メモリの寿命検出装置及び方法
【課題】メモリの寿命を検出する技術を提供する。
【解決手段】メモリにデータが保持されてからの経過時間を計り、前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出し、前記データをエラー無しで読み出せた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、前記メモリについて求めた第1のデータ保持時間を記憶部に記憶させておき、前記メモリについて前記第1のデータ保持時間以降に求めた第2のデータ保持時間を前記第1のデータ保持時間と比較して前記メモリの寿命を検出する。
【解決手段】メモリにデータが保持されてからの経過時間を計り、前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出し、前記データをエラー無しで読み出せた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、前記メモリについて求めた第1のデータ保持時間を記憶部に記憶させておき、前記メモリについて前記第1のデータ保持時間以降に求めた第2のデータ保持時間を前記第1のデータ保持時間と比較して前記メモリの寿命を検出する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
メモリの寿命を検出する技術に関する。
【背景技術】
【0002】
DRAM(Dynamic Random Access Memory)は揮発性メモリであり、メモリセルのコンデンサに情報を蓄える構造になっているため、一度セルにデータを書き込んだ後、時間が経つと、電荷がリークして情報が失われてしまう。そこで、一定の時間内に、書き込んだデータのリフレッシュを行っている。
【0003】
例えば、一般的に512Mbit DDR SDRAMが保証するデータ保持時間は64msであり、データを保持し続けるには32768本のROWラインに対して64ms以内にリフレッシュ動作を行う必要がある。
【0004】
その一方でDRAMなど半導体素子には通電寿命があり、通電時間の増加に随って機能特性が劣化し、いずれは保証規格値を満たせない状態となり、寿命となる。
【0005】
DRAMにおいては劣化する特性のひとつにデータ保持時間がある。DRAMの通電開始直後では、データ保持時間の保証規格値に対し十分なマージンがあるが、通電時間の増加に伴ってマージンが減少し、保証規格値を割った時点で寿命となる。
【0006】
また、本願発明に関連する先行技術として、例えば、下記の特許文献に開示される技術がある。
【特許文献1】特開平06−333387号公報
【特許文献2】特開2002−269979号公報
【特許文献3】特開2007−48347号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
DRAMが寿命となった際には交換作業が必要となるが、コンピュータシステム上でデータ不整合のエラーを検出してはじめて交換が必要であることが発覚するため、コンピュータシステムの信頼度が一時的に低下する。
【0008】
そのため、コンピュータシステム上でデータ不整合エラーが発生する前に、DRAMの寿命が近づいたことを検出し、コンピュータシステム管理者に通知を行う手段が望まれている。
【0009】
そこで、メモリの寿命を検出する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するため、本件の一形態であるメモリの寿命検出装置は、
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るタイマー部と、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出す読出制御部と、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する検出部と、を備えた。
【0011】
また、上記課題を解決するため、本件の一形態であるメモリの寿命検出方法は、
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、をコンピュータが実行する。
【0012】
更に、上記課題を解決するため、本件の一形態であるメモリの寿命検出プログラムは、
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【0013】
本件によれば、メモリの寿命を検出する技術を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
〈実施形態1〉
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【0015】
図1は、本実施形態に係るメモリの寿命検出装置を示す図、図2は寿命検出装置の機能ブロック図である。
【0016】
図1に示すように、寿命検出装置1は、主記憶部であるメモリモジュール14、中央演算装置であるCPU13を備えた情報処理装置(コンピュータ)である。本実施形態のメモリモジュール14は、DRAM141とSPD(Serial Presence Detect) ROM142を備えている。なお、メモリモジュール14における揮発性メモリはDRAMに限らず、通電時間に伴ってデータ保持時間が短くなる揮発性メモリであれば良い。
また、寿命検出装置1は、CPU13、メモリモジュール14等との間で高速に情報通信および制御を行うチップセット(North Bridge)11や、当該チップセッ
ト11と接続するチップセット(South Bridge)12を備える。チップセッ
ト11は、グラフィック回路を有し、当該グラフィック回路と接続した表示装置15にCPU13の処理結果等を表示させる。
【0017】
更に、寿命検出装置1は、リアルタイムクロックから取得した時刻に基づいて現在日時をカウントするシステムタイマー17や、USB対応機器またはPCIバス対応機器との接続を行うUSB/PCIインターフェイス18を備える。また、寿命検出装置1は、ネットワークボードとの接続を行い外部との通信を可能にする通信制御部、例えばLANインターフェイス16を備える。また、寿命検出装置1は、補助記憶装置10や、周辺機器に係る基本的な入出力を制御するプログラム群(BIOS)及び寿命検出プログラムを格納したBIOS ROM19を備える。
【0018】
本実施形態の補助記憶装置10は、チップセット12と接続した磁気記憶装置であり、オペレーティングシステム(OS)やアプリケーションソフトがインストールされている。
【0019】
CPU13は、BIOSやOS、寿命検出プログラム等のプログラムをBIOS RO
M19又は記憶部10から適宜読み出して実行し、USB/PCIインターフェイス18
や制御部(本実施形態ではLANインターフェイス16)等から入力された情報や、補助記憶装置10から読み出した情報を演算処理する。これにより、CPU13は、タイマー部21や、読出制御部22、寿命検出部23、警告部24、リフレッシュ指示部25、書込部26としても機能する。
【0020】
タイマー部21としてCPU13は、メモリモジュール14にデータが保持されてからの経過時間を計る。なお、本実施形態のメモリモジュール14は、DRAMであるため、メモリモジュール14にデータを書き込んだのち、周期的にデータをリフレッシュしている。また、データの読み取り時にも各セルの電荷を既定のレベルに戻している。このため、データが保持されてからの経過時間とは、最後にデータの書き込み、読み取り、或いはリフレッシュをしてからの経過時間である。
【0021】
読出制御部22としてCPU13は、読みだすアドレスと共に読み出しコマンドをメモリモジュール14に送り、メモリモジュール14の当該アドレスからデータを読み出す。また、読出制御部22は、メモリモジュール14の寿命を測定する場合、タイマー部21を参照して所定の経過時間にデータを読み出すように制御する。
【0022】
寿命検出部23としてCPU13は、読み出したデータのエラーの有無及び経過時間に基づいてメモリモジュール14の寿命を検出する。なお、本実施形態においてエラーの有無は、書き込んだデータと読み出したデータとを比較し、一致すればエラー無し、一致しなければエラー有りとしている。また、エラーの有無は、これに限らず、測定するメモリセルの行に、データをチェックビットと共に書き込み、データとチェックビットとが整合すればエラー無し、整合しなければエラー有りとしても良い。
【0023】
警告部24としてCPU13は、寿命が近づいた場合や寿命に達した場合に警告メッセージを所定の出力先に警告メッセージを出力する。本実施形態において、所定の出力先とは、例えば表示装置15、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は補助記憶装置10である。
【0024】
リフレッシュ指示部25としてCPU13は、周期的にメモリモジュール14へリフレッシュ指示を送り、リフレッシュ動作を行わせる。
【0025】
書込部26としてCPU13は、メモリモジュール14へデータと共に書き込みコマンドを送り、データの書き込みを行う。
【0026】
本実施形態の寿命検出装置1は、CPU13が寿命検出プログラムを実行して上記各部21〜26の機能をソフトウェア的に実現する装置であるが、これに限らず寿命検出装置1は、タイマー部21や、読出制御部22、寿命検出部23、警告部24、リフレッシュ指示部25、書込部26として設計された電子回路(ハードウェア)から構成された電子機器であっても良い。
【0027】
図3は、メモリモジュール14の概略図である。メモリモジュール14は、データを記憶するDRAM141と、メモリモジュール固有の情報を記憶したSPD ROM142
を備えている。DRAM141はセルをマトリクス状に配列したセルアレイ141Aや、データの読み書きを制御するメモリ制御部141Bを備えている。SPD ROM142はセルをマトリクス状に配列したセルアレイ142Aや、データの読み書きを制御するメモリ制御部142Bを備えている。
【0028】
書込部26からデータ及びデータを書き込むコマンドがメモリモジュール14へ送られると、DRAM141のメモリ制御部141Bがコマンドに含まれるアドレスに応じ、セ
ルアレイ141Aのセルを選択してデータを記憶させる。
【0029】
また、読出制御部22からデータを読み出すコマンドがメモリモジュール14へ送られると、DRAM141のメモリ制御部141Bがコマンドに含まれるアドレスに応じてセルアレイ141Aのセルを選択し、読み出したデータをCPU13へ送る。
【0030】
更に、リフレッシュ指示部25からリフレッシュ指示がメモリモジュール14へ送られると、DRAM141のメモリ制御部141Bのリフレッシュ回路104がリフレッシュ動作を行う。
【0031】
次に本実施形態の寿命検出装置1が寿命検出プログラムに従って行う寿命検出方法について説明する。
【0032】
図4は、本実施形態の寿命検出装置が寿命検出プログラムに従って実行する寿命検出方法の説明図である。
【0033】
寿命検出装置1の電源が投入されると、CPU13はBIOS ROM19からBIO
Sを読み出し(S1)、メモリモジュール14を初期化する(S2)。
【0034】
次にCPU13は、所定の記憶部から初期のデータ保持時間(Initial Retention Time)を読み出す(S3)。なお、当該記憶部は、BIOS ROM19、SPD ROM142、磁気記憶装置10、USBメモリやメモリカード等のフラッシュメモリ(不図示)などであっても良い。本実施形態では、BIOS ROM19に記憶している。
【0035】
そしてCPU13は、初期のデータ保持時間を変数Mに代入し(S4)、変数Mが0か否かによって、初期のデータ保持時間が登録済みか否かを判断する(S5)。即ち、変数Mが0であれば(S5,Yes)、S6へ移行して初期のデータ保持時間の登録処理を行い、変数Mが0でなければ(S5,No)、S7へ移行して寿命の検出処理を行う。
そして、初期のデータ保持時間の登録処理(S6)や寿命の測定処理(S7)が完了すると、CPU13はOSを起動する。
【0036】
図5は初期のデータ保持時間の登録処理(S6)を示す図である。
S5で変数Mが0であった場合、カウンタ部21は、リフレッシュ間隔tRを計るリフレッシュタイマーを開始する。また、リフレッシュ指示部25は、メモリモジュール14中のリフレッシュするセルの行を示す値(RR: Refresh Row)をリセットして初期値に戻
す(S601)。
【0037】
そして、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ間隔tRに達した行のリフレッシュを行う(S602)。本実施形態において、メモリモジュール14は主記憶装置であるため、測定する行以外にもCPU13が使用するデータが記憶されているので、リフレッシュ指示部25は、メモリモジュール14の測定行MR以外の行を周期的にリフレッシュする。なお、リフレッシュ動作の詳細については後述する。
【0038】
次に、書込部26は、データDをメモリモジュール14に書き込む。また、タイマー部21は、経過時間tMを計るメジャーメントタイマーを開始する(S603)。
【0039】
また、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ間隔tRに達した行のリフレッシュを行う(S604)。
【0040】
読出制御部22は、経過時間tMが所定時間Wに達したか否かを判定し(S605)、
所定時間Wに達していなければ(S605,No)S604に戻り、所定時間Wに達していれば(S605,Yes)データDの読み取りを行う(S606)。
【0041】
そして、寿命検出部23は、S603で書き込んだ値とS606で読み取った値を比較し(S607)、一致した場合には(S607,pass)所定の経過時間Wを増加させてS63に戻る。即ち、本実施形態では、所定の経過時間Wとして最低限必要な時間を設定しておき、この時間が経過しても正しく読み取れるのならば、所定の増分Xを加えて比較を繰り返す。
【0042】
そして、S607で値が一致しなかった場合、リフレッシュ(S608)の後、寿命検出部23は経過時間Wから増分Xを減じて初期のデータ保持時間を求める(S609)。また、リフレッシュ(S610)の後、寿命検出部23は、初期のデータ保持時間と測定日をBIOS ROM19に記憶させ(S611)、図4のS8へ戻る。
【0043】
図6は寿命の検出処理(S7)を示す図である。
S5で変数Mが0でなかった場合、カウンタ部21は、リフレッシュ間隔tRを計るリフレッシュタイマーを開始する。また、リフレッシュ指示部25は、メモリモジュール14中のリフレッシュするセルの行を示す値(RR: Refresh Row)をリセットして初期値に
戻す(S701)。
【0044】
リフレッシュ(S702)の後、書込部26は、データDをメモリモジュール14に書き込む。また、タイマー部21は、経過時間tMを計るメジャーメントタイマーを開始する(S703)。
【0045】
そして、リフレッシュ(S704)の後、読出制御部22は、経過時間tMが、初期のデータ保持時間Mから閾値(時間)Zを減じた基準時間M−Zに達したか否かを判定し(S705)、基準時間M−Zに達していなければ(S705,No)S704に戻り、基準時間M−Zに達していれば(S705,Yes)データDの読み取りを行う(S706)。
【0046】
そして、寿命検出部23は、S703で書き込んだ値とS706で読み取った値を比較し(S707)、一致した場合には(S707,pass)寿命に達していないことを検出し、S8へ移行する。
【0047】
一方、S707で値が一致しなかった場合、寿命検出部23が寿命に達したことを検出し、これに応じて警告部24が警告メッセージを出力する(708)。
【0048】
図7はS602,604,608,610,702,704のリフレッシュ処理を示す説明図である。
【0049】
リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ間隔tRが所定の値tRIに達したか否かを判定し(S21)、達していなければリフレッシュの必要がないので図7のリフレッシュ処理を抜けて図5又は図6の処理に戻る。
【0050】
一方、リフレッシュ間隔tRが所定の値tRIに達した場合、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ対象の行が測定対象の行と同じか否かを判定し(S22)、同じでなければ(S22,No)、リフレッシュ指示を行う(S23)。
【0051】
リフレッシュ指示後、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ対象の行を示す値RRを1増加させ(S24)、リフレッシュ対象の行が最終行に達したか否かを判定する(S
25)。
【0052】
リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ対象の行が最終行に達したと判定した場合(S25,Yes)、リフレッシュタイマーのリフレッシュ間隔tRとリフレッシュ対象の行RRをリセットして初期値に戻す(S26)。また、リフレッシュ対象の行が最終行に達していないと判定した場合(S25,No)、リフレッシュ指示部25はリセットせずに図7のリフレッシュ処理を抜けて図5又は図6の処理に戻る。
【0053】
また、S22において、リフレッシュ対象の行が測定対象の行と同じ場合、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュを禁止し、リフレッシュ処理を抜ける(S22,Yes)。即ち、寿命検出部23が所定の経過時間に達するのを待っている測定対象の行まで、周期的にリフレッシュしてはデータ保持時間が測定できないので、測定対象の行を避けてリフレッシュを行っている。
【0054】
図8は、リフレッシュ指示を受けたメモリモジュール14のDRAM141のメモリ制御部141Bによるリフレッシュ動作の説明図である。
【0055】
メモリ制御部141Bは、リフレッシュ対象の行RRをアクティベイトし、時間tの計測を開始する(S31)。
【0056】
メモリ制御部141Bは、アクティベイトから読み取りが可能になるまでの規定時間tRCDを待って(S32)、リフレッシュ対象の行RRのデータを読み取る(S33)。
【0057】
そしてメモリ制御部141Bは、アクティベイトからプリチャージが可能になるまでの規定時間tRASを待って(S34)プリチャージを行う(S35)。
【0058】
また、メモリ制御部141Bは、プリチャージから次の動作が可能になるまでの規定時間tRPを待って(S36)リフレッシュ動作を終える。
【0059】
図9は、リフレッシュ動作の他の例を示す説明図である。メモリ制御部141Bによるリフレッシュ動作は、図8に代えて図9に示す処理でもよい。
【0060】
メモリ制御部141Bは、リフレッシュ対象の行RRをアクティベイトし、時間tの計測を開始する(S41)。
【0061】
メモリ制御部141Bは、アクティベイトから読み取りが可能になるまでの規定時間tRCDを待って(S42)、リフレッシュ対象の行RRのデータを読み取りとオートプリチャージを行う(S43)。
【0062】
そして、メモリ制御部141Bは、アクティベイトから次の行のアクティベイトが可能になるまでの規定時間tRCを待って(S44)リフレッシュ動作を終える。
【0063】
更に図10は、リフレッシュ動作の他の例を示す説明図である。メモリ制御部141Bによるリフレッシュ動作は、図8に代えて図10に示す処理でもよい。
【0064】
メモリ制御部141Bは、リフレッシュ対象の行RRをアクティベイトする(S51)。
【0065】
メモリ制御部141Bは、アクティベイトからプリチャージが可能になるまでの規定時間tRASを待って(S52)プリチャージを行う(S53)。
【0066】
そして、メモリ制御部141Bは、プリチャージから次の動作が可能になるまでの規定時間tRPを待って(S54)リフレッシュ動作を終える。
【0067】
図11は、警告部24が警告メッセージを表示装置15に出力する場合の説明図である。
【0068】
図6のS708で寿命検出部23から寿命に達した旨の通知を受けると、警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが寿命に達しました、交換してから起動してください。」のように警告メッセージをBIOS ROM19から読み出し、表示命令を生成す
る(S61)。
【0069】
そして、警告部24は、チップセット11に送り、表示装置15に表示させる(S62)。
【0070】
図12は、警告部24が警告メッセージを所定のIPアドレス宛てに出力する場合の説明図である。
【0071】
図6のS708で寿命検出部23から寿命に達した旨の通知を受けると、警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが寿命に達しました、交換してから起動してください。」のように警告メッセージをBIOS ROM19から読み出し、送信命令を生成す
る(S71)。
【0072】
そして、警告部24は、所定のIPアドレスをBIOS ROM19から読み取り(S
71)、チップセット12に送り、LANインターフェイス16を介して所定のIPアドレス宛てに警告メッセージを送信する(S72)。
【0073】
図13は、警告部24が警告メッセージを所定のメールアドレス宛てに出力する場合の説明図である。
【0074】
図6のS708で寿命検出部23から寿命に達した旨の通知を受けると、警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが寿命に達しました、交換してから起動してください。」のように警告メッセージをBIOS ROM19から読み出し、送信命令を生成す
る(S81)。
【0075】
そして、警告部24は、所定の送信先メールアドレスや送信サーバの情報、送信者の情報をBIOS ROM19から読み取り(S82)、送信を開始するためのコマンドを送
信サーバに送る(S83)。また、警告部24は、サーバの準備が完了した場合(S84,Yes)、HELOコマンドをサーバに送信し(S85)、正常に処理された場合(S86)、送信者情報をサーバに送信する(S87)。
【0076】
送信者情報が正常に処理された場合(S88,Yes)、警告部24は、送信先アドレスをサーバに送信し(S89)、正常に処理された場合(S90,Yes)、データ送信を開始する旨のコマンドをサーバに送信する(S91)。サーバからデータの送信開始を指示された場合(S92,Yes)、警告部24は、警告メッセージを送信し(S93)、正常に処理された場合(S94,Yes)、終了する旨のコマンドを送信して終了する(S95)。
【0077】
なお、上記図4−図13に示した寿命検出方法は、起動時に実行するように示したが、これに限らず、終了時や、ユーザによる測定の指示が入力された場合など、起動時以外に
実行しても良い。
【0078】
また、初期のデータ保持時間を予め測定して設定しておき、図4のS5,S6を省略してS4の後、S7の寿命測定を行っても良い。
【0079】
更に、図5,図6では、メモリモジュール14の測定対象の行に対する処理の合間に、測定対象以外の行のリフレッシュ処理S602,604,608,610,702,704を行ったが、これに限らず、測定対象の行に対する処理とは別のループでリフレッシュ間隔を計時し、所定の周期で割り込みを発生させて図7のリフレッシュ処理を行っても良い。
【0080】
上述のように本実施形態1では、図6に示したように、DRAMであるメモリモジュール14の寿命を検出できる。なお、寿命に達した場合、図6に示すように、OSを起動しないので情報処理装置(寿命検出装置)1の信頼性が保たれる。
【0081】
また、本実施形態1では、データ保持時間を求め、当該データ保持時間に基づいて寿命を検出するので、メモリモジュール14の通電時間の増加に伴うデータ保持時間の低下に基づいて寿命に達したことを検出できる。
【0082】
更に、本実施形態1では、図11−13に示すように警告部24が警告メッセージを出力するので、任意の手法でユーザに警告できる。
【0083】
〈実施形態2〉
図14,図15は、実施形態2の寿命を予測する方法の説明図である。実施形態1では寿命に達したか否かを検出したが、本実施形態2は、あとどれくらいで寿命に達するかを検出した点が異なっている。なお、他の構成は実施形態1とほぼ同じであるので、同じ要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略している。
【0084】
本実施形態2では、寿命検出装置1の起動時や終了時等、所定の測定タイミングに達した場合や、ユーザによる測定の指示が入力された場合、寿命検出部23は、図14に示す処理を開始する。まず、寿命検出部23は、BIOSROM19から初期のデータ保持時間(第1のデータ保持時間)Mと当該データ保持時間の測定日を読み出すと共に、現在の日付をシステムタイマー17から取得する(S101)。
【0085】
寿命検出部23は、初期のデータ保持時間を変数Mに、測定日を変数Nに、現在の日付を変数Yにそれぞれ代入する。また、経過時間Pの初期値を初期のデータ保持時間Mを同じにする(S102)。
【0086】
次に書込部26は、メモリモジュール14にデータを書き込む(S103)。
そして、読取制御部22は、経過時間Pを待ってメモリモジュール14からデータを読み出す(S104,105)。
【0087】
寿命検出部23は、S103で書き込んだデータとS105で読み出したデータとを比較し(S106)、一致しなければ経過時間Pから所定の短縮分Xを減じてS103へ戻る。
【0088】
寿命検出部23は、S103でデータが一致するまでS103−S107を繰り返し、一致した場合、経過時間Pを現在のデータ保持時間(第2のデータ保持時間)とし、初期のデータ保持時間Mから現在のデータ保持時間Pを減算して差分dRを求める。また、寿命検出部23は、現在の日付Yから測定日Nを減算して測定期間dTを求める(S108
)。
【0089】
そして、寿命検出部23は、差分dRと測定期間dTとに基づいてデータ保持時間の低下率DRを求め、当該低下率DRから寿命を算出する。具体的には、寿命検出部23が、差分dRを測定期間dTで除して、経過日数に対するデータ保持時間の低下率DR、即ち、図15に示すグラフの傾斜を求める。そして寿命検出部23は、データの保持が可能な下限となるデータ保持時間を現在のデータ保持時間Pから減じて差分を求め、当該差分を低下率DRで除して寿命に達するまでの日数Eを予測する(S109)。
【0090】
警告部24は、S109で予測した日数Eを含めた警告メッセージを出力する。例えば警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが、あとE日で寿命に達するかもしれません。」「このコンピュータのメインメモリの寿命は、およそY+Eです。」のように警告メッセージを生成し、図11−図13と同様に表示装置15や、所定のIPアドレス、所定のメールアドレスに対して出力する(S110)。
【0091】
なお、図14では測定対象の行以外のリフレッシュ処理を省略して示したが、図6と同様にメモリモジュール14の測定対象の行に対するステップの間で図7に示すリフレッシュ処理を行っても良いし、周期的にリフレッシュ処理を行っても良い。
【0092】
以上のように本実施形態2によれば、第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時
間との差及び測定期間からデータ保持時間の低下率を求め、該低下率に基づいて寿命までの日数を求めることができる。
【0093】
〈実施形態3〉
図16は、実施形態3の寿命を予測して測定間隔を変更する方法の説明図である。本実施形態3では、所定のタイミングで周期的に前記実施形態2の寿命検出を行い、検出した寿命に基づいて近づくにつれて検出するタイミングを変更する。なお、他の構成は実施形態2とほぼ同じであるので、同じ要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略している。
【0094】
寿命検出装置1の電源が投入されると、CPU13はBIOS ROM19からBIO
Sを読み出し(S121)、メモリモジュール14を初期化する(S122)。
【0095】
次にCPU13は、所定の記憶部から最新の測定日、現在日付、所定の測定間隔を読み出す(S123)。なお、当該記憶部は、BIOS ROM19、SPD ROM142、磁気記憶装置10、USBメモリやメモリカード等のフラッシュメモリ(不図示)などであっても良い。本実施形態では、BIOS ROM19に記憶している。
【0096】
そしてCPU13は、最新の測定日を変数Qに、現在日付を変数Yに、測定間隔を変数Iに代入し(S124)、最新の測定日Qから現在日付Yまでの経過日数Y−Qが、所定の測定間隔Iに達したか否かを判定する(S125)。
【0097】
CPU13は、経過日数Y−Qが所定の測定間隔Iに達していない場合、寿命検出処理を行わずに処理を終了し(S125,No)、経過日数Y−Qが所定の測定間隔Iに達した場合(S125,Yes)、寿命検出処理を行う(S126)。寿命検出処理S126は、図14に示した処理と同じであり、寿命に達するまでの日数Eを求める。
【0098】
そして、CPU13は検出した寿命に基づき寿命が近ければ測定間隔Iを短く変更する。例えば、CPU13は、寿命に達するまでの日付Eが閾値R未満か否かを判定し(S127)、閾値R未満でない場合(S127,No)処理を終了し、閾値R未満の場合(S
127,Yes)測定間隔Iを変更する(S128)。本実施形態3では、測定間隔Iを半分に変更している。なお、変更量は半分に限らず任意に設定して良い。また、S128において、測定間隔Iと共に閾値Rを変更しても良い。例えば、閾値Rが200のときに経過日数Y−Qが閾値Rを上回った場合、CPU13は、測定間隔Iを変更すると共に閾値Rを半分にする。
【0099】
本実施形態3によれば、所定の測定間隔Iで周期的に寿命の検出を行い、寿命に近づくに伴って短い間隔で寿命の検出を行うので、寿命の警告を適切に出力できる。
【0100】
〈その他〉
本発明は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば、以下に付記した構成であっても良い。これらの構成要素は可能な限り組み合わせることができる。
【0101】
(付記1)
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るタイマー部と、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出す読出制御部と、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する検出部と、
を備えた寿命検出装置。
【0102】
(付記2)
前記検出部が、前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する付記1に記載の寿命検出装置。
【0103】
(付記3)
前記メモリについて求めたデータ保持時間を記憶部に記憶させ、前記読出制御部が、前記記憶部に記憶させたデータ保持時間から所定の閾値を減じた時間を前記所定値として、前記経過時間が当該所定値に達した場合にデータの読み出しを行い、当該データにエラーがあった場合に前記検出部が寿命に達したことを検出する付記2に記載の寿命検出装置。
【0104】
(付記4)
前記記憶部が、BIOSを記憶したBIOS ROM、メモリモジュール上のSPD ROM、磁気記憶装置、又はフラッシュメモリである付記3に記載の寿命検出装置。
【0105】
(付記5)
前記検出部が寿命を検出した場合に警告メッセージを出力する警告部を備えた付記2から4の何れか1項に記載の寿命検出装置。
【0106】
(付記6)
前記警告部による警告メッセージの出力先が、表示装置、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は記憶部である付記5に記載の寿命検出装置。
【0107】
(付記7)
前記検出部が、第1のデータ保持時間を求め、該第1のデータ保持時間を求めてから測定期間を隔てて第2のデータ保持時間を求め、前記測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時間との差及び前記測定期間に基づきデータ保持時間の
低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する付記2から6の何れか1項に記載の寿命検出装置。
【0108】
(付記8)
前記検出部が、前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する付記7に記載の寿命検出装置。
【0109】
(付記9)
前記メモリのデータをリフレッシュするリフレッシュ部を更に備え、
前記読出制御部が、前記寿命の検出のために前記データの読み出しを所定の経過時間まで待っている場合、前記リフレッシュ部によるリフレッシュを禁止する付記1から8の何れか1項に記載の寿命検出装置。
【0110】
(付記10)
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータが実行する寿命検出方法。
【0111】
(付記11)
前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する付記10に記載の寿命検出方法。
【0112】
(付記12)
前記メモリについて求めたデータ保持時間を記憶部に記憶させ、前記記憶部に記憶させたデータ保持時間から所定の閾値を減じた時間を前記所定値とし、前記経過時間が当該所定値に達した場合にデータの読み出しを行い、当該データにエラーがあった場合に寿命に達したことを検出する付記11に記載の寿命検出方法。
【0113】
(付記13)
前記記憶部が、BIOSを記憶したBIOS ROM、メモリモジュール上のSPD ROM、磁気記憶装置、又はフラッシュメモリである付記12に記載の寿命検出方法。
【0114】
(付記14)
前記寿命を検出した場合に警告メッセージを出力するステップを備えた付記11から13の何れか1項に記載の寿命検出方法。
【0115】
(付記15)
前記警告メッセージの出力先が、表示装置、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は記憶媒体である付記14に記載の寿命検出方法。
【0116】
(付記16)
第1のデータ保持時間を求め、該第1のデータ保持時間を求めてから測定期間を隔てて第2のデータ保持時間を求め、前記測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時間との差及び前記測定期間に基づきデータ保持時間の低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する付記11から15の何れか1項に記載の寿命検出方法。
【0117】
(付記17)
前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する付記16に記載の寿命検出方法。
【0118】
(付記18)
前記メモリのデータをリフレッシュするステップを更に備え、
前記寿命の検出のために前記データの読み出しを所定の経過時間まで待っている場合、前記リフレッシュ部によるリフレッシュを禁止する付記10から17の何れか1項に記載の寿命検出方法。
【0119】
(付記19)
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータに実行させる寿命検出プログラム。
【0120】
(付記20)
前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する付記19に記載の寿命検出プログラム。
【0121】
(付記21)
前記メモリについて求めたデータ保持時間を記憶部に記憶させ、前記記憶部に記憶させたデータ保持時間から所定の閾値を減じた時間を前記所定値とし、前記経過時間が当該所定値に達した場合にデータの読み出しを行い、当該データにエラーがあった場合に寿命に達したことを検出する付記20に記載の寿命検出プログラム。
【0122】
(付記22)
前記記憶部が、BIOSを記憶したBIOS ROM、メモリモジュール上のSPD ROM、磁気記憶装置、又はフラッシュメモリである付記21に記載の寿命検出プログラム。
【0123】
(付記23)
前記寿命を検出した場合に警告メッセージを出力するステップを備えた付記19から22の何れか1項に記載の寿命検出プログラム。
【0124】
(付記24)
前記警告メッセージの出力先が、表示装置、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は記憶媒体である付記23に記載の寿命検出プログラム。
【0125】
(付記25)
第1のデータ保持時間を求め、該第1のデータ保持時間を求めてから測定期間を隔てて第2のデータ保持時間を求め、前記測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時間との差及び前記測定期間に基づきデータ保持時間の低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する付記20から24の何れか1項に記載の寿命検出プログラム。
【0126】
(付記26)
前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する付記25に記載の寿命検出プログラム。
【0127】
(付記27)
前記メモリのデータをリフレッシュするステップを更に備え、
前記寿命の検出のために前記データの読み出しを所定の経過時間まで待っている場合、前記リフレッシュ部によるリフレッシュを禁止する付記19から26の何れか1項に記載の寿命検出プログラム。
【0128】
また、上記プログラムをコンピュータが読み取り可能な記録媒体に記録しても良い。コンピュータに、この記録媒体のプログラムを読み込ませて実行させることにより、その機能を提供させることができる。
【0129】
ここで、コンピュータが読み取り可能な記録媒体とは、データやプログラム等の情報を電気的、磁気的、光学的、機械的、または化学的作用によって蓄積し、コンピュータから読み取ることができる記録媒体をいう。このような記録媒体の内コンピュータから取り外し可能なものとしては、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R/W、DVD、DAT、8mmテープ、メモリカード等がある。
【図面の簡単な説明】
【0130】
【図1】寿命検出装置の概略図
【図2】寿命検出装置の機能ブロック図
【図3】メモリモジュールの概略図
【図4】寿命検出方法の説明図
【図5】初期のデータ保持時間の登録処理を示す図
【図6】寿命の検出処理を示す図
【図7】リフレッシュ処理の説明図
【図8】メモリ制御部におけるリフレッシュ動作の説明図
【図9】リフレッシュ動作の他の例を示す説明図
【図10】リフレッシュ動作の他の例を示す説明図
【図11】警告メッセージを表示装置に出力する場合の説明図
【図12】警告メッセージを所定のIPアドレス宛てに出力する場合の説明図
【図13】警告メッセージを所定のメールアドレス宛てに出力する場合の説明図
【図14】実施形態2の寿命検出方法の説明図
【図15】実施形態2の寿命を予測する方法の説明図
【図16】実施形態3の測定間隔を変更する方法の説明図
【符号の説明】
【0131】
1 寿命検出装置
14 メモリモジュール
13 CPU
11,12 チップセット
15 表示装置
21 タイマー部
22 読出制御部
23 寿命検出部
24 警告部
25 リフレッシュ指示部
26 書込部
【技術分野】
【0001】
メモリの寿命を検出する技術に関する。
【背景技術】
【0002】
DRAM(Dynamic Random Access Memory)は揮発性メモリであり、メモリセルのコンデンサに情報を蓄える構造になっているため、一度セルにデータを書き込んだ後、時間が経つと、電荷がリークして情報が失われてしまう。そこで、一定の時間内に、書き込んだデータのリフレッシュを行っている。
【0003】
例えば、一般的に512Mbit DDR SDRAMが保証するデータ保持時間は64msであり、データを保持し続けるには32768本のROWラインに対して64ms以内にリフレッシュ動作を行う必要がある。
【0004】
その一方でDRAMなど半導体素子には通電寿命があり、通電時間の増加に随って機能特性が劣化し、いずれは保証規格値を満たせない状態となり、寿命となる。
【0005】
DRAMにおいては劣化する特性のひとつにデータ保持時間がある。DRAMの通電開始直後では、データ保持時間の保証規格値に対し十分なマージンがあるが、通電時間の増加に伴ってマージンが減少し、保証規格値を割った時点で寿命となる。
【0006】
また、本願発明に関連する先行技術として、例えば、下記の特許文献に開示される技術がある。
【特許文献1】特開平06−333387号公報
【特許文献2】特開2002−269979号公報
【特許文献3】特開2007−48347号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
DRAMが寿命となった際には交換作業が必要となるが、コンピュータシステム上でデータ不整合のエラーを検出してはじめて交換が必要であることが発覚するため、コンピュータシステムの信頼度が一時的に低下する。
【0008】
そのため、コンピュータシステム上でデータ不整合エラーが発生する前に、DRAMの寿命が近づいたことを検出し、コンピュータシステム管理者に通知を行う手段が望まれている。
【0009】
そこで、メモリの寿命を検出する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題を解決するため、本件の一形態であるメモリの寿命検出装置は、
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るタイマー部と、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出す読出制御部と、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する検出部と、を備えた。
【0011】
また、上記課題を解決するため、本件の一形態であるメモリの寿命検出方法は、
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、をコンピュータが実行する。
【0012】
更に、上記課題を解決するため、本件の一形態であるメモリの寿命検出プログラムは、
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【0013】
本件によれば、メモリの寿命を検出する技術を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
〈実施形態1〉
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【0015】
図1は、本実施形態に係るメモリの寿命検出装置を示す図、図2は寿命検出装置の機能ブロック図である。
【0016】
図1に示すように、寿命検出装置1は、主記憶部であるメモリモジュール14、中央演算装置であるCPU13を備えた情報処理装置(コンピュータ)である。本実施形態のメモリモジュール14は、DRAM141とSPD(Serial Presence Detect) ROM142を備えている。なお、メモリモジュール14における揮発性メモリはDRAMに限らず、通電時間に伴ってデータ保持時間が短くなる揮発性メモリであれば良い。
また、寿命検出装置1は、CPU13、メモリモジュール14等との間で高速に情報通信および制御を行うチップセット(North Bridge)11や、当該チップセッ
ト11と接続するチップセット(South Bridge)12を備える。チップセッ
ト11は、グラフィック回路を有し、当該グラフィック回路と接続した表示装置15にCPU13の処理結果等を表示させる。
【0017】
更に、寿命検出装置1は、リアルタイムクロックから取得した時刻に基づいて現在日時をカウントするシステムタイマー17や、USB対応機器またはPCIバス対応機器との接続を行うUSB/PCIインターフェイス18を備える。また、寿命検出装置1は、ネットワークボードとの接続を行い外部との通信を可能にする通信制御部、例えばLANインターフェイス16を備える。また、寿命検出装置1は、補助記憶装置10や、周辺機器に係る基本的な入出力を制御するプログラム群(BIOS)及び寿命検出プログラムを格納したBIOS ROM19を備える。
【0018】
本実施形態の補助記憶装置10は、チップセット12と接続した磁気記憶装置であり、オペレーティングシステム(OS)やアプリケーションソフトがインストールされている。
【0019】
CPU13は、BIOSやOS、寿命検出プログラム等のプログラムをBIOS RO
M19又は記憶部10から適宜読み出して実行し、USB/PCIインターフェイス18
や制御部(本実施形態ではLANインターフェイス16)等から入力された情報や、補助記憶装置10から読み出した情報を演算処理する。これにより、CPU13は、タイマー部21や、読出制御部22、寿命検出部23、警告部24、リフレッシュ指示部25、書込部26としても機能する。
【0020】
タイマー部21としてCPU13は、メモリモジュール14にデータが保持されてからの経過時間を計る。なお、本実施形態のメモリモジュール14は、DRAMであるため、メモリモジュール14にデータを書き込んだのち、周期的にデータをリフレッシュしている。また、データの読み取り時にも各セルの電荷を既定のレベルに戻している。このため、データが保持されてからの経過時間とは、最後にデータの書き込み、読み取り、或いはリフレッシュをしてからの経過時間である。
【0021】
読出制御部22としてCPU13は、読みだすアドレスと共に読み出しコマンドをメモリモジュール14に送り、メモリモジュール14の当該アドレスからデータを読み出す。また、読出制御部22は、メモリモジュール14の寿命を測定する場合、タイマー部21を参照して所定の経過時間にデータを読み出すように制御する。
【0022】
寿命検出部23としてCPU13は、読み出したデータのエラーの有無及び経過時間に基づいてメモリモジュール14の寿命を検出する。なお、本実施形態においてエラーの有無は、書き込んだデータと読み出したデータとを比較し、一致すればエラー無し、一致しなければエラー有りとしている。また、エラーの有無は、これに限らず、測定するメモリセルの行に、データをチェックビットと共に書き込み、データとチェックビットとが整合すればエラー無し、整合しなければエラー有りとしても良い。
【0023】
警告部24としてCPU13は、寿命が近づいた場合や寿命に達した場合に警告メッセージを所定の出力先に警告メッセージを出力する。本実施形態において、所定の出力先とは、例えば表示装置15、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は補助記憶装置10である。
【0024】
リフレッシュ指示部25としてCPU13は、周期的にメモリモジュール14へリフレッシュ指示を送り、リフレッシュ動作を行わせる。
【0025】
書込部26としてCPU13は、メモリモジュール14へデータと共に書き込みコマンドを送り、データの書き込みを行う。
【0026】
本実施形態の寿命検出装置1は、CPU13が寿命検出プログラムを実行して上記各部21〜26の機能をソフトウェア的に実現する装置であるが、これに限らず寿命検出装置1は、タイマー部21や、読出制御部22、寿命検出部23、警告部24、リフレッシュ指示部25、書込部26として設計された電子回路(ハードウェア)から構成された電子機器であっても良い。
【0027】
図3は、メモリモジュール14の概略図である。メモリモジュール14は、データを記憶するDRAM141と、メモリモジュール固有の情報を記憶したSPD ROM142
を備えている。DRAM141はセルをマトリクス状に配列したセルアレイ141Aや、データの読み書きを制御するメモリ制御部141Bを備えている。SPD ROM142はセルをマトリクス状に配列したセルアレイ142Aや、データの読み書きを制御するメモリ制御部142Bを備えている。
【0028】
書込部26からデータ及びデータを書き込むコマンドがメモリモジュール14へ送られると、DRAM141のメモリ制御部141Bがコマンドに含まれるアドレスに応じ、セ
ルアレイ141Aのセルを選択してデータを記憶させる。
【0029】
また、読出制御部22からデータを読み出すコマンドがメモリモジュール14へ送られると、DRAM141のメモリ制御部141Bがコマンドに含まれるアドレスに応じてセルアレイ141Aのセルを選択し、読み出したデータをCPU13へ送る。
【0030】
更に、リフレッシュ指示部25からリフレッシュ指示がメモリモジュール14へ送られると、DRAM141のメモリ制御部141Bのリフレッシュ回路104がリフレッシュ動作を行う。
【0031】
次に本実施形態の寿命検出装置1が寿命検出プログラムに従って行う寿命検出方法について説明する。
【0032】
図4は、本実施形態の寿命検出装置が寿命検出プログラムに従って実行する寿命検出方法の説明図である。
【0033】
寿命検出装置1の電源が投入されると、CPU13はBIOS ROM19からBIO
Sを読み出し(S1)、メモリモジュール14を初期化する(S2)。
【0034】
次にCPU13は、所定の記憶部から初期のデータ保持時間(Initial Retention Time)を読み出す(S3)。なお、当該記憶部は、BIOS ROM19、SPD ROM142、磁気記憶装置10、USBメモリやメモリカード等のフラッシュメモリ(不図示)などであっても良い。本実施形態では、BIOS ROM19に記憶している。
【0035】
そしてCPU13は、初期のデータ保持時間を変数Mに代入し(S4)、変数Mが0か否かによって、初期のデータ保持時間が登録済みか否かを判断する(S5)。即ち、変数Mが0であれば(S5,Yes)、S6へ移行して初期のデータ保持時間の登録処理を行い、変数Mが0でなければ(S5,No)、S7へ移行して寿命の検出処理を行う。
そして、初期のデータ保持時間の登録処理(S6)や寿命の測定処理(S7)が完了すると、CPU13はOSを起動する。
【0036】
図5は初期のデータ保持時間の登録処理(S6)を示す図である。
S5で変数Mが0であった場合、カウンタ部21は、リフレッシュ間隔tRを計るリフレッシュタイマーを開始する。また、リフレッシュ指示部25は、メモリモジュール14中のリフレッシュするセルの行を示す値(RR: Refresh Row)をリセットして初期値に戻
す(S601)。
【0037】
そして、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ間隔tRに達した行のリフレッシュを行う(S602)。本実施形態において、メモリモジュール14は主記憶装置であるため、測定する行以外にもCPU13が使用するデータが記憶されているので、リフレッシュ指示部25は、メモリモジュール14の測定行MR以外の行を周期的にリフレッシュする。なお、リフレッシュ動作の詳細については後述する。
【0038】
次に、書込部26は、データDをメモリモジュール14に書き込む。また、タイマー部21は、経過時間tMを計るメジャーメントタイマーを開始する(S603)。
【0039】
また、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ間隔tRに達した行のリフレッシュを行う(S604)。
【0040】
読出制御部22は、経過時間tMが所定時間Wに達したか否かを判定し(S605)、
所定時間Wに達していなければ(S605,No)S604に戻り、所定時間Wに達していれば(S605,Yes)データDの読み取りを行う(S606)。
【0041】
そして、寿命検出部23は、S603で書き込んだ値とS606で読み取った値を比較し(S607)、一致した場合には(S607,pass)所定の経過時間Wを増加させてS63に戻る。即ち、本実施形態では、所定の経過時間Wとして最低限必要な時間を設定しておき、この時間が経過しても正しく読み取れるのならば、所定の増分Xを加えて比較を繰り返す。
【0042】
そして、S607で値が一致しなかった場合、リフレッシュ(S608)の後、寿命検出部23は経過時間Wから増分Xを減じて初期のデータ保持時間を求める(S609)。また、リフレッシュ(S610)の後、寿命検出部23は、初期のデータ保持時間と測定日をBIOS ROM19に記憶させ(S611)、図4のS8へ戻る。
【0043】
図6は寿命の検出処理(S7)を示す図である。
S5で変数Mが0でなかった場合、カウンタ部21は、リフレッシュ間隔tRを計るリフレッシュタイマーを開始する。また、リフレッシュ指示部25は、メモリモジュール14中のリフレッシュするセルの行を示す値(RR: Refresh Row)をリセットして初期値に
戻す(S701)。
【0044】
リフレッシュ(S702)の後、書込部26は、データDをメモリモジュール14に書き込む。また、タイマー部21は、経過時間tMを計るメジャーメントタイマーを開始する(S703)。
【0045】
そして、リフレッシュ(S704)の後、読出制御部22は、経過時間tMが、初期のデータ保持時間Mから閾値(時間)Zを減じた基準時間M−Zに達したか否かを判定し(S705)、基準時間M−Zに達していなければ(S705,No)S704に戻り、基準時間M−Zに達していれば(S705,Yes)データDの読み取りを行う(S706)。
【0046】
そして、寿命検出部23は、S703で書き込んだ値とS706で読み取った値を比較し(S707)、一致した場合には(S707,pass)寿命に達していないことを検出し、S8へ移行する。
【0047】
一方、S707で値が一致しなかった場合、寿命検出部23が寿命に達したことを検出し、これに応じて警告部24が警告メッセージを出力する(708)。
【0048】
図7はS602,604,608,610,702,704のリフレッシュ処理を示す説明図である。
【0049】
リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ間隔tRが所定の値tRIに達したか否かを判定し(S21)、達していなければリフレッシュの必要がないので図7のリフレッシュ処理を抜けて図5又は図6の処理に戻る。
【0050】
一方、リフレッシュ間隔tRが所定の値tRIに達した場合、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ対象の行が測定対象の行と同じか否かを判定し(S22)、同じでなければ(S22,No)、リフレッシュ指示を行う(S23)。
【0051】
リフレッシュ指示後、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ対象の行を示す値RRを1増加させ(S24)、リフレッシュ対象の行が最終行に達したか否かを判定する(S
25)。
【0052】
リフレッシュ指示部25は、リフレッシュ対象の行が最終行に達したと判定した場合(S25,Yes)、リフレッシュタイマーのリフレッシュ間隔tRとリフレッシュ対象の行RRをリセットして初期値に戻す(S26)。また、リフレッシュ対象の行が最終行に達していないと判定した場合(S25,No)、リフレッシュ指示部25はリセットせずに図7のリフレッシュ処理を抜けて図5又は図6の処理に戻る。
【0053】
また、S22において、リフレッシュ対象の行が測定対象の行と同じ場合、リフレッシュ指示部25は、リフレッシュを禁止し、リフレッシュ処理を抜ける(S22,Yes)。即ち、寿命検出部23が所定の経過時間に達するのを待っている測定対象の行まで、周期的にリフレッシュしてはデータ保持時間が測定できないので、測定対象の行を避けてリフレッシュを行っている。
【0054】
図8は、リフレッシュ指示を受けたメモリモジュール14のDRAM141のメモリ制御部141Bによるリフレッシュ動作の説明図である。
【0055】
メモリ制御部141Bは、リフレッシュ対象の行RRをアクティベイトし、時間tの計測を開始する(S31)。
【0056】
メモリ制御部141Bは、アクティベイトから読み取りが可能になるまでの規定時間tRCDを待って(S32)、リフレッシュ対象の行RRのデータを読み取る(S33)。
【0057】
そしてメモリ制御部141Bは、アクティベイトからプリチャージが可能になるまでの規定時間tRASを待って(S34)プリチャージを行う(S35)。
【0058】
また、メモリ制御部141Bは、プリチャージから次の動作が可能になるまでの規定時間tRPを待って(S36)リフレッシュ動作を終える。
【0059】
図9は、リフレッシュ動作の他の例を示す説明図である。メモリ制御部141Bによるリフレッシュ動作は、図8に代えて図9に示す処理でもよい。
【0060】
メモリ制御部141Bは、リフレッシュ対象の行RRをアクティベイトし、時間tの計測を開始する(S41)。
【0061】
メモリ制御部141Bは、アクティベイトから読み取りが可能になるまでの規定時間tRCDを待って(S42)、リフレッシュ対象の行RRのデータを読み取りとオートプリチャージを行う(S43)。
【0062】
そして、メモリ制御部141Bは、アクティベイトから次の行のアクティベイトが可能になるまでの規定時間tRCを待って(S44)リフレッシュ動作を終える。
【0063】
更に図10は、リフレッシュ動作の他の例を示す説明図である。メモリ制御部141Bによるリフレッシュ動作は、図8に代えて図10に示す処理でもよい。
【0064】
メモリ制御部141Bは、リフレッシュ対象の行RRをアクティベイトする(S51)。
【0065】
メモリ制御部141Bは、アクティベイトからプリチャージが可能になるまでの規定時間tRASを待って(S52)プリチャージを行う(S53)。
【0066】
そして、メモリ制御部141Bは、プリチャージから次の動作が可能になるまでの規定時間tRPを待って(S54)リフレッシュ動作を終える。
【0067】
図11は、警告部24が警告メッセージを表示装置15に出力する場合の説明図である。
【0068】
図6のS708で寿命検出部23から寿命に達した旨の通知を受けると、警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが寿命に達しました、交換してから起動してください。」のように警告メッセージをBIOS ROM19から読み出し、表示命令を生成す
る(S61)。
【0069】
そして、警告部24は、チップセット11に送り、表示装置15に表示させる(S62)。
【0070】
図12は、警告部24が警告メッセージを所定のIPアドレス宛てに出力する場合の説明図である。
【0071】
図6のS708で寿命検出部23から寿命に達した旨の通知を受けると、警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが寿命に達しました、交換してから起動してください。」のように警告メッセージをBIOS ROM19から読み出し、送信命令を生成す
る(S71)。
【0072】
そして、警告部24は、所定のIPアドレスをBIOS ROM19から読み取り(S
71)、チップセット12に送り、LANインターフェイス16を介して所定のIPアドレス宛てに警告メッセージを送信する(S72)。
【0073】
図13は、警告部24が警告メッセージを所定のメールアドレス宛てに出力する場合の説明図である。
【0074】
図6のS708で寿命検出部23から寿命に達した旨の通知を受けると、警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが寿命に達しました、交換してから起動してください。」のように警告メッセージをBIOS ROM19から読み出し、送信命令を生成す
る(S81)。
【0075】
そして、警告部24は、所定の送信先メールアドレスや送信サーバの情報、送信者の情報をBIOS ROM19から読み取り(S82)、送信を開始するためのコマンドを送
信サーバに送る(S83)。また、警告部24は、サーバの準備が完了した場合(S84,Yes)、HELOコマンドをサーバに送信し(S85)、正常に処理された場合(S86)、送信者情報をサーバに送信する(S87)。
【0076】
送信者情報が正常に処理された場合(S88,Yes)、警告部24は、送信先アドレスをサーバに送信し(S89)、正常に処理された場合(S90,Yes)、データ送信を開始する旨のコマンドをサーバに送信する(S91)。サーバからデータの送信開始を指示された場合(S92,Yes)、警告部24は、警告メッセージを送信し(S93)、正常に処理された場合(S94,Yes)、終了する旨のコマンドを送信して終了する(S95)。
【0077】
なお、上記図4−図13に示した寿命検出方法は、起動時に実行するように示したが、これに限らず、終了時や、ユーザによる測定の指示が入力された場合など、起動時以外に
実行しても良い。
【0078】
また、初期のデータ保持時間を予め測定して設定しておき、図4のS5,S6を省略してS4の後、S7の寿命測定を行っても良い。
【0079】
更に、図5,図6では、メモリモジュール14の測定対象の行に対する処理の合間に、測定対象以外の行のリフレッシュ処理S602,604,608,610,702,704を行ったが、これに限らず、測定対象の行に対する処理とは別のループでリフレッシュ間隔を計時し、所定の周期で割り込みを発生させて図7のリフレッシュ処理を行っても良い。
【0080】
上述のように本実施形態1では、図6に示したように、DRAMであるメモリモジュール14の寿命を検出できる。なお、寿命に達した場合、図6に示すように、OSを起動しないので情報処理装置(寿命検出装置)1の信頼性が保たれる。
【0081】
また、本実施形態1では、データ保持時間を求め、当該データ保持時間に基づいて寿命を検出するので、メモリモジュール14の通電時間の増加に伴うデータ保持時間の低下に基づいて寿命に達したことを検出できる。
【0082】
更に、本実施形態1では、図11−13に示すように警告部24が警告メッセージを出力するので、任意の手法でユーザに警告できる。
【0083】
〈実施形態2〉
図14,図15は、実施形態2の寿命を予測する方法の説明図である。実施形態1では寿命に達したか否かを検出したが、本実施形態2は、あとどれくらいで寿命に達するかを検出した点が異なっている。なお、他の構成は実施形態1とほぼ同じであるので、同じ要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略している。
【0084】
本実施形態2では、寿命検出装置1の起動時や終了時等、所定の測定タイミングに達した場合や、ユーザによる測定の指示が入力された場合、寿命検出部23は、図14に示す処理を開始する。まず、寿命検出部23は、BIOSROM19から初期のデータ保持時間(第1のデータ保持時間)Mと当該データ保持時間の測定日を読み出すと共に、現在の日付をシステムタイマー17から取得する(S101)。
【0085】
寿命検出部23は、初期のデータ保持時間を変数Mに、測定日を変数Nに、現在の日付を変数Yにそれぞれ代入する。また、経過時間Pの初期値を初期のデータ保持時間Mを同じにする(S102)。
【0086】
次に書込部26は、メモリモジュール14にデータを書き込む(S103)。
そして、読取制御部22は、経過時間Pを待ってメモリモジュール14からデータを読み出す(S104,105)。
【0087】
寿命検出部23は、S103で書き込んだデータとS105で読み出したデータとを比較し(S106)、一致しなければ経過時間Pから所定の短縮分Xを減じてS103へ戻る。
【0088】
寿命検出部23は、S103でデータが一致するまでS103−S107を繰り返し、一致した場合、経過時間Pを現在のデータ保持時間(第2のデータ保持時間)とし、初期のデータ保持時間Mから現在のデータ保持時間Pを減算して差分dRを求める。また、寿命検出部23は、現在の日付Yから測定日Nを減算して測定期間dTを求める(S108
)。
【0089】
そして、寿命検出部23は、差分dRと測定期間dTとに基づいてデータ保持時間の低下率DRを求め、当該低下率DRから寿命を算出する。具体的には、寿命検出部23が、差分dRを測定期間dTで除して、経過日数に対するデータ保持時間の低下率DR、即ち、図15に示すグラフの傾斜を求める。そして寿命検出部23は、データの保持が可能な下限となるデータ保持時間を現在のデータ保持時間Pから減じて差分を求め、当該差分を低下率DRで除して寿命に達するまでの日数Eを予測する(S109)。
【0090】
警告部24は、S109で予測した日数Eを含めた警告メッセージを出力する。例えば警告部24は、「このコンピュータのメインメモリが、あとE日で寿命に達するかもしれません。」「このコンピュータのメインメモリの寿命は、およそY+Eです。」のように警告メッセージを生成し、図11−図13と同様に表示装置15や、所定のIPアドレス、所定のメールアドレスに対して出力する(S110)。
【0091】
なお、図14では測定対象の行以外のリフレッシュ処理を省略して示したが、図6と同様にメモリモジュール14の測定対象の行に対するステップの間で図7に示すリフレッシュ処理を行っても良いし、周期的にリフレッシュ処理を行っても良い。
【0092】
以上のように本実施形態2によれば、第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時
間との差及び測定期間からデータ保持時間の低下率を求め、該低下率に基づいて寿命までの日数を求めることができる。
【0093】
〈実施形態3〉
図16は、実施形態3の寿命を予測して測定間隔を変更する方法の説明図である。本実施形態3では、所定のタイミングで周期的に前記実施形態2の寿命検出を行い、検出した寿命に基づいて近づくにつれて検出するタイミングを変更する。なお、他の構成は実施形態2とほぼ同じであるので、同じ要素に同符号を付すなどして再度の説明を省略している。
【0094】
寿命検出装置1の電源が投入されると、CPU13はBIOS ROM19からBIO
Sを読み出し(S121)、メモリモジュール14を初期化する(S122)。
【0095】
次にCPU13は、所定の記憶部から最新の測定日、現在日付、所定の測定間隔を読み出す(S123)。なお、当該記憶部は、BIOS ROM19、SPD ROM142、磁気記憶装置10、USBメモリやメモリカード等のフラッシュメモリ(不図示)などであっても良い。本実施形態では、BIOS ROM19に記憶している。
【0096】
そしてCPU13は、最新の測定日を変数Qに、現在日付を変数Yに、測定間隔を変数Iに代入し(S124)、最新の測定日Qから現在日付Yまでの経過日数Y−Qが、所定の測定間隔Iに達したか否かを判定する(S125)。
【0097】
CPU13は、経過日数Y−Qが所定の測定間隔Iに達していない場合、寿命検出処理を行わずに処理を終了し(S125,No)、経過日数Y−Qが所定の測定間隔Iに達した場合(S125,Yes)、寿命検出処理を行う(S126)。寿命検出処理S126は、図14に示した処理と同じであり、寿命に達するまでの日数Eを求める。
【0098】
そして、CPU13は検出した寿命に基づき寿命が近ければ測定間隔Iを短く変更する。例えば、CPU13は、寿命に達するまでの日付Eが閾値R未満か否かを判定し(S127)、閾値R未満でない場合(S127,No)処理を終了し、閾値R未満の場合(S
127,Yes)測定間隔Iを変更する(S128)。本実施形態3では、測定間隔Iを半分に変更している。なお、変更量は半分に限らず任意に設定して良い。また、S128において、測定間隔Iと共に閾値Rを変更しても良い。例えば、閾値Rが200のときに経過日数Y−Qが閾値Rを上回った場合、CPU13は、測定間隔Iを変更すると共に閾値Rを半分にする。
【0099】
本実施形態3によれば、所定の測定間隔Iで周期的に寿命の検出を行い、寿命に近づくに伴って短い間隔で寿命の検出を行うので、寿命の警告を適切に出力できる。
【0100】
〈その他〉
本発明は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
例えば、以下に付記した構成であっても良い。これらの構成要素は可能な限り組み合わせることができる。
【0101】
(付記1)
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るタイマー部と、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出す読出制御部と、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する検出部と、
を備えた寿命検出装置。
【0102】
(付記2)
前記検出部が、前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する付記1に記載の寿命検出装置。
【0103】
(付記3)
前記メモリについて求めたデータ保持時間を記憶部に記憶させ、前記読出制御部が、前記記憶部に記憶させたデータ保持時間から所定の閾値を減じた時間を前記所定値として、前記経過時間が当該所定値に達した場合にデータの読み出しを行い、当該データにエラーがあった場合に前記検出部が寿命に達したことを検出する付記2に記載の寿命検出装置。
【0104】
(付記4)
前記記憶部が、BIOSを記憶したBIOS ROM、メモリモジュール上のSPD ROM、磁気記憶装置、又はフラッシュメモリである付記3に記載の寿命検出装置。
【0105】
(付記5)
前記検出部が寿命を検出した場合に警告メッセージを出力する警告部を備えた付記2から4の何れか1項に記載の寿命検出装置。
【0106】
(付記6)
前記警告部による警告メッセージの出力先が、表示装置、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は記憶部である付記5に記載の寿命検出装置。
【0107】
(付記7)
前記検出部が、第1のデータ保持時間を求め、該第1のデータ保持時間を求めてから測定期間を隔てて第2のデータ保持時間を求め、前記測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時間との差及び前記測定期間に基づきデータ保持時間の
低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する付記2から6の何れか1項に記載の寿命検出装置。
【0108】
(付記8)
前記検出部が、前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する付記7に記載の寿命検出装置。
【0109】
(付記9)
前記メモリのデータをリフレッシュするリフレッシュ部を更に備え、
前記読出制御部が、前記寿命の検出のために前記データの読み出しを所定の経過時間まで待っている場合、前記リフレッシュ部によるリフレッシュを禁止する付記1から8の何れか1項に記載の寿命検出装置。
【0110】
(付記10)
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータが実行する寿命検出方法。
【0111】
(付記11)
前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する付記10に記載の寿命検出方法。
【0112】
(付記12)
前記メモリについて求めたデータ保持時間を記憶部に記憶させ、前記記憶部に記憶させたデータ保持時間から所定の閾値を減じた時間を前記所定値とし、前記経過時間が当該所定値に達した場合にデータの読み出しを行い、当該データにエラーがあった場合に寿命に達したことを検出する付記11に記載の寿命検出方法。
【0113】
(付記13)
前記記憶部が、BIOSを記憶したBIOS ROM、メモリモジュール上のSPD ROM、磁気記憶装置、又はフラッシュメモリである付記12に記載の寿命検出方法。
【0114】
(付記14)
前記寿命を検出した場合に警告メッセージを出力するステップを備えた付記11から13の何れか1項に記載の寿命検出方法。
【0115】
(付記15)
前記警告メッセージの出力先が、表示装置、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は記憶媒体である付記14に記載の寿命検出方法。
【0116】
(付記16)
第1のデータ保持時間を求め、該第1のデータ保持時間を求めてから測定期間を隔てて第2のデータ保持時間を求め、前記測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時間との差及び前記測定期間に基づきデータ保持時間の低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する付記11から15の何れか1項に記載の寿命検出方法。
【0117】
(付記17)
前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する付記16に記載の寿命検出方法。
【0118】
(付記18)
前記メモリのデータをリフレッシュするステップを更に備え、
前記寿命の検出のために前記データの読み出しを所定の経過時間まで待っている場合、前記リフレッシュ部によるリフレッシュを禁止する付記10から17の何れか1項に記載の寿命検出方法。
【0119】
(付記19)
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータに実行させる寿命検出プログラム。
【0120】
(付記20)
前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する付記19に記載の寿命検出プログラム。
【0121】
(付記21)
前記メモリについて求めたデータ保持時間を記憶部に記憶させ、前記記憶部に記憶させたデータ保持時間から所定の閾値を減じた時間を前記所定値とし、前記経過時間が当該所定値に達した場合にデータの読み出しを行い、当該データにエラーがあった場合に寿命に達したことを検出する付記20に記載の寿命検出プログラム。
【0122】
(付記22)
前記記憶部が、BIOSを記憶したBIOS ROM、メモリモジュール上のSPD ROM、磁気記憶装置、又はフラッシュメモリである付記21に記載の寿命検出プログラム。
【0123】
(付記23)
前記寿命を検出した場合に警告メッセージを出力するステップを備えた付記19から22の何れか1項に記載の寿命検出プログラム。
【0124】
(付記24)
前記警告メッセージの出力先が、表示装置、所定のIPアドレス、所定のメールアドレス又は記憶媒体である付記23に記載の寿命検出プログラム。
【0125】
(付記25)
第1のデータ保持時間を求め、該第1のデータ保持時間を求めてから測定期間を隔てて第2のデータ保持時間を求め、前記測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデータ保持時間との差及び前記測定期間に基づきデータ保持時間の低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する付記20から24の何れか1項に記載の寿命検出プログラム。
【0126】
(付記26)
前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する付記25に記載の寿命検出プログラム。
【0127】
(付記27)
前記メモリのデータをリフレッシュするステップを更に備え、
前記寿命の検出のために前記データの読み出しを所定の経過時間まで待っている場合、前記リフレッシュ部によるリフレッシュを禁止する付記19から26の何れか1項に記載の寿命検出プログラム。
【0128】
また、上記プログラムをコンピュータが読み取り可能な記録媒体に記録しても良い。コンピュータに、この記録媒体のプログラムを読み込ませて実行させることにより、その機能を提供させることができる。
【0129】
ここで、コンピュータが読み取り可能な記録媒体とは、データやプログラム等の情報を電気的、磁気的、光学的、機械的、または化学的作用によって蓄積し、コンピュータから読み取ることができる記録媒体をいう。このような記録媒体の内コンピュータから取り外し可能なものとしては、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R/W、DVD、DAT、8mmテープ、メモリカード等がある。
【図面の簡単な説明】
【0130】
【図1】寿命検出装置の概略図
【図2】寿命検出装置の機能ブロック図
【図3】メモリモジュールの概略図
【図4】寿命検出方法の説明図
【図5】初期のデータ保持時間の登録処理を示す図
【図6】寿命の検出処理を示す図
【図7】リフレッシュ処理の説明図
【図8】メモリ制御部におけるリフレッシュ動作の説明図
【図9】リフレッシュ動作の他の例を示す説明図
【図10】リフレッシュ動作の他の例を示す説明図
【図11】警告メッセージを表示装置に出力する場合の説明図
【図12】警告メッセージを所定のIPアドレス宛てに出力する場合の説明図
【図13】警告メッセージを所定のメールアドレス宛てに出力する場合の説明図
【図14】実施形態2の寿命検出方法の説明図
【図15】実施形態2の寿命を予測する方法の説明図
【図16】実施形態3の測定間隔を変更する方法の説明図
【符号の説明】
【0131】
1 寿命検出装置
14 メモリモジュール
13 CPU
11,12 チップセット
15 表示装置
21 タイマー部
22 読出制御部
23 寿命検出部
24 警告部
25 リフレッシュ指示部
26 書込部
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るタイマー部と、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出す読出制御部と、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する検出部と、
を備えた寿命検出装置。
【請求項2】
前記検出部が、前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する請求項1に記載の寿命検出装置。
【請求項3】
前記検出部で寿命を検出した場合に警告メッセージを出力する警告部を備えた請求項2に記載の寿命検出装置。
【請求項4】
前記検出部が、前記第1のデータ保持時間の測定から前記第二のデータ保持時間の測定
までの測定期間を求め、該測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデ
ータ保持時間との差及び前記測定期間からデータ保持時間の低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する請求項2又は3に記載の寿命検出装置。
【請求項5】
前記検出部が、前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する請求項4に記載の寿命検出装置。
【請求項6】
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータが実行する寿命検出方法。
【請求項7】
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータに実行させる寿命検出プログラム。
【請求項1】
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るタイマー部と、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出す読出制御部と、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する検出部と、
を備えた寿命検出装置。
【請求項2】
前記検出部が、前記データをエラー無しで読み出すことができた場合の前記経過時間をデータ保持時間として求め、該データ保持時間に基づいて前記メモリの寿命を検出する請求項1に記載の寿命検出装置。
【請求項3】
前記検出部で寿命を検出した場合に警告メッセージを出力する警告部を備えた請求項2に記載の寿命検出装置。
【請求項4】
前記検出部が、前記第1のデータ保持時間の測定から前記第二のデータ保持時間の測定
までの測定期間を求め、該測定期間に低下した前記第1のデータ保持時間と前記第2のデ
ータ保持時間との差及び前記測定期間からデータ保持時間の低下率を求め、該低下率から前記寿命を検出する請求項2又は3に記載の寿命検出装置。
【請求項5】
前記検出部が、前記寿命の検出を所定のタイミングで行い、検出した寿命に基づいて前記所定のタイミングを変更する請求項4に記載の寿命検出装置。
【請求項6】
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータが実行する寿命検出方法。
【請求項7】
メモリにデータが保持されてからの経過時間を計るステップと、
前記経過時間が所定値に達した場合に前記データを前記メモリから読み出すステップと、
読み出した前記データのエラーの有無及び前記経過時間に基づいて前記メモリの寿命を検出するステップと、
をコンピュータに実行させる寿命検出プログラム。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【公開番号】特開2010−157276(P2010−157276A)
【公開日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−333910(P2008−333910)
【出願日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【出願人】(000005223)富士通株式会社 (25,993)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【出願人】(000005223)富士通株式会社 (25,993)
【Fターム(参考)】
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