【課題】ディフェクトの発生が抑制されたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分と、酸発生剤成分と、一般式（Ｆ−１で表される構成単位（Ｆ−１）からなる含フッ素重合体（Ｆ１）、又は前記構成単位（Ｆ−１）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（Ｆ−２）及び一般式（Ｆ−３）で表される構成単位（Ｆ−３）からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位とを有する特定量の含フッ素共重合体（Ｆ２）とを含有するポジ型レジスト組成物。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）および含フッ素重合体成分（Ｆ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記含フッ素重合体成分（Ｆ）は、下記一般式（Ｆ−１）で表される構成単位（Ｆ−１）からなる含フッ素重合体（Ｆ１）、
又は前記構成単位（Ｆ−１）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（Ｆ−２）及び下記一般式（Ｆ−３）で表される構成単位（Ｆ−３）からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位とを有する含フッ素共重合体（Ｆ２）を含み、
前記含フッ素重合体成分（Ｆ）の含有量が、前記基材成分（Ａ）１００質量部に対して０．１〜２０質量部の範囲内であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒ^Ｃは水素原子又はメチル基である。Ｒ^１〜Ｒ^２はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基であり；Ｒ^３はフッ素原子又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基であり、Ｒ^４は炭素数１〜４の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基又は炭素数１〜４の直鎖状のフッ素化アルキル基である。］
【化２】

［式中、Ｒ^Ｃは水素原子又はメチル基であり、Ｚは単結合又は置換基を有していてもよい２価の連結基であり、ｒは０〜２の整数である。］
【請求項２】
前記構成単位（Ｆ−２）が、下記の一般式（Ｆ−２−１）及び一般式（Ｆ−２−２）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】

［式中、Ｒ^Ｃはそれぞれ独立して水素原子又はメチル基である。Ｒ^５はそれぞれ独立して炭素数１〜５のアルキル基であり、ｈ”は１〜４の整数である。］
【請求項３】
前記構成単位（Ｆ−３）が、下記の一般式（Ｆ−３−１）、一般式（Ｆ−３−２）及び一般式（Ｆ−３−３）で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位である請求項１又は２記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】

［式中、Ｒ^Ｃはそれぞれ独立して水素原子又はメチル基である。Ｒ^６〜Ｒ^７はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基であり；Ｒ^８はフッ素原子又は炭素数１〜４のフッ素化アルキル基であり、Ｒ^９〜Ｒ^１１はそれぞれ独立して炭素数１〜１２のアルキレン基であり、ｒは０〜２の整数である。］
【請求項４】
前記基材成分（Ａ）が、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）を有する高分子化合物（Ａ１）（ただし、前記含フッ素重合体成分（Ｆ）を除く。）を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）を有する請求項４記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記高分子化合物（Ａ１）が、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）を有する請求項４又は５記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
さらに、含窒素有機化合物成分（Ｄ）を含有する請求項１〜６のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
支持体上に、請求項１〜７のいずれか一項に記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程および前記レジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。

【図１】

【公開番号】特開２０１０−２７７０４３（Ｐ２０１０−２７７０４３Ａ）
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３２３１１（Ｐ２００９−１３２３１１）
【出願日】平成２１年６月１日（２００９．６．１）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】