり、スナバダイオードの冷却効果が向上し、スナバダイオードの温度上昇は生じ難くなり、スナバダイオードの並列設置数を増加させる必要が無く、スナバダイオードを収納したスナバモジュールの表面積を増加させる必要もないので、スナバモジュールを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ及びスナバモジュールをモールド材が充填されたスナバモジュール内に収納したので、吸湿等による絶縁劣化を生じることがない。
【００１７】
請求項４にとれば、導体を冷却フィンにねじにより取り付け、このねじを冷却フィンの上方が開放された上面又は側面に取り付けており、上方が開放された上面に取り付けた場合には、取付作業性が良くなり、側面に取り付けた場合には、上面に取り付けられない場合に、取付が容易になる。
【００１８】
請求項５によれば、スナバモジュール内のスナバダイオードが高熱伝導性のシート及び導体を介して水配管と接続されるとともに、スナバモジュール内のスナバモジュールの電極が高熱伝導性のシート及び導体を介して水配管と接続されており、スナバコンデンサ及びスナバダイオードの熱はシート及び導体を介して水配管に伝達される。このため、スナバコンデンサ及びスナバダイオードと水配管との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ及びスナバダイオードの温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ及びスナバダイオードの並列数を増加させる必要がなく、スナバコンデンサ及びスナバダイオードを収納したスナバモジュールの表面積を増加させる必要もなく、スナバモジュールを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ及びスナバダイオードはモールド材が充填されたスナバモジュール内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施最良形態１
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面とともに説明する。図１はこの発明の実施最良形態１によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図を示し、スナバコンデンサ８の電極８ａは半導体スイッチＳ１，Ｓ２の接続端子１３と直付けされている。又、半導体スイッチＳ１，Ｓ２は冷却フィン１４に取り付けられている。インバータ回路３に並列に接続されたスナバコンデンサ８はモールド材が充填されたコンデンサモジュール１７内に収納される。又、一端がねじ１８により冷却フィン１４に取り付けられた銅等からなる導体１９の他端がコンデンサモジュール１７内においてスナバコンデンサ８の電極８ａと高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を挟んでプラスチック製のねじ２１により締め付けられる。
【００２０】
上記した実施最良形態１においては、スナバコンデンサ８の電極８ａが高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して冷却フィン１４と接続されており、スナバコンデンサ８の熱は矢印２２の順路で冷却フィン１４に伝達される。このため、スナバコンデンサ８と冷却フィン１４との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ８の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ８の並列数を増加させる必要がなく、コンデンサモジュール１７の表面積を増加させる必要もなく、コンデンサモジュール１７を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ８はモールド材が充填されたコンデンサモジュール１７内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【００２１】
実施最良形態２
図２は実施最良形態２によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図を示し、スナバコンデンサ８は絶縁油２３が封入された金属ケース２４内に収納される。又、一端がねじ１８により冷却フィン１４に取り付けられた銅等からなる導体１９の他端を金属ケース２４にねじあるいはろう付けにより取り付ける。また、スナバコンデンサ８の電極８ａは金属ケース２４を挿通して半導体スイッチＳ１，Ｓ２の接続端子１３と接続されるが、電極８ａと金属ケース２４との間はガラスエポキシ等の絶縁材料を用いて絶縁する。その他の構成は従来と同様である。
【００２２】
上記した実施最良形態２においては、スナバコンデンサ８は絶縁油２３を封入した金属ケース２４内に収納されており、スナバコンデンサ８の熱は絶縁性と高熱伝導性を兼ねた絶縁油２３を介して金属ケース２４に伝導し、さらに金属ケース２４に接続された導体１９を介して冷却フィン１４に矢印２２に示すように伝導する。このため、スナバコンデンサ８と冷却フィン１４との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ８の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ８の並列数を増加させる必要がなく、金属ケース２４の表面積を増加させる必要もなく、金属ケース２４を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ８は絶縁油２３が封入された金属ケース２４内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【００２３】
実施最良形態３
図３は実施最良形態３によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、モールド材が充填されたスナバモジュール１１内にはスナバコンデンサ９とスナバダイオード１０の直列回路を収納し、この直列回路を半導体スイッチＳ１と並列に接続する。即ち、スナバモジュール１１の電極１１ａを半導体スイッチＳ１の接続端子１３と直付けする。又、スナバコンデンサ９とスナバモジュール１０との接続点とインバータ回路３の反対側の直流端子との間にはスナバ抵抗１２を接続し、充電型ＲＣＤスナバ回路を構成する。一端がねじ１８により冷却フィン１４に取り付けられた銅等からなる導体１９の他端がスナバモジュール１１内においてスナバダイオード１０と高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を挟んでプラスチック製のねじ２１により締め付けられる。
【００２４】
上記した実施最良形態３においては、スナバモジュール１１内のスナバダイオード１０が高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して冷却フィン１４と接続されており、スナバダイオード１０の熱は矢印２２の順路で冷却フィン１４に伝達される。このため、スナバダイオード１０と冷却フィン１４との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバダイオード１０の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバダイオード１０の並列数を増加させる必要がなく、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０を収納したスナバモジュール１１の表面積を増加させる必要もなく、スナバモジュール１１を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０はモールド材が充填されたスナバモジュール１１内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【００２５】
実施最良形態４
図４は実施最良形態４によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、実施最良形態３と異なる点は、導体１９の一端を冷却フィン１４に取り付けるねじ１８の位置を冷却フィン１４の上方が開放された上面、即ち矢印２５に示すように、上方からアクセス可能な位置にした点であり、その他の構成は実施最良形態３と同様である。
【００２６】
実施最良形態４においては、導体１９の一端をねじ１８により冷却フィン１４の上方が開放された上面に取り付けたので、取付の際の取付作業性を改善することができる。
【００２７】
実施最良形態５
図５は実施最良形態５によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、実施最良形態３と異なる点は、導体１９の一端を冷却フィン１４に取り付けるねじ１８の位置を冷却フィン１４の側面にした点であり、その他の構成は実施最良形態３と同様である。
【００２８】
実施最良形態５においては、導体１９の一端をねじ１８により冷却フィン１４の側面に取り付けたので、導体１９の一端を冷却フィン１４の上面に取り付けられないときは、冷却フィン１４の側面を利用して容易に取り付けることができる。
【００２９】
実施最良形態６
図６は実施最良形態６によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、モールド材が充填されたスナバモジュール１１内にはスナバコンデンサ９とスナバダイオード１０の直列回路を収納し、この直列回路を半導体スイッチＳ１と並列に接続する。即ち、スナバモジュール１１の電極１１ａを半導体スイッチＳ１の接続端子１３と直付けする。又、スナバコンデンサ９とスナバモジュール１０との接続点とインバータ回路３の反対側の直流端子との間にはスナバ抵抗１２を接続し、充電型ＲＣＤスナバ回路を構成する。モールド材が充填されたスナバモジュール１１内においては、スナバダイオード１０と導体１９の一端とが高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を介してプラスチックねじ２１により締め付けられるとともに、スナバモジュール１１の電極１１ａと導体１９の一端とが
高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を介してプラスチックねじ２６により締め付けられ、導体１９の他端は断面長方形の水配管２７とねじ１８により取り付けられる。
【００３０】
実施最良形態６においては、スナバモジュール１１内のスナバダイオード１０が高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して水配管２７と接続されるとともに、スナバモジュール１１内のスナバモジュール１１の電極１１ａが高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して水配管２７と接続され、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の熱は矢印２８に示すようにシート２０及び導体１９を介して水配管２７に伝達される。このため、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０と水配管２７との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の並列数を増加させる必要がなく、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０を収納したスナバモジュール１１の表面積を増加させる必要もなく、スナバモジュール１１を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０はモールド材が充填されたスナバモジュール１１内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。実施最良形態６は、水配管２７の温度が冷却フィン１４の温度より低い場合に効果が大きい。
【００３１】
実施最良形態７
図７は実施最良形態７によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、実施最良形態６との相違点は、導体１９の他端を断面円形の水配管２９にろう付けした点である。その他の構成は実施最良形態６と同様である。効果も導体１９の他端と水配管２９とをろう付けしたので、接触熱抵抗を小さくできることであり、そのたの効果は実施最良形態６と同様である。実施最良形態７の場合も、水配管２９の温度が冷却フィン１４の温度より低い場合に効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】この発明の実施最良形態１によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図である。
【図２】実施最良形態２によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図である。
【図３】実施最良形態３によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図４】実施最良形態４によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図５】実施最良形態５によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図６】実施最良形態６によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図７】実施最良形態７によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図８】従来のコンデンサ充電装置の回路構成図である。
【図９】従来のコンデンサ充電装置の電圧電流特性図である。
【図１０】他の従来のコンデンサ充電装置の回路構成図である。
【図１１】図８に示したコンデンサ充電装置の要部構造図である。
【図１２】図１０に示したコンデンサ充電装置の要部構造図である。
【符号の説明】
【００３３】
３…インバータ回路
８，９…スナバコンデンサ
８ａ，１１ａ…電極
１０…スナバダイオード
１１…スナバモジュール
１２…スナバ抵抗
１３…半導体スイッチ接続端子
１４…冷却フィン
１７…コンデンサモジュール
１８…ねじ
１９…導体
２０…シート
２１，２６…プラスチックねじ
２３…絶縁油
２４…金属ケース
２７，２９…水配管
Ｓ１，Ｓ２…半導体スイッチ
【技術分野】
【０００１】
この発明は、コンデンサ等を直流電源として、高電圧・大電流のパルスを発生させるパルス電源に関し、特に、コンデンサを周期的にある設定電圧まで高速充電するコンデンサ充電装置に使用されるインバータ用スナバコンデンサ及びスナバ回路の冷却構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図８は従来のコンデンサ充電装置の回路構成を示し、１はコンデンサであり、コンデンサ１には漂遊インダクタンス２を介してインバータ３を接続する。インバータ回路３は、ＩＧＢＴ等からなる半導体スイッチＳ１，Ｓ２をブリッジ接続して構成し、直流電力を交流電力に変換する。インバータ回路３の出力には昇圧トランス４を介してダイオードブリッジ回路からなり、交流電圧を直流電圧に変換する整流回路５を接続し、整流回路５の出力はリアクトル６を介してコンデンサ７に接続する。この回路動作を説明すると、まずコンデンサ１に３相電源や整流回路等を用いて直流電圧を蓄えておき、一対の半導体スイッチＳ１のオンにより昇圧トランス４の一次側にコンデンサ１から漂流インダクタンス２、半導体スイッチＳ１、昇圧トランス４の一次巻線、半導体スイッチＳ１の経路で電流ｉ１を流し、また昇圧トランス４の二次側に整流回路５、リアクトル６、コンデンサ７の経路で電流ｉ２を流し、リアクトル６にエネルギーを蓄積しつつコンデンサ７を充電する。次に、半導体スイッチＳ１をオフすると、リアクトル６、コンデンサ７、整流回路５の経路で電流ｉ３が流れ、リアクトル６に蓄えられたエネルギーはコンデンサ７に移行し、コンデンサ７はさらに充電される。ただし、インバータ回路３の半導体スイッチＳ１をオフした瞬間、電流ｉ１と漂遊インダクタンス２の影響により、半導体スイッチＳ１には過電圧が発生する。そこで、この過電圧により半導体スイッチＳ１が破損するのを防止するため、インバータ回路３と並列にスナバコンデンサ８を接続する。図９（ａ），（ｂ）はコンデンサ７の充電電流と充電電圧である。
【０００３】
図１０は他の従来のコンデンサ充電装置の回路構成を示し、図８との相違点は、スナバ回路として、スナバコンデンサ８に代わって、半導体スイッチＳ１にスナバコンデンサ９とスナバダイオード１０の直列回路からなるスナバモジュール１１を並列に接続するとともに、スナバコンデンサ９とスナバダイオード１０との接続点とインバータ３の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗１２を接続してインバータ用充電型ＲＣＤスナバ回路を構成している点である。動作もスナバ回路以外の動作及びコンデンサ７の充電電流、充電電圧は図８の回路の場合と同様であり、スナバ回路においては、スナバコンデンサ９は常時スナバ抵抗１２を介してコンデンサ１の直流電圧と同一の電圧に充電されており、半導体スイッチＳ１がターンオフしたときに発生するサージ電圧がコンデンサ１の直流電圧よりも高くなった分がスナバダイオード１０を介してスナバコンデンサ９に充電され、この充電電荷はスナバ抵抗１２を介して元のコンデンサ１の充電電圧まで放電される。
【０００４】
なお、この発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【特許文献１】特開平８−１４０３３８号公報
【特許文献２】特開平６−１４５６２号公報
【特許文献３】特開平７−７９２４号公報
【特許文献４】特開平６−１６９０３８号公報
【特許文献５】特開平１０−２８５９０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来のコンデンサ充電装置において、スナバコンデンサ８は、吸湿による絶縁劣化の防止や他部品との絶縁を保つために、通常はモールド材が充填されたモジュール内に収納されている。モジュール化されたスナバコンデンサ８は、半導体スイッチＳ１，Ｓ２との間のインダクタンスをできる限り少なくするために、図１１に示すように、スナバコンデンサ８の電極８ａを半導体スイッチＳ１，Ｓ２の接続端子１３と接続し、いわゆる直付け構造としている。１４は半導体スイッチＳ１，Ｓ２が取り付けられた冷却フィンである。しかしながら、モジュール化されたスナバコンデンサ８の温度上昇の要因は主に二つあり、その一つは半導体スイッチＳ１，Ｓ２や導体で発生した熱が図１１の矢印１５に示すようにモジュール化されたスナバコンデンサ８に伝達され、温度上昇することであり、もう一つの要因はコンデンサ固有のｔａｎδ（誘電正接）の影響により自己発熱することである。
【０００６】
モジュール化されたスナバコンデンサ８はモールド材を介して上記要因で発生した熱を空気中に放熱するが、モールド材は熱伝導率が低いために、冷却効率が悪い。従って、温度上昇を抑えるために、コンデンサ８の並列数を増加するか、あるいは冷却効率を上げるために、モジュールの表面積を増加する必要があり、結果的にモジュール化されたスナバコンデンサ８の大形化につながり、高価にもなった。
【０００７】
又、図１０に示すスナバモジュール１１においても、スナバコンデンサ９やスナバダイオード１０は同じくモールド材が充填されたモジュール内に収納されており、スナバモジュール１１は半導体スイッチＳ１との間のインダクタンスをできる限り少なくするために、図１２に示すように、スナバモジュール１１の電極１１ａを半導体スイッチＳ１の接続端子１３と接続し、直付け構造としている。しかしながら、スナバモジュール１１においても、半導体スイッチＳ１や導体で発生した熱が矢印１６に示すような経路でスナバモジュール１１に伝達され、またスナバコンデンサ９の自己発熱、あるいはスナバダイオード１０の損失による自己発熱により温度が上昇し、モールド材を介して放熱するが、やはり放熱効果が悪く、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の並列数を増加したり、スナバモジュール１１の表面積を増加したりする必要があり、スナバモジュール１１が大形で高価となった。
【０００８】
この発明は上記のような課題を解決するために成されたものであり、スナバコンデンサを収納したコンデンサモジュール、金属ケース及びスナバコンデンサ、スナバダイオードを収納したスナバモジュールを小形、安価にすることができるインバータ用スナバコンデンサ及びスナバ回路の冷却構造を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の請求項１に係るインバータ用スナバコンデンサの冷却構造は、複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたインバータ用スナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサをモールド材が充填されたコンデンサモジュール内に収納するとともに、スナバコンデンサの電極と半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したものである。
【００１０】
請求項２に係るインバータ用スナバコンデンサの冷却構造は、複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたスナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサを絶縁油を封入した金属ケース内に収納し、金属ケースと半導体スイッチを冷却する冷却フィンとを導体により接続したものである。
【００１１】
請求項３に係るインバータ用スナバ回路の冷却構造は、直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内においてスナバダイオードと半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したものである。
【００１２】
請求項４に係るインバータ用スナバ回路の冷却構造は、上記導体を冷却フィンにねじにより取り付け、このねじを冷却フィンの上方が開放された上面又は側面に取り付けたものである。
【００１３】
請求項５に係るインバータ用スナバ回路の冷却構造は、直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内のスナバダイオード及びスナバモジュールの電極と水配管と接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したものである。
【発明の効果】
【００１４】
以上のようにこの発明の請求項１によれば、スナバコンデンサの電極は高熱伝導性のシート及び導体を介して冷却フィンと接続されており、スナバコンデンサの熱は冷却フィンに伝わり易くなる。このため、スナバコンデンサの冷却効果が向上し、スナバコンデンサの温度上昇は生じ難くなり、スナバコンデンサの並列設置数を増加させる必要が無く、スナバコンデンサを収納したコンデンサモジュールの表面積を増加させる必要もないので、コンデンサモジュールを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサをモールド材が充填されたコンデンサモジュール内に収納したので、吸湿等による絶縁劣化を生じることがない。
【００１５】
請求項２によれば、スナバコンデンサを絶縁油を封入した金属ケース内に収納し、金属ケースと半導体スイッチを冷却する冷却フィンとを導体により接続しており、スナバコンデンサの熱は高熱伝導性の絶縁油を介して金属ケースに伝わり、さらに導体を介して冷却フィンへと伝わる。このため、スナバコンデンサと冷却フィンとの間の熱抵抗が小さくなり、スナバコンデンサの冷却効果が向上し、スナバコンデンサの温度上昇は生じ難くなり、スナバコンデンサの並列設置数を増加させる必要が無く、スナバコンデンサを収納した金属ケースの表面積を増加させる必要もないので、金属ケースを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサを絶縁油が充填されたコンデンサモジュール内に収納したので、吸湿等による絶縁劣化を生じることがない。
【００１６】
請求項３によれば、モールド材が充填されたスナバモジュール内においてスナバダイオードと冷却フィンに接続された導体とを高熱伝導性のシートを介して接続しており、スナバダイオードの熱は高熱伝導性のシート及び導体を介して冷却フィンへと伝わる。このため、スナバダイオードと冷却フィンとの間の熱抵抗が小さくなり、スナバダイオードの冷却効果が向上し、スナバダイオードの温度上昇は生じ難くなり、スナバダイオードの並列設置数を増加させる必要が無く、スナバダイオードを収納したスナバモジュールの表面積を増加させる必要もないので、スナバモジュールを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ及びスナバモジュールをモールド材が充填されたスナバモジュール内に収納したので、吸湿等による絶縁劣化を生じることがない。
【００１７】
請求項４にとれば、導体を冷却フィンにねじにより取り付け、このねじを冷却フィンの上方が開放された上面又は側面に取り付けており、上方が開放された上面に取り付けた場合には、取付作業性が良くなり、側面に取り付けた場合には、上面に取り付けられない場合に、取付が容易になる。
【００１８】
請求項５によれば、スナバモジュール内のスナバダイオードが高熱伝導性のシート及び導体を介して水配管と接続されるとともに、スナバモジュール内のスナバモジュールの電極が高熱伝導性のシート及び導体を介して水配管と接続されており、スナバコンデンサ及びスナバダイオードの熱はシート及び導体を介して水配管に伝達される。このため、スナバコンデンサ及びスナバダイオードと水配管との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ及びスナバダイオードの温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ及びスナバダイオードの並列数を増加させる必要がなく、スナバコンデンサ及びスナバダイオードを収納したスナバモジュールの表面積を増加させる必要もなく、スナバモジュールを小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ及びスナバダイオードはモールド材が充填されたスナバモジュール内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施最良形態１
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面とともに説明する。図１はこの発明の実施最良形態１によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図を示し、スナバコンデンサ８の電極８ａは半導体スイッチＳ１，Ｓ２の接続端子１３と直付けされている。又、半導体スイッチＳ１，Ｓ２は冷却フィン１４に取り付けられている。インバータ回路３に並列に接続されたスナバコンデンサ８はモールド材が充填されたコンデンサモジュール１７内に収納される。又、一端がねじ１８により冷却フィン１４に取り付けられた銅等からなる導体１９の他端がコンデンサモジュール１７内においてスナバコンデンサ８の電極８ａと高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を挟んでプラスチック製のねじ２１により締め付けられる。
【００２０】
上記した実施最良形態１においては、スナバコンデンサ８の電極８ａが高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して冷却フィン１４と接続されており、スナバコンデンサ８の熱は矢印２２の順路で冷却フィン１４に伝達される。このため、スナバコンデンサ８と冷却フィン１４との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ８の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ８の並列数を増加させる必要がなく、コンデンサモジュール１７の表面積を増加させる必要もなく、コンデンサモジュール１７を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ８はモールド材が充填されたコンデンサモジュール１７内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【００２１】
実施最良形態２
図２は実施最良形態２によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図を示し、スナバコンデンサ８は絶縁油２３が封入された金属ケース２４内に収納される。又、一端がねじ１８により冷却フィン１４に取り付けられた銅等からなる導体１９の他端を金属ケース２４にねじあるいはろう付けにより取り付ける。また、スナバコンデンサ８の電極８ａは金属ケース２４を挿通して半導体スイッチＳ１，Ｓ２の接続端子１３と接続されるが、電極８ａと金属ケース２４との間はガラスエポキシ等の絶縁材料を用いて絶縁する。その他の構成は従来と同様である。
【００２２】
上記した実施最良形態２においては、スナバコンデンサ８は絶縁油２３を封入した金属ケース２４内に収納されており、スナバコンデンサ８の熱は絶縁性と高熱伝導性を兼ねた絶縁油２３を介して金属ケース２４に伝導し、さらに金属ケース２４に接続された導体１９を介して冷却フィン１４に矢印２２に示すように伝導する。このため、スナバコンデンサ８と冷却フィン１４との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ８の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ８の並列数を増加させる必要がなく、金属ケース２４の表面積を増加させる必要もなく、金属ケース２４を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ８は絶縁油２３が封入された金属ケース２４内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【００２３】
実施最良形態３
図３は実施最良形態３によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、モールド材が充填されたスナバモジュール１１内にはスナバコンデンサ９とスナバダイオード１０の直列回路を収納し、この直列回路を半導体スイッチＳ１と並列に接続する。即ち、スナバモジュール１１の電極１１ａを半導体スイッチＳ１の接続端子１３と直付けする。又、スナバコンデンサ９とスナバモジュール１０との接続点とインバータ回路３の反対側の直流端子との間にはスナバ抵抗１２を接続し、充電型ＲＣＤスナバ回路を構成する。一端がねじ１８により冷却フィン１４に取り付けられた銅等からなる導体１９の他端がスナバモジュール１１内においてスナバダイオード１０と高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を挟んでプラスチック製のねじ２１により締め付けられる。
【００２４】
上記した実施最良形態３においては、スナバモジュール１１内のスナバダイオード１０が高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して冷却フィン１４と接続されており、スナバダイオード１０の熱は矢印２２の順路で冷却フィン１４に伝達される。このため、スナバダイオード１０と冷却フィン１４との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバダイオード１０の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバダイオード１０の並列数を増加させる必要がなく、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０を収納したスナバモジュール１１の表面積を増加させる必要もなく、スナバモジュール１１を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０はモールド材が充填されたスナバモジュール１１内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。
【００２５】
実施最良形態４
図４は実施最良形態４によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、実施最良形態３と異なる点は、導体１９の一端を冷却フィン１４に取り付けるねじ１８の位置を冷却フィン１４の上方が開放された上面、即ち矢印２５に示すように、上方からアクセス可能な位置にした点であり、その他の構成は実施最良形態３と同様である。
【００２６】
実施最良形態４においては、導体１９の一端をねじ１８により冷却フィン１４の上方が開放された上面に取り付けたので、取付の際の取付作業性を改善することができる。
【００２７】
実施最良形態５
図５は実施最良形態５によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、実施最良形態３と異なる点は、導体１９の一端を冷却フィン１４に取り付けるねじ１８の位置を冷却フィン１４の側面にした点であり、その他の構成は実施最良形態３と同様である。
【００２８】
実施最良形態５においては、導体１９の一端をねじ１８により冷却フィン１４の側面に取り付けたので、導体１９の一端を冷却フィン１４の上面に取り付けられないときは、冷却フィン１４の側面を利用して容易に取り付けることができる。
【００２９】
実施最良形態６
図６は実施最良形態６によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、モールド材が充填されたスナバモジュール１１内にはスナバコンデンサ９とスナバダイオード１０の直列回路を収納し、この直列回路を半導体スイッチＳ１と並列に接続する。即ち、スナバモジュール１１の電極１１ａを半導体スイッチＳ１の接続端子１３と直付けする。又、スナバコンデンサ９とスナバモジュール１０との接続点とインバータ回路３の反対側の直流端子との間にはスナバ抵抗１２を接続し、充電型ＲＣＤスナバ回路を構成する。モールド材が充填されたスナバモジュール１１内においては、スナバダイオード１０と導体１９の一端とが高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を介してプラスチックねじ２１により締め付けられるとともに、スナバモジュール１１の電極１１ａと導体１９の一端とが
高絶縁性でかつ高熱伝導性のシート２０を介してプラスチックねじ２６により締め付けられ、導体１９の他端は断面長方形の水配管２７とねじ１８により取り付けられる。
【００３０】
実施最良形態６においては、スナバモジュール１１内のスナバダイオード１０が高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して水配管２７と接続されるとともに、スナバモジュール１１内のスナバモジュール１１の電極１１ａが高熱伝導性のシート２０及び導体１９を介して水配管２７と接続され、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の熱は矢印２８に示すようにシート２０及び導体１９を介して水配管２７に伝達される。このため、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０と水配管２７との間の熱抵抗が小さくなり、冷却効果が向上し、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の温度上昇は生じ難くなり、周囲（空気）温度の影響も受け難くなる。従って、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０の並列数を増加させる必要がなく、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０を収納したスナバモジュール１１の表面積を増加させる必要もなく、スナバモジュール１１を小形安価にすることができる。又、スナバコンデンサ９及びスナバダイオード１０はモールド材が充填されたスナバモジュール１１内に収納されているので、吸湿等により絶縁劣化を生じることがない。実施最良形態６は、水配管２７の温度が冷却フィン１４の温度より低い場合に効果が大きい。
【００３１】
実施最良形態７
図７は実施最良形態７によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図を示し、実施最良形態６との相違点は、導体１９の他端を断面円形の水配管２９にろう付けした点である。その他の構成は実施最良形態６と同様である。効果も導体１９の他端と水配管２９とをろう付けしたので、接触熱抵抗を小さくできることであり、そのたの効果は実施最良形態６と同様である。実施最良形態７の場合も、水配管２９の温度が冷却フィン１４の温度より低い場合に効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】この発明の実施最良形態１によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図である。
【図２】実施最良形態２によるインバータ用スナバコンデンサの冷却構造の構成図である。
【図３】実施最良形態３によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図４】実施最良形態４によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図５】実施最良形態５によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図６】実施最良形態６によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図７】実施最良形態７によるインバータ用スナバ回路の冷却構造の構成図である。
【図８】従来のコンデンサ充電装置の回路構成図である。
【図９】従来のコンデンサ充電装置の電圧電流特性図である。
【図１０】他の従来のコンデンサ充電装置の回路構成図である。
【図１１】図８に示したコンデンサ充電装置の要部構造図である。
【図１２】図１０に示したコンデンサ充電装置の要部構造図である。
【符号の説明】
【００３３】
３…インバータ回路
８，９…スナバコンデンサ
８ａ，１１ａ…電極
１０…スナバダイオード
１１…スナバモジュール
１２…スナバ抵抗
１３…半導体スイッチ接続端子
１４…冷却フィン
１７…コンデンサモジュール
１８…ねじ
１９…導体
２０…シート
２１，２６…プラスチックねじ
２３…絶縁油
２４…金属ケース
２７，２９…水配管
Ｓ１，Ｓ２…半導体スイッチ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたインバータ用スナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサをモールド材が充填されたコンデンサモジュール内に収納するとともに、スナバコンデンサの電極と半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したことを特徴とするインバータ用スナバコンデンサの冷却構造。
【請求項２】
複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたインバータ用スナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサを絶縁油を封入した金属ケース内に収納し、金属ケースと半導体スイッチを冷却する冷却フィンとを導体により接続したことを特徴とするインバータ用スナバコンデンサの冷却構造。
【請求項３】
直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内においてスナバダイオードと半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したことを特徴とするインバータ用スナバ回路の冷却構造。
【請求項４】
上記導体を冷却フィンにねじにより取り付け、このねじを冷却フィンの上方が開放された上面又は側面に取り付けたことを特徴とする請求項３記載のインバータ用スナバ回路の冷却構造。
【請求項５】
直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内のスナバダイオード及びスナバモジュールの電極と水配管と接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したことを特徴とするインバータ用スナバ回路の冷却構造。
【請求項１】
複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたインバータ用スナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサをモールド材が充填されたコンデンサモジュール内に収納するとともに、スナバコンデンサの電極と半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したことを特徴とするインバータ用スナバコンデンサの冷却構造。
【請求項２】
複数の半導体スイッチから構成されるとともに、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路に並列に接続されたインバータ用スナバコンデンサにおいて、スナバコンデンサを絶縁油を封入した金属ケース内に収納し、金属ケースと半導体スイッチを冷却する冷却フィンとを導体により接続したことを特徴とするインバータ用スナバコンデンサの冷却構造。
【請求項３】
直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内においてスナバダイオードと半導体スイッチを冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したことを特徴とするインバータ用スナバ回路の冷却構造。
【請求項４】
上記導体を冷却フィンにねじにより取り付け、このねじを冷却フィンの上方が開放された上面又は側面に取り付けたことを特徴とする請求項３記載のインバータ用スナバ回路の冷却構造。
【請求項５】
直流端子間に接続されるとともに、複数の半導体スイッチから構成され、直流電力を交流電力に変換するインバータ回路の半導体スイッチに、スナバコンデンサとスナバダイオードの直列回路からなり、モールド材が充填されたスナバモジュールを並列に接続し、スナバコンデンサとスナバダイオードとの接続点とインバータ回路の反対側の直流端子との間にスナバ抵抗を接続したインバータ用スナバ回路において、スナバモジュール内のスナバダイオード及びスナバモジュールの電極と水配管と接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したことを特徴とするインバータ用スナバ回路の冷却構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００８−１１３５１１（Ｐ２００８−１１３５１１Ａ）
【公開日】平成２０年５月１５日（２００８．５．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２９５４４２（Ｐ２００６−２９５４４２）
【出願日】平成１８年１０月３１日（２００６．１０．３１）
【出願人】（０００００６１０５）株式会社明電舎 (1,739)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年５月１５日（２００８．５．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１０月３１日（２００６．１０．３１）
【出願人】（０００００６１０５）株式会社明電舎 (1,739)
【Ｆターム（参考）】
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