インピーダンス測定装置および接触検査方法
【課題】検査中に発生した接触状態の悪化についての検出確度を向上させる。
【解決手段】第１検出部８は、測定処理前の接触検査処理において定電流Ｉｃ１を供給するために電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１を上限として印加可能で、かつ測定処理後の接触検査処理において定電流Ｉｃ２を供給するために両プローブ３ａ，４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１よりも低電圧の所定電圧値Ｖｃ２を上限として印加可能に構成され、第２検出部９は、測定処理前の接触検査処理において定電流Ｉｃ３を供給するために電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３を上限として印加可能で、かつ測定処理後の接触検査処理において定電流Ｉｃ４を供給するために両プローブ３ｂ，４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３よりも低電圧の所定電圧値Ｖｃ４を上限として印加可能に構成されている。
【解決手段】第１検出部８は、測定処理前の接触検査処理において定電流Ｉｃ１を供給するために電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１を上限として印加可能で、かつ測定処理後の接触検査処理において定電流Ｉｃ２を供給するために両プローブ３ａ，４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１よりも低電圧の所定電圧値Ｖｃ２を上限として印加可能に構成され、第２検出部９は、測定処理前の接触検査処理において定電流Ｉｃ３を供給するために電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３を上限として印加可能で、かつ測定処理後の接触検査処理において定電流Ｉｃ４を供給するために両プローブ３ｂ，４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３よりも低電圧の所定電圧値Ｖｃ４を上限として印加可能に構成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定対象体の各端部に接触させられる一対の電流供給プローブおよび一対の電圧検出プローブの接触不良を検出可能に構成されたインピーダンス測定装置、並びに各電流供給プローブおよび各電圧検出プローブの接触不良を検出可能な接触検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のインピーダンス測定装置として、下記特許文献１に開示された電子部品の検査装置が知られている。この検査装置は、ディスクリート型電子部品の特性を検査する装置であって、電子部品の外部電極に対してそれぞれ２本ずつ押し当てられる端子と、外部電極毎に互いの回路のアースが相互に接続されていないフローティング状態で個別に設けられ、同一の外部電極に接触する２本の端子間に上記の端子または外部電極上の絶縁皮膜を破壊し得る電気信号を印加する電気信号源と、異なる外部電極に接触する端子間に測定信号を流すことにより、電子部品に流れる信号から電子部品の特性を測定する測定器と、電気信号源と測定器とを上記の端子に対して選択的に接続する切換手段とを備えている。
【０００３】
この検査装置によれば、電気信号源から同一の外部電極に接触する２本の端子間に、この端子または外部電極上の絶縁皮膜を破壊し得る電気信号を印加することができるため、この電気信号の印加によって絶縁被膜をクリーニングして（接触性を改善して）、端子と外部電極とを導通させた状態で電子部品の特性を検査することができる結果、電子部品の特性を正確に検査することができる。また、この検査装置によれば、上記電気信号の印加の際に、端子と外部電極との間に流れる電流により、端子と外部電極との接触検出（接触性の確認）を行うこともできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６４２４５６号公報（第３頁、第３図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のようにして、電子部品の特性の検査を実行する前段階で電気信号を印加して絶縁被膜をクリーニングしたとしても、検査中に端子と外部電極と間に流れる電流の電流値の如何によっては絶縁被膜が再形成されて導通状態が悪化し、これに起因して正常な検査を行い得ない場合がある。このため、検査が終了した後においても、電気信号を端子と外部電極との間に印加して、両者間の接触検出（接触性の確認）を行うことが考えられる。
【０００６】
しかしながら、上記の検査装置では、接触性を改善し得る電流値の電気信号を印加する構成のため、検査中（測定中）に導通状態が悪化したとしても、検査後（測定後）の電気信号の印加によって、悪化した導通状態（接触性）が改善されることがある。したがって、検査中に発生した接触状態の悪化を検出することができないという解決すべき課題が依然として存在している。
【０００７】
本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、検査中に発生した接触状態の悪化についての検出確度を向上させ得るインピーダンス測定装置を提供することを主目的とする。また、各電流供給プローブおよび各電圧検出プローブの接触不良を検出可能な接触検査方法を提供することを他の主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載のインピーダンス測定装置は、測定対象体の一方の端部にそれぞれ接触させられる一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブと、前記測定対象体の他方の端部にそれぞれ接触させられる他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブと、前記測定対象体の前記各端部に接触させられた一対の前記電流供給プローブ間に測定電流を供給する電流源と、前記測定電流の供給状態において前記測定対象体の前記各端部間に発生する両端間電圧を一対の前記電圧検出プローブを介して検出する電圧計と、前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給すると共に、当該第１検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出する第１検出部と、前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給すると共に、当該第２検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出する第２検出部と、前記測定電流および前記両端間電圧に基づいて前記測定対象体のインピーダンスを測定する測定処理、並びに前記第１検査電流および前記第１検査電圧に基づいて前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出すると共に前記第２検査電流および前記第２検査電圧に基づいて前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記測定処理の前後において前記接触検査処理を実行し、前記第１検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブ間に第２電圧を当該第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加可能に構成され、前記第２検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブ間に第４電圧を当該第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加可能に構成されている。
【０００９】
また、請求項２記載のインピーダンス測定装置は、請求項１記載のインピーダンス測定装置において、前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧値および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている。
【００１０】
請求項３記載の接触検査方法は、測定対象体の一方の端部に接触された一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出して、当該第１検査電流および当該第１検査電圧に基づいて当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出し、かつ当該測定対象体の他方の端部に接触された他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出して、当該第２検査電流および当該第２検査電圧に基づいて当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブと当該測定対象体の当該他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査方法であって、一対の前記電流供給プローブおよび一対の前記電圧検出プローブを使用した前記測定対象体に対するインピーダンス測定処理の実行の前後において前記接触状態の検出を行うと共に、前記インピーダンス測定処理の実行前における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加し、前記インピーダンス測定処理の実行後における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第２電圧を前記第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第４電圧を前記第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加する。
【００１１】
また、請求項４記載の接触検査方法は、請求項３記載の接触検査方法において、前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている。
【発明の効果】
【００１２】
このインピーダンス測定装置およびこの接触検査方法では、測定処理の後に実行する接触検査処理において印加する第２電圧および第４電圧の各上限値（第２所定電圧値および第４所定電圧値）が、測定処理の前に実行する接触検査処理において印加する第１電圧および第３電圧の各上限値（第１所定電圧値および第３所定電圧値）よりも低電圧、具体的には測定対象体の各端部上に形成される絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている。したがって、このインピーダンス測定装置およびこの接触検査方法によれば、測定処理中に、測定対象体の各端部の表面等に絶縁被膜などが形成されるなどの理由により、電流供給プローブおよび電圧検出プローブと、測定対象体の各端部との間の接触状態が不良な状態に陥り、これによって測定処理が正常に行われなかった場合にも、測定処理の後の接触検査処理において印加される第２電圧および第４電圧によってこの絶縁被膜が破壊される事態を回避できるため、この接触検査処理により、接触不良が発生していることを確実に検査することができる。したがって、測定処理中に発生した接触状態の悪化（接触不良の発生）についての検出確度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】インピーダンス測定装置１の構成を示す構成図である。
【図２】インピーダンス測定装置１の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】インピーダンス測定装置１の動作を説明するための他のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る接触検査方法およびこの方法を実行する本発明に係るインピーダンス測定装置１の実施の形態について説明する。
【００１５】
まず、インピーダンス測定装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００１６】
インピーダンス測定装置１は、図１に示すように、測定対象体２のインピーダンス（本例では一例として抵抗値Ｒ）を測定する装置であって、一対の電流供給プローブ３ａ，３ｂ、一対の電圧検出プローブ４ａ，４ｂ、電流源５、一対のスイッチ６ａ，６ｂ、電圧計７、第１検出部８、第２検出部９、処理部１０、記憶部１１および出力部１２を備えている。
【００１７】
一対の電流供給プローブ３ａ，３ｂは、図１に示すように、一の電流供給プローブ３ａが測定対象体２の一方の端部２ａに接触させられ、他の電流供給プローブ３ｂが測定対象体２の他方の端部２ｂに接触させられる。一対の電圧検出プローブ４ａ，４ｂは、一の電圧検出プローブ４ａが測定対象体２の一方の端部２ａに接触させられ、他の電流供給プローブ３ｂが測定対象体２の他方の端部２ｂに接触させられる。電流源５は、一例として定電流源で構成されて、予め規定された電流値（定電流値）の測定電流Ｉ１を出力する。また、電流源５は、一対の出力端子（図示せず）のうちの一方の出力端子がスイッチ６ａを介して電流供給プローブ３ａに接続されると共に、他方の出力端子がスイッチ６ｂを介して電流供給プローブ３ｂに接続されている。
【００１８】
電圧計７は、図１に示すように、一例として、増幅部７ａおよびＡ／Ｄ変換部７ｂで構成されている。増幅部７ａは、一対の入力端子（図示せず）のうちの一方の入力端子が電圧検出プローブ４ａに接続されると共に、他方の入力端子が電圧検出プローブ４ｂに接続されている。この構成により、増幅部７ａは、一対の電圧検出プローブ４ａ，４ｂを介して測定対象体２の両端間に発生する両端間電圧Ｖ１を入力して、所定の増幅率で増幅して電圧信号Ｖ１ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部７ｂは、電圧信号Ｖ１ａを所定の周波数のサンプリングクロック（図示せず）でサンプリングすることにより、電圧信号Ｖ１ａのレベル、すなわち両端間電圧Ｖ１の電圧値を示すデジタルデータＤ１に変換して出力する。
【００１９】
第１検出部８は、図１に示すように、一例として、２種類の定電流源８ａ，８ｂ、一対のスイッチ８ｃ，８ｄ、増幅部８ｅおよびＡ／Ｄ変換部８ｆで構成されている。本例では、定電流源８ａとスイッチ８ｃとが直列に接続されて、この直列回路の一端側（一例として同図ではスイッチ８ｃ側）が電流供給プローブ３ａに接続されると共に、他端側（一例として同図では定電流源８ａ側）が電圧検出プローブ４ａに接続されている。また、この定電流源８ａとスイッチ８ｃとで構成される直列回路に、定電流源８ｂとスイッチ８ｄとで構成される直列回路が並列に接続されている。定電流源８ａは、予め決められた電流値（既知）の定電流Ｉｃ１（本発明における第１検査電流）を電流供給プローブ３ａと電圧検出プローブ４ａとの間に供給し得るように構成されると共に、この定電流Ｉｃ１を発生させるために出力し得る電圧（本発明における第１電圧）の上限値（最大値）が第１所定電圧値Ｖｃ１（以下、単に「所定電圧値Ｖｃ１」ともいう）に規定されている。また、この所定電圧値Ｖｃ１は、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に、接触状態を悪化させる（接触不良を生じさせる）原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、この絶縁被膜を破壊し得る電圧値に設定されている。この構成により、定電流源８ａは、この絶縁被覆に起因して定電流Ｉｃ１を電流供給プローブ３ａと電圧検出プローブ４ａとの間に供給できない状態のときには、出力する電圧値を最大で所定電圧値Ｖｃ１まで上昇させて、この絶縁被膜を破壊して、接触状態を改善し得る機能を有している。
【００２０】
一方、定電流源８ｂは、予め決められた電流値（既知。定電流Ｉｃ１の電流値よりも小さい電流値）の定電流Ｉｃ２（本発明におけるもう一つの第１検査電流）を電流供給プローブ３ａと電圧検出プローブ４ａとの間に供給し得るように構成されると共に、この定電流Ｉｃ２を発生させるために出力し得る電圧（本発明における第２電圧）の上限値（最大値）が第２所定電圧値Ｖｃ２（所定電圧値Ｖｃ１よりも低電圧であって、以下、単に「所定電圧値Ｖｃ２」ともいう）に規定されている。このように、定電流源８ｂは、定電流源８ａと比較して、定電流Ｉｃ２の電流値および所定電圧値Ｖｃ２が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、定電流源８ｂは、両プローブ３ａ，４ａ間に定電流Ｉｃ２を供給すべく、その出力する電圧値を上昇させるが、この出力される電圧によって絶縁被膜が破壊されるのに先立って、定電流Ｉｃ２が規定の電流値に達するか、または出力している電圧値が所定電圧値Ｖｃ２に達する構成となっている。
【００２１】
増幅部８ｅは、一対の入力端子（図示せず）のうちの一方が電流供給プローブ３ａに接続されると共に、他方が電圧検出プローブ４ａに接続されて、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの測定対象体２の一方の端部２ａとの間の各接触抵抗に起因して両プローブ３ａ，４ａ間に発生する第１検査電圧Ｖ２（以下、単に「電圧Ｖ２」ともいう）を所定の増幅率で増幅して電圧信号Ｖ２ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部８ｆは、電圧信号Ｖ２ａをＡ／Ｄ変換部７ｂと同じサンプリングクロックでサンプリングすることにより、電圧信号Ｖ２ａのレベル、すなわち電圧Ｖ２の電圧値を示すデジタルデータＤ２に変換して出力する。つまり、第１検出部８は、電圧Ｖ２の電圧値を検出してデジタルデータＤ２として出力する。
【００２２】
第２検出部９は、図１に示すように、一例として、２種類の定電流源９ａ，９ｂ、一対のスイッチ９ｃ，９ｄ、増幅部９ｅおよびＡ／Ｄ変換部９ｆで構成されている。本例では、定電流源９ａとスイッチ９ｃとが直列に接続されて、この直列回路の一端側（一例として同図ではスイッチ９ｃ側）が電流供給プローブ３ｂに接続されると共に、他端側（一例として同図では定電流源９ａ側）が電圧検出プローブ４ｂに接続されている。また、この定電流源９ａとスイッチ９ｃとで構成される直列回路に、定電流源９ｂとスイッチ９ｄとで構成される直列回路が並列に接続されている。また、定電流源９ａは、予め決められた電流値（既知。一例として定電流Ｉｃ１と同じ電流値）の定電流Ｉｃ３（本発明における第２検査電流）を電流供給プローブ３ｂと電圧検出プローブ４ｂとの間に供給し得るように構成されていると共に、この定電流Ｉｃ３を発生させるために出力し得る電圧（本発明における第１電圧）の上限値（最大値）が第３所定電圧値Ｖｃ３（一例として所定電圧値Ｖｃ１と同じ値であって、以下、単に「所定電圧値Ｖｃ３」ともいう）に規定されている。また、この所定電圧値Ｖｃ３は、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に、接触状態を悪化させる（接触不良を生じさせる）原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、この絶縁被膜を破壊し得る電圧値に設定されている。この構成により、定電流源９ａは、この絶縁被覆に起因して定電流Ｉｃ３を電流供給プローブ３ｂと電圧検出プローブ４ｂとの間に供給できない状態のときには、出力する電圧値を最大で所定電圧値Ｖｃ３まで上昇させて、この絶縁被膜を破壊して、接触状態を改善し得る機能を有している。
【００２３】
一方、定電流源９ｂは、予め決められた電流値（既知。定電流Ｉｃ３の電流値よりも小さい電流値であって、一例として定電流Ｉｃ２と同じ電流値）の定電流Ｉｃ４（本発明におけるもう一つの第２検査電流）を電流供給プローブ３ｂと電圧検出プローブ４ｂとの間に供給し得るように構成されていると共に、この定電流Ｉｃ４を発生させるための出力し得る電圧（本発明における第２電圧）の上限値（最大値）が第４所定電圧値Ｖｃ４（所定電圧値Ｖｃ３よりも低電圧。一例として所定電圧値Ｖｃ２と同じ値であって、以下、単に、「所定電圧値Ｖｃ４」ともいう）に規定されている。このように、定電流源９ｂは、定電流源９ａと比較して、定電流Ｉｃ４の電流値および所定電圧値Ｖｃ４が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、定電流源９ｂは、両プローブ３ｂ，４ｂ間に定電流Ｉｃ４を供給すべく、その出力する電圧値を上昇させるが、この出力される電圧によって絶縁被膜が破壊されるのに先立って、定電流Ｉｃ４が規定の電流値に達するか、または出力している電圧値が所定電圧値Ｖｃ４に達する構成となっている。
【００２４】
増幅部９ｅは、一対の入力端子（図示せず）のうちの一方が電流供給プローブ３ｂに接続されると共に、他方が電圧検出プローブ４ｂに接続されて、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの測定対象体２の他方の端部２ｂとの間の各接触抵抗に起因して両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する第２検査電圧Ｖ３（以下、単に「電圧Ｖ３」ともいう）を所定の増幅率で増幅して電圧信号Ｖ３ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部９ｆは、電圧信号Ｖ３ａをＡ／Ｄ変換部７ｂと同じサンプリングクロックでサンプリングすることにより、電圧信号Ｖ３ａのレベル、すなわち電圧Ｖ３の電圧値を示すデジタルデータＤ３に変換して出力する。つまり、第２検出部９は、電圧Ｖ３の電圧値を検出してデジタルデータＤ３として出力する。
【００２５】
処理部１０は、一例としてＣＰＵで構成されて、測定対象体２のインピーダンス（本例では抵抗値Ｒ）を測定する測定処理、および接触検査処理を実行する。この場合、処理部１０は、接触検査処理では、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａについての測定対象体２の一方の端部２ａとの間の各接触状態を検査すると共に、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂについての測定対象体２の他方の端部２ｂとの間の各接触状態を検査する。また、処理部１０は、各スイッチ６ａ，６ｂ，８ｃ，８ｄ，９ｃ，９ｄに対する制御処理についても実行する。記憶部１１は、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリで構成されて、処理部１０のためのワークメモリとして機能する。また、記憶部１１には、処理部１０についての動作プログラムが予め記憶されている。出力部１２は、一例としてＬＣＤなどの表示装置で構成されて、処理部１０によって実行された測定処理および接触検査処理についての処理結果を表示する。
【００２６】
次に、インピーダンス測定装置１の動作と併せて、本発明における接触検査処理について説明する。
【００２７】
インピーダンス測定装置１では、まず、処理部１０が、各スイッチ６ａ，６ｂ，８ｃ，８ｄ，９ｃ，９ｄに対する制御処理を実行して、すべてのスイッチをオフ状態に移行させる。次いで、処理部１０は、図２に示すように、各電流供給プローブ３ａ，３ｂおよび各電圧検出プローブ４ａ，４ｂが非接触位置（測定対象体２の各端部２ａ，２ｂと接触しない位置）から接触位置（接触する位置）に移動させられた後、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間において、第１回目の接触検査処理（測定処理終了前の接触検査処理）を実行する。処理部１０は、この第１回目の接触検査処理と後述する第２回目の接触検査処理とを実施することにより、本発明における接触検査方法を実行することになる。
【００２８】
この接触検査処理では、処理部１０は、まず、各スイッチ８ｃ，９ｃのみをオン状態に移行させる。これにより、第１検出部８では、定電流源８ａが、スイッチ８ｃを介して電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａに接続されて、各プローブ３ａ，４ａ間への定電流Ｉｃ１の供給を開始する。この場合、定電流源８ａは、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていて、規定の定電流Ｉｃ１を供給し得ないときには、その出力電圧を上昇させる。上記したように、定電流源８ａの出力し得る電圧の上限値（所定電圧値Ｖｃ１）は、この絶縁被膜を破壊し得るに十分な電圧値に規定されているため、定電流源８ａは、絶縁被膜をその出力電圧によって破壊して、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａと測定対象体２の一方の端部２ａとの間の接触状態を良好な状態（接触抵抗が低い状態）に移行させて、定電流Ｉｃ１を両プローブ３ａ，４ａ間に確実に供給する。増幅部８ｅは、測定対象体２の一方の端部２ａを介して両プローブ３ａ，４ａ間に定電流Ｉｃ１が流れることで両プローブ３ａ，４ａ間に発生する電圧Ｖ２を増幅して電圧信号Ｖ２ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部８ｆは、この電圧信号Ｖ２ａをサンプリングして、デジタルデータＤ２に変換して処理部１０に出力する。
【００２９】
同様にして、第２検出部９でも、定電流源９ａが、スイッチ９ｃを介して電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂに接続されて、各プローブ３ｂ，４ｂ間への定電流Ｉｃ３の供給を開始する。この場合、定電流源９ａも定電流源８ａと同様にして、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていて、規定の定電流Ｉｃ３を供給し得ないときには、その出力電圧を上昇させる。上記したように、定電流源９ａの出力し得る電圧の上限値（所定電圧値Ｖｃ３）は、この絶縁被膜を破壊し得るに十分な電圧値に規定されているため、定電流源９ａは、絶縁被膜をその出力電圧によって破壊して、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂと測定対象体２の他方の端部２ｂとの間の接触状態を良好な状態（接触抵抗が低い状態）に移行させて、定電流Ｉｃ３を両プローブ３ｂ，４ｂ間に確実に供給する。増幅部９ｅは、測定対象体２の他方の端部２ｂを介して両プローブ３ｂ，４ｂ間に定電流Ｉｃ３が流れることで両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する電圧Ｖ３を増幅して電圧信号Ｖ３ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部９ｆは、この電圧信号Ｖ３ａをサンプリングして、デジタルデータＤ３に変換して処理部１０に出力する。
【００３０】
次いで、処理部１０は、第１検出部８から出力されたデジタルデータＤ２に基づいて電圧Ｖ２の電圧値を算出すると共に、第２検出部９から出力されたデジタルデータＤ３に基づいて電圧Ｖ３の電圧値を算出し、算出した各電圧Ｖ２，Ｖ３の電圧値と、各定電流源８ａ，９ａから供給される定電流Ｉｃ１，Ｉｃ３の電流値（既知）とに基づいて、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間の接触抵抗（電流供給プローブ３ａと一方の端部２ａとの間の接触抵抗、および電圧検出プローブ４ａと一方の端部２ａとの間の接触抵抗の合成抵抗）、並びに電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間の接触抵抗（電流供給プローブ３ｂと他方の端部２ｂとの間の接触抵抗、および電圧検出プローブ４ｂと他方の端部２ｂとの間の接触抵抗の合成抵抗）を算出する。続いて、処理部１０は、算出した各接触抵抗の抵抗値に基づいて、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の端部２ａとの間、および各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の端部２ｂとの間の接触状態を検査（判別）する。通常は、上記したように、絶縁被膜に起因する接触不良が発生していたとしても、定電流源８ａ，９ａから出力される電圧により、絶縁被膜が破壊されて接触状態が改善されるため、算出した各接触抵抗の抵抗値は許容値の範囲に入ることから、処理部１０は、接触が良好であると判別して、図２に示すように、接触検査処理を終了させて、時刻ｔ３から時刻ｔ５までの間に測定処理を実行する。一方、定電流源８ａ，９ａから出力される電圧が所定電圧値Ｖｃ１，Ｖｃ３に達しても絶縁被膜が破壊されないときには、算出した各接触抵抗の抵抗値は許容値の範囲を超えることから、この場合には、処理部１０は、接触状態が不良と判別して、その旨を出力部１２に表示させて、この接触検査処理を終了させる。
【００３１】
測定処理では、処理部１０は、まず、各スイッチ６ａ，６ｂのみをオン状態に移行させ、他のスイッチ８ａ〜９ｂをオフ状態に移行させる。これにより、第１検出部８および第２検出部９からの測定対象体２への各定電流Ｉｃ１，Ｉｃ２，Ｉｃ３，Ｉｃ４の供給が中断された状態において、電流源５が、各電流供給プローブ３ａ，３ｂを介して測定対象体２に対して測定電流Ｉ１の供給を開始する。この測定電流Ｉ１が測定対象体２に流れることに起因して、測定対象体２の両端間に両端間電圧Ｖ１が発生する。電圧計７では、増幅部７ａが、電圧検出プローブ４ａ，４ｂを介して入力した両端間電圧Ｖ１を増幅して電圧信号Ｖ１ａとして出力し、Ａ／Ｄ変換部７ｂが電圧信号Ｖ１ａをサンプリングしてデジタルデータＤ１に変換して処理部１０に出力する。処理部１０は、電圧計７から出力されたデジタルデータＤ１と、電流源５から供給される測定電流Ｉ１の電流値（既知）とに基づいて、測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を算出して、記憶部１１に記憶する。これにより、測定処理が完了する。
【００３２】
続いて、この測定処理の完了後、処理部１０は、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの間に、第２回目の接触検査処理（測定処理終了後の接触検査処理）を実行する。この接触検査処理では、処理部１０は、まず、各スイッチ８ｄ，９ｄのみをオン状態に移行させ、スイッチ６ａ，６ｂおよびスイッチ８ｃ，９ｃをオフ状態に移行させる。これにより、第１検出部８では、定電流源８ｂが、スイッチ８ｄを介して電流供給プローブ３ａに接続されて、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間への定電流Ｉｃ２の供給を開始する。この場合、定電流源８ａは、定電流Ｉｃ２の供給に際して、その出力電圧を上昇させるが、上記したように、定電流源８ａの定電流Ｉｃ１と比較して、定電流Ｉｃ２の電流値が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に絶縁被膜が形成されていた場合に、絶縁被膜が破壊されるのに先立って、規定の電流値に定電流Ｉｃ２が達するか、または出力電圧が上限値である所定電圧値Ｖｃ２に達する構成となっている。したがって、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の一方の端部２ａとが正常に接触しているとき（接触抵抗が基準値（実験などによって予め規定された抵抗値）よりも小さいとき）には、図２に示すように、測定対象体２の一方の端部２ａを介して両プローブ３ａ，４ａ間に電流が流れることで両プローブ３ａ，４ａ間に発生する電圧Ｖ２は基準電圧Ｖｒよりも低い電圧となる。増幅部８ｅは、この電圧Ｖ２を増幅して電圧信号Ｖ２ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部８ｆは、この電圧信号Ｖ２ａをサンプリングして、デジタルデータＤ２に変換して処理部１０に出力する。
【００３３】
また、第２検出部９では、定電流源９ｂが、スイッチ９ｄを介して電流供給プローブ３ｂに接続されて、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間への定電流Ｉｃ４の供給を開始する。この場合、定電流源９ｂは、定電流Ｉｃ４の供給に際して、その出力電圧を上昇させるが、上記したように、定電流源９ａの定電流Ｉｃ３と比較して、定電流Ｉｃ４の電流値が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に絶縁被膜が形成されていた場合に、絶縁被膜が破壊されるのに先立って、規定の電流値に定電流Ｉｃ４が達するか、または出力電圧が上限値である所定電圧値Ｖｃ４に達する構成となっている。したがって、各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の他方の端部２ｂとが正常に接触しているとき（接触抵抗が基準値（実験などによって予め規定された抵抗値）よりも小さいとき）には、図２に示すように、測定対象体２の他方の端部２ｂを介して両プローブ３ｂ，４ｂ間に電流が流れることで両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する電圧Ｖ３は基準電圧Ｖｒよりも低い電圧となる。増幅部９ｅは、この電圧Ｖ３を増幅して電圧信号Ｖ３ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部９ｆは、この電圧信号Ｖ３ａをサンプリングして、デジタルデータＤ３に変換して処理部１０に出力する。
【００３４】
一方、図３に示すように、測定処理中（同図中では時刻ｔ４）に、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の一方の端部２ａとの間に接触不良が発生した（接触抵抗が絶縁被膜の存在に起因して基準値よりも大きくなった）ときには、第２回目の接触検査処理時において、両プローブ３ａ，４ａ間に発生する電圧Ｖ２は、所定電圧値Ｖｃ２（つまり定電流源８ｂの出力の最大値）となり、基準電圧Ｖｒ以上となる。また、各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の他方の端部２ｂとの間に接触不良が発生した（接触抵抗が絶縁被膜の存在に起因して基準値よりも大きくなった）ときには、第２回目の接触検査処理時において、両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する電圧Ｖ３も、上記した電圧Ｖ２の場合と同様にして、所定電圧値Ｖｃ４（つまり定電流源９ｂの出力の最大値）となり、基準電圧Ｖｒ以上となる。
【００３５】
処理部１０は、各検出部８，９から出力されるデジタルデータＤ２，Ｄ３に基づいて、電圧Ｖ２の電圧値および電圧Ｖ３の電圧値を算出すると共に基準電圧Ｖｒと比較して、各プローブ３，４と測定対象体２の各端部２ａ，２ｂとの間に接触状態を判別する。この場合、上記したように、接触状態が正常のときには、電圧Ｖ２，Ｖ３の各電圧値は基準電圧Ｖｒよりも低くなり、一方、接触不良が発生しているときには、電圧Ｖ２，Ｖ３の各電圧値は基準電圧Ｖｒ以上となる。したがって、処理部１０は、電圧Ｖ２，Ｖ３の各電圧値がいずれも基準電圧Ｖｒよりも低いときには、各プローブ３，４と測定対象体２の各端部２ａ，２ｂとの間に接触状態は正常であると判別して、記憶部１１から測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を読み出して、出力部１２に表示させる。一方、電圧Ｖ２の電圧値が基準電圧Ｖｒ以上のときにはプローブ３ａ，４ａ側において接触不良が発生していると判別し、また電圧Ｖ３の電圧値が基準電圧Ｖｒ以上のときにはプローブ３ｂ，４ｂ側において接触不良が発生していると判別して、測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を出力部１２に表示させることなく、その判別結果を記憶部１１に記憶させると共に、その旨（接触不良が発生した旨）を出力部１２に表示させる。
【００３６】
このように、このインピーダンス測定装置１およびこの装置１が実行する接触検査方法では、測定処理の前後において処理部１０によって接触検査処理が実行され、測定処理の実行前においては、定電流Ｉｃ１を供給するために電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１を上限として印加すると共に、定電流Ｉｃ３を供給するために電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３を上限として印加し、測定処理の実行後においては、定電流Ｉｃ２を供給するために電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１よりも低電圧に規定された所定電圧値Ｖｃ２を上限として印加すると共に、定電流Ｉｃ４を供給するために電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３よりも低電圧に規定された所定電圧値Ｖｃ４を上限として印加する。この場合、所定電圧値Ｖｃ２，Ｖｃ４は、各プローブ３，４や測定対象体２の各端部２ａ，２ｂに生じた絶縁被膜を破壊し得ない程度の低電圧に規定されている。
【００３７】
したがって、このインピーダンス測定装置１およびこの装置１によって実行される接触検査方法によれば、測定処理中に各プローブ３，４および測定対象体２の各端部２ａ，２ｂの各表面のいずれかに絶縁被膜などが形成されるなどの理由により、各プローブ３，４と測定対象体２の各端部２ａ，２ｂとの間の接触状態が不良な状態に陥り、これによってインピーダンス測定が正常に行われなかった場合にも、測定処理の後に実行する第２回目の接触検査処理において、印加される電圧によってこの絶縁被膜が破壊される事態を回避できるため、この接触検査処理により、接触不良が発生していることを確実に検査することができる。したがって、このインピーダンス測定装置１およびこの接触検査方法によれば、このようにして、測定処理中に発生した接触状態の悪化（接触不良の発生）についての検出確度を向上させることができるため、インピーダンス測定が正常に行われなかった場合に測定された測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を、正常に測定されたものであるとして出力部１２に表示させるといった不具合を確実に防止することができる。
【００３８】
なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の端部２ａとの間に異なる電流値の定電流Ｉｃ１，Ｉｃ２を供給すべく２つの定電流源８ａ，８ｂを配設すると共に、各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の端部２ｂとの間に異なる電流値の定電流Ｉｃ３，Ｉｃ４を供給すべく２つの定電流源９ａ，９ｂを配設する構成を採用したが、２つの定電流源８ａ，８ｂに代えて１つの出力電流可変型の電流源を配設すると共に、２つの定電流源９ａ，９ｂに代えて１つの出力電流可変型の電流源を配設する構成を採用することもできる。また、所定電圧値Ｖｃ１，Ｖｃ３を互いに異なる電圧値に規定することもできるし、所定電圧値Ｖｃ２，Ｖｃ４を互いに異なる電圧値に規定することもできる。
【符号の説明】
【００３９】
１ インピーダンス測定装置
２ 測定対象体
２ａ 一方の端部
２ｂ 他方の端部
３ａ，３ｂ 電流供給プローブ
４ａ，４ｂ 電圧検出プローブ
５ 電流源
７ 電圧計
８ 第１検出部
９ 第２検出部
１０ 処理部
Ｉ１ 測定電流
Ｉｃ１，Ｉｃ２，Ｉｃ３，Ｉｃ４ 定電流
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定対象体の各端部に接触させられる一対の電流供給プローブおよび一対の電圧検出プローブの接触不良を検出可能に構成されたインピーダンス測定装置、並びに各電流供給プローブおよび各電圧検出プローブの接触不良を検出可能な接触検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のインピーダンス測定装置として、下記特許文献１に開示された電子部品の検査装置が知られている。この検査装置は、ディスクリート型電子部品の特性を検査する装置であって、電子部品の外部電極に対してそれぞれ２本ずつ押し当てられる端子と、外部電極毎に互いの回路のアースが相互に接続されていないフローティング状態で個別に設けられ、同一の外部電極に接触する２本の端子間に上記の端子または外部電極上の絶縁皮膜を破壊し得る電気信号を印加する電気信号源と、異なる外部電極に接触する端子間に測定信号を流すことにより、電子部品に流れる信号から電子部品の特性を測定する測定器と、電気信号源と測定器とを上記の端子に対して選択的に接続する切換手段とを備えている。
【０００３】
この検査装置によれば、電気信号源から同一の外部電極に接触する２本の端子間に、この端子または外部電極上の絶縁皮膜を破壊し得る電気信号を印加することができるため、この電気信号の印加によって絶縁被膜をクリーニングして（接触性を改善して）、端子と外部電極とを導通させた状態で電子部品の特性を検査することができる結果、電子部品の特性を正確に検査することができる。また、この検査装置によれば、上記電気信号の印加の際に、端子と外部電極との間に流れる電流により、端子と外部電極との接触検出（接触性の確認）を行うこともできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６４２４５６号公報（第３頁、第３図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のようにして、電子部品の特性の検査を実行する前段階で電気信号を印加して絶縁被膜をクリーニングしたとしても、検査中に端子と外部電極と間に流れる電流の電流値の如何によっては絶縁被膜が再形成されて導通状態が悪化し、これに起因して正常な検査を行い得ない場合がある。このため、検査が終了した後においても、電気信号を端子と外部電極との間に印加して、両者間の接触検出（接触性の確認）を行うことが考えられる。
【０００６】
しかしながら、上記の検査装置では、接触性を改善し得る電流値の電気信号を印加する構成のため、検査中（測定中）に導通状態が悪化したとしても、検査後（測定後）の電気信号の印加によって、悪化した導通状態（接触性）が改善されることがある。したがって、検査中に発生した接触状態の悪化を検出することができないという解決すべき課題が依然として存在している。
【０００７】
本発明は、かかる課題を解決すべくなされたものであり、検査中に発生した接触状態の悪化についての検出確度を向上させ得るインピーダンス測定装置を提供することを主目的とする。また、各電流供給プローブおよび各電圧検出プローブの接触不良を検出可能な接触検査方法を提供することを他の主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく請求項１記載のインピーダンス測定装置は、測定対象体の一方の端部にそれぞれ接触させられる一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブと、前記測定対象体の他方の端部にそれぞれ接触させられる他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブと、前記測定対象体の前記各端部に接触させられた一対の前記電流供給プローブ間に測定電流を供給する電流源と、前記測定電流の供給状態において前記測定対象体の前記各端部間に発生する両端間電圧を一対の前記電圧検出プローブを介して検出する電圧計と、前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給すると共に、当該第１検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出する第１検出部と、前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給すると共に、当該第２検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出する第２検出部と、前記測定電流および前記両端間電圧に基づいて前記測定対象体のインピーダンスを測定する測定処理、並びに前記第１検査電流および前記第１検査電圧に基づいて前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出すると共に前記第２検査電流および前記第２検査電圧に基づいて前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査処理を実行する処理部とを備え、前記処理部は、前記測定処理の前後において前記接触検査処理を実行し、前記第１検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブ間に第２電圧を当該第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加可能に構成され、前記第２検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブ間に第４電圧を当該第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加可能に構成されている。
【０００９】
また、請求項２記載のインピーダンス測定装置は、請求項１記載のインピーダンス測定装置において、前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧値および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている。
【００１０】
請求項３記載の接触検査方法は、測定対象体の一方の端部に接触された一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出して、当該第１検査電流および当該第１検査電圧に基づいて当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出し、かつ当該測定対象体の他方の端部に接触された他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出して、当該第２検査電流および当該第２検査電圧に基づいて当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブと当該測定対象体の当該他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査方法であって、一対の前記電流供給プローブおよび一対の前記電圧検出プローブを使用した前記測定対象体に対するインピーダンス測定処理の実行の前後において前記接触状態の検出を行うと共に、前記インピーダンス測定処理の実行前における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加し、前記インピーダンス測定処理の実行後における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第２電圧を前記第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第４電圧を前記第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加する。
【００１１】
また、請求項４記載の接触検査方法は、請求項３記載の接触検査方法において、前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている。
【発明の効果】
【００１２】
このインピーダンス測定装置およびこの接触検査方法では、測定処理の後に実行する接触検査処理において印加する第２電圧および第４電圧の各上限値（第２所定電圧値および第４所定電圧値）が、測定処理の前に実行する接触検査処理において印加する第１電圧および第３電圧の各上限値（第１所定電圧値および第３所定電圧値）よりも低電圧、具体的には測定対象体の各端部上に形成される絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている。したがって、このインピーダンス測定装置およびこの接触検査方法によれば、測定処理中に、測定対象体の各端部の表面等に絶縁被膜などが形成されるなどの理由により、電流供給プローブおよび電圧検出プローブと、測定対象体の各端部との間の接触状態が不良な状態に陥り、これによって測定処理が正常に行われなかった場合にも、測定処理の後の接触検査処理において印加される第２電圧および第４電圧によってこの絶縁被膜が破壊される事態を回避できるため、この接触検査処理により、接触不良が発生していることを確実に検査することができる。したがって、測定処理中に発生した接触状態の悪化（接触不良の発生）についての検出確度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】インピーダンス測定装置１の構成を示す構成図である。
【図２】インピーダンス測定装置１の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】インピーダンス測定装置１の動作を説明するための他のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る接触検査方法およびこの方法を実行する本発明に係るインピーダンス測定装置１の実施の形態について説明する。
【００１５】
まず、インピーダンス測定装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００１６】
インピーダンス測定装置１は、図１に示すように、測定対象体２のインピーダンス（本例では一例として抵抗値Ｒ）を測定する装置であって、一対の電流供給プローブ３ａ，３ｂ、一対の電圧検出プローブ４ａ，４ｂ、電流源５、一対のスイッチ６ａ，６ｂ、電圧計７、第１検出部８、第２検出部９、処理部１０、記憶部１１および出力部１２を備えている。
【００１７】
一対の電流供給プローブ３ａ，３ｂは、図１に示すように、一の電流供給プローブ３ａが測定対象体２の一方の端部２ａに接触させられ、他の電流供給プローブ３ｂが測定対象体２の他方の端部２ｂに接触させられる。一対の電圧検出プローブ４ａ，４ｂは、一の電圧検出プローブ４ａが測定対象体２の一方の端部２ａに接触させられ、他の電流供給プローブ３ｂが測定対象体２の他方の端部２ｂに接触させられる。電流源５は、一例として定電流源で構成されて、予め規定された電流値（定電流値）の測定電流Ｉ１を出力する。また、電流源５は、一対の出力端子（図示せず）のうちの一方の出力端子がスイッチ６ａを介して電流供給プローブ３ａに接続されると共に、他方の出力端子がスイッチ６ｂを介して電流供給プローブ３ｂに接続されている。
【００１８】
電圧計７は、図１に示すように、一例として、増幅部７ａおよびＡ／Ｄ変換部７ｂで構成されている。増幅部７ａは、一対の入力端子（図示せず）のうちの一方の入力端子が電圧検出プローブ４ａに接続されると共に、他方の入力端子が電圧検出プローブ４ｂに接続されている。この構成により、増幅部７ａは、一対の電圧検出プローブ４ａ，４ｂを介して測定対象体２の両端間に発生する両端間電圧Ｖ１を入力して、所定の増幅率で増幅して電圧信号Ｖ１ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部７ｂは、電圧信号Ｖ１ａを所定の周波数のサンプリングクロック（図示せず）でサンプリングすることにより、電圧信号Ｖ１ａのレベル、すなわち両端間電圧Ｖ１の電圧値を示すデジタルデータＤ１に変換して出力する。
【００１９】
第１検出部８は、図１に示すように、一例として、２種類の定電流源８ａ，８ｂ、一対のスイッチ８ｃ，８ｄ、増幅部８ｅおよびＡ／Ｄ変換部８ｆで構成されている。本例では、定電流源８ａとスイッチ８ｃとが直列に接続されて、この直列回路の一端側（一例として同図ではスイッチ８ｃ側）が電流供給プローブ３ａに接続されると共に、他端側（一例として同図では定電流源８ａ側）が電圧検出プローブ４ａに接続されている。また、この定電流源８ａとスイッチ８ｃとで構成される直列回路に、定電流源８ｂとスイッチ８ｄとで構成される直列回路が並列に接続されている。定電流源８ａは、予め決められた電流値（既知）の定電流Ｉｃ１（本発明における第１検査電流）を電流供給プローブ３ａと電圧検出プローブ４ａとの間に供給し得るように構成されると共に、この定電流Ｉｃ１を発生させるために出力し得る電圧（本発明における第１電圧）の上限値（最大値）が第１所定電圧値Ｖｃ１（以下、単に「所定電圧値Ｖｃ１」ともいう）に規定されている。また、この所定電圧値Ｖｃ１は、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に、接触状態を悪化させる（接触不良を生じさせる）原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、この絶縁被膜を破壊し得る電圧値に設定されている。この構成により、定電流源８ａは、この絶縁被覆に起因して定電流Ｉｃ１を電流供給プローブ３ａと電圧検出プローブ４ａとの間に供給できない状態のときには、出力する電圧値を最大で所定電圧値Ｖｃ１まで上昇させて、この絶縁被膜を破壊して、接触状態を改善し得る機能を有している。
【００２０】
一方、定電流源８ｂは、予め決められた電流値（既知。定電流Ｉｃ１の電流値よりも小さい電流値）の定電流Ｉｃ２（本発明におけるもう一つの第１検査電流）を電流供給プローブ３ａと電圧検出プローブ４ａとの間に供給し得るように構成されると共に、この定電流Ｉｃ２を発生させるために出力し得る電圧（本発明における第２電圧）の上限値（最大値）が第２所定電圧値Ｖｃ２（所定電圧値Ｖｃ１よりも低電圧であって、以下、単に「所定電圧値Ｖｃ２」ともいう）に規定されている。このように、定電流源８ｂは、定電流源８ａと比較して、定電流Ｉｃ２の電流値および所定電圧値Ｖｃ２が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、定電流源８ｂは、両プローブ３ａ，４ａ間に定電流Ｉｃ２を供給すべく、その出力する電圧値を上昇させるが、この出力される電圧によって絶縁被膜が破壊されるのに先立って、定電流Ｉｃ２が規定の電流値に達するか、または出力している電圧値が所定電圧値Ｖｃ２に達する構成となっている。
【００２１】
増幅部８ｅは、一対の入力端子（図示せず）のうちの一方が電流供給プローブ３ａに接続されると共に、他方が電圧検出プローブ４ａに接続されて、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの測定対象体２の一方の端部２ａとの間の各接触抵抗に起因して両プローブ３ａ，４ａ間に発生する第１検査電圧Ｖ２（以下、単に「電圧Ｖ２」ともいう）を所定の増幅率で増幅して電圧信号Ｖ２ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部８ｆは、電圧信号Ｖ２ａをＡ／Ｄ変換部７ｂと同じサンプリングクロックでサンプリングすることにより、電圧信号Ｖ２ａのレベル、すなわち電圧Ｖ２の電圧値を示すデジタルデータＤ２に変換して出力する。つまり、第１検出部８は、電圧Ｖ２の電圧値を検出してデジタルデータＤ２として出力する。
【００２２】
第２検出部９は、図１に示すように、一例として、２種類の定電流源９ａ，９ｂ、一対のスイッチ９ｃ，９ｄ、増幅部９ｅおよびＡ／Ｄ変換部９ｆで構成されている。本例では、定電流源９ａとスイッチ９ｃとが直列に接続されて、この直列回路の一端側（一例として同図ではスイッチ９ｃ側）が電流供給プローブ３ｂに接続されると共に、他端側（一例として同図では定電流源９ａ側）が電圧検出プローブ４ｂに接続されている。また、この定電流源９ａとスイッチ９ｃとで構成される直列回路に、定電流源９ｂとスイッチ９ｄとで構成される直列回路が並列に接続されている。また、定電流源９ａは、予め決められた電流値（既知。一例として定電流Ｉｃ１と同じ電流値）の定電流Ｉｃ３（本発明における第２検査電流）を電流供給プローブ３ｂと電圧検出プローブ４ｂとの間に供給し得るように構成されていると共に、この定電流Ｉｃ３を発生させるために出力し得る電圧（本発明における第１電圧）の上限値（最大値）が第３所定電圧値Ｖｃ３（一例として所定電圧値Ｖｃ１と同じ値であって、以下、単に「所定電圧値Ｖｃ３」ともいう）に規定されている。また、この所定電圧値Ｖｃ３は、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に、接触状態を悪化させる（接触不良を生じさせる）原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、この絶縁被膜を破壊し得る電圧値に設定されている。この構成により、定電流源９ａは、この絶縁被覆に起因して定電流Ｉｃ３を電流供給プローブ３ｂと電圧検出プローブ４ｂとの間に供給できない状態のときには、出力する電圧値を最大で所定電圧値Ｖｃ３まで上昇させて、この絶縁被膜を破壊して、接触状態を改善し得る機能を有している。
【００２３】
一方、定電流源９ｂは、予め決められた電流値（既知。定電流Ｉｃ３の電流値よりも小さい電流値であって、一例として定電流Ｉｃ２と同じ電流値）の定電流Ｉｃ４（本発明におけるもう一つの第２検査電流）を電流供給プローブ３ｂと電圧検出プローブ４ｂとの間に供給し得るように構成されていると共に、この定電流Ｉｃ４を発生させるための出力し得る電圧（本発明における第２電圧）の上限値（最大値）が第４所定電圧値Ｖｃ４（所定電圧値Ｖｃ３よりも低電圧。一例として所定電圧値Ｖｃ２と同じ値であって、以下、単に、「所定電圧値Ｖｃ４」ともいう）に規定されている。このように、定電流源９ｂは、定電流源９ａと比較して、定電流Ｉｃ４の電流値および所定電圧値Ｖｃ４が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていた場合に、定電流源９ｂは、両プローブ３ｂ，４ｂ間に定電流Ｉｃ４を供給すべく、その出力する電圧値を上昇させるが、この出力される電圧によって絶縁被膜が破壊されるのに先立って、定電流Ｉｃ４が規定の電流値に達するか、または出力している電圧値が所定電圧値Ｖｃ４に達する構成となっている。
【００２４】
増幅部９ｅは、一対の入力端子（図示せず）のうちの一方が電流供給プローブ３ｂに接続されると共に、他方が電圧検出プローブ４ｂに接続されて、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの測定対象体２の他方の端部２ｂとの間の各接触抵抗に起因して両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する第２検査電圧Ｖ３（以下、単に「電圧Ｖ３」ともいう）を所定の増幅率で増幅して電圧信号Ｖ３ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部９ｆは、電圧信号Ｖ３ａをＡ／Ｄ変換部７ｂと同じサンプリングクロックでサンプリングすることにより、電圧信号Ｖ３ａのレベル、すなわち電圧Ｖ３の電圧値を示すデジタルデータＤ３に変換して出力する。つまり、第２検出部９は、電圧Ｖ３の電圧値を検出してデジタルデータＤ３として出力する。
【００２５】
処理部１０は、一例としてＣＰＵで構成されて、測定対象体２のインピーダンス（本例では抵抗値Ｒ）を測定する測定処理、および接触検査処理を実行する。この場合、処理部１０は、接触検査処理では、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａについての測定対象体２の一方の端部２ａとの間の各接触状態を検査すると共に、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂについての測定対象体２の他方の端部２ｂとの間の各接触状態を検査する。また、処理部１０は、各スイッチ６ａ，６ｂ，８ｃ，８ｄ，９ｃ，９ｄに対する制御処理についても実行する。記憶部１１は、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリで構成されて、処理部１０のためのワークメモリとして機能する。また、記憶部１１には、処理部１０についての動作プログラムが予め記憶されている。出力部１２は、一例としてＬＣＤなどの表示装置で構成されて、処理部１０によって実行された測定処理および接触検査処理についての処理結果を表示する。
【００２６】
次に、インピーダンス測定装置１の動作と併せて、本発明における接触検査処理について説明する。
【００２７】
インピーダンス測定装置１では、まず、処理部１０が、各スイッチ６ａ，６ｂ，８ｃ，８ｄ，９ｃ，９ｄに対する制御処理を実行して、すべてのスイッチをオフ状態に移行させる。次いで、処理部１０は、図２に示すように、各電流供給プローブ３ａ，３ｂおよび各電圧検出プローブ４ａ，４ｂが非接触位置（測定対象体２の各端部２ａ，２ｂと接触しない位置）から接触位置（接触する位置）に移動させられた後、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間において、第１回目の接触検査処理（測定処理終了前の接触検査処理）を実行する。処理部１０は、この第１回目の接触検査処理と後述する第２回目の接触検査処理とを実施することにより、本発明における接触検査方法を実行することになる。
【００２８】
この接触検査処理では、処理部１０は、まず、各スイッチ８ｃ，９ｃのみをオン状態に移行させる。これにより、第１検出部８では、定電流源８ａが、スイッチ８ｃを介して電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａに接続されて、各プローブ３ａ，４ａ間への定電流Ｉｃ１の供給を開始する。この場合、定電流源８ａは、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていて、規定の定電流Ｉｃ１を供給し得ないときには、その出力電圧を上昇させる。上記したように、定電流源８ａの出力し得る電圧の上限値（所定電圧値Ｖｃ１）は、この絶縁被膜を破壊し得るに十分な電圧値に規定されているため、定電流源８ａは、絶縁被膜をその出力電圧によって破壊して、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａと測定対象体２の一方の端部２ａとの間の接触状態を良好な状態（接触抵抗が低い状態）に移行させて、定電流Ｉｃ１を両プローブ３ａ，４ａ間に確実に供給する。増幅部８ｅは、測定対象体２の一方の端部２ａを介して両プローブ３ａ，４ａ間に定電流Ｉｃ１が流れることで両プローブ３ａ，４ａ間に発生する電圧Ｖ２を増幅して電圧信号Ｖ２ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部８ｆは、この電圧信号Ｖ２ａをサンプリングして、デジタルデータＤ２に変換して処理部１０に出力する。
【００２９】
同様にして、第２検出部９でも、定電流源９ａが、スイッチ９ｃを介して電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂに接続されて、各プローブ３ｂ，４ｂ間への定電流Ｉｃ３の供給を開始する。この場合、定電流源９ａも定電流源８ａと同様にして、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に、接触不良の原因となる絶縁被膜が形成されていて、規定の定電流Ｉｃ３を供給し得ないときには、その出力電圧を上昇させる。上記したように、定電流源９ａの出力し得る電圧の上限値（所定電圧値Ｖｃ３）は、この絶縁被膜を破壊し得るに十分な電圧値に規定されているため、定電流源９ａは、絶縁被膜をその出力電圧によって破壊して、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂと測定対象体２の他方の端部２ｂとの間の接触状態を良好な状態（接触抵抗が低い状態）に移行させて、定電流Ｉｃ３を両プローブ３ｂ，４ｂ間に確実に供給する。増幅部９ｅは、測定対象体２の他方の端部２ｂを介して両プローブ３ｂ，４ｂ間に定電流Ｉｃ３が流れることで両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する電圧Ｖ３を増幅して電圧信号Ｖ３ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部９ｆは、この電圧信号Ｖ３ａをサンプリングして、デジタルデータＤ３に変換して処理部１０に出力する。
【００３０】
次いで、処理部１０は、第１検出部８から出力されたデジタルデータＤ２に基づいて電圧Ｖ２の電圧値を算出すると共に、第２検出部９から出力されたデジタルデータＤ３に基づいて電圧Ｖ３の電圧値を算出し、算出した各電圧Ｖ２，Ｖ３の電圧値と、各定電流源８ａ，９ａから供給される定電流Ｉｃ１，Ｉｃ３の電流値（既知）とに基づいて、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間の接触抵抗（電流供給プローブ３ａと一方の端部２ａとの間の接触抵抗、および電圧検出プローブ４ａと一方の端部２ａとの間の接触抵抗の合成抵抗）、並びに電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間の接触抵抗（電流供給プローブ３ｂと他方の端部２ｂとの間の接触抵抗、および電圧検出プローブ４ｂと他方の端部２ｂとの間の接触抵抗の合成抵抗）を算出する。続いて、処理部１０は、算出した各接触抵抗の抵抗値に基づいて、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の端部２ａとの間、および各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の端部２ｂとの間の接触状態を検査（判別）する。通常は、上記したように、絶縁被膜に起因する接触不良が発生していたとしても、定電流源８ａ，９ａから出力される電圧により、絶縁被膜が破壊されて接触状態が改善されるため、算出した各接触抵抗の抵抗値は許容値の範囲に入ることから、処理部１０は、接触が良好であると判別して、図２に示すように、接触検査処理を終了させて、時刻ｔ３から時刻ｔ５までの間に測定処理を実行する。一方、定電流源８ａ，９ａから出力される電圧が所定電圧値Ｖｃ１，Ｖｃ３に達しても絶縁被膜が破壊されないときには、算出した各接触抵抗の抵抗値は許容値の範囲を超えることから、この場合には、処理部１０は、接触状態が不良と判別して、その旨を出力部１２に表示させて、この接触検査処理を終了させる。
【００３１】
測定処理では、処理部１０は、まず、各スイッチ６ａ，６ｂのみをオン状態に移行させ、他のスイッチ８ａ〜９ｂをオフ状態に移行させる。これにより、第１検出部８および第２検出部９からの測定対象体２への各定電流Ｉｃ１，Ｉｃ２，Ｉｃ３，Ｉｃ４の供給が中断された状態において、電流源５が、各電流供給プローブ３ａ，３ｂを介して測定対象体２に対して測定電流Ｉ１の供給を開始する。この測定電流Ｉ１が測定対象体２に流れることに起因して、測定対象体２の両端間に両端間電圧Ｖ１が発生する。電圧計７では、増幅部７ａが、電圧検出プローブ４ａ，４ｂを介して入力した両端間電圧Ｖ１を増幅して電圧信号Ｖ１ａとして出力し、Ａ／Ｄ変換部７ｂが電圧信号Ｖ１ａをサンプリングしてデジタルデータＤ１に変換して処理部１０に出力する。処理部１０は、電圧計７から出力されたデジタルデータＤ１と、電流源５から供給される測定電流Ｉ１の電流値（既知）とに基づいて、測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を算出して、記憶部１１に記憶する。これにより、測定処理が完了する。
【００３２】
続いて、この測定処理の完了後、処理部１０は、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの間に、第２回目の接触検査処理（測定処理終了後の接触検査処理）を実行する。この接触検査処理では、処理部１０は、まず、各スイッチ８ｄ，９ｄのみをオン状態に移行させ、スイッチ６ａ，６ｂおよびスイッチ８ｃ，９ｃをオフ状態に移行させる。これにより、第１検出部８では、定電流源８ｂが、スイッチ８ｄを介して電流供給プローブ３ａに接続されて、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間への定電流Ｉｃ２の供給を開始する。この場合、定電流源８ａは、定電流Ｉｃ２の供給に際して、その出力電圧を上昇させるが、上記したように、定電流源８ａの定電流Ｉｃ１と比較して、定電流Ｉｃ２の電流値が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の一方の端部２ａの表面や、電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａの表面に絶縁被膜が形成されていた場合に、絶縁被膜が破壊されるのに先立って、規定の電流値に定電流Ｉｃ２が達するか、または出力電圧が上限値である所定電圧値Ｖｃ２に達する構成となっている。したがって、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の一方の端部２ａとが正常に接触しているとき（接触抵抗が基準値（実験などによって予め規定された抵抗値）よりも小さいとき）には、図２に示すように、測定対象体２の一方の端部２ａを介して両プローブ３ａ，４ａ間に電流が流れることで両プローブ３ａ，４ａ間に発生する電圧Ｖ２は基準電圧Ｖｒよりも低い電圧となる。増幅部８ｅは、この電圧Ｖ２を増幅して電圧信号Ｖ２ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部８ｆは、この電圧信号Ｖ２ａをサンプリングして、デジタルデータＤ２に変換して処理部１０に出力する。
【００３３】
また、第２検出部９では、定電流源９ｂが、スイッチ９ｄを介して電流供給プローブ３ｂに接続されて、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間への定電流Ｉｃ４の供給を開始する。この場合、定電流源９ｂは、定電流Ｉｃ４の供給に際して、その出力電圧を上昇させるが、上記したように、定電流源９ａの定電流Ｉｃ３と比較して、定電流Ｉｃ４の電流値が低い値に規定されている。このため、測定対象体２の他方の端部２ｂの表面や、電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂの表面に絶縁被膜が形成されていた場合に、絶縁被膜が破壊されるのに先立って、規定の電流値に定電流Ｉｃ４が達するか、または出力電圧が上限値である所定電圧値Ｖｃ４に達する構成となっている。したがって、各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の他方の端部２ｂとが正常に接触しているとき（接触抵抗が基準値（実験などによって予め規定された抵抗値）よりも小さいとき）には、図２に示すように、測定対象体２の他方の端部２ｂを介して両プローブ３ｂ，４ｂ間に電流が流れることで両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する電圧Ｖ３は基準電圧Ｖｒよりも低い電圧となる。増幅部９ｅは、この電圧Ｖ３を増幅して電圧信号Ｖ３ａとして出力する。Ａ／Ｄ変換部９ｆは、この電圧信号Ｖ３ａをサンプリングして、デジタルデータＤ３に変換して処理部１０に出力する。
【００３４】
一方、図３に示すように、測定処理中（同図中では時刻ｔ４）に、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の一方の端部２ａとの間に接触不良が発生した（接触抵抗が絶縁被膜の存在に起因して基準値よりも大きくなった）ときには、第２回目の接触検査処理時において、両プローブ３ａ，４ａ間に発生する電圧Ｖ２は、所定電圧値Ｖｃ２（つまり定電流源８ｂの出力の最大値）となり、基準電圧Ｖｒ以上となる。また、各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の他方の端部２ｂとの間に接触不良が発生した（接触抵抗が絶縁被膜の存在に起因して基準値よりも大きくなった）ときには、第２回目の接触検査処理時において、両プローブ３ｂ，４ｂ間に発生する電圧Ｖ３も、上記した電圧Ｖ２の場合と同様にして、所定電圧値Ｖｃ４（つまり定電流源９ｂの出力の最大値）となり、基準電圧Ｖｒ以上となる。
【００３５】
処理部１０は、各検出部８，９から出力されるデジタルデータＤ２，Ｄ３に基づいて、電圧Ｖ２の電圧値および電圧Ｖ３の電圧値を算出すると共に基準電圧Ｖｒと比較して、各プローブ３，４と測定対象体２の各端部２ａ，２ｂとの間に接触状態を判別する。この場合、上記したように、接触状態が正常のときには、電圧Ｖ２，Ｖ３の各電圧値は基準電圧Ｖｒよりも低くなり、一方、接触不良が発生しているときには、電圧Ｖ２，Ｖ３の各電圧値は基準電圧Ｖｒ以上となる。したがって、処理部１０は、電圧Ｖ２，Ｖ３の各電圧値がいずれも基準電圧Ｖｒよりも低いときには、各プローブ３，４と測定対象体２の各端部２ａ，２ｂとの間に接触状態は正常であると判別して、記憶部１１から測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を読み出して、出力部１２に表示させる。一方、電圧Ｖ２の電圧値が基準電圧Ｖｒ以上のときにはプローブ３ａ，４ａ側において接触不良が発生していると判別し、また電圧Ｖ３の電圧値が基準電圧Ｖｒ以上のときにはプローブ３ｂ，４ｂ側において接触不良が発生していると判別して、測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を出力部１２に表示させることなく、その判別結果を記憶部１１に記憶させると共に、その旨（接触不良が発生した旨）を出力部１２に表示させる。
【００３６】
このように、このインピーダンス測定装置１およびこの装置１が実行する接触検査方法では、測定処理の前後において処理部１０によって接触検査処理が実行され、測定処理の実行前においては、定電流Ｉｃ１を供給するために電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１を上限として印加すると共に、定電流Ｉｃ３を供給するために電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３を上限として印加し、測定処理の実行後においては、定電流Ｉｃ２を供給するために電流供給プローブ３ａおよび電圧検出プローブ４ａ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ１よりも低電圧に規定された所定電圧値Ｖｃ２を上限として印加すると共に、定電流Ｉｃ４を供給するために電流供給プローブ３ｂおよび電圧検出プローブ４ｂ間に電圧を所定電圧値Ｖｃ３よりも低電圧に規定された所定電圧値Ｖｃ４を上限として印加する。この場合、所定電圧値Ｖｃ２，Ｖｃ４は、各プローブ３，４や測定対象体２の各端部２ａ，２ｂに生じた絶縁被膜を破壊し得ない程度の低電圧に規定されている。
【００３７】
したがって、このインピーダンス測定装置１およびこの装置１によって実行される接触検査方法によれば、測定処理中に各プローブ３，４および測定対象体２の各端部２ａ，２ｂの各表面のいずれかに絶縁被膜などが形成されるなどの理由により、各プローブ３，４と測定対象体２の各端部２ａ，２ｂとの間の接触状態が不良な状態に陥り、これによってインピーダンス測定が正常に行われなかった場合にも、測定処理の後に実行する第２回目の接触検査処理において、印加される電圧によってこの絶縁被膜が破壊される事態を回避できるため、この接触検査処理により、接触不良が発生していることを確実に検査することができる。したがって、このインピーダンス測定装置１およびこの接触検査方法によれば、このようにして、測定処理中に発生した接触状態の悪化（接触不良の発生）についての検出確度を向上させることができるため、インピーダンス測定が正常に行われなかった場合に測定された測定対象体２のインピーダンス（抵抗値Ｒ）を、正常に測定されたものであるとして出力部１２に表示させるといった不具合を確実に防止することができる。
【００３８】
なお、本発明は、上記の構成に限定されない。例えば、各プローブ３ａ，４ａと測定対象体２の端部２ａとの間に異なる電流値の定電流Ｉｃ１，Ｉｃ２を供給すべく２つの定電流源８ａ，８ｂを配設すると共に、各プローブ３ｂ，４ｂと測定対象体２の端部２ｂとの間に異なる電流値の定電流Ｉｃ３，Ｉｃ４を供給すべく２つの定電流源９ａ，９ｂを配設する構成を採用したが、２つの定電流源８ａ，８ｂに代えて１つの出力電流可変型の電流源を配設すると共に、２つの定電流源９ａ，９ｂに代えて１つの出力電流可変型の電流源を配設する構成を採用することもできる。また、所定電圧値Ｖｃ１，Ｖｃ３を互いに異なる電圧値に規定することもできるし、所定電圧値Ｖｃ２，Ｖｃ４を互いに異なる電圧値に規定することもできる。
【符号の説明】
【００３９】
１ インピーダンス測定装置
２ 測定対象体
２ａ 一方の端部
２ｂ 他方の端部
３ａ，３ｂ 電流供給プローブ
４ａ，４ｂ 電圧検出プローブ
５ 電流源
７ 電圧計
８ 第１検出部
９ 第２検出部
１０ 処理部
Ｉ１ 測定電流
Ｉｃ１，Ｉｃ２，Ｉｃ３，Ｉｃ４ 定電流
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象体の一方の端部にそれぞれ接触させられる一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブと、
前記測定対象体の他方の端部にそれぞれ接触させられる他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブと、
前記測定対象体の前記各端部に接触させられた一対の前記電流供給プローブ間に測定電流を供給する電流源と、
前記測定電流の供給状態において前記測定対象体の前記各端部間に発生する両端間電圧を一対の前記電圧検出プローブを介して検出する電圧計と、
前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給すると共に、当該第１検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出する第１検出部と、
前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給すると共に、当該第２検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出する第２検出部と、
前記測定電流および前記両端間電圧に基づいて前記測定対象体のインピーダンスを測定する測定処理、並びに前記第１検査電流および前記第１検査電圧に基づいて前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出すると共に前記第２検査電流および前記第２検査電圧に基づいて前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査処理を実行する処理部とを備え、
前記処理部は、前記測定処理の前後において前記接触検査処理を実行し、
前記第１検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブ間に第２電圧を当該第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加可能に構成され、
前記第２検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブ間に第４電圧を当該第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加可能に構成されているインピーダンス測定装置。
【請求項２】
前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧値および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている請求項１記載のインピーダンス測定装置。
【請求項３】
測定対象体の一方の端部に接触された一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出して、当該第１検査電流および当該第１検査電圧に基づいて当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出し、かつ当該測定対象体の他方の端部に接触された他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出して、当該第２検査電流および当該第２検査電圧に基づいて当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブと当該測定対象体の当該他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査方法であって、
一対の前記電流供給プローブおよび一対の前記電圧検出プローブを使用した前記測定対象体に対するインピーダンス測定処理の実行の前後において前記接触状態の検出を行うと共に、
前記インピーダンス測定処理の実行前における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加し、
前記インピーダンス測定処理の実行後における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第２電圧を前記第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第４電圧を前記第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加する接触検査方法。
【請求項４】
前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている請求項３記載の接触検査方法。
【請求項１】
測定対象体の一方の端部にそれぞれ接触させられる一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブと、
前記測定対象体の他方の端部にそれぞれ接触させられる他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブと、
前記測定対象体の前記各端部に接触させられた一対の前記電流供給プローブ間に測定電流を供給する電流源と、
前記測定電流の供給状態において前記測定対象体の前記各端部間に発生する両端間電圧を一対の前記電圧検出プローブを介して検出する電圧計と、
前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給すると共に、当該第１検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出する第１検出部と、
前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給すると共に、当該第２検査電流の供給状態において当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出する第２検出部と、
前記測定電流および前記両端間電圧に基づいて前記測定対象体のインピーダンスを測定する測定処理、並びに前記第１検査電流および前記第１検査電圧に基づいて前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出すると共に前記第２検査電流および前記第２検査電圧に基づいて前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査処理を実行する処理部とを備え、
前記処理部は、前記測定処理の前後において前記接触検査処理を実行し、
前記第１検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第１検査電流を供給するために当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブ間に第２電圧を当該第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加可能に構成され、
前記第２検出部は、前記測定処理の前に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加可能に構成され、当該測定処理の後に実行される前記接触検査処理において前記第２検査電流を供給するために当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブ間に第４電圧を当該第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加可能に構成されているインピーダンス測定装置。
【請求項２】
前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧値および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている請求項１記載のインピーダンス測定装置。
【請求項３】
測定対象体の一方の端部に接触された一の電流供給プローブおよび一の電圧検出プローブ間に第１検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第１検査電圧を検出して、当該第１検査電流および当該第１検査電圧に基づいて当該一の電流供給プローブおよび当該一の電圧検出プローブと前記測定対象体の前記一方の端部との間の接触状態を検出し、かつ当該測定対象体の他方の端部に接触された他の電流供給プローブおよび他の電圧検出プローブ間に第２検査電流を供給しつつ当該両プローブ間に発生する第２検査電圧を検出して、当該第２検査電流および当該第２検査電圧に基づいて当該他の電流供給プローブおよび当該他の電圧検出プローブと当該測定対象体の当該他方の端部との間の接触状態を検出する接触検査方法であって、
一対の前記電流供給プローブおよび一対の前記電圧検出プローブを使用した前記測定対象体に対するインピーダンス測定処理の実行の前後において前記接触状態の検出を行うと共に、
前記インピーダンス測定処理の実行前における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第１電圧を第１所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第３電圧を第３所定電圧値を上限として印加し、
前記インピーダンス測定処理の実行後における前記接触状態の検査においては、前記第１検査電流を供給するために前記一の電流供給プローブおよび前記一の電圧検出プローブ間に第２電圧を前記第１所定電圧値よりも低電圧の第２所定電圧値を上限として印加すると共に、前記第２検査電流を供給するために前記他の電流供給プローブおよび前記他の電圧検出プローブ間に第４電圧を前記第３所定電圧値よりも低電圧の第４所定電圧値を上限として印加する接触検査方法。
【請求項４】
前記第１所定電圧値および前記第３所定電圧値は、前記測定対象体の前記各端部上の絶縁被膜を破壊し得る電圧値に規定されると共に、前記第２所定電圧および前記第４所定電圧値は、当該絶縁被膜を破壊し得ない電圧値に規定されている請求項３記載の接触検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１０−２４３３６０（Ｐ２０１０−２４３３６０Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９３１４２（Ｐ２００９−９３１４２）
【出願日】平成２１年４月７日（２００９．４．７）
【出願人】（０００２２７１８０）日置電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月７日（２００９．４．７）
【出願人】（０００２２７１８０）日置電機株式会社 (982)
【Ｆターム（参考）】
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