ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
【課題】解像性およびＭＥＦなどのリソグラフィー特性に優れるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素有機化合物（Ｄ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖に、２価の連結基で結合された環骨格中に−ＳＯ２−を含む環式基を有するエステル基を有する（メタ）アクリレート単位（ａ０）を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、エーテル性酸素原子、エステル基、カルボニル基、シアノ基、置換基を有していてもよいフェニル基、および含窒素複素環式基からなる群から選択される少なくとも１種を含むアミン（Ｄ１）を含有する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素有機化合物（Ｄ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、側鎖に、２価の連結基で結合された環骨格中に−ＳＯ２−を含む環式基を有するエステル基を有する（メタ）アクリレート単位（ａ０）を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、エーテル性酸素原子、エステル基、カルボニル基、シアノ基、置換基を有していてもよいフェニル基、および含窒素複素環式基からなる群から選択される少なくとも１種を含むアミン（Ｄ１）を含有する。
Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素有機化合物（Ｄ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、
前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、エーテル性酸素原子、エステル基、カルボニル基、シアノ基、置換基を有していてもよいフェニル基、および含窒素複素環式基からなる群から選択される少なくとも１種を含むアミン（Ｄ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式（ａ０−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ２は２価の連結基であり、Ｒ３はその環骨格中に−ＳＯ２−を含む環式基である。］
【請求項２】
前記アミン（Ｄ１）が、下記一般式（ｄ１−１）で表される第３級アミン、および環式アミンからなる群から選択される請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ｒ７〜Ｒ９は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ７〜Ｒ９のうちの少なくとも１つは、その構造中に、エーテル性酸素原子、エステル基、カルボニル基、シアノ基、置換基を有していてもよいフェニル基、および含窒素複素環式基からなる群から選択される少なくとも１種を含み、Ｒ７〜Ｒ９のうちのいずれか２つが相互に結合して、式中の窒素原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項３】
前記Ｒ３が、その環骨格中に−Ｏ−ＳＯ２−を含む環式基である請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記Ｒ３が、下記一般式（３−１）で表される環式基である請求項３に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
［式中、Ａ’は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり；ａは０〜２の整数であり；Ｒ６はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基である。］
【請求項５】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、および含窒素有機化合物（Ｄ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）を有し、かつ、その構造中に酸解離性溶解抑制基を含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、
前記含窒素有機化合物（Ｄ）が、エーテル性酸素原子、エステル基、カルボニル基、シアノ基、置換基を有していてもよいフェニル基、および含窒素複素環式基からなる群から選択される少なくとも１種を含むアミン（Ｄ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
［式（ａ０−１）中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基または炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ２は２価の連結基であり、Ｒ３はその環骨格中に−ＳＯ２−を含む環式基である。］
【請求項２】
前記アミン（Ｄ１）が、下記一般式（ｄ１−１）で表される第３級アミン、および環式アミンからなる群から選択される請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
［式中、Ｒ７〜Ｒ９は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Ｒ７〜Ｒ９のうちの少なくとも１つは、その構造中に、エーテル性酸素原子、エステル基、カルボニル基、シアノ基、置換基を有していてもよいフェニル基、および含窒素複素環式基からなる群から選択される少なくとも１種を含み、Ｒ７〜Ｒ９のうちのいずれか２つが相互に結合して、式中の窒素原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項３】
前記Ｒ３が、その環骨格中に−Ｏ−ＳＯ２−を含む環式基である請求項１または２に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記Ｒ３が、下記一般式（３−１）で表される環式基である請求項３に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
［式中、Ａ’は酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数１〜５のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり；ａは０〜２の整数であり；Ｒ６はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−ＣＯＯＲ”、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Ｒ”は水素原子またはアルキル基である。］
【請求項５】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する請求項１〜４のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。
【公開番号】特開２０１１−１１７９８７（Ｐ２０１１−１１７９８７Ａ）
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２５５１８３（Ｐ２００９−２５５１８３）
【出願日】平成２１年１１月６日（２００９．１１．６）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月６日（２００９．１１．６）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]