説明

ガスセンサ

【課題】水による誤作動を防止するガスセンサを提供すること。
【解決手段】本発明のガスセンサ1は、外部からガス導入用開口部3bを介して被検知ガスが導き入れられるガス検出室3aを有する素子収納部3と、素子収納部3のガス検出室3aに配置されたガス検出素子5と、ガス導入用開口部3bに設けられた熱伝導性メッシュ部材6と、熱伝導性メッシュ部材6に固定され、熱伝導性メッシュ部材6を水の蒸発温度以上に加熱するヒータ8と、ヒータ8の発熱を制御するヒータ制御手段10とを備えている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ガスセンサに関し、特に、水による誤作動を防止するガスセンサに関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、燃料電池のオフガスに含まれる燃料ガス(水素ガス)を高湿度の環境下で検出するためのガスセンサが知られている(たとえば、特許文献1参照。)。
【0003】
図6は、この種の従来のガスセンサの構成を示す構成図である。ガスセンサ20は、ケーシング21と、ガス検出素子22と、ヒータ23と、フィルタ24とを備えている。また、このガスセンサ20は、ガス検出素子22と電気的に接続された図示しない検出回路をさらに備えている。ケーシング21は、排気配管30に取り付けられており、ケーシング21の内部には、ガス検出室21aが形成されている。このガス検出室21aは、その開口に取り付けられたフィルタ24を介して排気配管30内と連通している。そして、ガス検出室21a内には、排気配管30を流通する排気ガスがフィルタ24を介して導き入れられる。それにより、フィルタ24は、ガス検出室21a内に導き入れられる排気ガス中の水滴を除去可能となっている。
【0004】
ガス検出素子22は、ガス検出室21aに配置されている。このガス検出素子22は、接触燃焼式ガスセンサ素子が使用されている。接触燃焼式ガスセンサ素子は、白金コイルと、この白金コイルを取り巻く触媒担体とで構成されている。この接触燃焼式ガスセンサ素子では、触媒担体が水素ガスと接触した際に水素ガスの濃度に応じて発熱すると共に、その熱によって白金コイルの電気抵抗が増大するようになっている。このようなガス検出素子22と電気的に接続される検出回路(図示しない)は、たとえば、白金コイルの電気抵抗を検出するホイートストンブリッジで構成される。この検出回路は、水素ガスの濃度に応じた白金コイルの電気抵抗の変化量を、白金コイルの通電電流の変化量や電圧の変化量として検出する。この検出回路は、この水素ガス検出信号をECU27に出力する。
【0005】
ヒータ23は、ガス検出室21aを加熱するものであり、ガス検出室21aに配置されている。このヒータ23は、電力供給部23aから供給される電力によって発熱するようになっており、その出力が、ECU27によって制御されている。
【0006】
異常検出手段28は、ガス検出素子22の異常の有無を検出するものであり、ガス検出素子22の白金コイルの通電電流を検出する電流計で構成されている。そして、この電流計は、センサ通電電流の検出信号をECU27に出力するようになっている。
【0007】
ECU27は、異常検出手段28から出力される検出信号に基づいて、ヒータ23の出力を制御するようになっている。また、ECU27は、ガス検出素子22に接続された検出回路から出力される水素ガス検出信号に基づいて排気ガス中の水素ガスの濃度を検出するようになっている。
【0008】
ガス検出室21aは、ヒータ23の発熱により加熱されており、フィルタ24により可能な限り水分を除去された、水素ガスを含む排気ガスが拡散する。水素ガスを含む排気ガスは、ヒータ23により加熱されるため、その相対湿度が低減され、水蒸気の凝縮水の生成が低減される。そのため、ガス検出素子22に対する水の付着がある程度防止される。
【0009】
ガス検出素子22に水が付着することによる異常を、異常検出手段28が検出した場合、ECU27は、ヒータ23によるガス検出室21aの加熱を継続させる。異常検出手段28が、ガス検出素子22の異常を検出しない場合やガス検出素子22における水の付着以外の異常を検出した場合は、ECU27は、ヒータ23の出力を低減させる。
【特許文献1】特開2006−153595号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
図6に示す構成のガスセンサでは、センサの休止時ヒータ23が加熱していないためガス検出室21aの温度が冷え、水蒸気の凝縮水が溜まりやすい。そのため、図7に示すように、フィルタ24上に水滴25が溜まる。溜まった水滴25が成長していくと、図8(A)に示すように、水26がフィルタ24上に堆積していき、ガス検出室21aに水26が詰まり、排気配管30を流れるガスがガス検出室21aに入らず、正常なガス濃度検出ができなくなる。
【0011】
また、図7に示すようにフィルタ24上に水滴25が溜まった状態や、図8に示すように水が詰まった状態で、排気配管30に圧力変動が起こった場合、ガス検出素子22に水が付着し、正常なガス濃度検出ができなくなる可能性がある。
【0012】
また、ガスセンサ20の動作時、圧力変動等で図9に示すように排気配管30にドレイン水が詰まった状態でガス検出室21aを通過すると、図8(A)の水26がガス検出室21aに付着する状態または図8(B)のようにガス検出室21aが水26で詰まる状態が起こる可能性がある。この時、ヒータ23でガス検出室21aに溜まった水26を乾燥させるには、ガス検出室21a全体を加熱しなければならないため、大きなパワーが必要となり、また回復に時間がかかる。
【0013】
そこで本発明は、上述した課題に鑑み、水による誤作動を防止するガスセンサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0014】
上記課題を解決するためになされた請求項1記載の発明は、外部からガス導入用開口部を介して被検知ガスが導き入れられるガス検出室を有する素子収納部と、前記素子収納部の前記ガス検出室に配置されたガス検出素子と、前記ガス導入用開口部に設けられた熱伝導性メッシュ部材と、前記熱伝導性メッシュ部材に固定され、前記熱伝導性メッシュ部材を水の蒸発温度以上に加熱するヒータと、前記ヒータの発熱を制御するヒータ制御手段と、を備えていることを特徴とするガスセンサに存する。
【0015】
上記課題を解決するためになされた請求項2記載の発明は、請求項1記載のガスセンサにおいて、前記ヒータは測温抵抗体からなり、前記ヒータ制御手段は、前記ヒータの抵抗を測定するヒータ抵抗測定手段と、前記ヒータ抵抗測定手段で測定されたヒータ抵抗が一定値となるように、前記ヒータに流れる電流を制御するヒータ電流制御手段とを有することを特徴とするガスセンサに存する。
【0016】
上記課題を解決するためになされた請求項3記載の発明は、請求項1記載のガスセンサにおいて、前記熱伝導性メッシュ部材の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、前記ヒータ制御手段は、前記温度検出手段からの温度検出信号に応じて前記熱伝導性メッシュ部材の温度が前記水の蒸発温度以上の一定温度になるように、前記ヒータの発熱を制御することを特徴とするガスセンサに存する。
【発明の効果】
【0017】
請求項1記載の発明によれば、外部からガス導入用開口部を介して被検知ガスが導き入れられるガス検出室のガス導入用開口部に設けられた熱伝導性メッシュ部材を、熱伝導性メッシュ部材に固定されたヒータで水の蒸発温度以上に加熱するので、センサ休止時にガス検出室内に結露した水滴を、少ない消費電力で短時間に乾燥させることができるため、配管の圧力変動等により水滴がセンサチップに付着することによる誤作動を軽減することができる。また、ガス検出室の水詰まりによる誤作動から早く復帰できる。また、センサ動作時、ガス検出室内は、配管の温度より高くなっているため、水蒸気が結露することはない。また、配管内のドレイン水が圧力変動等でガス検出室内に侵入し、水滴付着、水詰まりを起こしても、少ない消費電力で短時間に乾燥させることができる。
【0018】
請求項2記載の発明によれば、ヒータは測温抵抗体からなり、ヒータ抵抗測定手段で測定されたヒータ抵抗が一定値となるように、ヒータに流れる電流を制御するので、熱伝導性メッシュ部材を水の蒸発温度以上の適宜な一定温度に加熱することができる。
【0019】
請求項3記載の発明によれば、熱伝導性メッシュ部材の温度を温度検出手段で検出し、温度検出手段からの温度検出信号に応じて熱伝導性メッシュ部材の温度が水の蒸発温度以上の一定温度になるように、ヒータの発熱を制御するので、熱伝導性メッシュ部材を水の蒸発温度以上の適宜な温度に加熱することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0021】
(第1の実施形態)図1は、本発明の第1の実施形態に係るガスセンサの構成を示す構成図である。本実施形態のガスセンサ1は、センサケース2と、センサケース2の下面に突設された素子収納部3と、センサケース2に内蔵された回路基板4と、センサケース2の下端に固定されたガス検出素子としてのセンサチップ5とを備えている。
【0022】
素子収納部3は、その内部空間がガス検出室3aとなる円筒形状を有し、一方の端部がセンサケース2の下面に固定され、他方の端部がガス導入用開口部3bとして配管40の配管開口部40aに嵌合されてフランジ部3c部分でネジ等の固定手段(図示しない)で固定されている。
【0023】
センサチップ5は、回路基板4に実装されているガス濃度検出回路(図示しない)に電気的に接続されていると共に、ガス検出室3aに露出されている。センサチップ5は、白金等で構成された測温抵抗体であり、通電電流により自己発熱する。
【0024】
素子収納部3の他方の端部のガス導入用開口部3bには、熱伝導性メッシュ部材としての防爆用金網6が取り付けられており、ガス検出室3aは、この防爆用金網6を介して配管40の内部と連通している。防爆用金網6におけるガス検出室3aと対向する面には、回路基板4と電気的に接続されたヒータ8が、熱伝導率の高い熱伝導性樹脂7で接着、固定されている。熱伝導性樹脂7は、たとえば、株式会社スリーボンドから市販されている低硬化収縮一液性エポキシ配合樹脂「ThreeBond 2270C」等が使用される。また、ヒータ8は、自己発熱すると共にその抵抗値が温度により変化する白金等の測温抵抗体で構成されている。防爆用金網6は、たとえば100メッシュ以上のものが用いられる。
【0025】
図2に示すように、ヒータ8は、回路基板4に実装されているヒータ制御手段としての定温度制御回路10に接続されており、その制御により、発熱温度が水の蒸発温度すなわち100℃、またはそれ以上の一定温度になるように加熱される。
【0026】
図3に示すように、定温度制御回路10は、ヒータ8の抵抗Rhと共にブリッジを構成する抵抗R1,R2,Rtと、反転入力端子および非反転入力端子がブリッジに接続されたオペアンプOPとを有するヒータ抵抗測定手段としてのヒータ抵抗測定回路MCと、オペアンプOPの出力端子に抵抗R3を介してベースが接続され、電源Vccにエミッタが接続され、ブリッジにコレクタが接続されたヒータ電流制御手段としてのpnp型トランジスタQ1とから構成されている。定温度制御回路10は、ブリッジにより、予め設定された、水の蒸発温度以上の一定温度時に、ヒータ8の抵抗値Rhが(Rt×R2/R1)に等しい一定値になるように、ヒータ8に流れるヒータ電流を制御する。
【0027】
上述の構成のガスセンサ1において、センサチップ5は、配管40からガス導入用開口部3bを介してガス検出室3aに導き入れられた水素ガス(被検知ガス)が存在する場合、水素ガスの濃度に応じて熱伝導率が変わり、自己発熱した測温抵抗体から奪われる熱量が変化する。センサチップ5の測温抵抗体から熱が奪われることにより、温度が下がり、抵抗値も下がる。ガス濃度検出回路は、センサチップ5の測温抵抗体の抵抗値を計測することにより、水素ガスの濃度を検出することができる。
【0028】
ガス検出室3aが結露した場合、図4(A)に示すように、水滴11は自重により防爆用金網6上に溜まる。この時、ガス検出室3aやセンサチップ5を撥水処理しているとなお好ましい。防爆用金網6は、センサチップ5の動作時、ヒータ8により水の蒸発温度100℃以上の一定温度に加熱されるため、水滴11は短時間で乾燥する。また、図4(B)に示すように、水12がガス検出室3aに溜まっている場合でも、100℃以上に加熱された防爆用金網6により、水12は短時間で乾燥する。さらに、配管40のドレイン水が圧力変動等によりガス検出室3aに入り込んでも、同様に短時間で乾燥する。
【0029】
このように、本実施形態によれば、定温度制御回路10の制御によるヒータ8の発熱によって、防爆用金網6を水の蒸発温度以上の一定温度に加熱することができ、センサ休止時にガス検出室3a内に結露した水滴を、少ない消費電力で短時間に乾燥させることができるため、配管40の圧力変動等により水滴11がセンサチップ5に付着することによる誤作動を軽減することができる。また、ガス検出室3aの水詰まりによる誤作動から早く復帰できる。また、センサ動作時、ガス検出室3a内は、配管40の温度より高くなっているため、水蒸気が結露することはない。また、配管40内のドレイン水が圧力変動等でガス検出室3a内に侵入し、水滴付着、水詰まりを起こしても、少ない消費電力で短時間に乾燥させることができる。
【0030】
(第2の実施形態)次に図5は、本発明の第2の実施形態に係るガスセンサの構成を示す構成図である。本実施形態のガスセンサ1では、防爆用金網6上には、熱伝導性樹脂7を介して温度センサ13が追加的に載置されており、ヒータ8は、回路基板4に実装されているヒータ制御回路14に接続されている。温度センサ13は回路基板4に実装されている温度検出回路15に接続されている。ヒータ制御回路14および温度検出回路15は回路基板4に実装されているマイコン16に接続されている。
【0031】
この第2の実施形態における温度センサ13および温度検出回路15は、請求項における温度検出手段に対応し、ヒータ制御回路14およびマイコン16は、請求項におけるヒータ制御手段に対応している。
【0032】
上述の構成のガスセンサ1において、温度センサ13および温度検出回路14は、センサチップ5の動作時にヒータ8により加熱された防爆用金網6の温度を検出し、その温度検出信号をマイコン16に供給する。マイコン16は、温度検出回路15から供給される温度検出信号に応じた制御信号をヒータ制御回路14へ供給し、防爆用金網6の温度が水の蒸発温度100℃以上の一定温度になるように制御する。
【0033】
このように、本実施形態によれば、防爆用金網6の温度を温度センサ13および温度検出回路15で検出し、検出した温度検出信号に応じてマイコン16およびヒータ制御回路14によって、防爆用金網6を水の蒸発温度以上の一定温度に加熱することができ、センサ休止時にガス検出室3a内に結露した水滴11を、少ない消費電力で短時間に乾燥させることができるため、配管の圧力変動等により水滴11がセンサチップ5に付着することによる誤作動を軽減することができる。また、ガス検出室3aの水詰まりによる誤作動から早く復帰できる。また、センサ動作時、ガス検出室3a内は、配管40の温度より高くなっているため、水蒸気が結露することはない。また、配管40内のドレイン水が圧力変動等でガス検出室3a内に侵入し、水滴付着、水詰まりを起こしても、少ない消費電力で短時間に乾燥させることができる。
【0034】
以上の通り、本発明の最良の形態について説明したが、本発明はこれに限らず、種々の変形、応用が可能である。
【0035】
たとえば、上述の実施形態では、センサチップ5は、白金で構成された測温抵抗体としたが、これに限らず、接触燃焼式センサ素子としても良い。
【0036】
また、上述の実施形態では、ヒータ8は、白金等の測温抵抗体としているが、PTCサーミスタ、セラミックヒータ、電熱線等を使用しても良い。
【0037】
また、上述の実施形態では、熱伝導性メッシュ部材として金網を用いているが、メッシュ孔をパンチングしたメッシュシート等の他の者を用いても良い。
【0038】
また、マイコン16によるヒータ8の制御は、電圧制御、電流制御、PWM制御等のいずれの制御方法でも良い。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】本発明の第1の実施形態に係るガスセンサの構成を示す構成図である。(第1の実施形態)
【図2】ヒータ8の制御方法を説明する図である。(第1の実施形態)
【図3】図2における定温度制御回路の構成を示す回路図である。(第1の実施形態)
【図4】(A)および(B)は、図1のガスセンサの動作を説明する図である。(第1の実施形態)
【図5】本発明の第2の実施形態に係るガスセンサの構成を示す図である。(第2の実施形態)
【図6】従来のガスセンサの構成例を示す構成図である。(従来技術)
【図7】図6のガスセンサの動作を説明する図である。(従来技術)
【図8】(A)および(B)は、図6のガスセンサの動作を説明する図である。(従来技術)
【図9】図6のガスセンサの動作を説明する図である。(従来技術)
【符号の説明】
【0040】
3 素子収納部
3a ガス検出室
3b ガス導入用開口部
5 センサチップ(ガス検出素子)
6 防爆用金網(熱伝導性メッシュ部材)
8 ヒータ
10 定温度制御回路(ヒータ制御手段)
MC ヒータ抵抗測定回路(ヒータ抵抗測定手段)
Q1 pnp型トランジスタ(ヒータ電流制御手段)
13 温度センサ(温度検出手段の一部)
14 ヒータ制御回路(ヒータ制御手段の一部)
15 温度検出回路(温度検出手段の一部)
16 マイコン(ヒータ制御手段の一部)

【特許請求の範囲】
【請求項1】
外部からガス導入用開口部を介して被検知ガスが導き入れられるガス検出室を有する素子収納部と、
前記素子収納部の前記ガス検出室に配置されたガス検出素子と、
前記ガス導入用開口部に設けられた熱伝導性メッシュ部材と、
前記熱伝導性メッシュ部材に固定され、前記熱伝導性メッシュ部材を水の蒸発温度以上に加熱するヒータと、
前記ヒータの発熱を制御するヒータ制御手段と、
を備えていることを特徴とするガスセンサ。
【請求項2】
請求項1記載のガスセンサにおいて、
前記ヒータは測温抵抗体からなり、
前記ヒータ制御手段は、前記ヒータの抵抗を測定するヒータ抵抗測定手段と、前記ヒータ抵抗測定手段で測定されたヒータ抵抗が一定値となるように、前記ヒータに流れる電流を制御するヒータ電流制御手段とを有する
ことを特徴とするガスセンサ。
【請求項3】
請求項1記載のガスセンサにおいて、
前記熱伝導性メッシュ部材の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
前記ヒータ制御手段は、前記温度検出手段からの温度検出信号に応じて前記熱伝導性メッシュ部材の温度が前記水の蒸発温度以上の一定温度になるように、前記ヒータの発熱を制御する
ことを特徴とするガスセンサ。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【公開番号】特開2009−30975(P2009−30975A)
【公開日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−191828(P2007−191828)
【出願日】平成19年7月24日(2007.7.24)
【出願人】(000006895)矢崎総業株式会社 (7,019)
【Fターム(参考)】