テンプレート処理装置、インプリントシステム、テンプレート処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
【課題】テンプレートの表面に成膜された離型剤上に、塗布膜を適切に形成する。
【解決手段】テンプレート処理装置１は、テンプレート搬入出ステーション２と処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能で、且つ処理ステーション３に対してテンプレートＴを搬入出する。処理ステーション３は、搬送ラインＡに沿ってテンプレートＴを搬送する。搬送ラインＡには、搬送中のテンプレートＴに対して所定の処理を行う、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３、温度調節ユニット２４、リンスユニット２５、レジスト塗布ユニット２６がテンプレートＴの搬送方向に順に配置されている。レジスト塗布ユニット２６では、テンプレートＴの表面にレジスト液を供給し、スキージを用いてテンプレートＴの表面にレジスト膜を成膜する。
【解決手段】テンプレート処理装置１は、テンプレート搬入出ステーション２と処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能で、且つ処理ステーション３に対してテンプレートＴを搬入出する。処理ステーション３は、搬送ラインＡに沿ってテンプレートＴを搬送する。搬送ラインＡには、搬送中のテンプレートＴに対して所定の処理を行う、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３、温度調節ユニット２４、リンスユニット２５、レジスト塗布ユニット２６がテンプレートＴの搬送方向に順に配置されている。レジスト塗布ユニット２６では、テンプレートＴの表面にレジスト液を供給し、スキージを用いてテンプレートＴの表面にレジスト膜を成膜する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置、当該テンプレート処理装置を備えたインプリントシステム、当該テンプレート処理装置を用いたテンプレート方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。
【０００３】
上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
【０００４】
そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている（特許文献１）。このインプリント方法では、図２５に示すように表面に微細な転写パターンＣが形成され、且つ当該表面に離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴ（モールドや型と呼ばれることもある。）が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４３９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したインプリント方法では、先ず、図２５（ａ）に示すように、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分（テンプレートＴの転写パターンＣにおける凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分（転写パターンＣにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように、即ち転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液が塗布され、レジスト膜Ｒが形成される。そして、図２５（ｂ）に示すようにレジスト膜Ｒに、離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴが押し付けられ、転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される。このとき、レジスト膜Ｒに光が照射され、レジスト膜Ｒが光重合する。その後、図２５（ｃ）に示すようにテンプレートＴを上昇させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成される。
【０００７】
しかしながら、図２５に示す方法においては、先ず図２５（ａ）に示すように、ウェハＷ上の所定の位置に正確にレジスト膜Ｒを形成する必要がある。このため、ウェハＷ上にレジスト液の塗布を行うに際して、レジスト液を塗布する、例えばレジスト液ノズルとウェハＷとのアライメントを正確に行う必要がある。さらに、図２５（ｂ）に示すようにテンプレートＴの転写パターンＣを転写する際、開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液を塗布することで形成されたレジスト膜Ｒと、テンプレートＴの転写パターンＣとのアライメントが取れていないと、転写パターンＣがレジスト膜Ｒに精度よく転写されない。したがって、上述のインプリント方法においては、レジスト膜Ｒの形成時、及びパターン転写時の２度に渡ってアライメントを高精度で行う必要がある。このため、アライメントに時間を要するためスループット向上の妨げとなっていた。また、アライメントを複数回行う必要があるため、アライメント毎の誤差が重畳され、結果として高精度のアライメントが困難となるという問題があった。
【０００８】
この点について、発明者らがアライメントに要する時間を短縮すべく鋭意検討し、例えば下記に示す方法を見出した。
【０００９】
図２６（ａ）に示すように、先ず離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴ上にレジスト液を塗布してレジスト膜Ｒを形成する。次いで、図２６（ｂ）に示すように当該レジスト膜Ｒが形成されたテンプレートＴを上昇させウェハＷに押し付けると共に、レジスト膜Ｒに光を照射し、レジスト膜Ｒを光重合する。その後、図２６（ｃ）に示すように、テンプレートＴを下降させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する。
【００１０】
しかしながら、図２６に示す方法においては、離型剤Ｓが成膜され撥液性が高まった状態のテンプレートＴにレジスト液を塗布するため、離型剤Ｓの有する撥液性により、図２７に示すように転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１が入り込まないという、新たな問題が生じた。この場合、当該レジスト液Ｒ１が窪み部Ｕの内部において液滴の状態で留まってしまい、液滴の形状がウェハＷ上のレジストパターンＰにそのまま転写されてしまうため、ウェハＷ上に所定のレジストパターンＰを適切に形成することができない。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレート表面に成膜された離型剤上に塗布膜を適切に形成し、パターン転写時のアライメントを不要とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置であって、前記テンプレートに所定の処理を行う処理ステーションと、複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記処理ステーションは、前記離型剤上に塗布液を供給する塗布液供給部と、前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込む塗布液充填部と、を有することを特徴としている。
【００１３】
本発明によれば、処理ステーションにおいて、テンプレートの離型剤上に塗布した塗布液を塗布液充填部によりテンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことができる。すなわち、テンプレートの転写パターンの窪み部に塗布液を隙間なく充填することができる。したがって、このように塗布液が成膜されたテンプレートを用いて基板上所定のパターンを形成する場合、基板上にテンプレートの転写パターンが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。
【００１４】
また、塗布液が成膜されたテンプレートを用いて基板にパターンを形成する場合、従来行っていた、基板上の塗布膜とテンプレートの転写パターンとのアライメント調整が不要となる。したがって、スループットを向上させることができる。
【００１５】
前記処理ステーションは、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ブロックをさらに有していてもよい。
【００１６】
前記塗布液充填部は、スキージであってもよい。
【００１７】
また、前記塗布液充填部は、ローラであってもよく、ブラシであってもよい。
【００１８】
前記塗布液充填部の前記塗布液と接触する表面は、撥液処理されていてもよい。
【００１９】
前記離型剤上に塗布された塗布液の上面には、フィルタが配置され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込んでもよい。
【００２０】
また、前記離型剤上には前記塗布液が浸透可能なフィルタが配置され、前記塗布液は、前記フィルタ上に供給され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込んでもよい。
【００２１】
前記処理ステーションは、前記塗布液供給部と前記塗布液充填部に代えて、その表面に塗布液が供給されたスタンプを有し、前記転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、前記スタンプを前記転写パターンに押し当てることにより行ってもよい。かかる場合、前記スタンプの表面は撥液処理されていてもよい。
【００２２】
複数の前記テンプレートは、一のホルダーに保持されていてもよい。
【００２３】
別な観点による本発明は、前記テンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、前記処理ステーションで処理された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴としている。
【００２４】
また別な観点による本発明は、テンプレート処理装置を用いて、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理方法であって、前記離型剤上に塗布液を塗布し、前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことを特徴としている。
【００２５】
前記テンプレート処理装置において、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜してもよい。
【００２６】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、スキージを用いて行ってもよい。
【００２７】
また、前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ローラを用いて行ってもよく、ブラシを用いて行ってもよい。
【００２８】
また別な観点による本発明によれば、前記テンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２９】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、テンプレート表面に成膜された離型剤上に塗布膜を適切に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】テンプレートの斜視図である。
【図３】トランジションユニットの構成の概略を示す側面図である。
【図４】搬送ラインの各処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】搬送ラインの各処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】レジスト塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図７】レジスト膜の形成工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面にレジスト液が供給された様子を示し、（ｂ）はスキージにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を示し、（ｃ）はテンプレートの表面にレジスト膜が形成された様子を示す。
【図８】テンプレート処理の各工程を示したフローチャートである。
【図９】離型剤処理及びレジスト膜成膜の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、（ｄ）はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示し、（ｅ）はテンプレート上にレジスト液が供給された様子を示し、（ｆ）はスキージにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を示し、（ｇ）はテンプレート上にレジスト膜が成膜された様子を示す。
【図１０】ローラにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を模式的に示した説明図である。
【図１１】ブラシにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を模式的に示した説明図である。
【図１２】レジスト液の上面にフィルタを配置して窪み部にレジスト液を押し込む様子を模式的に示した説明図である。
【図１３】テンプレート上に配置したフィルタにレジスト液が供給された状態を模式的に示した説明図である。
【図１４】他の実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図１５】スタンプユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】レジスト膜成膜の各工程におけるテンプレート及びスタンプの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はスタンプの表面にレジスト液が塗布される様子を示し、（ｂ）はスタンプがテンプレートに押し付けられた様子を示し、（ｃ）はテンプレート上にレジスト膜が成膜された様子を示す。
【図１７】ホルダーの平面図である。
【図１８】ホルダーの縦断面図である。
【図１９】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２０】インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図２１】インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図２２】インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。
【図２３】インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートをウェハに押し付けた様子を示し、（ｂ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｄ）はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。
【図２４】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２５】従来のインプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、（ｂ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示す。
【図２６】インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートにレジスト膜が成膜された様子を示し、（ｂ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示す。
【図２７】テンプレートの表面にレジスト液が供給された様子を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
【００３３】
本実施の形態のテンプレート処理装置１では、図２に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。
【００３４】
テンプレート処理装置１は、図１に示すように複数、例えば５枚のテンプレートＴをカセット単位で外部とテンプレート処理装置１との間で搬入出したり、テンプレートカセットＣＴに対してテンプレートＴを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション２と、テンプレートＴに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。
【００３５】
テンプレート搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０は、複数のテンプレートカセットＣＴをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能に構成されている。
【００３６】
テンプレート搬入出ステーション２には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１上を移動可能なテンプレート搬送体１２が設けられている。テンプレート搬送体１２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、テンプレートカセットＣＴと処理ステーション３との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００３７】
処理ステーション３は、テンプレートＴの搬送ラインＡを備えている。搬送ラインＡは、処理ステーション３において、正面側（図１のＸ方向負方向側）に配置されＹ方向に延びるラインＡ１と、テンプレート搬入出ステーション２と反外側の端部においてＸ方向に延びるラインＡ２と、背面側（図１のＸ方向正方向側）においてＹ方向に延びるラインＡ３とをこの順で接続した構成を有している。搬送ラインＡには、後述する複数の搬送用コロ３０が並べて配置され、コロ搬送によりテンプレートＴを搬送することができる。すなわち、テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３に搬送されたテンプレートＴは、ラインＡ１、Ａ２、Ａ３を順次搬送される。
【００３８】
ラインＡ１には、テンプレート搬入出ステーション２側から順に、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット２０、テンプレートＴ上に離型剤が成膜される前の表面Ｔ１を洗浄する前洗浄ユニット２１、テンプレートＴに液体状の離型剤を塗布する離型剤塗布ユニット２２、テンプレートＴを加熱処理する加熱ユニット２３が一列に配置されている。
【００３９】
ラインＡ２には、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニット２４が配置されている。
【００４０】
ラインＡ３には、テンプレート搬入出ステーション２側に向けて順に、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニット２５、テンプレートＴの離型剤上にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット２６、トランジションユニット２７が一列に配置されている。なお、本実施の形態では、処理ユニット２１〜２５で離型剤成膜ライン（離型剤成膜ブロック）を形成している。
【００４１】
次に、上述した搬送ラインＡにおけるテンプレートＴの搬送機構について説明する。搬送ラインＡには、図３〜図５に示すように、複数の搬送用コロ３０が搬送ラインＡに沿った方向に並べて配置されている。各搬送用コロ３０は、搬送ラインＡに沿った方向と直角方向に延伸する中心軸を回転軸として回転自在に構成されている。また、複数の搬送用コロ３０のうち、少なくとも一の搬送用コロ３０には、例えばモータなどを内蔵した駆動機構（図示せず）が設けられている。そして、テンプレートＴは、これら搬送用コロ３０上をトランジションユニット２０、２７間で搬送される。
【００４２】
次に、上述した搬送ラインＡのトランジションユニット２０、２７の構成について説明する。搬送ラインＡのトランジションユニット２０は、図３に示すようにテンプレートＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン４０を有している。昇降ピン４０は、搬送用コロ３０の下方に設けられた昇降駆動部４１により上下動できる。また、昇降ピン４０は、搬送ラインＡに沿って並べて配置された複数の搬送用コロ３０間を挿通するよう配置されている。この昇降ピン４０により、テンプレートＴは、テンプレート搬送体１２から搬送用コロ３０に載置される。
【００４３】
なお、トランジションユニット２７の構成は、上述したトランジションユニット２０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００４４】
次に、上述した搬送ラインＡの各処理ユニット２１〜２６の構成について、図４及び図５に基づいて説明する。なお、搬送ラインＡは、先に図１に示したようにラインＡ２において直角方向に折れ曲がっているが、図４においては、構成の理解の容易さを優先させるため、直線状で示されている。
【００４５】
搬送ラインＡには、図４及び図５に示すようにケーシング５０が設けられている。ケーシング５０内は複数の仕切壁５１によって区画され、区画された各空間が処理ユニット２１〜２６をそれぞれ構成している。これら仕切壁５１及びケーシング５０のトランジションユニット２０、２７側の側面には、搬送用コロ３０に対応する高さにテンプレートＴの搬入出口５２がそれぞれ形成されている。なお、各搬入出口５２には、開閉シャッタ（図示せず）が設けられ、各処理ユニット２１〜２６の内部を密閉可能になっていてもよい。
【００４６】
前洗浄ユニット２１は、図４に示すようにテンプレートＴに紫外線を照射する紫外線照射部６０を有している。紫外線照射部６０は、搬送用コロ３０の上方に配置され、テンプレートＴの幅方向（搬送用コロ３０の長手方向）に延伸している。そして、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴの表面Ｔ１に紫外線を照射することで、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。
【００４７】
離型剤塗布ユニット２２は、テンプレートＴ上に離型剤を供給する離型剤供給部としての離型剤ノズル６１を有している。離型剤ノズル６１は、搬送用コロ３０の上方に配置されている。また、離型剤ノズル６１は、テンプレートＴの幅方向に延伸し、その下面には、スリット状の供給口（図示せず）が形成されている。そして、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤ノズル６１から離型剤を供給して、当該表面Ｔ１の全面に離型剤が塗布される。離型剤塗布ユニット２２には、テンプレートＴから落下した離型剤を回収して排出する排出管（図示せず）と、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）がそれぞれ接続されている。なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。
【００４８】
加熱ユニット２３は、搬送用コロ３０の上方に配置された熱板６２を有している。熱板６２の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板６２を所定の設定温度に調節できる。また、熱板６２は、テンプレートＴの幅方向に延伸し、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴを表面Ｔ１側（転写パターンＣ側）から加熱できる。なお、加熱ユニット２３には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。また、図示の例では、熱板６２はテンプレートＴを表面Ｔ１側から加熱しているが、テンプレートＴを裏面Ｔ２側から加熱するようにしてもよい。すなわち、熱板は、搬送用コロ３０と同じ高さに配置されていてもよく、あるいは搬送用コロ３０の下方に配置されていてもよい。さらに、これら熱板を両方配置して、テンプレートＴを表面Ｔ１と裏面Ｔ２の両側から加熱してもよい。
【００４９】
温度調節ユニット２４では、搬送用コロ３０の一部が温度調節用コロ３０ａを構成している。温度調節用コロ３０ａの内部には、テンプレートＴを冷却する冷却水が循環している。また、搬送用コロ３０の上方には、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方に吹き付けるガス供給部６３が配置されている。ガス供給部６３は、テンプレートＴの幅方向に延伸し、搬送中のテンプレートＴの表面Ｔ１全面に気体ガスを吹き付けることができる。これら温度調節用コロ３０ａとガス供給部６３によって、テンプレートＴは所定の温度に調節される。なお、温度調節ユニット２４には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。
【００５０】
リンスユニット２５は、図５に示すようにテンプレートＴ上に離型剤のリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズル６４と、テンプレートＴ上に例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを吹き付けるガスノズル６５とを有している。リンス液ノズル６４とガスノズル６５は、搬送用コロ３０の上方であって、温度調節ユニット２４側からこの順に配置されている。また、リンス液ノズル６４とガスノズル６５は、テンプレートＴの幅方向にそれぞれ延伸し、その下面にはスリット状の供給口（図示せず）がそれぞれ形成されている。そして、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴ上の離型剤をリンス液ノズル６４によってリンスし、その後リンスされたテンプレートＴの表面Ｔ１をガスノズル６５によって乾燥させることができる。なお、リンスユニット２５には、テンプレートＴから落下した有機溶剤を回収して排出する排出管（図示せず）と、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【００５１】
レジスト塗布ユニット２６は、テンプレートＴの離型剤上に塗布液としてのレジスト液を供給する塗布液供給部としてのレジスト液ノズル７０と、離型剤上に塗布されたレジスト液に押し当てて、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部にレジスト液を押し込む塗布液充填部としてのスキージ７１を有している。レジスト液ノズル７０及びスキージ７１は、搬送用コロ３０の上方に配置されている。図６に示すように、ケーシング５０内のＹ方向正方向（図６の右方向）側には、Ｘ方向（図６の上下方向）に沿って延伸するレール７２が設けられている。レール７２には、アーム７３が取り付けられており、レジスト塗布ノズル７０はこのアーム７３により支持されている。
【００５２】
レジスト液ノズル７０には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル７０の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口（図示せず）が形成されている。そして、レジスト液ノズル７０は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
【００５３】
アーム７３は、アーム駆動部７４により、レール７２上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル７０は、ケーシング５０内の、例えばＸ方向正方向側の外方に設置された待機部７５から搬送用コロ３０上のテンプレートＴの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートＴの表面上をＸ方向に移動できる。また、アーム７３は、ノズル駆動部７４によって昇降自在であり、レジスト液ノズル７０の高さを調整できる。
【００５４】
また、ケーシング５０内のＹ方向負方向（図６の左方向）側には、Ｘ方向（図６の上下方向）に沿って延伸するレール７６が同様に設けられている。レール７６には、アーム７７が取り付けられており、スキージ７１はこのアーム７７により支持されている。アーム７７はアーム駆動部７８によりレール７６上を移動自在である。ケーシング５０内の、Ｘ方向負方向側の外方には待機部７９が設置されている。アーム７７等の動作については上述のアーム７１等と同様であるので、説明を省略する。
【００５５】
スキージ７１のレジスト液と接触する表面は、レジスト液に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等により撥液処理されている。なお、撥液処理としては、スキージ７１の表面を撥液性の材料でコーティングするのではなく、例えばスキージ７１そのものが、撥液性を有する、例えばポリウレタンなどの材料により形成されていてもよい。
【００５６】
そして、レジスト塗布ユニット２６内において、レジスト液ノズル７０からテンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１が供給される。なお、この時点においてレジスト液Ｒ１は、図７（ａ）に示すように、離型剤Ｓの撥水性によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕの内部には完全に入り込まず、液滴の状態で留まっている。次いで、スキージ７１をレジスト液Ｒ１に押し当て、図７（ｂ）に示すようにスキージ７１をレジスト液に押し当てた状態で図６のＸ方向正方向に移動させ、スキージ７１によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１を押し込むことにより窪み部Ｕ内にレジスト液Ｒ１を隙間なく充填する。こうして、図７（ｃ）に示すように離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒを形成する。なお、図７では、スキージ７１を移動させながらレジスト液Ｒ１の押し込みを行っていたが、例えば、テンプレートＴを搬送用コロ３０により図６のＸ方向正方向（図６の上方向）に移動させることで、スキージ７１の位置を固定した状態であっても、テンプレートＴをスキージ７１に対して相対的に移動させることが可能であるため、必ずしも、スキージ７１を移動自在に構成する必要はない。この場合、レール７６が不要となる。また、レジスト液ノズル７０についても、スキージ７１と同様に、レール７２は必ずしも必要ではない。
【００５７】
以上のテンプレート処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、テンプレート搬入出ステーション２と処理ステーション３との間のテンプレートＴの搬送や、処理ステーション３における駆動系の動作などを制御して、テンプレート処理装置１における後述する離型剤処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００５８】
本実施の形態にかかるテンプレート処理装置１は以上のように構成されている。次に、そのテンプレート処理装置１において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜し、当該離型剤Ｓ上へのレジスト膜Ｒの形成について説明する。図８は、このテンプレート処理の主な処理フローを示し、図９は、各工程におけるテンプレートＴの状態を示している。
【００５９】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、カセット載置台１０上のテンプレートカセットＣＴからテンプレートＴが取り出され、処理ステーション３のトランジションユニット２０に搬送される（図８の工程Ｇ１）。このとき、テンプレートカセットＣＴ内には、テンプレートＴは、転写パターンＣが形成された表面Ｔ１が上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートＴはトランジションユニット２０に搬送される。
【００６０】
トランジションユニット２０内に搬送されたテンプレートＴは、昇降ピン４０によって搬送用コロ３０上に載置され、搬送ラインＡに沿ってコロ搬送により所定の速度で搬送される。搬送ラインＡでは、トランジションユニット２０、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３、温度調節ユニット２４、リンスユニット２５、レジスト塗布ユニット２６、トランジションユニット２７に順次搬送され、各処理ユニット２１〜２６において搬送中のテンプレートＴに所定の処理が行われる。
【００６１】
すなわち、搬送ラインＡでは、先ず、前洗浄ユニット２１において、紫外線照射部６０からテンプレートＴ上に紫外線が照射され、図９（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される（図８の工程Ｇ２）。続いて、離型剤塗布ユニット２２において、離型剤ノズル６１からテンプレートＴ上に離型剤Ｓを供給し、図９（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓが塗布される（図８の工程Ｇ３）。その後、加熱ユニット２３において、熱板６２によりテンプレートＴが例えば２００℃に加熱され、図９（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓが焼成される（図８の工程Ｇ４）。その後、温度調節ユニット２４において、温度調節用コロ３０ａとガス供給部６３によりテンプレートＴが所定の温度に調節される。その後、リンスユニット２５において、リンス液ノズル６４からテンプレートＴに有機溶剤を供給して、当該テンプレートＴ上の離型剤Ｓの未反応部のみを剥離させる。こうして、図９（ｄ）に示すようにテンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される（図８の工程Ｇ５）。続いて、同リンスユニット２５において、ガスノズル６５からテンプレートＴ上に気体ガスを吹き付け、その表面Ｔ１が乾燥される。なお、離型剤Ｓの未反応部とは、離型剤ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１と化学反応して当該表面Ｔ１と吸着する部分以外をいう。
【００６２】
その後、テンプレートＴがレジスト塗布ユニット２６に搬送されると、レジスト液ノズル７０を図６のＸ方向に移動させ、図９（ｅ）に示すようにテンプレートＴの成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１を供給する（図８の工程Ｇ６）。この際、制御部１００により、レジスト液ノズル７０から供給されるレジスト液Ｒ１の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、テンプレートＴの転写パターンＣにおいて、凸部に形成された部分（ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液Ｒ１の量は少なく、窪み部Ｕに対応する部分（レジストパターンにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液Ｒ１の量は多くなるように制御される。このように転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液Ｒ１が塗布される。
【００６３】
テンプレートＴ上にレジスト液Ｒ１が塗布されると、図９（ｆ）に示すようにスキージ７１をレジスト液Ｒ１に押し当てた状態でスキージ７１を図６のＸ方向に移動させ、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１を押し込む。これにより、図９（ｇ）に示すように、テンプレートＴ上の離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒが形成される（図８の工程Ｇ７）。
【００６４】
その後、トランジションユニット２７に搬送されたテンプレートＴは、昇降ピン４０によりテンプレート搬送体１２に受け渡され、テンプレートカセットＣＴに戻される（図８の工程Ｇ８）。こうしてテンプレート処理装置１における一連の離型剤処理が終了する。
【００６５】
以上の実施の形態によれば、レジスト塗布ユニット２６において、テンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１供給した後、レジスト液Ｒ１をスキージ７１によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込むことで、レジスト液Ｒ１を窪み部Ｕに隙間なく充填し、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒを形成することができる。したがって、このテンプレートＴを用いてウェハ上のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成する場合、ウェハ上にテンプレートＴの転写パターンＣが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。なお、このテンプレートＴを用いてウェハ上に所定のレジストパターンを形成する場合の作用、効果等については、後述において詳細に説明する。
【００６６】
また、レジスト膜Ｒが成膜されたテンプレートＴを用いてウェハにパターンを形成する場合、従来行っていた、ウェハ上のレジスト膜ＲとテンプレートＴの転写パターンＣとのアライメント調整が不要となる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【００６７】
さらに、テンプレート搬入出ステーション２が複数のテンプレートＴを保有できるので、当該テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３にテンプレートＴを連続して搬送することができる。また、処理ステーション３においては、複数の搬送用コロ３０によって搬送ラインＡに配置された各種処理ユニット２１〜２７にテンプレートＴがコロ搬送され、当該搬送中のテンプレートＴに所定の処理を行うことができるので、複数のテンプレートＴに対して所定の処理を連続して行うことができる。したがって、これら複数のテンプレートＴに対して、レジスト膜Ｒを連続的に成膜することができる。
【００６８】
ここで、テンプレートＴは、例えば６．３５ｍｍの厚みを有する。本実施の形態によれば、加熱ユニット２３内において、熱板６２が搬送用コロ３０の上方、すなわちテンプレートＴの転写パターンＣ側（表面Ｔ１側）に配置されているので、テンプレートＴの表面Ｔ１側から、当該表面Ｔ１上の離型剤Ｓを直接加熱することができる。したがって、テンプレートＴの厚みに関わらず、離型剤Ｓを効率よく加熱して焼成することができる。また、熱板６２がテンプレートＴの下方に配置されている場合でも、熱伝導によってテンプレートＴの裏面Ｔ２側から離型剤Ｓを効率よく加熱することができる。
【００６９】
また、スキージ７１はレジスト液Ｒ１と接触する表面が撥液処理されているので、スキージ７１にレジスト液Ｒ１が付着することを抑制できる。
【００７０】
また、以上の実施の形態では、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込む塗布液充填部としてスキージ７１を用いていたが、塗布液充填部はスキージ７１に限定されるものではなく、レジスト液Ｒ１を転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込みレジスト膜Ｒを形成できるものであれば、例えば図１０及び図１１に示すようにローラ１０１やブラシ１０２といったものを用いてもよい。かかる場合も、レジスト液Ｒ１と接触する表面は撥液処理されていることが好ましい。
【００７１】
また、以上の実施の形態では、テンプレートＴに塗布されたレジスト液Ｒ１に直接スキージ７１を押し当てていたが、例えば図１２に示すように、テンプレートＴに塗布されたレジスト液Ｒ１の上面に撥液処理されたフィルタＦ１を配置し、当該フィルタＦを介してスキージ７１をレジスト液Ｒ１に押し当ててもよい。こうすることで、スキージ７１へのレジスト液Ｒ１の付着をさらに抑制することができる。また、例えばスキージ７１に付着したパーティクル等がテンプレートＴ側に付着することも抑制できる。
【００７２】
また、フィルタＦ１に代えて、例えば図１３に示すように、フィルタＦ２をテンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓの上面に配置し、フィルタＦ２の上面にレジスト液Ｒ１を塗布した後に、スキージ７１によりレジスト膜Ｒを形成するようにしてもよい。かかる場合、フィルタＦ２には、表面が撥液処理され且つレジスト液Ｒ１を浸透可能なものが用いられる。フィルタＦ２の上面にレジスト液Ｒ１を塗布することで、テンプレートＴの表面Ｔ１に形成されるレジスト膜Ｒにダスト等が付着することを抑制できる。
【００７３】
以上の実施の形態では、テンプレートＴ上への離型剤Ｓの塗布とテンプレートＴの加熱は、それぞれ別の処理ユニット（離型剤塗布ユニット２２と加熱ユニット２３）で行われていたが、一の処理ユニットで行われてもよい。すなわち、一の処理ユニット内に、上述した離型剤ノズル６１と熱板６２を搬送ラインＡに沿った方向にこの順で配置してもよい。
【００７４】
以上の実施の形態では、処理ステーション３のレジスト塗布ユニット２６において、テンプレートＴ上にレジスト液Ｒ１を供給することにより、テンプレートＴの表面Ｔ１にレジスト膜Ｒを形成していたが、その表面にレジスト液が塗布されたスタンプをテンプレートＴの表面Ｔ１に押し当てて行ってもよい。かかる場合、図１４に示すようにテンプレート処理装置１の搬送ラインＡには、図１に示したレジスト塗布ユニット２６に代えて、スタンプユニット１１０が配置される。すなわち、この場合、搬送ラインＡのラインＡ３には、リンスユニット２５、スタンプユニット１１０、トランジションユニット２７が一列に配置される。ラインＡ１には、テンプレート搬入出ステーション２側から順に、トランジションユニット２０、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３が一列に配置される。また、ラインＡ２には温度調節ユニット２４が配置される。
【００７５】
スタンプユニット１１０のケーシング５０内には、レジスト塗布ユニット２６と同様に、図１５に示すように搬送用コロ３０が配置されている。ケーシング５０の天井面には、図１５に示すようにＹ方向（図１５の左右方向）に沿って延伸するレール１１１が設けられている。レール１１１には、アーム１１２が取り付けられており、アーム１１２により、その表面が搬送用コロ３０、即ちテンプレートＴの表面Ｔ１と対向するように設けられたスタンプＭが支持されている。アーム１１２は、アーム駆動部１１３によりレール１１１上を移動自在である。これによりスタンプＭは、搬送用コロ３０上のテンプレートＴの上方まで移動できる。また、アーム１１２は、アーム駆動部１１３によって昇降自在であり、スタンプＭをテンプレートＴに対して押し当てることができる。なお、スタンプＭの表面Ｍ１は、離型剤Ｓよりも高い撥液性を有する材料によって撥液処理されている。
【００７６】
図１５に示すように、搬送用コロ３０の上方であって、レール１１１の下方には、供給口（図示せず）が上方を向いて設けられたレジスト液ノズル７０が配置されている。搬送用コロ３０の下方の所定の位置には、テンプレートＴの位置検出用センサ１１４が設けられている。位置検出用センサ１１４は、搬送用コロ３０上を搬送されるテンプレートＴの、例えばＹ方向負方向側（図１５の左方向側）の端部を検出し、制御装置１００へ検出情報を出力する。
【００７７】
次に、かかるスタンプユニット１１０において、テンプレートＴにレジスト膜Ｒを成膜する方法について説明する。
【００７８】
スタンプユニット１１０内では、先ず、テンプレートＴが搬送用コロ３０上を図１５のＹ方向負方向側に搬送される。位置検出用センサ１１４によりテンプレートＴが検出されると、搬送用コロ３０はテンプレートＴの搬送を一時的に停止し、テンプレートＴを所定の位置で待機させる。次いで、スタンプＭがレール１１１に沿ってテンプレートＴに向かって移動する。そして、スタンプＭがレジスト液ノズル７０の上方を横切る際、図１６（ａ）に示すようにレジスト液ノズル７０からスタンプＭの表面Ｍ１に供給され、スタンプＭの表面Ｍ１にレジスト液Ｒ１が塗布される。
【００７９】
その後、レジスト液Ｒ１が塗布されたスタンプＭがテンプレートＴの上方に移動し、次いで図１６（ｂ）に示すようにスタンプＭがテンプレートＴの表面Ｔ１に押し付けられる。この際、スタンプＭをテンプレートＴに押し付けることにより、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１が押し込まれ、窪み部Ｕ内にレジスト液Ｒ１が隙間なく充填される。その後、スタンプＭを上昇させ、図１６（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上にレジスト膜Ｒが形成される。こうしてスタンプユニット１１０における一連のレジスト膜Ｒの成膜処理が終了する。なお、図１６においてはスタンプＭを移動させながらレジスト液Ｒ１の塗布を行っていたが、例えば、レジスト液ノズル７０を移動させてレジスト液Ｒ１の塗布を行ってもよい。また、レール１１１は、図１５においては、Ｙ方向に沿って配置されていたが、例えば図１５のＸ方向に沿って、即ち搬送ローラ３０の中心軸に平行に配置されていてもよい。
【００８０】
以上の実施の形態によれば、予めレジスト液Ｒ１が塗布されたスタンプＭをテンプレートＴに押し付けるので、テンプレートＴへのレジスト液Ｒ１の塗布と、窪み部Ｕ内へのレジスト液Ｒ１の押し込み、即ちレジスト膜Ｒの成膜を一度に行うことができる。したがって、スタンプユニット１１０において、テンプレートＴに成膜された離型剤Ｓ上に円滑にレジスト膜Ｒを成膜することができ、これによって、テンプレート処理装置１におけるレジスト膜Ｒの成膜処理のスループットを向上させることができる。
【００８１】
なお、以上の実施の形態では、スタンプユニット１１０内において、レジスト液ノズル７０によりレジスト液Ｒ１の塗布のみを行っていたが、必要に応じて、例えば図１５に破線で示すように、レジスト液Ｒ１と接触する表面が上方を向いて設けられたスキージ７１を、テンプレートＴの搬送方向（図１５のＹ方向負方向）における、レジスト液ノズル７０の下流側に配置してもよい。
【００８２】
以上の実施の形態では、テンプレート処理装置１において、テンプレートＴは個別に搬送され処理されていたが、図１７に示すように複数、例えば９枚のテンプレートＴが１つのホルダー１２０に保持されて処理されてもよい。かかる場合、ホルダー１２０には、図１８に示すように各テンプレートＴを収容するために下方に窪んだ収容部１２１が形成されている。収容部１２１の底面には例えば複数の吸引口（図示せず）が形成され、各テンプレートＴは収容部１２１内に吸着保持されるようになっている。
【００８３】
本実施の形態によれば、処理ステーション３において、複数のテンプレートＴに対して一度に所定の処理を行うことができる。したがって、短時間でより多くのテンプレートＴ上にレジスト膜を成膜することができ、レジスト処理のスループットを向上させることができる。
【００８４】
以上の実施の形態のテンプレート処理装置１は、図１９に示すようにインプリントシステム２００に配置されていてもよい。インプリントシステム２００は、テンプレートＴを用いて基板としてのウェハＷ上にレジストパターンを形成するインプリントユニット２１０と、複数、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部とインプリントシステム２００との間で搬入出したり、ウェハカセットＣＷに対してウェハＷを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション２１１とを有している。インプリントシステム２００は、これらテンプレート処理装置１、インプリントユニット２１０、ウェハ搬入出ステーション２１１を一体に接続した構成を有している。
【００８５】
テンプレート処理装置１の処理ステーション３内では、上述した搬送ラインＡからトランジションユニット２７を除いた搬送ラインＢが正面側（図１９のＸ方向負方向側）に一列に配置されている。すなわち、処理ステーション３の正面側には、トランジションユニット２０、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３、温度調節ユニット２４、リンスユニット２５、レジスト塗布ユニット２６が直線的に一列に配置されている。
【００８６】
処理ステーション３の背面側（図１９のＸ方向正方向側）には、テンプレートＴの搬送ラインＣが配置されている。搬送ラインＣのテンプレート搬入出ステーション２側の端部には、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット２２０が設けられている。インプリントユニット２１０とトランジションユニット２２０との間には、上述した複数の搬送用コロ３０が設けられ、テンプレートＴの搬送が行われる。なお、トランジションユニット２２０の構成は、上述したトランジションユニット２０の構成と同様であるので、説明を省略する。
【００８７】
ウェハ搬入出ステーション２１１には、カセット載置台２３０が設けられている。カセット載置台２３０は、複数のウェハカセットＣＷをＸ方向（図１９中の左右方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション２１１は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。
【００８８】
ウェハ搬入出ステーション２１１には、Ｘ方向に延伸する搬送路２３１上を移動可能なウェハ搬送体２３２が設けられている。ウェハ搬送体２３２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、ウェハカセットＣＷとインプリントユニット２１０との間でウェハＷを搬送できる。
【００８９】
ウェハ搬入出ステーション２１１には、ウェハＷの向きを調整するアライメントユニット２３３がさらに設けられている。アライメントユニット２３３では、例えばウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。また、ウェハ搬入出ステーション２１１には、ウェハＷの表裏面を反転させる反転ユニット２３４が設けられている。
【００９０】
次に、上述したインプリントユニット２１０の構成について説明する。インプリントユニット２１０は、図２０及び図２１に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口Ｅ１とウェハＷの搬入出口Ｅ２が形成されたケーシング２４０を有している。
【００９１】
ケーシング２４０内には図２０及び図２１に示すように、上述した複数の搬送コロ３０が配置されている。ケーシング２４０内の搬送コロ３０は、搬送ラインＢを通って搬入出口Ｅ１から搬送されたテンプレートＴを、後述するテンプレート保持部２４１の上方に搬送し、その後再び搬入出口Ｅ１から搬出するように、例えば図２０に示すように略Ｕ字状に並べて配置されている。
【００９２】
搬送コロ３０の中心軸の両端側には、例えばテンプレートＴの側面を支持する搬送ガイド（図示せず）が設けられ、テンプレートＴが略Ｕ字状に配置された搬送コロ３０上を搬送される際に、当該Ｕ字状の箇所からテンプレートＴが落下することを防止している。
【００９３】
ケーシング２４０内の底面には、図２１に示すようにテンプレートＴの下面を保持するテンプレート保持部２４１が設けられている。テンプレート保持部２４１は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の所定の位置を吸着保持するチャック２４２を有している。チャック２４２は、当該チャックの下方に設けられた移動機構２４３により鉛直方向に移動自在になっている。
【００９４】
テンプレート保持部２４１は、チャック２４２に保持されたテンプレートＴの下方に設けられた光源２４４を有している。光源２４４からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられる。光源２４４の上方に対応する搬送コロ３０ａは、例えば図２０に示すように光源２４４からの光を遮らないように光源２４４の上方に対応する位置が切りかかれた形状を有しており、この光源２４４からの光は、テンプレートＴを透過して上方に照射される。
【００９５】
ケーシング２４０の天井面であって、搬送コロ３０の上方には、図２１に示すようにウェハ保持部２６０が設けられている。ウェハ保持部２６０は、ウェハＷの被処理面が下方を向くように、当該ウェハＷの裏面を吸着保持する。すなわち、ウェハ保持部２６０と搬送コロ３０は、ウェハ保持部２６０に保持されたウェハＷと、搬送コロ３０に載置されたテンプレートＴが対向するように配置されている。ウェハ保持部２６０は、当該ウェハ保持部２６０の上方に設けられた移動機構２６１によって水平方向に移動できるようになっている。
【００９６】
本実施の形態にかかるインプリントシステム２００は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム２００で行われるインプリント処理について説明する。図２２は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図２３は、このインプリント処理の各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
【００９７】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３にテンプレートＴが搬入される（図２２の工程Ｈ１）。処理ステーション３では、テンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄（図２２の工程Ｈ２）、表面Ｔ１への離型剤Ｓの塗布（図２２の工程Ｈ３）、離型剤Ｓの焼成（図２２の工程Ｈ４）、離型剤Ｓのリンス（図２２の工程Ｈ５）が順次行われ、テンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤Ｓが成膜される。その後、テンプレートＴにレジスト液Ｒ１が供給され（図２２の工程Ｈ６）、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒが形成される（図２２の工程Ｈ７）。なお、これら工程Ｈ２〜Ｈ７は、前記実施の形態における工程Ｇ２〜Ｇ７と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００９８】
その後、テンプレートＴは搬送用コロ３０によりインプリントユニット２１０に搬送され、テンプレート保持部２４１のチャック２４２に吸着保持される。
【００９９】
このように処理ステーション３においてテンプレートＴに所定の処理を行い、インプリントユニット２１０へテンプレートＴを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション２１１では、ウェハ搬送体２３２により、カセット載置台２３０上のウェハカセットＣＷからウェハＷが取り出され、アライメントユニット２３３に搬送される。そして、アライメントユニット２３３において、ウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬反転ユニット２３４によって反転された後、インプリントユニット２１０に搬送される（図２２の工程Ｈ８）。
【０１００】
インプリントユニット２１０に搬送されたウェハＷは、ウェハ保持部２６０により吸着保持される。続いて、ウェハ保持部２６０に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部２４１に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図２３（ａ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に上昇させる。テンプレートＴは所定の位置まで上昇し、テンプレートＴ上のレジスト膜ＲがウェハＷに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源２４４から光が照射される。光源２４４からの光は、図２３（ｂ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト膜Ｒに照射され、これによりレジスト膜Ｒは光重合する。このようにしてウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図２２の工程Ｈ９）。
【０１０１】
その後、図２３（ｃ）に示すようにテンプレートＴを下降させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する（図２２の工程Ｈ１０）。
【０１０２】
そして、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成されると、使用済みのテンプレートＴは搬送用コロ３０によりインプリントユニット２１０から搬送ラインＣに搬出される（図２２の工程Ｈ１１）。続いて、搬送ラインＢの搬送用コロ３０によって新たなテンプレートＴがインプリントユニット２１０に搬送され、インプリントユニット２１０内のテンプレートＴが交換される。テンプレートＴが交換されると、再びテンプレートＴをウェハＷ側に上昇させ、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成される。この作業が繰り返し行われる。
【０１０３】
レジストパターンＰが形成されたウェハＷは、ウェハ搬送体２３２に受け渡され、インプリントユニット２１０からウェハ搬入出ステーション２１１に搬送され、ウェハカセットＣＷに戻される（図２２の工程Ｈ１２）。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜Ｌが残る場合があるが、例えばテンプレート処理装置１の外部において、図２３（ｄ）に示すように当該残存膜Ｌを除去してもよい。
【０１０４】
搬送ラインＣの搬送用コロ３０に搬送された使用済みのテンプレートＴは、搬送用コロ３０に沿って速度でトランジションユニット２２０に搬送される。
【０１０５】
トランジションユニット２２０に搬送された使用済みのテンプレートＴは、昇降ピン４０によりテンプレート搬送体１２に受け渡され、テンプレートカセットＣＴに戻される。このようにして、インプリントシステム２００において、テンプレートＴを連続的に交換しつつ、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰが連続的に形成される。
【０１０６】
以上の実施の形態によれば、テンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１を供給した後、レジスト液Ｒ１をスキージ７１によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込むことで、レジスト液Ｒ１を窪み部Ｕに隙間なく充填し、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒを形成することができる。したがって、このテンプレートＴを用いてウェハ上のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成する場合、ウェハ上にテンプレートＴの転写パターンＣが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。
【０１０７】
また、インプリントシステム２００はテンプレート処理装置１を有しているので、インプリントシステム２００において、テンプレートＴ上にレジスト膜Ｒを成膜しつつ、当該テンプレートＴをインプリントユニット２１０に連続的に供給できる。したがって、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰを連続的に形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。
【０１０８】
以上の実施の形態のテンプレート処理装置１では、離型剤Ｓの成膜とレジスト膜Ｒの成膜を行っていたが、レジスト膜Ｒの成膜のみを行うようにしてもよい。かかる場合、図２４に示すようにテンプレート処理装置３００は、先に図１に示したテンプレート処理装置１から離型剤成膜ラインを構成する処理ユニット２１〜２５を省略した構成を有している。また、テンプレート処理装置３００は、図２４に示すようにインプリントシステム３１０に配置されてもよい。なお、本実施の形態のテンプレート処理装置３００及びインプリントシステム３１０のその他の構成は、前記実施の形態のテンプレート処理装置１及びインプリントシステム２００の構成と同様であるので説明を省略する。また、本実施の形態ではテンプレート処理装置３００をインプリントシステム３１０に配置していたが、テンプレート処理装置３００は、インプリントシステム３１０の外部に独立して設けられていてもよい。
【０１０９】
本実施の形態では、テンプレートＴの表面Ｔ１への離型剤Ｓの成膜はテンプレート処理装置３００の外部で行われ、テンプレート搬入出ステーション２には、表面Ｔ１に離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴが搬入される。すなわち、テンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄（図２２に示した工程Ｈ２）、表面Ｔ１への離型剤Ｓの塗布（図２２に示した工程Ｈ３）、離型剤Ｓの焼成（図２２に示した工程Ｈ４）、離型剤Ｓのリンス（図２２に示した工程Ｈ５）は、テンプレート処理装置３００の外部で行われる。そして、テンプレート処理装置３００では、テンプレートＴの離型剤Ｓ上にＲ１が供給され（図２２に示した工程Ｈ６）、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒが形成される（図２２に示した工程Ｈ７）。その後、レジスト膜Ｒが形成されたテンプレートＴとウェハＷがインプリントユニット２１０に搬送される（図２２に示した工程Ｈ８）。続いて、インプリントユニット２１０において、テンプレートＴ上のレジスト膜ＲをウェハＷに押し付けた後、光源２４４からレジスト膜Ｒに光が照射され、当該ウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写される（図２２に示した工程Ｈ９）。その後、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成される（図２２に示した工程Ｈ１０）。なお、これら工程Ｈ６〜Ｈ１０は、前記実施の形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
【０１１０】
本実施の形態においても、テンプレート処理装置３００とインプリントシステム３１０は、前記実施の形態のテンプレート処理装置１とインプリントシステム２００と同様の効果をそれぞれ有している。また、本実施の形態によれば、離型剤Ｓの成膜処理を省略することができるので、テンプレート処理装置３００とインプリントシステム３１０における処理時間を短縮することもできる。
【０１１１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜し、当該離型剤に所定の処理を行う際に有用であり、また当該テンプレートを用いて基板上に所定のパターンを形成する際に有用である。
【符号の説明】
【０１１３】
１ テンプレート処理装置
２ テンプレート搬入出ステーション
３ 処理ステーション
１２ テンプレート搬送体
２１ 前洗浄ユニット
２２ 離型剤塗布ユニット
２３ 加熱ユニット
２４ 温度調節ユニット
２５ リンスユニット
２６ レジスト塗布ユニット
２７ トランジションユニット
３０ 搬送用コロ
３０ａ 温度調節用コロ
５０ ケーシング
５２ 搬入出口
６１ 離型剤ノズル
７０ レジスト液ノズル
７１ スキージ
７２ レール
７３ アーム
７４ アーム駆動部
７５ 待機部
７６ レール
７７ アーム
７８ アーム駆動部
７９ 待機部
１００ 制御部
１０１ ローラ
１０２ ブラシ
１１０ スタンプユニット
１１１ レール
１１２ アーム
１１３ アーム駆動部
１１４ 位置検出用センサ
１２０ ホルダー
１２１ 収容部
２００ インプリントシステム
２１０ インプリントユニット
２１１ ウェハ搬入出ステーション
２４０ ケーシング
２４１ テンプレート保持部
２４２ チャック
２４３ 移動機構
２６０ ウェハ保持部
３００ テンプレート処理装置
３１０ インプリントシステム
Ａ 搬送ライン
Ｃ 転写パターン
Ｆ１、Ｆ２ フィルタ
Ｍ スタンプ
Ｐ レジストパターン
Ｒ レジスト膜
Ｒ１ レジスト液
Ｓ 離型剤
Ｔ テンプレート
Ｕ 窪み部
Ｗ ウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置、当該テンプレート処理装置を備えたインプリントシステム、当該テンプレート処理装置を用いたテンプレート方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。
【０００３】
上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
【０００４】
そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている（特許文献１）。このインプリント方法では、図２５に示すように表面に微細な転写パターンＣが形成され、且つ当該表面に離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴ（モールドや型と呼ばれることもある。）が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−４３９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したインプリント方法では、先ず、図２５（ａ）に示すように、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分（テンプレートＴの転写パターンＣにおける凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分（転写パターンＣにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液の量は少なくなるように、即ち転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液が塗布され、レジスト膜Ｒが形成される。そして、図２５（ｂ）に示すようにレジスト膜Ｒに、離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴが押し付けられ、転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される。このとき、レジスト膜Ｒに光が照射され、レジスト膜Ｒが光重合する。その後、図２５（ｃ）に示すようにテンプレートＴを上昇させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成される。
【０００７】
しかしながら、図２５に示す方法においては、先ず図２５（ａ）に示すように、ウェハＷ上の所定の位置に正確にレジスト膜Ｒを形成する必要がある。このため、ウェハＷ上にレジスト液の塗布を行うに際して、レジスト液を塗布する、例えばレジスト液ノズルとウェハＷとのアライメントを正確に行う必要がある。さらに、図２５（ｂ）に示すようにテンプレートＴの転写パターンＣを転写する際、開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液を塗布することで形成されたレジスト膜Ｒと、テンプレートＴの転写パターンＣとのアライメントが取れていないと、転写パターンＣがレジスト膜Ｒに精度よく転写されない。したがって、上述のインプリント方法においては、レジスト膜Ｒの形成時、及びパターン転写時の２度に渡ってアライメントを高精度で行う必要がある。このため、アライメントに時間を要するためスループット向上の妨げとなっていた。また、アライメントを複数回行う必要があるため、アライメント毎の誤差が重畳され、結果として高精度のアライメントが困難となるという問題があった。
【０００８】
この点について、発明者らがアライメントに要する時間を短縮すべく鋭意検討し、例えば下記に示す方法を見出した。
【０００９】
図２６（ａ）に示すように、先ず離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴ上にレジスト液を塗布してレジスト膜Ｒを形成する。次いで、図２６（ｂ）に示すように当該レジスト膜Ｒが形成されたテンプレートＴを上昇させウェハＷに押し付けると共に、レジスト膜Ｒに光を照射し、レジスト膜Ｒを光重合する。その後、図２６（ｃ）に示すように、テンプレートＴを下降させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する。
【００１０】
しかしながら、図２６に示す方法においては、離型剤Ｓが成膜され撥液性が高まった状態のテンプレートＴにレジスト液を塗布するため、離型剤Ｓの有する撥液性により、図２７に示すように転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１が入り込まないという、新たな問題が生じた。この場合、当該レジスト液Ｒ１が窪み部Ｕの内部において液滴の状態で留まってしまい、液滴の形状がウェハＷ上のレジストパターンＰにそのまま転写されてしまうため、ウェハＷ上に所定のレジストパターンＰを適切に形成することができない。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレート表面に成膜された離型剤上に塗布膜を適切に形成し、パターン転写時のアライメントを不要とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置であって、前記テンプレートに所定の処理を行う処理ステーションと、複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記処理ステーションは、前記離型剤上に塗布液を供給する塗布液供給部と、前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込む塗布液充填部と、を有することを特徴としている。
【００１３】
本発明によれば、処理ステーションにおいて、テンプレートの離型剤上に塗布した塗布液を塗布液充填部によりテンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことができる。すなわち、テンプレートの転写パターンの窪み部に塗布液を隙間なく充填することができる。したがって、このように塗布液が成膜されたテンプレートを用いて基板上所定のパターンを形成する場合、基板上にテンプレートの転写パターンが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。
【００１４】
また、塗布液が成膜されたテンプレートを用いて基板にパターンを形成する場合、従来行っていた、基板上の塗布膜とテンプレートの転写パターンとのアライメント調整が不要となる。したがって、スループットを向上させることができる。
【００１５】
前記処理ステーションは、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ブロックをさらに有していてもよい。
【００１６】
前記塗布液充填部は、スキージであってもよい。
【００１７】
また、前記塗布液充填部は、ローラであってもよく、ブラシであってもよい。
【００１８】
前記塗布液充填部の前記塗布液と接触する表面は、撥液処理されていてもよい。
【００１９】
前記離型剤上に塗布された塗布液の上面には、フィルタが配置され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込んでもよい。
【００２０】
また、前記離型剤上には前記塗布液が浸透可能なフィルタが配置され、前記塗布液は、前記フィルタ上に供給され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込んでもよい。
【００２１】
前記処理ステーションは、前記塗布液供給部と前記塗布液充填部に代えて、その表面に塗布液が供給されたスタンプを有し、前記転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、前記スタンプを前記転写パターンに押し当てることにより行ってもよい。かかる場合、前記スタンプの表面は撥液処理されていてもよい。
【００２２】
複数の前記テンプレートは、一のホルダーに保持されていてもよい。
【００２３】
別な観点による本発明は、前記テンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、前記処理ステーションで処理された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴としている。
【００２４】
また別な観点による本発明は、テンプレート処理装置を用いて、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理方法であって、前記離型剤上に塗布液を塗布し、前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことを特徴としている。
【００２５】
前記テンプレート処理装置において、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜してもよい。
【００２６】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、スキージを用いて行ってもよい。
【００２７】
また、前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ローラを用いて行ってもよく、ブラシを用いて行ってもよい。
【００２８】
また別な観点による本発明によれば、前記テンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２９】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、テンプレート表面に成膜された離型剤上に塗布膜を適切に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】テンプレートの斜視図である。
【図３】トランジションユニットの構成の概略を示す側面図である。
【図４】搬送ラインの各処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】搬送ラインの各処理ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図６】レジスト塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図７】レジスト膜の形成工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面にレジスト液が供給された様子を示し、（ｂ）はスキージにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を示し、（ｃ）はテンプレートの表面にレジスト膜が形成された様子を示す。
【図８】テンプレート処理の各工程を示したフローチャートである。
【図９】離型剤処理及びレジスト膜成膜の各工程におけるテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、（ｄ）はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示し、（ｅ）はテンプレート上にレジスト液が供給された様子を示し、（ｆ）はスキージにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を示し、（ｇ）はテンプレート上にレジスト膜が成膜された様子を示す。
【図１０】ローラにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を模式的に示した説明図である。
【図１１】ブラシにより窪み部にレジスト液が押し込まれる様子を模式的に示した説明図である。
【図１２】レジスト液の上面にフィルタを配置して窪み部にレジスト液を押し込む様子を模式的に示した説明図である。
【図１３】テンプレート上に配置したフィルタにレジスト液が供給された状態を模式的に示した説明図である。
【図１４】他の実施の形態にかかるテンプレート処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図１５】スタンプユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図１６】レジスト膜成膜の各工程におけるテンプレート及びスタンプの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はスタンプの表面にレジスト液が塗布される様子を示し、（ｂ）はスタンプがテンプレートに押し付けられた様子を示し、（ｃ）はテンプレート上にレジスト膜が成膜された様子を示す。
【図１７】ホルダーの平面図である。
【図１８】ホルダーの縦断面図である。
【図１９】本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２０】インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。
【図２１】インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
【図２２】インプリント処理の各工程を示したフローチャートである。
【図２３】インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートをウェハに押し付けた様子を示し、（ｂ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｄ）はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。
【図２４】他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。
【図２５】従来のインプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はウェハ上にレジスト液が塗布された様子を示し、（ｂ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示す。
【図２６】インプリント処理の各工程におけるテンプレートとウェハの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートにレジスト膜が成膜された様子を示し、（ｂ）はウェハ上のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｃ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示す。
【図２７】テンプレートの表面にレジスト液が供給された様子を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるテンプレート処理装置１の構成の概略を示す平面図である。
【００３３】
本実施の形態のテンプレート処理装置１では、図２に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。
【００３４】
テンプレート処理装置１は、図１に示すように複数、例えば５枚のテンプレートＴをカセット単位で外部とテンプレート処理装置１との間で搬入出したり、テンプレートカセットＣＴに対してテンプレートＴを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション２と、テンプレートＴに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。
【００３５】
テンプレート搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０は、複数のテンプレートカセットＣＴをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション２は、複数のテンプレートＴを保有可能に構成されている。
【００３６】
テンプレート搬入出ステーション２には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１上を移動可能なテンプレート搬送体１２が設けられている。テンプレート搬送体１２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、テンプレートカセットＣＴと処理ステーション３との間でテンプレートＴを搬送できる。
【００３７】
処理ステーション３は、テンプレートＴの搬送ラインＡを備えている。搬送ラインＡは、処理ステーション３において、正面側（図１のＸ方向負方向側）に配置されＹ方向に延びるラインＡ１と、テンプレート搬入出ステーション２と反外側の端部においてＸ方向に延びるラインＡ２と、背面側（図１のＸ方向正方向側）においてＹ方向に延びるラインＡ３とをこの順で接続した構成を有している。搬送ラインＡには、後述する複数の搬送用コロ３０が並べて配置され、コロ搬送によりテンプレートＴを搬送することができる。すなわち、テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３に搬送されたテンプレートＴは、ラインＡ１、Ａ２、Ａ３を順次搬送される。
【００３８】
ラインＡ１には、テンプレート搬入出ステーション２側から順に、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット２０、テンプレートＴ上に離型剤が成膜される前の表面Ｔ１を洗浄する前洗浄ユニット２１、テンプレートＴに液体状の離型剤を塗布する離型剤塗布ユニット２２、テンプレートＴを加熱処理する加熱ユニット２３が一列に配置されている。
【００３９】
ラインＡ２には、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニット２４が配置されている。
【００４０】
ラインＡ３には、テンプレート搬入出ステーション２側に向けて順に、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニット２５、テンプレートＴの離型剤上にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット２６、トランジションユニット２７が一列に配置されている。なお、本実施の形態では、処理ユニット２１〜２５で離型剤成膜ライン（離型剤成膜ブロック）を形成している。
【００４１】
次に、上述した搬送ラインＡにおけるテンプレートＴの搬送機構について説明する。搬送ラインＡには、図３〜図５に示すように、複数の搬送用コロ３０が搬送ラインＡに沿った方向に並べて配置されている。各搬送用コロ３０は、搬送ラインＡに沿った方向と直角方向に延伸する中心軸を回転軸として回転自在に構成されている。また、複数の搬送用コロ３０のうち、少なくとも一の搬送用コロ３０には、例えばモータなどを内蔵した駆動機構（図示せず）が設けられている。そして、テンプレートＴは、これら搬送用コロ３０上をトランジションユニット２０、２７間で搬送される。
【００４２】
次に、上述した搬送ラインＡのトランジションユニット２０、２７の構成について説明する。搬送ラインＡのトランジションユニット２０は、図３に示すようにテンプレートＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン４０を有している。昇降ピン４０は、搬送用コロ３０の下方に設けられた昇降駆動部４１により上下動できる。また、昇降ピン４０は、搬送ラインＡに沿って並べて配置された複数の搬送用コロ３０間を挿通するよう配置されている。この昇降ピン４０により、テンプレートＴは、テンプレート搬送体１２から搬送用コロ３０に載置される。
【００４３】
なお、トランジションユニット２７の構成は、上述したトランジションユニット２０の構成と同様であるので説明を省略する。
【００４４】
次に、上述した搬送ラインＡの各処理ユニット２１〜２６の構成について、図４及び図５に基づいて説明する。なお、搬送ラインＡは、先に図１に示したようにラインＡ２において直角方向に折れ曲がっているが、図４においては、構成の理解の容易さを優先させるため、直線状で示されている。
【００４５】
搬送ラインＡには、図４及び図５に示すようにケーシング５０が設けられている。ケーシング５０内は複数の仕切壁５１によって区画され、区画された各空間が処理ユニット２１〜２６をそれぞれ構成している。これら仕切壁５１及びケーシング５０のトランジションユニット２０、２７側の側面には、搬送用コロ３０に対応する高さにテンプレートＴの搬入出口５２がそれぞれ形成されている。なお、各搬入出口５２には、開閉シャッタ（図示せず）が設けられ、各処理ユニット２１〜２６の内部を密閉可能になっていてもよい。
【００４６】
前洗浄ユニット２１は、図４に示すようにテンプレートＴに紫外線を照射する紫外線照射部６０を有している。紫外線照射部６０は、搬送用コロ３０の上方に配置され、テンプレートＴの幅方向（搬送用コロ３０の長手方向）に延伸している。そして、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴの表面Ｔ１に紫外線を照射することで、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。
【００４７】
離型剤塗布ユニット２２は、テンプレートＴ上に離型剤を供給する離型剤供給部としての離型剤ノズル６１を有している。離型剤ノズル６１は、搬送用コロ３０の上方に配置されている。また、離型剤ノズル６１は、テンプレートＴの幅方向に延伸し、その下面には、スリット状の供給口（図示せず）が形成されている。そして、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤ノズル６１から離型剤を供給して、当該表面Ｔ１の全面に離型剤が塗布される。離型剤塗布ユニット２２には、テンプレートＴから落下した離型剤を回収して排出する排出管（図示せず）と、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）がそれぞれ接続されている。なお、離型剤の材料には、後述するウェハ上のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。
【００４８】
加熱ユニット２３は、搬送用コロ３０の上方に配置された熱板６２を有している。熱板６２の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板６２を所定の設定温度に調節できる。また、熱板６２は、テンプレートＴの幅方向に延伸し、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴを表面Ｔ１側（転写パターンＣ側）から加熱できる。なお、加熱ユニット２３には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。また、図示の例では、熱板６２はテンプレートＴを表面Ｔ１側から加熱しているが、テンプレートＴを裏面Ｔ２側から加熱するようにしてもよい。すなわち、熱板は、搬送用コロ３０と同じ高さに配置されていてもよく、あるいは搬送用コロ３０の下方に配置されていてもよい。さらに、これら熱板を両方配置して、テンプレートＴを表面Ｔ１と裏面Ｔ２の両側から加熱してもよい。
【００４９】
温度調節ユニット２４では、搬送用コロ３０の一部が温度調節用コロ３０ａを構成している。温度調節用コロ３０ａの内部には、テンプレートＴを冷却する冷却水が循環している。また、搬送用コロ３０の上方には、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方に吹き付けるガス供給部６３が配置されている。ガス供給部６３は、テンプレートＴの幅方向に延伸し、搬送中のテンプレートＴの表面Ｔ１全面に気体ガスを吹き付けることができる。これら温度調節用コロ３０ａとガス供給部６３によって、テンプレートＴは所定の温度に調節される。なお、温度調節ユニット２４には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。
【００５０】
リンスユニット２５は、図５に示すようにテンプレートＴ上に離型剤のリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズル６４と、テンプレートＴ上に例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを吹き付けるガスノズル６５とを有している。リンス液ノズル６４とガスノズル６５は、搬送用コロ３０の上方であって、温度調節ユニット２４側からこの順に配置されている。また、リンス液ノズル６４とガスノズル６５は、テンプレートＴの幅方向にそれぞれ延伸し、その下面にはスリット状の供給口（図示せず）がそれぞれ形成されている。そして、搬送用コロ３０上を搬送中のテンプレートＴ上の離型剤をリンス液ノズル６４によってリンスし、その後リンスされたテンプレートＴの表面Ｔ１をガスノズル６５によって乾燥させることができる。なお、リンスユニット２５には、テンプレートＴから落下した有機溶剤を回収して排出する排出管（図示せず）と、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）がそれぞれ接続されている。
【００５１】
レジスト塗布ユニット２６は、テンプレートＴの離型剤上に塗布液としてのレジスト液を供給する塗布液供給部としてのレジスト液ノズル７０と、離型剤上に塗布されたレジスト液に押し当てて、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部にレジスト液を押し込む塗布液充填部としてのスキージ７１を有している。レジスト液ノズル７０及びスキージ７１は、搬送用コロ３０の上方に配置されている。図６に示すように、ケーシング５０内のＹ方向正方向（図６の右方向）側には、Ｘ方向（図６の上下方向）に沿って延伸するレール７２が設けられている。レール７２には、アーム７３が取り付けられており、レジスト塗布ノズル７０はこのアーム７３により支持されている。
【００５２】
レジスト液ノズル７０には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル７０の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口（図示せず）が形成されている。そして、レジスト液ノズル７０は、レジスト液の供給タイミング、レジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
【００５３】
アーム７３は、アーム駆動部７４により、レール７２上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル７０は、ケーシング５０内の、例えばＸ方向正方向側の外方に設置された待機部７５から搬送用コロ３０上のテンプレートＴの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートＴの表面上をＸ方向に移動できる。また、アーム７３は、ノズル駆動部７４によって昇降自在であり、レジスト液ノズル７０の高さを調整できる。
【００５４】
また、ケーシング５０内のＹ方向負方向（図６の左方向）側には、Ｘ方向（図６の上下方向）に沿って延伸するレール７６が同様に設けられている。レール７６には、アーム７７が取り付けられており、スキージ７１はこのアーム７７により支持されている。アーム７７はアーム駆動部７８によりレール７６上を移動自在である。ケーシング５０内の、Ｘ方向負方向側の外方には待機部７９が設置されている。アーム７７等の動作については上述のアーム７１等と同様であるので、説明を省略する。
【００５５】
スキージ７１のレジスト液と接触する表面は、レジスト液に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等により撥液処理されている。なお、撥液処理としては、スキージ７１の表面を撥液性の材料でコーティングするのではなく、例えばスキージ７１そのものが、撥液性を有する、例えばポリウレタンなどの材料により形成されていてもよい。
【００５６】
そして、レジスト塗布ユニット２６内において、レジスト液ノズル７０からテンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１が供給される。なお、この時点においてレジスト液Ｒ１は、図７（ａ）に示すように、離型剤Ｓの撥水性によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕの内部には完全に入り込まず、液滴の状態で留まっている。次いで、スキージ７１をレジスト液Ｒ１に押し当て、図７（ｂ）に示すようにスキージ７１をレジスト液に押し当てた状態で図６のＸ方向正方向に移動させ、スキージ７１によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１を押し込むことにより窪み部Ｕ内にレジスト液Ｒ１を隙間なく充填する。こうして、図７（ｃ）に示すように離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒを形成する。なお、図７では、スキージ７１を移動させながらレジスト液Ｒ１の押し込みを行っていたが、例えば、テンプレートＴを搬送用コロ３０により図６のＸ方向正方向（図６の上方向）に移動させることで、スキージ７１の位置を固定した状態であっても、テンプレートＴをスキージ７１に対して相対的に移動させることが可能であるため、必ずしも、スキージ７１を移動自在に構成する必要はない。この場合、レール７６が不要となる。また、レジスト液ノズル７０についても、スキージ７１と同様に、レール７２は必ずしも必要ではない。
【００５７】
以上のテンプレート処理装置１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、テンプレート搬入出ステーション２と処理ステーション３との間のテンプレートＴの搬送や、処理ステーション３における駆動系の動作などを制御して、テンプレート処理装置１における後述する離型剤処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００５８】
本実施の形態にかかるテンプレート処理装置１は以上のように構成されている。次に、そのテンプレート処理装置１において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜し、当該離型剤Ｓ上へのレジスト膜Ｒの形成について説明する。図８は、このテンプレート処理の主な処理フローを示し、図９は、各工程におけるテンプレートＴの状態を示している。
【００５９】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、カセット載置台１０上のテンプレートカセットＣＴからテンプレートＴが取り出され、処理ステーション３のトランジションユニット２０に搬送される（図８の工程Ｇ１）。このとき、テンプレートカセットＣＴ内には、テンプレートＴは、転写パターンＣが形成された表面Ｔ１が上方を向くように収容されており、この状態でテンプレートＴはトランジションユニット２０に搬送される。
【００６０】
トランジションユニット２０内に搬送されたテンプレートＴは、昇降ピン４０によって搬送用コロ３０上に載置され、搬送ラインＡに沿ってコロ搬送により所定の速度で搬送される。搬送ラインＡでは、トランジションユニット２０、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３、温度調節ユニット２４、リンスユニット２５、レジスト塗布ユニット２６、トランジションユニット２７に順次搬送され、各処理ユニット２１〜２６において搬送中のテンプレートＴに所定の処理が行われる。
【００６１】
すなわち、搬送ラインＡでは、先ず、前洗浄ユニット２１において、紫外線照射部６０からテンプレートＴ上に紫外線が照射され、図９（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される（図８の工程Ｇ２）。続いて、離型剤塗布ユニット２２において、離型剤ノズル６１からテンプレートＴ上に離型剤Ｓを供給し、図９（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓが塗布される（図８の工程Ｇ３）。その後、加熱ユニット２３において、熱板６２によりテンプレートＴが例えば２００℃に加熱され、図９（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓが焼成される（図８の工程Ｇ４）。その後、温度調節ユニット２４において、温度調節用コロ３０ａとガス供給部６３によりテンプレートＴが所定の温度に調節される。その後、リンスユニット２５において、リンス液ノズル６４からテンプレートＴに有機溶剤を供給して、当該テンプレートＴ上の離型剤Ｓの未反応部のみを剥離させる。こうして、図９（ｄ）に示すようにテンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される（図８の工程Ｇ５）。続いて、同リンスユニット２５において、ガスノズル６５からテンプレートＴ上に気体ガスを吹き付け、その表面Ｔ１が乾燥される。なお、離型剤Ｓの未反応部とは、離型剤ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１と化学反応して当該表面Ｔ１と吸着する部分以外をいう。
【００６２】
その後、テンプレートＴがレジスト塗布ユニット２６に搬送されると、レジスト液ノズル７０を図６のＸ方向に移動させ、図９（ｅ）に示すようにテンプレートＴの成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１を供給する（図８の工程Ｇ６）。この際、制御部１００により、レジスト液ノズル７０から供給されるレジスト液Ｒ１の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、テンプレートＴの転写パターンＣにおいて、凸部に形成された部分（ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて凹部に対応する部分）に塗布されるレジスト液Ｒ１の量は少なく、窪み部Ｕに対応する部分（レジストパターンにおける凸部に対応する部分）に塗布されるレジスト液Ｒ１の量は多くなるように制御される。このように転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上にレジスト液Ｒ１が塗布される。
【００６３】
テンプレートＴ上にレジスト液Ｒ１が塗布されると、図９（ｆ）に示すようにスキージ７１をレジスト液Ｒ１に押し当てた状態でスキージ７１を図６のＸ方向に移動させ、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１を押し込む。これにより、図９（ｇ）に示すように、テンプレートＴ上の離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒが形成される（図８の工程Ｇ７）。
【００６４】
その後、トランジションユニット２７に搬送されたテンプレートＴは、昇降ピン４０によりテンプレート搬送体１２に受け渡され、テンプレートカセットＣＴに戻される（図８の工程Ｇ８）。こうしてテンプレート処理装置１における一連の離型剤処理が終了する。
【００６５】
以上の実施の形態によれば、レジスト塗布ユニット２６において、テンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１供給した後、レジスト液Ｒ１をスキージ７１によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込むことで、レジスト液Ｒ１を窪み部Ｕに隙間なく充填し、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒを形成することができる。したがって、このテンプレートＴを用いてウェハ上のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成する場合、ウェハ上にテンプレートＴの転写パターンＣが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。なお、このテンプレートＴを用いてウェハ上に所定のレジストパターンを形成する場合の作用、効果等については、後述において詳細に説明する。
【００６６】
また、レジスト膜Ｒが成膜されたテンプレートＴを用いてウェハにパターンを形成する場合、従来行っていた、ウェハ上のレジスト膜ＲとテンプレートＴの転写パターンＣとのアライメント調整が不要となる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
【００６７】
さらに、テンプレート搬入出ステーション２が複数のテンプレートＴを保有できるので、当該テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３にテンプレートＴを連続して搬送することができる。また、処理ステーション３においては、複数の搬送用コロ３０によって搬送ラインＡに配置された各種処理ユニット２１〜２７にテンプレートＴがコロ搬送され、当該搬送中のテンプレートＴに所定の処理を行うことができるので、複数のテンプレートＴに対して所定の処理を連続して行うことができる。したがって、これら複数のテンプレートＴに対して、レジスト膜Ｒを連続的に成膜することができる。
【００６８】
ここで、テンプレートＴは、例えば６．３５ｍｍの厚みを有する。本実施の形態によれば、加熱ユニット２３内において、熱板６２が搬送用コロ３０の上方、すなわちテンプレートＴの転写パターンＣ側（表面Ｔ１側）に配置されているので、テンプレートＴの表面Ｔ１側から、当該表面Ｔ１上の離型剤Ｓを直接加熱することができる。したがって、テンプレートＴの厚みに関わらず、離型剤Ｓを効率よく加熱して焼成することができる。また、熱板６２がテンプレートＴの下方に配置されている場合でも、熱伝導によってテンプレートＴの裏面Ｔ２側から離型剤Ｓを効率よく加熱することができる。
【００６９】
また、スキージ７１はレジスト液Ｒ１と接触する表面が撥液処理されているので、スキージ７１にレジスト液Ｒ１が付着することを抑制できる。
【００７０】
また、以上の実施の形態では、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込む塗布液充填部としてスキージ７１を用いていたが、塗布液充填部はスキージ７１に限定されるものではなく、レジスト液Ｒ１を転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込みレジスト膜Ｒを形成できるものであれば、例えば図１０及び図１１に示すようにローラ１０１やブラシ１０２といったものを用いてもよい。かかる場合も、レジスト液Ｒ１と接触する表面は撥液処理されていることが好ましい。
【００７１】
また、以上の実施の形態では、テンプレートＴに塗布されたレジスト液Ｒ１に直接スキージ７１を押し当てていたが、例えば図１２に示すように、テンプレートＴに塗布されたレジスト液Ｒ１の上面に撥液処理されたフィルタＦ１を配置し、当該フィルタＦを介してスキージ７１をレジスト液Ｒ１に押し当ててもよい。こうすることで、スキージ７１へのレジスト液Ｒ１の付着をさらに抑制することができる。また、例えばスキージ７１に付着したパーティクル等がテンプレートＴ側に付着することも抑制できる。
【００７２】
また、フィルタＦ１に代えて、例えば図１３に示すように、フィルタＦ２をテンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓの上面に配置し、フィルタＦ２の上面にレジスト液Ｒ１を塗布した後に、スキージ７１によりレジスト膜Ｒを形成するようにしてもよい。かかる場合、フィルタＦ２には、表面が撥液処理され且つレジスト液Ｒ１を浸透可能なものが用いられる。フィルタＦ２の上面にレジスト液Ｒ１を塗布することで、テンプレートＴの表面Ｔ１に形成されるレジスト膜Ｒにダスト等が付着することを抑制できる。
【００７３】
以上の実施の形態では、テンプレートＴ上への離型剤Ｓの塗布とテンプレートＴの加熱は、それぞれ別の処理ユニット（離型剤塗布ユニット２２と加熱ユニット２３）で行われていたが、一の処理ユニットで行われてもよい。すなわち、一の処理ユニット内に、上述した離型剤ノズル６１と熱板６２を搬送ラインＡに沿った方向にこの順で配置してもよい。
【００７４】
以上の実施の形態では、処理ステーション３のレジスト塗布ユニット２６において、テンプレートＴ上にレジスト液Ｒ１を供給することにより、テンプレートＴの表面Ｔ１にレジスト膜Ｒを形成していたが、その表面にレジスト液が塗布されたスタンプをテンプレートＴの表面Ｔ１に押し当てて行ってもよい。かかる場合、図１４に示すようにテンプレート処理装置１の搬送ラインＡには、図１に示したレジスト塗布ユニット２６に代えて、スタンプユニット１１０が配置される。すなわち、この場合、搬送ラインＡのラインＡ３には、リンスユニット２５、スタンプユニット１１０、トランジションユニット２７が一列に配置される。ラインＡ１には、テンプレート搬入出ステーション２側から順に、トランジションユニット２０、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３が一列に配置される。また、ラインＡ２には温度調節ユニット２４が配置される。
【００７５】
スタンプユニット１１０のケーシング５０内には、レジスト塗布ユニット２６と同様に、図１５に示すように搬送用コロ３０が配置されている。ケーシング５０の天井面には、図１５に示すようにＹ方向（図１５の左右方向）に沿って延伸するレール１１１が設けられている。レール１１１には、アーム１１２が取り付けられており、アーム１１２により、その表面が搬送用コロ３０、即ちテンプレートＴの表面Ｔ１と対向するように設けられたスタンプＭが支持されている。アーム１１２は、アーム駆動部１１３によりレール１１１上を移動自在である。これによりスタンプＭは、搬送用コロ３０上のテンプレートＴの上方まで移動できる。また、アーム１１２は、アーム駆動部１１３によって昇降自在であり、スタンプＭをテンプレートＴに対して押し当てることができる。なお、スタンプＭの表面Ｍ１は、離型剤Ｓよりも高い撥液性を有する材料によって撥液処理されている。
【００７６】
図１５に示すように、搬送用コロ３０の上方であって、レール１１１の下方には、供給口（図示せず）が上方を向いて設けられたレジスト液ノズル７０が配置されている。搬送用コロ３０の下方の所定の位置には、テンプレートＴの位置検出用センサ１１４が設けられている。位置検出用センサ１１４は、搬送用コロ３０上を搬送されるテンプレートＴの、例えばＹ方向負方向側（図１５の左方向側）の端部を検出し、制御装置１００へ検出情報を出力する。
【００７７】
次に、かかるスタンプユニット１１０において、テンプレートＴにレジスト膜Ｒを成膜する方法について説明する。
【００７８】
スタンプユニット１１０内では、先ず、テンプレートＴが搬送用コロ３０上を図１５のＹ方向負方向側に搬送される。位置検出用センサ１１４によりテンプレートＴが検出されると、搬送用コロ３０はテンプレートＴの搬送を一時的に停止し、テンプレートＴを所定の位置で待機させる。次いで、スタンプＭがレール１１１に沿ってテンプレートＴに向かって移動する。そして、スタンプＭがレジスト液ノズル７０の上方を横切る際、図１６（ａ）に示すようにレジスト液ノズル７０からスタンプＭの表面Ｍ１に供給され、スタンプＭの表面Ｍ１にレジスト液Ｒ１が塗布される。
【００７９】
その後、レジスト液Ｒ１が塗布されたスタンプＭがテンプレートＴの上方に移動し、次いで図１６（ｂ）に示すようにスタンプＭがテンプレートＴの表面Ｔ１に押し付けられる。この際、スタンプＭをテンプレートＴに押し付けることにより、テンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕにレジスト液Ｒ１が押し込まれ、窪み部Ｕ内にレジスト液Ｒ１が隙間なく充填される。その後、スタンプＭを上昇させ、図１６（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上にレジスト膜Ｒが形成される。こうしてスタンプユニット１１０における一連のレジスト膜Ｒの成膜処理が終了する。なお、図１６においてはスタンプＭを移動させながらレジスト液Ｒ１の塗布を行っていたが、例えば、レジスト液ノズル７０を移動させてレジスト液Ｒ１の塗布を行ってもよい。また、レール１１１は、図１５においては、Ｙ方向に沿って配置されていたが、例えば図１５のＸ方向に沿って、即ち搬送ローラ３０の中心軸に平行に配置されていてもよい。
【００８０】
以上の実施の形態によれば、予めレジスト液Ｒ１が塗布されたスタンプＭをテンプレートＴに押し付けるので、テンプレートＴへのレジスト液Ｒ１の塗布と、窪み部Ｕ内へのレジスト液Ｒ１の押し込み、即ちレジスト膜Ｒの成膜を一度に行うことができる。したがって、スタンプユニット１１０において、テンプレートＴに成膜された離型剤Ｓ上に円滑にレジスト膜Ｒを成膜することができ、これによって、テンプレート処理装置１におけるレジスト膜Ｒの成膜処理のスループットを向上させることができる。
【００８１】
なお、以上の実施の形態では、スタンプユニット１１０内において、レジスト液ノズル７０によりレジスト液Ｒ１の塗布のみを行っていたが、必要に応じて、例えば図１５に破線で示すように、レジスト液Ｒ１と接触する表面が上方を向いて設けられたスキージ７１を、テンプレートＴの搬送方向（図１５のＹ方向負方向）における、レジスト液ノズル７０の下流側に配置してもよい。
【００８２】
以上の実施の形態では、テンプレート処理装置１において、テンプレートＴは個別に搬送され処理されていたが、図１７に示すように複数、例えば９枚のテンプレートＴが１つのホルダー１２０に保持されて処理されてもよい。かかる場合、ホルダー１２０には、図１８に示すように各テンプレートＴを収容するために下方に窪んだ収容部１２１が形成されている。収容部１２１の底面には例えば複数の吸引口（図示せず）が形成され、各テンプレートＴは収容部１２１内に吸着保持されるようになっている。
【００８３】
本実施の形態によれば、処理ステーション３において、複数のテンプレートＴに対して一度に所定の処理を行うことができる。したがって、短時間でより多くのテンプレートＴ上にレジスト膜を成膜することができ、レジスト処理のスループットを向上させることができる。
【００８４】
以上の実施の形態のテンプレート処理装置１は、図１９に示すようにインプリントシステム２００に配置されていてもよい。インプリントシステム２００は、テンプレートＴを用いて基板としてのウェハＷ上にレジストパターンを形成するインプリントユニット２１０と、複数、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部とインプリントシステム２００との間で搬入出したり、ウェハカセットＣＷに対してウェハＷを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション２１１とを有している。インプリントシステム２００は、これらテンプレート処理装置１、インプリントユニット２１０、ウェハ搬入出ステーション２１１を一体に接続した構成を有している。
【００８５】
テンプレート処理装置１の処理ステーション３内では、上述した搬送ラインＡからトランジションユニット２７を除いた搬送ラインＢが正面側（図１９のＸ方向負方向側）に一列に配置されている。すなわち、処理ステーション３の正面側には、トランジションユニット２０、前洗浄ユニット２１、離型剤塗布ユニット２２、加熱ユニット２３、温度調節ユニット２４、リンスユニット２５、レジスト塗布ユニット２６が直線的に一列に配置されている。
【００８６】
処理ステーション３の背面側（図１９のＸ方向正方向側）には、テンプレートＴの搬送ラインＣが配置されている。搬送ラインＣのテンプレート搬入出ステーション２側の端部には、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット２２０が設けられている。インプリントユニット２１０とトランジションユニット２２０との間には、上述した複数の搬送用コロ３０が設けられ、テンプレートＴの搬送が行われる。なお、トランジションユニット２２０の構成は、上述したトランジションユニット２０の構成と同様であるので、説明を省略する。
【００８７】
ウェハ搬入出ステーション２１１には、カセット載置台２３０が設けられている。カセット載置台２３０は、複数のウェハカセットＣＷをＸ方向（図１９中の左右方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション２１１は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。
【００８８】
ウェハ搬入出ステーション２１１には、Ｘ方向に延伸する搬送路２３１上を移動可能なウェハ搬送体２３２が設けられている。ウェハ搬送体２３２は、鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、ウェハカセットＣＷとインプリントユニット２１０との間でウェハＷを搬送できる。
【００８９】
ウェハ搬入出ステーション２１１には、ウェハＷの向きを調整するアライメントユニット２３３がさらに設けられている。アライメントユニット２３３では、例えばウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。また、ウェハ搬入出ステーション２１１には、ウェハＷの表裏面を反転させる反転ユニット２３４が設けられている。
【００９０】
次に、上述したインプリントユニット２１０の構成について説明する。インプリントユニット２１０は、図２０及び図２１に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口Ｅ１とウェハＷの搬入出口Ｅ２が形成されたケーシング２４０を有している。
【００９１】
ケーシング２４０内には図２０及び図２１に示すように、上述した複数の搬送コロ３０が配置されている。ケーシング２４０内の搬送コロ３０は、搬送ラインＢを通って搬入出口Ｅ１から搬送されたテンプレートＴを、後述するテンプレート保持部２４１の上方に搬送し、その後再び搬入出口Ｅ１から搬出するように、例えば図２０に示すように略Ｕ字状に並べて配置されている。
【００９２】
搬送コロ３０の中心軸の両端側には、例えばテンプレートＴの側面を支持する搬送ガイド（図示せず）が設けられ、テンプレートＴが略Ｕ字状に配置された搬送コロ３０上を搬送される際に、当該Ｕ字状の箇所からテンプレートＴが落下することを防止している。
【００９３】
ケーシング２４０内の底面には、図２１に示すようにテンプレートＴの下面を保持するテンプレート保持部２４１が設けられている。テンプレート保持部２４１は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の所定の位置を吸着保持するチャック２４２を有している。チャック２４２は、当該チャックの下方に設けられた移動機構２４３により鉛直方向に移動自在になっている。
【００９４】
テンプレート保持部２４１は、チャック２４２に保持されたテンプレートＴの下方に設けられた光源２４４を有している。光源２４４からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられる。光源２４４の上方に対応する搬送コロ３０ａは、例えば図２０に示すように光源２４４からの光を遮らないように光源２４４の上方に対応する位置が切りかかれた形状を有しており、この光源２４４からの光は、テンプレートＴを透過して上方に照射される。
【００９５】
ケーシング２４０の天井面であって、搬送コロ３０の上方には、図２１に示すようにウェハ保持部２６０が設けられている。ウェハ保持部２６０は、ウェハＷの被処理面が下方を向くように、当該ウェハＷの裏面を吸着保持する。すなわち、ウェハ保持部２６０と搬送コロ３０は、ウェハ保持部２６０に保持されたウェハＷと、搬送コロ３０に載置されたテンプレートＴが対向するように配置されている。ウェハ保持部２６０は、当該ウェハ保持部２６０の上方に設けられた移動機構２６１によって水平方向に移動できるようになっている。
【００９６】
本実施の形態にかかるインプリントシステム２００は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム２００で行われるインプリント処理について説明する。図２２は、このインプリント処理の主な処理フローを示し、図２３は、このインプリント処理の各工程におけるテンプレートＴとウェハＷの状態を示している。
【００９７】
先ず、テンプレート搬送体１２によって、テンプレート搬入出ステーション２から処理ステーション３にテンプレートＴが搬入される（図２２の工程Ｈ１）。処理ステーション３では、テンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄（図２２の工程Ｈ２）、表面Ｔ１への離型剤Ｓの塗布（図２２の工程Ｈ３）、離型剤Ｓの焼成（図２２の工程Ｈ４）、離型剤Ｓのリンス（図２２の工程Ｈ５）が順次行われ、テンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤Ｓが成膜される。その後、テンプレートＴにレジスト液Ｒ１が供給され（図２２の工程Ｈ６）、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒが形成される（図２２の工程Ｈ７）。なお、これら工程Ｈ２〜Ｈ７は、前記実施の形態における工程Ｇ２〜Ｇ７と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００９８】
その後、テンプレートＴは搬送用コロ３０によりインプリントユニット２１０に搬送され、テンプレート保持部２４１のチャック２４２に吸着保持される。
【００９９】
このように処理ステーション３においてテンプレートＴに所定の処理を行い、インプリントユニット２１０へテンプレートＴを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション２１１では、ウェハ搬送体２３２により、カセット載置台２３０上のウェハカセットＣＷからウェハＷが取り出され、アライメントユニット２３３に搬送される。そして、アライメントユニット２３３において、ウェハＷのノッチ部の位置に基づいて、ウェハＷの向きが調整される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬反転ユニット２３４によって反転された後、インプリントユニット２１０に搬送される（図２２の工程Ｈ８）。
【０１００】
インプリントユニット２１０に搬送されたウェハＷは、ウェハ保持部２６０により吸着保持される。続いて、ウェハ保持部２６０に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部２４１に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図２３（ａ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に上昇させる。テンプレートＴは所定の位置まで上昇し、テンプレートＴ上のレジスト膜ＲがウェハＷに押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源２４４から光が照射される。光源２４４からの光は、図２３（ｂ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上のレジスト膜Ｒに照射され、これによりレジスト膜Ｒは光重合する。このようにしてウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図２２の工程Ｈ９）。
【０１０１】
その後、図２３（ｃ）に示すようにテンプレートＴを下降させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する（図２２の工程Ｈ１０）。
【０１０２】
そして、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成されると、使用済みのテンプレートＴは搬送用コロ３０によりインプリントユニット２１０から搬送ラインＣに搬出される（図２２の工程Ｈ１１）。続いて、搬送ラインＢの搬送用コロ３０によって新たなテンプレートＴがインプリントユニット２１０に搬送され、インプリントユニット２１０内のテンプレートＴが交換される。テンプレートＴが交換されると、再びテンプレートＴをウェハＷ側に上昇させ、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成される。この作業が繰り返し行われる。
【０１０３】
レジストパターンＰが形成されたウェハＷは、ウェハ搬送体２３２に受け渡され、インプリントユニット２１０からウェハ搬入出ステーション２１１に搬送され、ウェハカセットＣＷに戻される（図２２の工程Ｈ１２）。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜Ｌが残る場合があるが、例えばテンプレート処理装置１の外部において、図２３（ｄ）に示すように当該残存膜Ｌを除去してもよい。
【０１０４】
搬送ラインＣの搬送用コロ３０に搬送された使用済みのテンプレートＴは、搬送用コロ３０に沿って速度でトランジションユニット２２０に搬送される。
【０１０５】
トランジションユニット２２０に搬送された使用済みのテンプレートＴは、昇降ピン４０によりテンプレート搬送体１２に受け渡され、テンプレートカセットＣＴに戻される。このようにして、インプリントシステム２００において、テンプレートＴを連続的に交換しつつ、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰが連続的に形成される。
【０１０６】
以上の実施の形態によれば、テンプレートＴの表面Ｔ１に成膜された離型剤Ｓ上にレジスト液Ｒ１を供給した後、レジスト液Ｒ１をスキージ７１によりテンプレートＴの転写パターンＣの窪み部Ｕに押し込むことで、レジスト液Ｒ１を窪み部Ｕに隙間なく充填し、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒを形成することができる。したがって、このテンプレートＴを用いてウェハ上のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成する場合、ウェハ上にテンプレートＴの転写パターンＣが適切に転写された所定のパターンを形成することができる。
【０１０７】
また、インプリントシステム２００はテンプレート処理装置１を有しているので、インプリントシステム２００において、テンプレートＴ上にレジスト膜Ｒを成膜しつつ、当該テンプレートＴをインプリントユニット２１０に連続的に供給できる。したがって、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰを連続的に形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。
【０１０８】
以上の実施の形態のテンプレート処理装置１では、離型剤Ｓの成膜とレジスト膜Ｒの成膜を行っていたが、レジスト膜Ｒの成膜のみを行うようにしてもよい。かかる場合、図２４に示すようにテンプレート処理装置３００は、先に図１に示したテンプレート処理装置１から離型剤成膜ラインを構成する処理ユニット２１〜２５を省略した構成を有している。また、テンプレート処理装置３００は、図２４に示すようにインプリントシステム３１０に配置されてもよい。なお、本実施の形態のテンプレート処理装置３００及びインプリントシステム３１０のその他の構成は、前記実施の形態のテンプレート処理装置１及びインプリントシステム２００の構成と同様であるので説明を省略する。また、本実施の形態ではテンプレート処理装置３００をインプリントシステム３１０に配置していたが、テンプレート処理装置３００は、インプリントシステム３１０の外部に独立して設けられていてもよい。
【０１０９】
本実施の形態では、テンプレートＴの表面Ｔ１への離型剤Ｓの成膜はテンプレート処理装置３００の外部で行われ、テンプレート搬入出ステーション２には、表面Ｔ１に離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴが搬入される。すなわち、テンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄（図２２に示した工程Ｈ２）、表面Ｔ１への離型剤Ｓの塗布（図２２に示した工程Ｈ３）、離型剤Ｓの焼成（図２２に示した工程Ｈ４）、離型剤Ｓのリンス（図２２に示した工程Ｈ５）は、テンプレート処理装置３００の外部で行われる。そして、テンプレート処理装置３００では、テンプレートＴの離型剤Ｓ上にＲ１が供給され（図２２に示した工程Ｈ６）、離型剤Ｓ上にレジスト膜Ｒが形成される（図２２に示した工程Ｈ７）。その後、レジスト膜Ｒが形成されたテンプレートＴとウェハＷがインプリントユニット２１０に搬送される（図２２に示した工程Ｈ８）。続いて、インプリントユニット２１０において、テンプレートＴ上のレジスト膜ＲをウェハＷに押し付けた後、光源２４４からレジスト膜Ｒに光が照射され、当該ウェハＷ上のレジスト膜ＲにテンプレートＴの転写パターンＣが転写される（図２２に示した工程Ｈ９）。その後、ウェハＷ上にレジストパターンＰが形成される（図２２に示した工程Ｈ１０）。なお、これら工程Ｈ６〜Ｈ１０は、前記実施の形態と同様であるので詳細な説明を省略する。
【０１１０】
本実施の形態においても、テンプレート処理装置３００とインプリントシステム３１０は、前記実施の形態のテンプレート処理装置１とインプリントシステム２００と同様の効果をそれぞれ有している。また、本実施の形態によれば、離型剤Ｓの成膜処理を省略することができるので、テンプレート処理装置３００とインプリントシステム３１０における処理時間を短縮することもできる。
【０１１１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレート上に離型剤を成膜し、当該離型剤に所定の処理を行う際に有用であり、また当該テンプレートを用いて基板上に所定のパターンを形成する際に有用である。
【符号の説明】
【０１１３】
１ テンプレート処理装置
２ テンプレート搬入出ステーション
３ 処理ステーション
１２ テンプレート搬送体
２１ 前洗浄ユニット
２２ 離型剤塗布ユニット
２３ 加熱ユニット
２４ 温度調節ユニット
２５ リンスユニット
２６ レジスト塗布ユニット
２７ トランジションユニット
３０ 搬送用コロ
３０ａ 温度調節用コロ
５０ ケーシング
５２ 搬入出口
６１ 離型剤ノズル
７０ レジスト液ノズル
７１ スキージ
７２ レール
７３ アーム
７４ アーム駆動部
７５ 待機部
７６ レール
７７ アーム
７８ アーム駆動部
７９ 待機部
１００ 制御部
１０１ ローラ
１０２ ブラシ
１１０ スタンプユニット
１１１ レール
１１２ アーム
１１３ アーム駆動部
１１４ 位置検出用センサ
１２０ ホルダー
１２１ 収容部
２００ インプリントシステム
２１０ インプリントユニット
２１１ ウェハ搬入出ステーション
２４０ ケーシング
２４１ テンプレート保持部
２４２ チャック
２４３ 移動機構
２６０ ウェハ保持部
３００ テンプレート処理装置
３１０ インプリントシステム
Ａ 搬送ライン
Ｃ 転写パターン
Ｆ１、Ｆ２ フィルタ
Ｍ スタンプ
Ｐ レジストパターン
Ｒ レジスト膜
Ｒ１ レジスト液
Ｓ 離型剤
Ｔ テンプレート
Ｕ 窪み部
Ｗ ウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置であって、
前記テンプレートに所定の処理を行う処理ステーションと、
複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
前記処理ステーションは、
前記離型剤上に塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込む塗布液充填部と、を有することを特徴とする、テンプレート処理装置。
【請求項２】
前記処理ステーションは、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ブロックをさらに有することを特徴とする、請求項１に記載のテンプレート処理装置。
【請求項３】
前記塗布液充填部は、スキージであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項４】
前記塗布液充填部は、ローラであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項５】
前記塗布液充填部は、ブラシであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項６】
前記塗布液充填部の前記塗布液と接触する表面は、撥液処理されていることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項７】
前記離型剤上に塗布された塗布液の上面には、フィルタが配置され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項８】
前記離型剤上には前記塗布液が浸透可能なフィルタが配置され、
前記塗布液は、前記フィルタ上に供給され、
前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項９】
前記処理ステーションは、前記塗布液供給部と前記塗布液充填部に代えて、その表面に塗布液が塗布されたスタンプを有し、
前記転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、前記スタンプを前記転写パターンに押し当てることにより行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１０】
前記スタンプの表面は撥液処理されていることを特徴とする、請求項９に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１１】
複数の前記テンプレートは、一のホルダーに保持されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載のテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、
前記処理ステーションで処理された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、
複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴とする、インプリントシステム。
【請求項１３】
テンプレート処理装置を用いて、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理方法であって、
前記離型剤上に塗布液を塗布し、
前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことを特徴とする、テンプレート処理方法。
【請求項１４】
前記テンプレート処理装置において、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜することを特徴とする、請求項１３に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１５】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、スキージを用いて行うことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１６】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ローラを用いて行うことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１７】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ブラシを用いて行うことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれかに記載のテンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１】
テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理装置であって、
前記テンプレートに所定の処理を行う処理ステーションと、
複数の前記テンプレートを保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記テンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
前記処理ステーションは、
前記離型剤上に塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込む塗布液充填部と、を有することを特徴とする、テンプレート処理装置。
【請求項２】
前記処理ステーションは、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ブロックをさらに有することを特徴とする、請求項１に記載のテンプレート処理装置。
【請求項３】
前記塗布液充填部は、スキージであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項４】
前記塗布液充填部は、ローラであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項５】
前記塗布液充填部は、ブラシであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項６】
前記塗布液充填部の前記塗布液と接触する表面は、撥液処理されていることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項７】
前記離型剤上に塗布された塗布液の上面には、フィルタが配置され、前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項８】
前記離型剤上には前記塗布液が浸透可能なフィルタが配置され、
前記塗布液は、前記フィルタ上に供給され、
前記塗布液充填部は、前記フィルタを介して前記塗布液を前記窪み部に押し込むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項９】
前記処理ステーションは、前記塗布液供給部と前記塗布液充填部に代えて、その表面に塗布液が塗布されたスタンプを有し、
前記転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、前記スタンプを前記転写パターンに押し当てることにより行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１０】
前記スタンプの表面は撥液処理されていることを特徴とする、請求項９に記載のテンプレート処理装置。
【請求項１１】
複数の前記テンプレートは、一のホルダーに保持されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載のテンプレート処理装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載のテンプレート処理装置を備えたインプリントシステムであって、
前記処理ステーションで処理された前記テンプレートを用いて、前記転写パターンを基板上に形成される塗布膜に転写し、当該塗布膜に所定のパターンを形成するインプリントユニットと、
複数の前記基板を保有可能で、前記インプリントユニットに対して前記基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、を有することを特徴とする、インプリントシステム。
【請求項１３】
テンプレート処理装置を用いて、テンプレートの表面に転写パターンが形成され、当該表面に成膜された離型剤上に塗布膜を形成するテンプレート処理方法であって、
前記離型剤上に塗布液を塗布し、
前記離型剤上に塗布された塗布液を前記テンプレートの転写パターンの窪み部に押し込むことを特徴とする、テンプレート処理方法。
【請求項１４】
前記テンプレート処理装置において、前記テンプレートの表面に離型剤を成膜することを特徴とする、請求項１３に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１５】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、スキージを用いて行うことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１６】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ローラを用いて行うことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１７】
前記テンプレートの転写パターンの窪み部への前記塗布液の押し込みは、ブラシを用いて行うことを特徴とする、請求項１３又は１４に記載のテンプレート処理方法。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれかに記載のテンプレート処理方法をテンプレート処理装置によって実行させるために、当該テンプレート処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【公開番号】特開２０１１−２５２２０（Ｐ２０１１−２５２２０Ａ）
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２２９２０６（Ｐ２００９−２２９２０６）
【出願日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月１０日（２０１１．２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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