エレクトロルミネセンス表示装置
【課題】スイッチング素子を介して画素電極に電源電圧を供給する金属配線における電圧降下に起因する表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供すること。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上に、画素１２０毎に形成された複数の画素電極１２２と、画素電極１２２上に形成されたエレクトロルミネセンス層１２３と、複数の画素１２０にまたがってエレクトロルミネセンス層１２３上に形成された共通電極１２４と、画素電極１２２の各々に接続された複数のスイッチング素子１１０と、画素１２０が配置された表示領域内で複数のスイッチング素子１１０と接続する表示領域内電源線１３０と、前記表示領域外で表示領域内電源線１３０に接続される表示領域外電源線と、前記表示領域外電源線に電気的に接続され、前記表示領域外電源線の少なくとも一部を覆う補助電源線と、を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上に、画素１２０毎に形成された複数の画素電極１２２と、画素電極１２２上に形成されたエレクトロルミネセンス層１２３と、複数の画素１２０にまたがってエレクトロルミネセンス層１２３上に形成された共通電極１２４と、画素電極１２２の各々に接続された複数のスイッチング素子１１０と、画素１２０が配置された表示領域内で複数のスイッチング素子１１０と接続する表示領域内電源線１３０と、前記表示領域外で表示領域内電源線１３０に接続される表示領域外電源線と、前記表示領域外電源線に電気的に接続され、前記表示領域外電源線の少なくとも一部を覆う補助電源線と、を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対し発光層を形成した側に光線を取り出す、いわゆるトップエミッション型のエレクトロルミネセンス表示装置では、エレクトロルミネセンス層上面には、共通電極として、表示領域の全面に亘るインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の透明導電膜が設けられる。エレクトロルミネセンス層下面には、画素電極として同じくインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の透明導電膜が用いられ、これら画素電極は画素毎にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子に接続される。各スイッチング素子には、表示領域内に配置された金属配線により電源電圧が供給される。
【０００３】
かかるエレクトロルミネセンス表示装置では、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の透明導電膜の電気抵抗が比較的大きいため、表示領域内の共通電極において電圧降下が発生し、表示画面内の輝度を一定とすることが難しい。
【０００４】
特許文献１には、かかる問題を軽減するものとして、壁状絶縁壁上に補助電極を設け、その上に共通電極を設けたエレクトロルミネセンス表示装置が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、補助電極をエレクトロルミネセンス層より下部に設け、共通電極とコンタクトホールにより接続したエレクトロルミネセンス表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−５９７９６号公報
【特許文献２】特開２００７−１０８４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
出願人は、スイッチング素子を介して画素電極に電源電圧を供給する金属配線においても電圧降下が生じ、表示画面内の輝度が一定とならない原因となり得ることを発見した。これは、特に、エレクトロルミネセンス表示装置が小型あるいは高精細若しくはその両方であると、金属配線の幅等の寸法が小さくなるため顕著となる。
【０００８】
本発明はかかる観点に鑑みてなされたものであって、その目的は、スイッチング素子を介して画素電極に電源電圧を供給する金属配線における電圧降下に起因する表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１０】
（１）基板と、前記基板上に、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記画素電極上に形成されたエレクトロルミネセンス層と、複数の画素にまたがって前記エレクトロルミネセンス層上に形成された共通電極と、前記画素電極の各々に接続された複数のスイッチング素子と、前記画素が配置された表示領域内で前記複数のスイッチング素子と接続する表示領域内電源線と、前記表示領域外で前記表示領域内電源線に接続される表示領域外電源線と、前記表示領域外電源線に電気的に接続され、前記表示領域外電源線の少なくとも一部を覆う補助電源線と、を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１１】
（２）（１）において、前記表示領域外電源線と、前記補助電源線の間には少なくとも一層の絶縁層が形成され、前記表示領域外電源線と前記補助電源線はコンタクトホールにより電気的に接続されるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１２】
（３）（１）又は（２）において、前記補助電極は、前記共通電極と同層で形成されるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１３】
（４）（１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記基板上に、外部機器と接続するための接続端子群をさらに備え、前記補助電源線は、前記接続端子群に接続される請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の効果】
【００１４】
以上の本出願において開示される発明によれば、スイッチング素子を介して画素電極に電源電圧を供給する金属配線における電圧降下に起因する表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図２】第１の実施形態のエレクトロルミネセンス表示装置の、基板上の配線を模式的に示す平面図である。
【図３】第１の実施形態の補助電源線の配置を示す平面図である。
【図４】コンタクトホールを含む補助電源線を含む位置でのエレクトロルミネセンス表示装置の断面図である。
【図５】第２の実施形態の補助電源線の配置を示す平面図である。
【図６】第３の実施形態の表示領域内電源線及び表示領域外電源線の配置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下本発明の第１の実施形態を図１乃至４を参照しつつ説明する。
【００１７】
図１は、第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００の構造を示す模式断面図である。本実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００は一般的な同種の装置同様、ガラス等からなる基板１０１上に多数形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子１１０により、基板１０１上に形成された画素１２０の発光量を制御する。なお、本実施形態では、エレクトロルミネセンス表示装置１００は基板１０１上に形成されたエレクトロルミネセンス層１２３側に光線を取り出すいわゆるトップエミッション型であるので、基板１０１は必ずしも透明であることを要せず、その材質も特に限定されない。
【００１８】
図中符号１０２はゲート絶縁層、符号１０３は層間絶縁層、符号１０４は保護層、符号１０５は画素分離層であり、符号１０６は絶縁性の平坦化層である。本実施形態では、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜であり、保護層１０４はいわゆる無機パッシベーション膜、画素分離層１０５はアクリル樹脂またはポリイミド樹脂、平坦化層１０６はいわゆる有機パッシベーション膜である。しかしながら、これらの膜の材料は、絶縁性を有し、画素１２０を形成する上で十分な性能を有しているものであれば特に限定されず、どのようなものであってもよい。
【００１９】
また、符号１１１はポリシリコン等からなるチャネル、符号１１２はゲート電極、符号１１３及び１１４はそれぞれソース電極、ドレイン電極である。これらのソース電極１１３、ドレイン電極１１４とそれらをつなぐチャネル１１１、ゲート絶縁層１０２を介してチャネル１１１中に電界を発生させるゲート電極１１２、各電極を絶縁する層間絶縁層１０３と保護層１０４によりＴＦＴであるスイッチング素子１１０が形成される。また、必要であれば、チャネル１１１のさらに下側に、基板１０１からの不純物によるチャネル１１１の汚染を防止するための下地膜を設けてもよい。かかる下地膜には、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜及び二酸化ケイ素膜を用いてよい。
【００２０】
さらに、符号１２１は反射層、符号１２２はソース電極１１３に接続された画素電極であり、エレクトロルミネセンス層１２３に正孔を供給するアノードとして機能する。画素電極１２２は、本実施形態では、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の金属酸化物薄膜であるが、アノードとしての機能を満たす限り、その材質は特に限定されない。反射層１２１はエレクトロルミネセンス層１２３から下方に向かう光を反射させて上方へ取り出すための層であり、銀やアルミニウム等の金属膜を好適に用いて良い。画素電極１２２自体が金属膜である場合など、光線を反射する機能を有している場合には、反射層１２１を省略してもよい。
【００２１】
共通電極１２４はエレクトロルミネセンス層１２３の上面に、複数の画素にまたがって設けられており、エレクトロルミネセンス層１２３に電子を供給するカソードとして機能する。共通電極１２４は、光線の透過率が高く、かつ、できる限り電気抵抗の小さいものが好ましい。本実施形態では、共通電極１２４として銀からなる金属薄膜を用いるが、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、酸化錫等の金属酸化物による透明導電膜を用いてもよいし、金属薄膜の材料として、銀以外にも銅、金、アルミニウムあるいはこれらの合金を用いてもよい。さらに、金属薄膜と金属酸化物膜とを積層して共通電極１２４としてもよい。
【００２２】
そして、スイッチング素子１１０のドレイン電極１１４は表示領域内電源線１３０に接続され、電源電圧が印加される。一方、共通電極１２４は接地される。そのため、ゲート電極１１２に図示しない映像信号線からの信号電圧を印加すると、かかる信号電圧に応じた電流がドレイン電極１１４からソース電極１１３へと流れ、画素電極１２２からエレクトロルミネセンス層１２３に正孔が供給される一方、共通電極１２４からは電子が供給される。その結果、エレクトロルミネセンス層１２３は、画素電極１２２と接している領域である、発光領域１５０において正孔及び電子を注入され、信号電圧に応じた発光量で発光する。すなわち、発光領域１５０は、エレクトロルミネセンス層１２３のうち、光線を取り出すことができる領域である。基板１０１上に画素１２０が形成されている領域である表示領域の面積に占める発光領域１５０の割合は、一般に開口率と呼ばれている。
【００２３】
なお、エレクトロルミネセンス表示装置１００において、画素電極１２２及び共通電極１２４に印加する電位を逆向きとし、画素電極１２２をカソード、共通電極１２４をアノードとして用いても差し支えない。また、本実施例では、正電圧電源を用い、共通電極１２４を接地側、画素電極１２２（すなわちドレイン電極１１４）を電源側としたが、この区別は相対的であり、電源、接地の区別は便宜上のものである。すなわち、画素電極１２２側を接地電位として共通電極１２４に負電圧電源により電圧を印加しても一向に差し支えない。したがって、本明細書ではその電圧の正負や外部機器との接続の様態にかかわらず、画素電極１２２にスイッチング素子１１０を介して接続される側を電源、共通電極１２４に接続される側を接地と呼ぶ。
【００２４】
封止基板１４０はガラスやプラスチックなどの透明基板であり、かかる封止基板１４０と基板１０１との間の空間１４１に窒素ガスなどの不活性ガスと、図示しない乾燥剤を封入し、水分や酸素によりエレクトロルミネセンス層１２３が劣化するのを防ぐ。封止基板１４０の外周部は、シール材により基板１０１と接着され、空間１４１は密閉される。なお、エレクトロルミネセンス層１２３の保護は、本実施形態のように封止基板１４０を用いる方法によってもよいし、透明樹脂を基板１０１上に塗布してエレクトロルミネセンス層を封止する、いわゆる樹脂封止の方法によってもよい。
【００２５】
なお、本実施形態ではエレクトロルミネセンス層１２３が発光領域１５０の外側である画素分離層１０５上にも形成されているが、かかる構造は必須のものではなく、エレクトロルミネセンス層１２３が発光領域１５０上のみを覆うようにしてもよい。
【００２６】
図２は、本実施形態のエレクトロルミネセンス表示装置１００の、基板１０１上の配線を模式的に示す平面図である。基板１０１の下部側の一辺には、外部機器との接続のための端子群１６０が設けられ、各端子に外部機器より電源電圧、設置電圧及び各種制御信号が入力される。各種制御信号には、クロック信号や映像信号が含まれる。なお、同図に示した端子の数や形状は模式的に例示したものであり、これに限定されるものではない。
【００２７】
基板１０１中央部には、画素１２０が多数形成された表示領域１６１が配置される。表示領域１６１の下部には映像信号制御回路１６２が配置される。端子群１６０より入力された映像信号は、映像信号制御回路１６２により画素の列ごとに形成された映像信号線に分配する。同図では、映像信号線１６３ａと１６３ｂの２本のみを示し、他は省略している。また、表示領域１６１の左右には、走査回路１６４が配置される。走査回路１６４からは画素の行ごとに形成された走査信号線に、順次走査信号が出力される。同図では、走査信号線１６５ａと１６５ｂのみを示し、他は省略した。
【００２８】
隣り合う映像信号線１６３ａ、１６３ｂ及び走査信号線１６５ａ、１６５ｂによって囲まれる領域が画素１２０となる。図示の画素１２０は、映像信号線１６３ａ及び走査信号線１６５ａに接続される。
【００２９】
なお、映像信号制御回路１６２及び走査回路１６４と端子群１６０間の配線は、図示の簡略化のため省略した。また、本実施形態では、映像信号制御回路１６２及び走査回路１６４をいわゆるＳＯＧ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）の手法により基板１０１上に直接形成したものとしているが、これに限らず、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ等を基板１０１上に実装するようにしてもよい。また、本実施形態では走査回路１６４を表示領域１６１の左右に分割して配置し、走査信号線を左右の走査回路１６４から交互に延びるものとしたが、これに限らず、走査回路１６４を表示領域１６１の左右いずれか片方に配置するようにしてもよい。
【００３０】
符号１６６は接地線であり、端子群１６０より接地電位が入力される。接地線１６６は表示領域１６１の左右に配置されており、表示領域１６１の上下において、左右の接地線１６６を繋いで接地接続領域１６７が設けられる。共通電極１２４（図１参照）は、上下の接地接続領域１６７に囲まれる矩形の領域に形成され、接地接続領域１６７中に適宜設けられたコンタクトホール１６８により接地線１６６に電気的に接続される。
【００３１】
また、符号１３１は表示領域外電源線であり、端子群１６０より電源電位が入力される。本実施形態では、表示領域外電源線１３１は図示のように、表示領域１６１の下側及び左右に設けられる。表示領域外電源線１３１上には適宜コンタクトホール１６８が設けられ、後述する補助電源線と電気的に接続される。
【００３２】
なお、以上示した映像信号線１６３ａ、１６３ｂ、走査信号線１６５ａ、１６５ｂ、接地線１６６及び接地接続領域１６７、表示領域外電源線１３１及び表示領域内電源線１３０は、適宜絶縁層等を挟むことにより、互いに絶縁されている。
【００３３】
そして、本実施形態では、表示領域外電源線１３１の上部に、その少なくとも一部を覆うように補助電源線が設けられる。図３は、本実施形態の補助電源線１３３の配置を示す平面図である。同図は図２に対応しており、基板１０１上における補助電源線１３３の位置及び形状を示している。補助電源線１３３は、図２を参照すると理解されるように、表示領域外電源線１３１と同位置、同形状であり、表示領域外電源線１３１をすっぽりと覆う形状である。しかしながら、補助電源線１３３は必ずしも表示領域外電源線１３１と同位置、同形状でなくともかまわず、その少なくとも一部を覆う形状で有ればよい。また、補助電源線１３３の端部１３４は、端子群１６０（図２参照）に接続されていることが好ましい。
【００３４】
図中破線で示したのは共通電極１２４である。図示の通り、補助電源線１３３と共通電極１２４は平面的に一部重複しているが、両者の短絡を防ぐため、補助電源線１３３と共通電極１２４間には適宜の絶縁層が形成される。
【００３５】
図４は、コンタクトホール１３２を含む補助電源線１３３を含む位置でのエレクトロルミネセンス表示装置１００の断面図である。同図中、図１と共通に示される部材は同符号を付すこととし、その詳細な説明は図１に関する上記記載を参照されたい。図中示されるように、表示領域外電源線１３１は表示領域内電源線１３０（図１参照）と同層に形成され、補助電源線１３３は画素分離層１０５の上面に形成されている。そして、コンタクトホール１３２において、表示領域外電源線１３１及び補助電源線１３３は中間電極１３５を介して電気的に接続される。中間電極１３５は、表示領域外電源線１３１と補助電源線１３３との導通を確実にするために設けられるものであり、不要で有れば省略して差し支えない。また、補助電源線１３３の材質は導電性に優れたもので有れば特に限定されず、各種の金属膜、金属酸化物膜を使用して良い。本実施形態では、共通電極１２４（図１参照）と同じ材質、すなわち銀からなる金属薄膜を用いる。補助電源線１３３の材質を共通電極１２４あるいはその他の電極と共通の材質とすることで、エレクトロルミネセンス表示装置１００の製造に有する材料及びプロセスの種類を増やすことなく補助電極線１３３が形成される。補助電極線１３３と表示領域外電源線１３１の間には絶縁層である画素分離層１０５、平坦化層１０６、保護層１０４が配置されているが、補助電極線１３３の位置は本実施形態のように画素分離層１０５の上部に限定されず、表示領域外電源線１３１との間に少なくとも１層の絶縁層を挟む位置で有ればよい。また、補助電極線１３３を複数層にわたって、例えば、さらに画素分離層１０５と平坦化層１０６の間にも形成するようにしてもよい。
【００３６】
コンタクトホール１３２は適宜の間隔をもって複数設けられ（図２参照）、補助電極線１３３と表示領域外電源線１３１とを電気的に接続する。このように、コンタクトホール１３２により電気的に接続された補助電極線１３３を表示領域外電源線１３１と並行に設けることにより、実質的に表示領域外電源線１３１の断面積は増大することとなり、その電気抵抗は減少する。これにより、表示領域外電源線１３１の電気抵抗に起因する電源電位の低下が抑制され、エレクトロルミネセンス表示装置１００の輝度のムラが低減される。また、補助電極線１３３の端部１３４（図２参照）が端子群１６０（図１参照）に接続されていると、実質的に表示領域外電源線１３１と端子群１６０との接触面積が増大することとなり、やはりその電気抵抗が減少する。
【００３７】
続いて、本実施形態のエレクトロルミネセンス表示装置１００の製造方法を説明する。
【００３８】
再び図１を参照し、まず、基板１０１上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりアモルファスシリコン膜を形成し、レーザー照射によりポリシリコン膜に変換し、チャネル１１１を形成する。次いで、ゲート絶縁層１０２、ゲート電極１１２を形成する。さらに、ゲート電極１１２をマスクとして、チャネル２にリンやボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって付与し、ソース部及びドレイン部を形成する。さらにゲート電極１１２を覆うように層間絶縁層１０３を形成し、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４を、スルーホールを介してチャネル１１１と接続するように作成する。同時に、映像信号線１６３ａ，１６３ｂ、走査信号線１６５ａ，１６５ｂ、表示領域内電源線１３０及び表示領域外電源線１３１、接地線１６６及び接地接続領域１６７を形成する（図２参照）。その後、完成したスイッチング素子１１０を保護するため、保護層１０４を、さらにその上に平坦化層１０６を形成する。映像信号制御回路１６２、走査回路１６４及び端子群１６０（図２参照）はこれらのプロセスと同時または事前あるいは事後に基板１０１上に作成しておく。
【００３９】
平坦化層１０６上に反射層１２１をアルミニウムまたはその合金により形成し、画素電極１２２をインジウム錫酸化物により形成する。インジウム錫酸化物は、摂氏２００度程度に加熱し、アニールすることにより電気抵抗を低減する。また、画素電極１２２はスルーホールによりソース電極１１３と接続する。
【００４０】
次いで、各画素の発光領域１５０を分離する画素分離層１０５を形成した後、エレクトロルミネセンス層１２３を形成する。エレクトロルミネセンス層１２３は、下層から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の５層からなっている。エレクトロルミネセンス層１２３を構成する各層は、マスク蒸着により形成する。このとき、エレクトロルミネセンス層１２３が異なる色に発光する複数種のエレクトロルミネセンス層を含むものである場合には、発光色ごとにマスク蒸着を行う。
【００４１】
そして、エレクトロルミネセンス層１２３の上部に、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等の真空プロセスにより共通電極１２４を形成する。本実施形態では、共通電極１２４の材量は銀であるが、その他にも、銅、金、アルミニウムあるいはこれらの合金であってもよい。
【００４２】
その後、共通電極１２４と補助電源線１３３とが平面的に重複する位置あるいは全面に、適宜の絶縁層を形成したのち、再度、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等の真空プロセスにより補助電源線１３３を形成する。なお、共通電極１２４と補助電源線１３３を形成する順序を逆にしても差し支えない。共通電極１２４は、コンタクトホール１３２（図４参照）により表示領域外電源線１３１に電気的に接続される。
【００４３】
以上のようにして、基板１０１上にスイッチング素子１１０やエレクトロルミネセンス層１２３等からなる画素１２０が形成されたら、封止基板１４０を基板１０１上に空間１４１を隔てて取り付け、空間１４１内に窒素ガス等の不活性ガス及びシリカゲル等の乾燥材を封入して完成である。
【００４４】
なお、ここで説明したエレクトロルミネセンス表示装置１００の製造方法は一例として説明したものであり、他の順序あるいは方法によってもよい。
【００４５】
続いて、本発明の第２の実施形態を図５を参照して説明する。
【００４６】
図５は、第２の実施形態の補助電源線２３３の配置を示す平面図である。なお、同図では、第１の実施形態と共通の部材については同符号を付し、その詳細な説明を省略することとする。
【００４７】
同図に示されるように、本実施形態は、第１の実施形態とは、補助電源線２３３の平面的な形状のみが相違し、その他の点はすべて同一である。補助電源線２３３は、表示領域外電源線１３１（図２参照）の一部を覆う形状であるものの、その全てを覆ってはいない。ここで重要な点は、補助電源線２３３と、共通電極１２４とが平面的に重複していない点である。このようにすると、共通電極１２４を形成する際のマスク形状を適宜の物とすることにより、共通電極１２４と補助電源線２３３とが同時に形成される。そのため、ほとんど追加の工程を必要とせず、補助電源線２３３が形成されるため、製造コストの増加は抑えられる。
【００４８】
続いて、本発明の第３の実施形態を図６を参照して説明する。
【００４９】
図６は、第３の実施形態の表示領域内電源線３３０及び表示領域外電源線３３１の配置を示す平面図である。本実施形態は、第１の実施形態とは、表示領域内電源線３３０及び表示領域外電源線３３１の平面的な形状のみが相違し、その他の点はすべて同一である。
【００５０】
表示領域外電源線３３１は、図示するように、表示領域（図示せず）の四方を囲う形状となっており、また、表示領域内電源線３３０は縦方向及び横方向に格子状に表示流域内に配置される。このような形状であると、表示領域内に供給される電源電位の低下が小さく抑えられる。また、かかる表示領域外電源線３３１に対応して設けられる補助電源線（図示せず）の形状は、表示利用域外電源線と同一であってもよいし、少なくとも一部分を覆う任意の形状としてもよい。
【００５１】
なお、かかる表示領域内電源線３３０及び表示領域外電源線３３１の配置及び形状をどのようにするかは任意である。本実施形態のように、表示領域外電源線３３１を、表示領域を四方から囲う形状としても、第１及び第２の実施例のように、表示領域の左右及び下部に配置しても、あるいは表示領域の左右あるいは左右いずれか、もしくは表示領域の上下あるいは下部に配置するようにしてもよい。また、表示領域内電源線３３０は、本実施形態のように、縦方向及び横方向に格子状に配置しても、そのいずれか一方向に配置しても、その配置方向を表示領域内で任意に変更しても差し支えない。
【符号の説明】
【００５２】
１００ エレクトロルミネセンス表示装置、１０１ 基板、１０２ ゲート絶縁層、１０３ 層間絶縁層、１０４ 保護層、１０５ 画素分離層、１０６ 平坦化層、１１０ スイッチング素子、１１１ チャネル、１１２ ゲート電極、１１３ ソース電極、１１４ ドレイン電極、１２０ 画素、１２１ 反射層、１２２ 画素電極、１２３ エレクトロルミネセンス層、１２４ 共通電極、１３０ 表示領域内電源線、１３１ 表示領域外電源線、１３２ コンタクトホール、１３３ 補助電極線、１３４ 端部、１３５ 中間電極、１４０ 封止基板、１４１ 空間、１５０ 発光領域、１６０ 端子群、１６１ 表示領域、１６２ 映像信号制御回路、１６３ａ，１６３ｂ 映像信号線、１６４ 走査回路、１６５ａ，１６５ｂ 走査信号線、１６６ 接地線、１６７ 接地接続領域、１６８ コンタクトホール、２３３ 補助電極線、３３０ 表示領域内電源線、３３１ 表示領域外電源線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対し発光層を形成した側に光線を取り出す、いわゆるトップエミッション型のエレクトロルミネセンス表示装置では、エレクトロルミネセンス層上面には、共通電極として、表示領域の全面に亘るインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の透明導電膜が設けられる。エレクトロルミネセンス層下面には、画素電極として同じくインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の透明導電膜が用いられ、これら画素電極は画素毎にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子に接続される。各スイッチング素子には、表示領域内に配置された金属配線により電源電圧が供給される。
【０００３】
かかるエレクトロルミネセンス表示装置では、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の透明導電膜の電気抵抗が比較的大きいため、表示領域内の共通電極において電圧降下が発生し、表示画面内の輝度を一定とすることが難しい。
【０００４】
特許文献１には、かかる問題を軽減するものとして、壁状絶縁壁上に補助電極を設け、その上に共通電極を設けたエレクトロルミネセンス表示装置が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、補助電極をエレクトロルミネセンス層より下部に設け、共通電極とコンタクトホールにより接続したエレクトロルミネセンス表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−５９７９６号公報
【特許文献２】特開２００７−１０８４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
出願人は、スイッチング素子を介して画素電極に電源電圧を供給する金属配線においても電圧降下が生じ、表示画面内の輝度が一定とならない原因となり得ることを発見した。これは、特に、エレクトロルミネセンス表示装置が小型あるいは高精細若しくはその両方であると、金属配線の幅等の寸法が小さくなるため顕著となる。
【０００８】
本発明はかかる観点に鑑みてなされたものであって、その目的は、スイッチング素子を介して画素電極に電源電圧を供給する金属配線における電圧降下に起因する表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１０】
（１）基板と、前記基板上に、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記画素電極上に形成されたエレクトロルミネセンス層と、複数の画素にまたがって前記エレクトロルミネセンス層上に形成された共通電極と、前記画素電極の各々に接続された複数のスイッチング素子と、前記画素が配置された表示領域内で前記複数のスイッチング素子と接続する表示領域内電源線と、前記表示領域外で前記表示領域内電源線に接続される表示領域外電源線と、前記表示領域外電源線に電気的に接続され、前記表示領域外電源線の少なくとも一部を覆う補助電源線と、を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１１】
（２）（１）において、前記表示領域外電源線と、前記補助電源線の間には少なくとも一層の絶縁層が形成され、前記表示領域外電源線と前記補助電源線はコンタクトホールにより電気的に接続されるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１２】
（３）（１）又は（２）において、前記補助電極は、前記共通電極と同層で形成されるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１３】
（４）（１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記基板上に、外部機器と接続するための接続端子群をさらに備え、前記補助電源線は、前記接続端子群に接続される請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の効果】
【００１４】
以上の本出願において開示される発明によれば、スイッチング素子を介して画素電極に電源電圧を供給する金属配線における電圧降下に起因する表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図２】第１の実施形態のエレクトロルミネセンス表示装置の、基板上の配線を模式的に示す平面図である。
【図３】第１の実施形態の補助電源線の配置を示す平面図である。
【図４】コンタクトホールを含む補助電源線を含む位置でのエレクトロルミネセンス表示装置の断面図である。
【図５】第２の実施形態の補助電源線の配置を示す平面図である。
【図６】第３の実施形態の表示領域内電源線及び表示領域外電源線の配置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下本発明の第１の実施形態を図１乃至４を参照しつつ説明する。
【００１７】
図１は、第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００の構造を示す模式断面図である。本実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００は一般的な同種の装置同様、ガラス等からなる基板１０１上に多数形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子１１０により、基板１０１上に形成された画素１２０の発光量を制御する。なお、本実施形態では、エレクトロルミネセンス表示装置１００は基板１０１上に形成されたエレクトロルミネセンス層１２３側に光線を取り出すいわゆるトップエミッション型であるので、基板１０１は必ずしも透明であることを要せず、その材質も特に限定されない。
【００１８】
図中符号１０２はゲート絶縁層、符号１０３は層間絶縁層、符号１０４は保護層、符号１０５は画素分離層であり、符号１０６は絶縁性の平坦化層である。本実施形態では、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜であり、保護層１０４はいわゆる無機パッシベーション膜、画素分離層１０５はアクリル樹脂またはポリイミド樹脂、平坦化層１０６はいわゆる有機パッシベーション膜である。しかしながら、これらの膜の材料は、絶縁性を有し、画素１２０を形成する上で十分な性能を有しているものであれば特に限定されず、どのようなものであってもよい。
【００１９】
また、符号１１１はポリシリコン等からなるチャネル、符号１１２はゲート電極、符号１１３及び１１４はそれぞれソース電極、ドレイン電極である。これらのソース電極１１３、ドレイン電極１１４とそれらをつなぐチャネル１１１、ゲート絶縁層１０２を介してチャネル１１１中に電界を発生させるゲート電極１１２、各電極を絶縁する層間絶縁層１０３と保護層１０４によりＴＦＴであるスイッチング素子１１０が形成される。また、必要であれば、チャネル１１１のさらに下側に、基板１０１からの不純物によるチャネル１１１の汚染を防止するための下地膜を設けてもよい。かかる下地膜には、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜及び二酸化ケイ素膜を用いてよい。
【００２０】
さらに、符号１２１は反射層、符号１２２はソース電極１１３に接続された画素電極であり、エレクトロルミネセンス層１２３に正孔を供給するアノードとして機能する。画素電極１２２は、本実施形態では、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の金属酸化物薄膜であるが、アノードとしての機能を満たす限り、その材質は特に限定されない。反射層１２１はエレクトロルミネセンス層１２３から下方に向かう光を反射させて上方へ取り出すための層であり、銀やアルミニウム等の金属膜を好適に用いて良い。画素電極１２２自体が金属膜である場合など、光線を反射する機能を有している場合には、反射層１２１を省略してもよい。
【００２１】
共通電極１２４はエレクトロルミネセンス層１２３の上面に、複数の画素にまたがって設けられており、エレクトロルミネセンス層１２３に電子を供給するカソードとして機能する。共通電極１２４は、光線の透過率が高く、かつ、できる限り電気抵抗の小さいものが好ましい。本実施形態では、共通電極１２４として銀からなる金属薄膜を用いるが、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、酸化錫等の金属酸化物による透明導電膜を用いてもよいし、金属薄膜の材料として、銀以外にも銅、金、アルミニウムあるいはこれらの合金を用いてもよい。さらに、金属薄膜と金属酸化物膜とを積層して共通電極１２４としてもよい。
【００２２】
そして、スイッチング素子１１０のドレイン電極１１４は表示領域内電源線１３０に接続され、電源電圧が印加される。一方、共通電極１２４は接地される。そのため、ゲート電極１１２に図示しない映像信号線からの信号電圧を印加すると、かかる信号電圧に応じた電流がドレイン電極１１４からソース電極１１３へと流れ、画素電極１２２からエレクトロルミネセンス層１２３に正孔が供給される一方、共通電極１２４からは電子が供給される。その結果、エレクトロルミネセンス層１２３は、画素電極１２２と接している領域である、発光領域１５０において正孔及び電子を注入され、信号電圧に応じた発光量で発光する。すなわち、発光領域１５０は、エレクトロルミネセンス層１２３のうち、光線を取り出すことができる領域である。基板１０１上に画素１２０が形成されている領域である表示領域の面積に占める発光領域１５０の割合は、一般に開口率と呼ばれている。
【００２３】
なお、エレクトロルミネセンス表示装置１００において、画素電極１２２及び共通電極１２４に印加する電位を逆向きとし、画素電極１２２をカソード、共通電極１２４をアノードとして用いても差し支えない。また、本実施例では、正電圧電源を用い、共通電極１２４を接地側、画素電極１２２（すなわちドレイン電極１１４）を電源側としたが、この区別は相対的であり、電源、接地の区別は便宜上のものである。すなわち、画素電極１２２側を接地電位として共通電極１２４に負電圧電源により電圧を印加しても一向に差し支えない。したがって、本明細書ではその電圧の正負や外部機器との接続の様態にかかわらず、画素電極１２２にスイッチング素子１１０を介して接続される側を電源、共通電極１２４に接続される側を接地と呼ぶ。
【００２４】
封止基板１４０はガラスやプラスチックなどの透明基板であり、かかる封止基板１４０と基板１０１との間の空間１４１に窒素ガスなどの不活性ガスと、図示しない乾燥剤を封入し、水分や酸素によりエレクトロルミネセンス層１２３が劣化するのを防ぐ。封止基板１４０の外周部は、シール材により基板１０１と接着され、空間１４１は密閉される。なお、エレクトロルミネセンス層１２３の保護は、本実施形態のように封止基板１４０を用いる方法によってもよいし、透明樹脂を基板１０１上に塗布してエレクトロルミネセンス層を封止する、いわゆる樹脂封止の方法によってもよい。
【００２５】
なお、本実施形態ではエレクトロルミネセンス層１２３が発光領域１５０の外側である画素分離層１０５上にも形成されているが、かかる構造は必須のものではなく、エレクトロルミネセンス層１２３が発光領域１５０上のみを覆うようにしてもよい。
【００２６】
図２は、本実施形態のエレクトロルミネセンス表示装置１００の、基板１０１上の配線を模式的に示す平面図である。基板１０１の下部側の一辺には、外部機器との接続のための端子群１６０が設けられ、各端子に外部機器より電源電圧、設置電圧及び各種制御信号が入力される。各種制御信号には、クロック信号や映像信号が含まれる。なお、同図に示した端子の数や形状は模式的に例示したものであり、これに限定されるものではない。
【００２７】
基板１０１中央部には、画素１２０が多数形成された表示領域１６１が配置される。表示領域１６１の下部には映像信号制御回路１６２が配置される。端子群１６０より入力された映像信号は、映像信号制御回路１６２により画素の列ごとに形成された映像信号線に分配する。同図では、映像信号線１６３ａと１６３ｂの２本のみを示し、他は省略している。また、表示領域１６１の左右には、走査回路１６４が配置される。走査回路１６４からは画素の行ごとに形成された走査信号線に、順次走査信号が出力される。同図では、走査信号線１６５ａと１６５ｂのみを示し、他は省略した。
【００２８】
隣り合う映像信号線１６３ａ、１６３ｂ及び走査信号線１６５ａ、１６５ｂによって囲まれる領域が画素１２０となる。図示の画素１２０は、映像信号線１６３ａ及び走査信号線１６５ａに接続される。
【００２９】
なお、映像信号制御回路１６２及び走査回路１６４と端子群１６０間の配線は、図示の簡略化のため省略した。また、本実施形態では、映像信号制御回路１６２及び走査回路１６４をいわゆるＳＯＧ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）の手法により基板１０１上に直接形成したものとしているが、これに限らず、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ等を基板１０１上に実装するようにしてもよい。また、本実施形態では走査回路１６４を表示領域１６１の左右に分割して配置し、走査信号線を左右の走査回路１６４から交互に延びるものとしたが、これに限らず、走査回路１６４を表示領域１６１の左右いずれか片方に配置するようにしてもよい。
【００３０】
符号１６６は接地線であり、端子群１６０より接地電位が入力される。接地線１６６は表示領域１６１の左右に配置されており、表示領域１６１の上下において、左右の接地線１６６を繋いで接地接続領域１６７が設けられる。共通電極１２４（図１参照）は、上下の接地接続領域１６７に囲まれる矩形の領域に形成され、接地接続領域１６７中に適宜設けられたコンタクトホール１６８により接地線１６６に電気的に接続される。
【００３１】
また、符号１３１は表示領域外電源線であり、端子群１６０より電源電位が入力される。本実施形態では、表示領域外電源線１３１は図示のように、表示領域１６１の下側及び左右に設けられる。表示領域外電源線１３１上には適宜コンタクトホール１６８が設けられ、後述する補助電源線と電気的に接続される。
【００３２】
なお、以上示した映像信号線１６３ａ、１６３ｂ、走査信号線１６５ａ、１６５ｂ、接地線１６６及び接地接続領域１６７、表示領域外電源線１３１及び表示領域内電源線１３０は、適宜絶縁層等を挟むことにより、互いに絶縁されている。
【００３３】
そして、本実施形態では、表示領域外電源線１３１の上部に、その少なくとも一部を覆うように補助電源線が設けられる。図３は、本実施形態の補助電源線１３３の配置を示す平面図である。同図は図２に対応しており、基板１０１上における補助電源線１３３の位置及び形状を示している。補助電源線１３３は、図２を参照すると理解されるように、表示領域外電源線１３１と同位置、同形状であり、表示領域外電源線１３１をすっぽりと覆う形状である。しかしながら、補助電源線１３３は必ずしも表示領域外電源線１３１と同位置、同形状でなくともかまわず、その少なくとも一部を覆う形状で有ればよい。また、補助電源線１３３の端部１３４は、端子群１６０（図２参照）に接続されていることが好ましい。
【００３４】
図中破線で示したのは共通電極１２４である。図示の通り、補助電源線１３３と共通電極１２４は平面的に一部重複しているが、両者の短絡を防ぐため、補助電源線１３３と共通電極１２４間には適宜の絶縁層が形成される。
【００３５】
図４は、コンタクトホール１３２を含む補助電源線１３３を含む位置でのエレクトロルミネセンス表示装置１００の断面図である。同図中、図１と共通に示される部材は同符号を付すこととし、その詳細な説明は図１に関する上記記載を参照されたい。図中示されるように、表示領域外電源線１３１は表示領域内電源線１３０（図１参照）と同層に形成され、補助電源線１３３は画素分離層１０５の上面に形成されている。そして、コンタクトホール１３２において、表示領域外電源線１３１及び補助電源線１３３は中間電極１３５を介して電気的に接続される。中間電極１３５は、表示領域外電源線１３１と補助電源線１３３との導通を確実にするために設けられるものであり、不要で有れば省略して差し支えない。また、補助電源線１３３の材質は導電性に優れたもので有れば特に限定されず、各種の金属膜、金属酸化物膜を使用して良い。本実施形態では、共通電極１２４（図１参照）と同じ材質、すなわち銀からなる金属薄膜を用いる。補助電源線１３３の材質を共通電極１２４あるいはその他の電極と共通の材質とすることで、エレクトロルミネセンス表示装置１００の製造に有する材料及びプロセスの種類を増やすことなく補助電極線１３３が形成される。補助電極線１３３と表示領域外電源線１３１の間には絶縁層である画素分離層１０５、平坦化層１０６、保護層１０４が配置されているが、補助電極線１３３の位置は本実施形態のように画素分離層１０５の上部に限定されず、表示領域外電源線１３１との間に少なくとも１層の絶縁層を挟む位置で有ればよい。また、補助電極線１３３を複数層にわたって、例えば、さらに画素分離層１０５と平坦化層１０６の間にも形成するようにしてもよい。
【００３６】
コンタクトホール１３２は適宜の間隔をもって複数設けられ（図２参照）、補助電極線１３３と表示領域外電源線１３１とを電気的に接続する。このように、コンタクトホール１３２により電気的に接続された補助電極線１３３を表示領域外電源線１３１と並行に設けることにより、実質的に表示領域外電源線１３１の断面積は増大することとなり、その電気抵抗は減少する。これにより、表示領域外電源線１３１の電気抵抗に起因する電源電位の低下が抑制され、エレクトロルミネセンス表示装置１００の輝度のムラが低減される。また、補助電極線１３３の端部１３４（図２参照）が端子群１６０（図１参照）に接続されていると、実質的に表示領域外電源線１３１と端子群１６０との接触面積が増大することとなり、やはりその電気抵抗が減少する。
【００３７】
続いて、本実施形態のエレクトロルミネセンス表示装置１００の製造方法を説明する。
【００３８】
再び図１を参照し、まず、基板１０１上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりアモルファスシリコン膜を形成し、レーザー照射によりポリシリコン膜に変換し、チャネル１１１を形成する。次いで、ゲート絶縁層１０２、ゲート電極１１２を形成する。さらに、ゲート電極１１２をマスクとして、チャネル２にリンやボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって付与し、ソース部及びドレイン部を形成する。さらにゲート電極１１２を覆うように層間絶縁層１０３を形成し、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４を、スルーホールを介してチャネル１１１と接続するように作成する。同時に、映像信号線１６３ａ，１６３ｂ、走査信号線１６５ａ，１６５ｂ、表示領域内電源線１３０及び表示領域外電源線１３１、接地線１６６及び接地接続領域１６７を形成する（図２参照）。その後、完成したスイッチング素子１１０を保護するため、保護層１０４を、さらにその上に平坦化層１０６を形成する。映像信号制御回路１６２、走査回路１６４及び端子群１６０（図２参照）はこれらのプロセスと同時または事前あるいは事後に基板１０１上に作成しておく。
【００３９】
平坦化層１０６上に反射層１２１をアルミニウムまたはその合金により形成し、画素電極１２２をインジウム錫酸化物により形成する。インジウム錫酸化物は、摂氏２００度程度に加熱し、アニールすることにより電気抵抗を低減する。また、画素電極１２２はスルーホールによりソース電極１１３と接続する。
【００４０】
次いで、各画素の発光領域１５０を分離する画素分離層１０５を形成した後、エレクトロルミネセンス層１２３を形成する。エレクトロルミネセンス層１２３は、下層から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の５層からなっている。エレクトロルミネセンス層１２３を構成する各層は、マスク蒸着により形成する。このとき、エレクトロルミネセンス層１２３が異なる色に発光する複数種のエレクトロルミネセンス層を含むものである場合には、発光色ごとにマスク蒸着を行う。
【００４１】
そして、エレクトロルミネセンス層１２３の上部に、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等の真空プロセスにより共通電極１２４を形成する。本実施形態では、共通電極１２４の材量は銀であるが、その他にも、銅、金、アルミニウムあるいはこれらの合金であってもよい。
【００４２】
その後、共通電極１２４と補助電源線１３３とが平面的に重複する位置あるいは全面に、適宜の絶縁層を形成したのち、再度、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等の真空プロセスにより補助電源線１３３を形成する。なお、共通電極１２４と補助電源線１３３を形成する順序を逆にしても差し支えない。共通電極１２４は、コンタクトホール１３２（図４参照）により表示領域外電源線１３１に電気的に接続される。
【００４３】
以上のようにして、基板１０１上にスイッチング素子１１０やエレクトロルミネセンス層１２３等からなる画素１２０が形成されたら、封止基板１４０を基板１０１上に空間１４１を隔てて取り付け、空間１４１内に窒素ガス等の不活性ガス及びシリカゲル等の乾燥材を封入して完成である。
【００４４】
なお、ここで説明したエレクトロルミネセンス表示装置１００の製造方法は一例として説明したものであり、他の順序あるいは方法によってもよい。
【００４５】
続いて、本発明の第２の実施形態を図５を参照して説明する。
【００４６】
図５は、第２の実施形態の補助電源線２３３の配置を示す平面図である。なお、同図では、第１の実施形態と共通の部材については同符号を付し、その詳細な説明を省略することとする。
【００４７】
同図に示されるように、本実施形態は、第１の実施形態とは、補助電源線２３３の平面的な形状のみが相違し、その他の点はすべて同一である。補助電源線２３３は、表示領域外電源線１３１（図２参照）の一部を覆う形状であるものの、その全てを覆ってはいない。ここで重要な点は、補助電源線２３３と、共通電極１２４とが平面的に重複していない点である。このようにすると、共通電極１２４を形成する際のマスク形状を適宜の物とすることにより、共通電極１２４と補助電源線２３３とが同時に形成される。そのため、ほとんど追加の工程を必要とせず、補助電源線２３３が形成されるため、製造コストの増加は抑えられる。
【００４８】
続いて、本発明の第３の実施形態を図６を参照して説明する。
【００４９】
図６は、第３の実施形態の表示領域内電源線３３０及び表示領域外電源線３３１の配置を示す平面図である。本実施形態は、第１の実施形態とは、表示領域内電源線３３０及び表示領域外電源線３３１の平面的な形状のみが相違し、その他の点はすべて同一である。
【００５０】
表示領域外電源線３３１は、図示するように、表示領域（図示せず）の四方を囲う形状となっており、また、表示領域内電源線３３０は縦方向及び横方向に格子状に表示流域内に配置される。このような形状であると、表示領域内に供給される電源電位の低下が小さく抑えられる。また、かかる表示領域外電源線３３１に対応して設けられる補助電源線（図示せず）の形状は、表示利用域外電源線と同一であってもよいし、少なくとも一部分を覆う任意の形状としてもよい。
【００５１】
なお、かかる表示領域内電源線３３０及び表示領域外電源線３３１の配置及び形状をどのようにするかは任意である。本実施形態のように、表示領域外電源線３３１を、表示領域を四方から囲う形状としても、第１及び第２の実施例のように、表示領域の左右及び下部に配置しても、あるいは表示領域の左右あるいは左右いずれか、もしくは表示領域の上下あるいは下部に配置するようにしてもよい。また、表示領域内電源線３３０は、本実施形態のように、縦方向及び横方向に格子状に配置しても、そのいずれか一方向に配置しても、その配置方向を表示領域内で任意に変更しても差し支えない。
【符号の説明】
【００５２】
１００ エレクトロルミネセンス表示装置、１０１ 基板、１０２ ゲート絶縁層、１０３ 層間絶縁層、１０４ 保護層、１０５ 画素分離層、１０６ 平坦化層、１１０ スイッチング素子、１１１ チャネル、１１２ ゲート電極、１１３ ソース電極、１１４ ドレイン電極、１２０ 画素、１２１ 反射層、１２２ 画素電極、１２３ エレクトロルミネセンス層、１２４ 共通電極、１３０ 表示領域内電源線、１３１ 表示領域外電源線、１３２ コンタクトホール、１３３ 補助電極線、１３４ 端部、１３５ 中間電極、１４０ 封止基板、１４１ 空間、１５０ 発光領域、１６０ 端子群、１６１ 表示領域、１６２ 映像信号制御回路、１６３ａ，１６３ｂ 映像信号線、１６４ 走査回路、１６５ａ，１６５ｂ 走査信号線、１６６ 接地線、１６７ 接地接続領域、１６８ コンタクトホール、２３３ 補助電極線、３３０ 表示領域内電源線、３３１ 表示領域外電源線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、画素毎に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極上に形成されたエレクトロルミネセンス層と、
複数の画素にまたがって前記エレクトロルミネセンス層上に形成された共通電極と、
前記画素電極の各々に接続された複数のスイッチング素子と、
前記画素が配置された表示領域内で前記複数のスイッチング素子と接続する表示領域内電源線と、
前記表示領域外で前記表示領域内電源線に接続される表示領域外電源線と、
前記表示領域外電源線に電気的に接続され、前記表示領域外電源線の少なくとも一部を覆う補助電源線と、
を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記表示領域外電源線と、前記補助電源線の間には少なくとも一層の絶縁層が形成され、
前記表示領域外電源線と前記補助電源線はコンタクトホールにより電気的に接続される請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記補助電極は、前記共通電極と平面視において重複しない請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記基板上に、外部機器と接続するための接続端子群をさらに備え、
前記補助電源線は、前記接続端子群に接続される請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、画素毎に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極上に形成されたエレクトロルミネセンス層と、
複数の画素にまたがって前記エレクトロルミネセンス層上に形成された共通電極と、
前記画素電極の各々に接続された複数のスイッチング素子と、
前記画素が配置された表示領域内で前記複数のスイッチング素子と接続する表示領域内電源線と、
前記表示領域外で前記表示領域内電源線に接続される表示領域外電源線と、
前記表示領域外電源線に電気的に接続され、前記表示領域外電源線の少なくとも一部を覆う補助電源線と、
を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記表示領域外電源線と、前記補助電源線の間には少なくとも一層の絶縁層が形成され、
前記表示領域外電源線と前記補助電源線はコンタクトホールにより電気的に接続される請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記補助電極は、前記共通電極と平面視において重複しない請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記基板上に、外部機器と接続するための接続端子群をさらに備え、
前記補助電源線は、前記接続端子群に接続される請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−３０８８（Ｐ２０１２−３０８８Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３８７２８（Ｐ２０１０−１３８７２８）
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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